專利名稱：一種無金線的led器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管器件，尤其是一種倒裝的發(fā)光二極管器件。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)是一種半導(dǎo)體制造技術(shù)加工的電致發(fā)光器件，主要發(fā)光原理是化合物半導(dǎo)體材料在加載正向電壓的條件下，有源電子與空穴復(fù)合產(chǎn)生光子，其中可見光成分能夠被人眼識別產(chǎn)生可見光。目前由于LED的亮度問題被極大地改善，LED被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，包括背光單元、汽車、電信號、交通信號燈、照明裝置等。為了使大功率LED照明具有更高的亮度，可以增加LED的輸入電流。但是電流的增加使LED芯片產(chǎn)生大量熱量，為了提高LED芯片的可靠性，防止LED芯片燒毀，大功率LED 必須能夠有效地散發(fā)在照明或者發(fā)光過程中產(chǎn)生的熱量。目前市場上的大功率LED芯片倒裝在塑料PCB板上，其P極和N極通過金屬引線引出到外部的金屬線路上。這種方式封裝的LED芯片產(chǎn)生的熱量不是直接傳輸?shù)酵獠康纳崞?，而是通過導(dǎo)熱低的塑料體向外部傳輸，并且由于需要采用金屬引線引出LED芯片的P 極和N極，一旦金屬引線斷裂，容易引起LED失效，降低了 LED的可靠性。為了解決LED芯片需要經(jīng)過導(dǎo)熱性差的塑料進(jìn)行散熱的問題，中國專利 200510075355. 8中公開了一種大功率的LED封裝結(jié)構(gòu)，將LED芯片直接倒裝在硅底座上， LED芯片的P極和N極通過硅底座上表面的金屬層引至邊緣，再在邊緣處設(shè)置金屬焊盤，通過金屬引線與支架連接，硅底座再通過粘合劑固定在散熱片上。此種封裝方式增強(qiáng)了 LED 的散熱性能，但是硅材料并非一種良好的散熱材料，而且熱量向外散發(fā)時還需要通過粘合劑層，降低了其導(dǎo)熱性能。另外其還需要采用金線引出LED芯片的P極和N極，極大的降低了 LED的可靠性。LED芯片根據(jù)材料的不同，可以產(chǎn)生不同顏色的光=AlGaAs可以產(chǎn)生紅光； InGaAlP可以產(chǎn)生紅、黃或者黃綠光；InGaN可以產(chǎn)生深綠或者藍(lán)光。當(dāng)前市場上主流的商品化白光LED是采用藍(lán)光LED芯片加上黃、綠、紅一種或多種熒光粉來實現(xiàn)的，此技術(shù)存在的一個關(guān)鍵問題在于熒光粉必須均勻地涂覆在芯片表面，否則會出現(xiàn)光色不均勻的光斑現(xiàn)象。傳統(tǒng)的LED涂覆工藝即點(diǎn)熒光粉混合膠，通過點(diǎn)膠在LED 芯片上涂敷熒光粉與膠體的混合體層，但這樣得到的熒光粉層結(jié)構(gòu)不均勻，從而導(dǎo)致LED 的光色均勻性差。一種新型平面保形涂覆的技術(shù)(Conformal Coating)被提出來，該技術(shù)主要是通過電泳、噴涂、沉積等方法在芯片表面形成一層厚度均勻的熒光粉層，在一定程度上可提高出光均勻性，熒光粉層的厚度也容易控制，但LED工作時產(chǎn)生的熱量會使熒光粉發(fā)生熱猝滅效應(yīng)，降低光通量。美國專利US2011/0031516中公開了一種LED器件的封裝結(jié)構(gòu)，采用熒光粉遠(yuǎn)離芯片涂覆于覆蓋芯片的透明硅膠層外側(cè)的透鏡間三明治結(jié)構(gòu)模式。盡管此種結(jié)構(gòu)解決了熒光粉的熱猝滅效應(yīng)的問題，但需要在透明膠層上涂覆多層熒光粉使得工藝過程更加復(fù)雜而且影響生產(chǎn)效率，同時此結(jié)構(gòu)中的熒光粉層包含一反射層也給生產(chǎn)帶來了難度。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的是要提供一種具有良好散熱性和高可靠性的 LED封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的再一個目的是要提供一種具有分層涂覆和熒光粉遠(yuǎn)離LED芯片的封裝結(jié)構(gòu)，改善光色均勻性同時避免熒光粉熱猝滅效應(yīng)。為了實現(xiàn)具有良好散熱性能和提高LED的可靠性的目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下一種無金線的LED器件，包括至少一 LED芯片，具有P極和N極；第一金屬電極層，具有相互絕緣的P區(qū)和N區(qū)，所述P區(qū)和N區(qū)分別與所述LED芯片的P極和N極電連接；基板，其上表面設(shè)有所述第一金屬電極層；封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)設(shè)于基板上表面，包圍所述LED芯片，所述基板對應(yīng)所述第一金屬電極層的P區(qū)和N區(qū)設(shè)有第一通孔和第二通孔；及還包括第二金屬電極層，設(shè)于所述基板的下表面，具有相互絕緣的P區(qū)和N區(qū)，所述P區(qū)和N區(qū)分別與所述第一通孔和第二通孔對應(yīng)；導(dǎo)電填充材料，設(shè)于所述第一通孔和第二通孔之中，所述第一通孔中的導(dǎo)電填充材料電連接第一金屬電極層的P區(qū)和第二金屬電極層的P區(qū)，所述第二通孔中的導(dǎo)電填充材料電連接第一金屬電極層的N區(qū)和第二金屬電極層的N區(qū)。進(jìn)一步，所述LED芯片的P極和N極分別通過金屬凸點(diǎn)與第一金屬電極層的P區(qū)和N區(qū)以共晶鍵合的方式實現(xiàn)無金線的電連接。進(jìn)一步，所述LED芯片的P極和N極通過加熱、加壓或者加超聲功率中的任一種或它們的組合實現(xiàn)與所述第一金屬電極層無金線的電連接。進(jìn)一步，所述第一金屬電極層通過化學(xué)鍍或者電鍍工藝實現(xiàn)，其材料為Ag、Cu、Al、 Ag, Ni ,In, Sn中的一種或者多種組成的合金。進(jìn)一步，所述基板的下表面還設(shè)有一金屬散熱焊盤。進(jìn)一步，所述基板材料為氮化鋁、氧化鋁、SiC、AlSiC、BeO中的一種。進(jìn)一步，所述封裝結(jié)構(gòu)包括透明膠層，包圍所述LED芯片；光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層，包含光轉(zhuǎn)化物質(zhì)，涂覆在所述透明膠層外；光學(xué)結(jié)構(gòu)層，包圍所述光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層。優(yōu)選的，所述封裝結(jié)構(gòu)包括透明膠層，包圍所述LED芯片；光學(xué)結(jié)構(gòu)層，其中包含有光轉(zhuǎn)化物質(zhì)，包圍所述透明膠層。進(jìn)一步，所述透明膠層的材質(zhì)為硅膠、環(huán)氧樹脂、PC、PET中的一種或多種混合物， 通過液態(tài)涂覆或者固態(tài)片層粘合的方式直接跟芯片接觸。進(jìn)一步，所述光轉(zhuǎn)化物質(zhì)材料為有機(jī)染料、稀土發(fā)光有機(jī)配合物、YAG、LuAG, Silicate、(Ca, Sr)AlSiN3 中的一種或者多種。
進(jìn)一步，所述光學(xué)結(jié)構(gòu)層材質(zhì)為PC、PMMA、Silic0ne、EP、PET玻璃中的一種或者多種的混合物。進(jìn)一步，所述光學(xué)結(jié)構(gòu)層的外形結(jié)構(gòu)為半球形、方形、橢圓形、菲涅爾形、蜂窩形、 花生形、圓錐形、正六邊形、柿餅形中的一種。相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的有益效果是ULED芯片直接倒裝在基板上，以及在基板下表面設(shè)有金屬散熱焊盤，進(jìn)一步改善了 LED芯片的散熱效果。2、基板上表面的第一金屬電極層增強(qiáng)了 LED的發(fā)光效果。3、LED芯片的P極和N極通過基板上通孔的導(dǎo)電填充材料引出，避免使用金屬引線從而有效地提高了 LED的可靠性。4、LED封裝結(jié)構(gòu)中的光轉(zhuǎn)化物質(zhì)遠(yuǎn)離LED芯片，均勻的涂覆在LED芯片外層，極大地改善了 LED光色的均勻性，避免出現(xiàn)熒光粉熱猝滅效應(yīng)。5、光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層采用單層涂覆或者直接包含于光學(xué)結(jié)構(gòu)層，不需要分層涂覆，能有效提高生產(chǎn)效率。6、光學(xué)結(jié)構(gòu)層的外形結(jié)構(gòu)可以根據(jù)實際需要靈活選擇，擴(kuò)大了 LED器件的使用范圍。為了充分地了解本發(fā)明的目的、特征和效果，以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明的構(gòu)思、具體結(jié)構(gòu)及產(chǎn)生的技術(shù)效果作進(jìn)一步說明。


圖1是本發(fā)明一種無金線的LED器件實施例一的剖面示意圖。圖2是本發(fā)明一種無金線的LED器件實施例二的剖面示意圖。圖3是本發(fā)明一種無金線的LED器件實施例三的剖面示意圖。圖中I-LED芯片；11-藍(lán)寶石襯底；12-N型氮化鎵；13-發(fā)光層；14-P型氮化鎵；15-P 電極；16-金屬凸點(diǎn)；17-N電極；2-陶瓷基板；21-第一金屬電極層P區(qū)；22-第一金屬電極層N區(qū)；23-第一通孔；24-第二通孔；25-第二金屬電極層P區(qū)；26-第二金屬電極層N區(qū)； 27-金屬散熱焊盤；3-封裝結(jié)構(gòu)；31-透明膠層；32-光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層；33-光學(xué)結(jié)構(gòu)層。
具體實施例方式實施例1如圖1所示，一種無金線的LED器件，包括LED芯片1，基板2，封裝結(jié)構(gòu)3。LED芯片1倒裝在基板2上，封裝結(jié)構(gòu)3設(shè)于基板2上，并且包圍LED芯片1。LED芯片1包括藍(lán)寶石襯底11、N型氮化鎵12、發(fā)光層13、P型氮化鎵14、P電極 15、金屬凸點(diǎn)16和N電極17。在藍(lán)寶石襯底11上生長成N型氮化鎵12，N型氮化鎵12上生長成發(fā)光層13，發(fā)光層13上生長有P型氮化鎵14。通過光刻、刻蝕、金屬層沉積和鈍化層保護(hù)等工藝步驟，最后經(jīng)過裂片工藝，在P型氮化鎵14層上形成P電極15和金屬凸點(diǎn)16， 在N型氮化鎵12上形成N電極17和金屬凸點(diǎn)16，而且P電極15和N電極17位于LED芯片的同一側(cè)。
其中，金屬凸點(diǎn)16的材料可以為Ag、Au、Al、Cu、Cr、Ni中的一種、多種或其合金， 其位置可以在陶瓷基板2的第一金屬電極層的P區(qū)21和N區(qū)22上、芯片歐姆接觸層上或兩者均有，制造金屬凸點(diǎn)16的工藝可以是蒸發(fā)、電鍍、金屬線植球工藝。基板2材質(zhì)為氧化鋁陶瓷，通過電鍍工藝在基板2的上、下表面形成第一金屬電極層的P區(qū)21和N區(qū)22，然后采用激光通孔工藝在基板2中P區(qū)21所在處形成第一通孔23， N區(qū)22所在處形成第二通孔24。通過電鍍工藝在第一通孔23和第二通孔M中填入導(dǎo)電材料，形成陶瓷基板上下電極之間的電路連接通道，再通過光刻、腐蝕或剝離工藝將第一金屬電極層形成對應(yīng)于LED芯片的圖形和連線。基板2的下表面兩端形成相互隔離的第二金屬電極層的P區(qū)25和N區(qū)26，中間設(shè)有導(dǎo)熱焊盤27，最后通過電鍍方法在基板2上表面第一金屬電極層的P區(qū)21和N區(qū)22形成金屬凸點(diǎn)16。其中，第二金屬電極層的P區(qū)25、N區(qū)沈和導(dǎo)熱金屬焊盤27的材料可以為Ni、Au、 Ag、Al、Ti、W中的一種、多種或合金。填充的導(dǎo)電材料為Au、Cu、Al、Ni、In、Sn中的一種或者多種的合金。封裝結(jié)構(gòu)3具有三層物質(zhì)，由內(nèi)到外分別為透明膠層31、光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層32和光學(xué)結(jié)構(gòu)層33。透明膠層31涂覆在倒裝LED芯片1的周圍，緊貼LED芯片1，用于增加LED芯片1的出光效率，同時阻隔光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層32中的光轉(zhuǎn)化物質(zhì)，防止由于LED芯片1的熱量導(dǎo)致轉(zhuǎn)化效率降低。透明膠體層32材料為硅膠或環(huán)氧樹脂或PC或PET等透明材料，通過液態(tài)涂覆或者固態(tài)片層粘合的方式跟芯片直接接觸，材料的折射率要求在1 2之間，厚度為 10-100um。光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層32用于將LED芯片1發(fā)出的光色轉(zhuǎn)化為想要的光色，如將藍(lán)光轉(zhuǎn)化為白光等。光轉(zhuǎn)換物質(zhì)層32為單一層，所選光轉(zhuǎn)換物質(zhì)范圍可以是有機(jī)染料、稀土發(fā)光有機(jī)配合物、YAG、LuAG、Silicate、(Ca，Sr)AlSiN3中的一種或多種混合物。上述的這些單一物質(zhì)或者多種物質(zhì)混合形成的混合物混合在類似透明膠層內(nèi)31所述的物質(zhì)中的一種或者和有機(jī)溶劑中，通過噴涂等涂覆方式放置于透明膠層31外。該光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層32根據(jù)需要可以為緊貼芯片表面透明材料的保形層、半球形、方形中的一種。光學(xué)結(jié)構(gòu)層33用于外部形狀的調(diào)整，可以是實現(xiàn)該封裝結(jié)構(gòu)不同的光型要求，其材料可以為PC、PMMA、Silic0ne、EP、PET，玻璃中的一種或者幾種組合。光學(xué)結(jié)構(gòu)層33的形狀為半球形，有利于出光。以下詳細(xì)說明本實施例LED器件的制造方法步驟Sl 制造LED芯片1。在藍(lán)寶石襯底8上生長有N型氮化鎵12、P型氮化鎵 14、發(fā)光層13的外延片上，經(jīng)過光刻、刻蝕、金屬層沉積和鈍化層保護(hù)等系列工藝步驟，在 LED芯片上形成P電極15和N電極17及電極上的金屬凸點(diǎn)16。步驟S2 在氧化鋁陶瓷基板2上，先通過電鍍工藝在基板2的上、下表面分別形成第一金屬電極層和第二金屬電極層，并分別形成相互絕緣的P區(qū)和N區(qū)。采用激光通孔工藝在陶瓷基板2中形成第一通孔23和第二通孔對，然后用電鍍工藝在第一通孔23和第二通孔M中填入導(dǎo)電材料，第一金屬電極層P區(qū)21和N區(qū)22分別與第二金屬電極層P區(qū)25 和N區(qū)沈之間的電路連接通道。再通過光刻、腐蝕或剝離工藝將第一金屬電極層形成對應(yīng)于LED芯片的圖形和連線，下表面在兩端、中央分別形成相互隔離的第二金屬電極層的P區(qū) 25和N區(qū)沈、導(dǎo)熱焊盤27，最后通過電鍍方法在第一金屬電極層的P區(qū)21和N區(qū)22形成金屬凸點(diǎn)16。步驟S3 將LED芯片1倒裝焊接在陶瓷基板2的上表面。通過自動化的倒裝焊接設(shè)備將Sl步驟LED芯片1上的P電極15和N電極17的金屬凸點(diǎn)16與陶瓷基板的凸點(diǎn)鍵合形成鍵合凸點(diǎn)的過程。步驟S4 在LED芯片1表面涂敷透明膠體層31。先在陶瓷基板2蓋上有開孔的鋼網(wǎng)模具后采用絲網(wǎng)印刷方式涂覆一層與芯片保形的液態(tài)硅膠透明膠體層31，固化后取下鋼網(wǎng)即成型。步驟S5 在透明膠體層31上涂覆光轉(zhuǎn)換物質(zhì)層32。將YAG基黃色光轉(zhuǎn)換物質(zhì)預(yù)先混入透明膠和稀釋劑中制成熒光膠混合物，然后采用全自動化噴涂設(shè)備在透明膠體層上噴涂一層光轉(zhuǎn)換層32，所噴涂的光轉(zhuǎn)換物質(zhì)層32為單一層且與透明膠體層31保形。步驟S6 形成光學(xué)結(jié)構(gòu)層33。選擇具有一定粘度的硅膠作為光學(xué)結(jié)構(gòu)材料，通過模具注塑成型工藝制成半球形狀與光轉(zhuǎn)換物質(zhì)層粘結(jié)，再經(jīng)熱固化，脫模即形成光學(xué)結(jié)構(gòu)層33。實施例2實施例2與實施例1的區(qū)別在于，實施例2中的封裝結(jié)構(gòu)3中的光學(xué)結(jié)構(gòu)層33外形為方形結(jié)構(gòu)。光學(xué)結(jié)構(gòu)層33用于外部形狀的調(diào)整，可以是實現(xiàn)該封裝結(jié)構(gòu)不同的光型要求，其材料可以為PC、PMMA、Silic0ne、EP、PET，玻璃中的一種或者幾種組合。采用方形的外形結(jié)構(gòu)可以做成小體積且易成型。實施例3實施例3與實施例1的區(qū)別在于，封裝結(jié)構(gòu)3中的光學(xué)結(jié)構(gòu)層33中包含有光轉(zhuǎn)化物質(zhì)，所述光轉(zhuǎn)化物質(zhì)為有機(jī)染料、稀土發(fā)光有機(jī)配合物、YAG、LuAG、Silicate、(Ca, Sr) AlSiN3中的一種或多種混合物，將光轉(zhuǎn)化物質(zhì)與液體狀態(tài)的光學(xué)結(jié)構(gòu)層材料預(yù)先混合在一起，然后通過涂覆、鑄模等工藝步驟成型。通過將光轉(zhuǎn)化物質(zhì)混合入光學(xué)結(jié)構(gòu)層33之中，同時實現(xiàn)光轉(zhuǎn)化和設(shè)計光學(xué)外層結(jié)構(gòu)的功能，極大地提高了生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明將LED芯片1倒裝在陶瓷基板2上，有效地改善了 LED器件的散熱效果。通過陶瓷基板2上的第一通孔23和第二通孔M中填入導(dǎo)電材料，引出LED 芯片1的P極16和N極17，不需要采用金線引出P極和N極，極大的提高了 LED器件的可靠性。在LED器件的封裝結(jié)構(gòu)上，本發(fā)明采用多層結(jié)構(gòu)使得光轉(zhuǎn)化物質(zhì)遠(yuǎn)離LED芯片，防止LED芯片的熱量導(dǎo)致光轉(zhuǎn)化物質(zhì)的熱猝滅效應(yīng)。采用這種結(jié)構(gòu)也可以方便的將光轉(zhuǎn)化物質(zhì)均勻涂覆在透明膠層外側(cè)或者均勻混合于光學(xué)結(jié)構(gòu)層，提高了 LED器件光色的均勻性。 同時，光轉(zhuǎn)化物質(zhì)的單層涂覆方式，本發(fā)明還可以具有多種實施例，如可以將由多個LED芯片組成LED芯片組替換上述實施例中的單個LED芯片。以上詳細(xì)描述了本發(fā)明的較佳具體實施例，應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員無需創(chuàng)造性勞動就可以根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思作出諸多修改和變化。因此，凡本技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員依本發(fā)明構(gòu)思在現(xiàn)有技術(shù)基礎(chǔ)上通過邏輯分析、推理或者根據(jù)有限的實驗可以得到的技術(shù)方案，均應(yīng)該在由本權(quán)利要求書所確定的保護(hù)范圍之中。
權(quán)利要求
1.一種無金線的LED器件，包括 至少一 LED芯片，具有P極和N極；第一金屬電極層，具有相互絕緣的P區(qū)和N區(qū)，所述P區(qū)和N區(qū)分別與所述LED芯片的 P極和N極電連接；基板，其上表面設(shè)有所述第一金屬電極層；封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)設(shè)于基板上表面，包圍所述LED芯片，其特征在于，所述基板對應(yīng)所述第一金屬電極層的P區(qū)和N區(qū)設(shè)有第一通孔和第二通孔；及還包括第二金屬電極層，設(shè)于所述基板的下表面，具有相互絕緣的P區(qū)和N區(qū)，所述P區(qū)和N 區(qū)分別與所述第一通孔和第二通孔對應(yīng)；導(dǎo)電填充材料，設(shè)于所述第一通孔和第二通孔之中，所述第一通孔中的導(dǎo)電填充材料電連接第一金屬電極層的P區(qū)和第二金屬電極層的P區(qū)，所述第二通孔中的導(dǎo)電填充材料電連接第一金屬電極層的N區(qū)和第二金屬電極層的N區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無金線的LED器件，其特征在于，所述LED芯片的P極和 N極分別通過金屬凸點(diǎn)與第一金屬電極層的P區(qū)和N區(qū)以共晶鍵合的方式實現(xiàn)無金線的電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種無金線的LED器件，其特征在于，所述LED芯片的P極和N極通過加熱、加壓或者加超聲功率中的任一種或它們的組合實現(xiàn)與所述第一金屬電極層無金線的電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種無金線的LED器件，其特征在于，所述第一金屬電極層通過化學(xué)鍍或者電鍍工藝實現(xiàn)，其材料為Ag、Cu、Al、Ag、Ni、In、Sn中的一種或者多種組成的合金。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的一種無金線的LED器件，其特征在于，所述基板的下表面還設(shè)有一金屬散熱焊盤。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種無金線的LED器件，其特征在于，所述基板材料為氮化鋁、氧化鋁、SiC、AlSiC、BeO中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無金線的LED器件，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)包括 透明膠層，包圍所述LED芯片；光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層，包含光轉(zhuǎn)化物質(zhì)，涂覆在所述透明膠層外； 光學(xué)結(jié)構(gòu)層，包圍所述光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無金線的LED器件，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)包括 透明膠層，包圍所述LED芯片；光學(xué)結(jié)構(gòu)層，其中包含有光轉(zhuǎn)化物質(zhì)，包圍所述透明膠層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的一種無金線的LED器件，其特征在于，所述透明膠層的材質(zhì)為硅膠、環(huán)氧樹脂、PC、PET中的一種或多種混合物，通過液態(tài)涂覆或者固態(tài)片層粘合的方式直接跟芯片接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的一種無金線的LED器件，其特征在于，所述光轉(zhuǎn)化物質(zhì)材料為有機(jī)染料、稀土發(fā)光有機(jī)配合物、YAG、LuAG、Silicate、(Ca, Sr)AlSiN3中的一種或者多種。
11.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的一種無金線的LED器件，其特征在于，所述光學(xué)結(jié)構(gòu)層材質(zhì)為PC、PMMA、Silicone、EP、PET玻璃中的一種或者多種的混合物。
12.根據(jù)權(quán)利要求7或者8所述的一種無金線的LED器件，其特征在于，所述光學(xué)結(jié)構(gòu)層的外形結(jié)構(gòu)為半球形、方形、橢圓形、菲涅爾形、蜂窩形、花生形、圓錐形、正六邊形、柿餅形中的一種。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種無金線的LED器件，將LED芯片倒裝在基板上，通過基板上的通孔將LED芯片的P極和N極引至基板下表面的第二金屬電極層，同時在下表面設(shè)有散熱金屬焊盤，實現(xiàn)LED器件的熱電通道分離的目的，極大的增強(qiáng)了LED器件的散熱性能和可靠性。同時，本發(fā)明還具有多層的封裝結(jié)構(gòu)，光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層能夠遠(yuǎn)離LED芯片，有效防止光轉(zhuǎn)化物質(zhì)的熱猝滅效應(yīng)，極大的改善了LED器件光色的均勻性。
文檔編號H01L33/48GK102270730SQ20111021147
公開日2011年12月7日 申請日期2011年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月27日
發(fā)明者萬垂銘, 周玉剛, 肖國偉, 陳海英 申請人:晶科電子(廣州)有限公司