專利名稱：Cmos圖像傳感器及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及CMOS圖像傳感器及其形成方法。
背景技術(shù)：
圖像傳感器的作用是將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)化為相應(yīng)的電信號(hào)。圖像傳感器分為互補(bǔ)金屬氧化物(CMOS)圖像傳感器和電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器。CCD圖像傳感器的優(yōu)點(diǎn)是對(duì)圖像敏感度較高，噪聲小，但是CCD圖像傳感器與其他器件的集成比較困難，而且CCD圖像傳感器的功耗較高。相比之下，CMOS圖像傳感器具有工藝簡(jiǎn)單、易與其他器件集成、體積小、重量輕、功耗小、成本低等優(yōu)點(diǎn)。目前CMOS圖像傳感器已經(jīng)廣泛應(yīng)用于靜態(tài)數(shù)碼相機(jī)、 照相手機(jī)、數(shù)碼攝像機(jī)、醫(yī)療用攝像裝置(例如胃鏡)、車(chē)用攝像裝置等。圖1為現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器的截面結(jié)構(gòu)示意圖，請(qǐng)參考圖1，現(xiàn)有技術(shù)的圖像傳感器包括位于基底內(nèi)(未示出)的多個(gè)感光單元101，多個(gè)感光單元形成感光單元陣列，位于感光單元101表面的互連層102以及位于互連層內(nèi)的金屬層103，位于互連層102 表面的第二平坦層104，位于第二平坦層104表面的彩色濾光片105，位于彩色濾光片105 表面的第一平坦層106，以及位于第一平坦層106表面的微透鏡107。現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器的形成方法，包括請(qǐng)參考圖2，提供基底200，所述基底200內(nèi)形成有感光單元201 ；形成位于所述基底200表面的第一層間介質(zhì)層203 ；形成位于所述第一層間介質(zhì)層203內(nèi)的第一導(dǎo)電插塞 204 ；請(qǐng)參考圖3，形成位于所述第一層間介質(zhì)層203表面、與所述第一導(dǎo)電插塞204相連的第一金屬層205 ；請(qǐng)參考圖4 圖5，形成覆蓋所述第一層間介質(zhì)層203和第一金屬層205的第二層間介質(zhì)層206，平坦化所述第二層間介質(zhì)層206?，F(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器的形成方法還包括后續(xù)步驟，形成圖1所示的第二平坦層、彩色濾光片、第一平坦層以及微透鏡?，F(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器現(xiàn)有技術(shù)的CMOS 圖像傳感器成像質(zhì)量較差，形成工藝復(fù)雜。更多關(guān)于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)，以及工作原理請(qǐng)參考公開(kāi)號(hào)為CN1875486A的中國(guó)專利。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種提高成像質(zhì)量的CMOS圖像傳感器及其形成方法。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種CMOS圖像傳感器，包括基底；位于基底表面的層間介質(zhì)層；第一導(dǎo)電插塞和與所述第一導(dǎo)電插塞相連的第一金屬層，所述第一導(dǎo)電插塞和第一金屬層均位于所述層間介質(zhì)層內(nèi)；
位于所述層間介質(zhì)層表面的隔離層，所述隔離層內(nèi)具有暴露出所述第一金屬層的通孔；填充滿所述通孔的第二導(dǎo)電插塞；位于所述隔離層表面、與第二導(dǎo)電插塞相連的第二金屬層?？蛇x地，所述隔離層的厚度為500 2000 A?？蛇x地，所述第二導(dǎo)電插塞和第二金屬層的材料為熱鋁。可選地，所述層間介質(zhì)層的厚度為3000 6000 A?？蛇x地，所述層間介質(zhì)層的材料為SiO2 ；所述第一導(dǎo)電插塞和第一金屬層的材料為鎢；所述隔離層的材料為Si02?？蛇x地，所述基底內(nèi)包括至少一個(gè)感光單元。一種如上所述的CMOS圖像傳感器的形成方法，包括提供基底；在所述基底表面形成層間介質(zhì)層；形成第一導(dǎo)電插塞和第一金屬層，所述第一導(dǎo)電插塞和第一金屬層均位于所述層間介質(zhì)層內(nèi)；形成位于所述層間介質(zhì)層表面的隔離層，所述隔離層內(nèi)具有暴露出第一金屬層的通孔；形成填充滿所述通孔的第二導(dǎo)電插塞；形成位于所述隔離層表面、與第二導(dǎo)電插塞相連的第二金屬層?？蛇x地，所述隔離層的厚度為500 2000 A?？蛇x地，所述第二導(dǎo)電插塞和第二金屬層在同一工藝步驟中形成，形成所述第二導(dǎo)電插塞和第二金屬層具體步驟為在溫度為420 460°C的環(huán)境下，向所述通孔內(nèi)和隔離層表面沉積熱鋁；然后采用刻蝕工藝刻蝕所述熱鋁?？蛇x地，在所述層間介質(zhì)層表面形成隔離層前，還包括平坦化所述第一金屬層?？蛇x地，所述隔離層的形成工藝為高密度等離子體化學(xué)氣相沉積或TEOS工藝。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn)一方面，本發(fā)明的實(shí)施例的第一導(dǎo)電插塞和第一金屬層均形成在層間介質(zhì)層內(nèi)， 且在同一工藝步驟中形成，節(jié)省了工藝步驟，形成工藝簡(jiǎn)單；并且本發(fā)明實(shí)施例的第一金屬層表面與層間介質(zhì)層表面齊平，使得后續(xù)形成的隔離層表面平整，避免了由于化學(xué)機(jī)械拋光的精度問(wèn)題而對(duì)隔離層的厚度形成的限制，形成的隔離層的厚度比現(xiàn)有技術(shù)中的薄，減小了光線從微透鏡到感光單元表面的距離，降低了光線的損失，提高了 CMOS圖像傳感器的成像質(zhì)量。另一方面，本發(fā)明實(shí)施例的隔離層的厚度較薄，有助于形成深寬比較為合適的通孔，鋁在所述通孔內(nèi)更易填充，并且本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)明人在沉積溫度為420 460°C時(shí)， 向所述通孔內(nèi)和隔離層表面沉積填充性能更好的熱鋁形成第二導(dǎo)電插塞和第二金屬層，既節(jié)省了工藝步驟，所述第二導(dǎo)電插塞和第二金屬層之間連接強(qiáng)度和導(dǎo)電性能又好。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器的剖面結(jié)構(gòu)示意圖2 圖5是現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器的形成過(guò)程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明實(shí)施例的CMOS圖像傳感器的流程示意圖；圖7 圖11是本發(fā)明實(shí)施例的CMOS圖像傳感器的形成過(guò)程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式正如背景所述，現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器的成像質(zhì)量不夠理想。本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)明人經(jīng)過(guò)研究后發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器，光線依次穿過(guò)微透鏡、第二平坦層、彩色濾光片、第一平坦層、互連層后到達(dá)感光單元，光線的損失較為嚴(yán)重，影響了 CMOS 圖像傳感器的成像質(zhì)量。經(jīng)過(guò)研究后，本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)可以通過(guò)減小光線從微透鏡表面到達(dá)感光單元的表面的距離，減小光線的損失，從而達(dá)到提高CMOS圖像傳感器的成像質(zhì)量的目的。本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)明人經(jīng)過(guò)進(jìn)一步研究后發(fā)現(xiàn)，可以通過(guò)改善互連層的形成工藝來(lái)減小互連層的厚度，從而達(dá)到減小光線由微透鏡表面到達(dá)感光單元的表面的距離。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施方式
的限制。請(qǐng)參考圖6，圖6示出了本發(fā)明實(shí)施例的CMOS圖像傳感器的形成方法的流程示意圖，包括步驟S301，提供基底，在所述基底表面形成層間介質(zhì)層；步驟S303，形成第一導(dǎo)電插塞、與所述第一導(dǎo)電插塞相連的第一金屬層，所述第一導(dǎo)電插塞和第一金屬層均位于所述層間介質(zhì)層內(nèi)；步驟S305，在所述層間介質(zhì)層表面形成隔離層，所述隔離層內(nèi)形成有暴露出第一金屬層的通孔；步驟S307，形成填充滿所述通孔的第二導(dǎo)電插塞和位于所述隔離層表面、與第二導(dǎo)電插塞相連的第二金屬層。圖7 圖11示出了本發(fā)明實(shí)施例的CMOS圖像傳感器的形成過(guò)程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。 執(zhí)行步驟S301，請(qǐng)參考圖7，提供基底400，在所述基底400表面形成層間介質(zhì)層 403。所述基底400的材料為半導(dǎo)體材料，例如硅，所述基底400內(nèi)形成有與所述基底表面齊平的感光單元401，所述感光單元401用于接收光線產(chǎn)生電子。在所述基底400內(nèi)形成感光單元401的工藝為離子注入。具體為在所述基底400 表面形成光刻膠層(未圖示)，所述光刻膠層具有開(kāi)口(未圖示)，所述開(kāi)口的位置與所述感光單元401的位置相對(duì)應(yīng)；以所述光刻膠層為掩膜，向所述基底400內(nèi)注入離子。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述基底400為N型摻雜，所述感光單元為P型摻雜；或者所述基底400為P型摻雜，所述感光單元為N型摻雜。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述基底400表面還形成有與所述感光單元401相連的多晶硅層404，用于形成晶體管或其他器件。所述層間介質(zhì)層403用于隔離晶體管、感光單元和金屬連線。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述層間介質(zhì)層403的材料為SiO2，所述層間介質(zhì)層403的厚度為3000 6000人；所述層間介質(zhì)層403除覆蓋基底400外，還覆蓋所述多晶硅層404。執(zhí)行步驟S303，請(qǐng)參考圖8 圖9，形成第一導(dǎo)電插塞406、與所述第一導(dǎo)電插塞 406相連的第一金屬層407，所述第一導(dǎo)電插塞406和第一金屬層407均位于所述層間介質(zhì)層403內(nèi)。請(qǐng)參考圖8，在所述層間介質(zhì)層403內(nèi)形成開(kāi)口 405，所述開(kāi)口 405包括用于填充形成第一導(dǎo)電插塞的第一開(kāi)口(未表示)和用于填充形成第一金屬層的第二開(kāi)口(未標(biāo)示)°其中，所述第二開(kāi)口的與基底表面平行的截面大于第一開(kāi)口的與基底表面平行的截面；所述開(kāi)口 405的形成步驟中，可以先形成第一開(kāi)口，再形成第二開(kāi)口，也可以先形成第二開(kāi)口，再形成第一開(kāi)口，在此不再贅述。請(qǐng)參考圖9，向所述開(kāi)口 405內(nèi)填充金屬材料，形成第一導(dǎo)電插塞406、與所述第一導(dǎo)電插塞相連的第一金屬層407。所述第一導(dǎo)電插塞406和第一金屬層407用于與外界傳遞信號(hào)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述層間介質(zhì)層403內(nèi)形成有多個(gè)第一導(dǎo)電插塞406和多個(gè)第一金屬層407，其中一部分第一導(dǎo)電插塞406與所述基底400相連，另一部分第一導(dǎo)電插塞406與所述多晶硅層 404相連。另外，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電插塞406還可以與基底400、多晶硅層404中的一個(gè)相連。在本發(fā)明的實(shí)施例中，在所述層間介質(zhì)層403內(nèi)形成第一導(dǎo)電插塞406和第一金屬層407的工藝為大馬士革工藝；所述第一導(dǎo)電插塞406和第一金屬層407的材料為鎢。本發(fā)明的實(shí)施例的第一導(dǎo)電插塞406和第一金屬層407均形成在層間介質(zhì)層內(nèi)， 且在同一工藝步驟中形成，而不用在第一層間介質(zhì)層內(nèi)形成第一導(dǎo)電插塞，再在所述第一層間介質(zhì)層表面形成第一金屬層，然后形成覆蓋第一層間介質(zhì)層和第一金屬層的第二層間介質(zhì)層，最后還要化學(xué)機(jī)械拋光所述第二層間介質(zhì)層(詳情見(jiàn)圖2 5)，節(jié)省了工藝步驟， 形成工藝簡(jiǎn)單；并且本發(fā)明的實(shí)施例在層間介質(zhì)層內(nèi)形成第一導(dǎo)電插塞和第一金屬層，有助于后續(xù)形成較薄的隔離層和電連接性能好的第二導(dǎo)電插塞、第二金屬層，詳情請(qǐng)參考后續(xù)步驟。執(zhí)行步驟S305，請(qǐng)參考圖10，在所述層間介質(zhì)層403表面形成隔離層408，所述隔離層408內(nèi)形成有通孔411。在所述層間介質(zhì)層403表面形成隔離層408前，還包括平坦化所述第一金屬層 407使所述第一金屬層407與所述層間介質(zhì)層403齊平。其中，平坦化采用化學(xué)機(jī)械拋光工藝。在本發(fā)明的實(shí)施例中，由于采用大馬士革工藝形成第一導(dǎo)電插塞406和第一金屬層407，經(jīng)過(guò)平坦化后所述第一金屬層407與層間介質(zhì)層403的表面已經(jīng)齊平，所以在采用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積或TEOS工藝沉積SiO2薄膜形成隔離層408后，無(wú)需對(duì)所述隔離層408進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，所述隔離層408的表面也很平整。避免了如圖5所示的需要對(duì)第二層間介質(zhì)層206進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，而由于化學(xué)機(jī)械拋光本身存在的精度問(wèn)題，被拋光物體表面的中心與邊緣的厚度存在差異，使得拋光后的第二層間介質(zhì)層206表面到第一金屬層表面的部分的厚度至少大于3500 A,才能保證化學(xué)機(jī)械拋光后第一金屬層不會(huì)暴露出。因此，本發(fā)明實(shí)施例中形成的隔離層408的厚度不受化學(xué)機(jī)械拋光精度的限制，可以形成更薄的隔離層408，而所述更薄的隔離層408更有助于后續(xù)形成滿足工藝要求的通孔 411。本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)明人經(jīng)過(guò)研究后發(fā)現(xiàn)，當(dāng)隔離層408的厚度在500 2000 A范圍內(nèi)時(shí)，形成的滿足工藝要求的通孔411的深寬比小，有助于后續(xù)填充形成第二導(dǎo)電插塞
和第二金屬層。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述通孔411的工藝為干法刻蝕，所述通孔 411暴露出第一金屬層407表面，用于后續(xù)形成第二導(dǎo)電插塞409。本發(fā)明實(shí)施例的隔離層的厚度小于現(xiàn)有技術(shù)中第二層間介質(zhì)層的厚度，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的實(shí)施例中減少了入射光線從微透鏡表面到感光單元表面的距離，入射光光程縮短，減少了光在傳輸過(guò)程的損失，改善了相鄰像素之間由于散射光而造成的串?dāng)_；進(jìn)一步的，由于入射光線從微透鏡表面到感光單元表面的距離減小，有效減小了由于光程差所造成的暗角和顏色不均勻等問(wèn)題，提高了 CMOS圖像傳感器的成像質(zhì)量。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述互連層包括層間介質(zhì)層、位于所述層間介質(zhì)層內(nèi)的第一導(dǎo)電插塞和第一金屬層、隔離層、位于所述隔離層內(nèi)的第二導(dǎo)電插塞、與所述第二導(dǎo)電插塞相連的第二金屬層。本發(fā)明的實(shí)施例中是通過(guò)減小隔離層的厚度達(dá)到減小互連層的厚度的目的的。執(zhí)行步驟S307，請(qǐng)參考圖11，填充滿所述通孔形成第二導(dǎo)電插塞409和位于所述隔離層408表面、與第二導(dǎo)電插塞409相連的第二金屬層410。所述第二導(dǎo)電插塞409和第二金屬層410的材料相同，均為鋁，用于與外界的信號(hào)相連。在本發(fā)明的實(shí)施例中，為節(jié)省工藝步驟，所述第二導(dǎo)電插塞409和第二金屬層410 在同一工藝步驟中采用沉積工藝形成。考慮到鋁在所述通孔內(nèi)的填充性能會(huì)影響到第二導(dǎo)電插塞409和第二金屬層410的連接強(qiáng)度和導(dǎo)電性能，為使鋁更好的填充滿所述通孔，使得形成的第二導(dǎo)電插塞409和第二金屬層410的導(dǎo)電性能更好且第二導(dǎo)電插塞409與第二金屬層410之間連接的更好，本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)明人選擇在沉積溫度為420 460°C時(shí)，向所述通孔內(nèi)和隔離層408表面沉積填充性能更好的熱鋁，然后采用刻蝕工藝，例如干法刻蝕， 刻蝕所述熱鋁以形成第二導(dǎo)電插塞409和與所述第二導(dǎo)電插塞409相連的第二金屬層410， 所述第二金屬層410定義出金屬連線。需要說(shuō)明的是，根據(jù)實(shí)際需要，CMOS圖像傳感器中還可以形成與所述第二金屬層相連的第三導(dǎo)電插塞和與所述第三導(dǎo)電插塞相連的第三金屬層、甚至還可以形成第四導(dǎo)電插塞和第四金屬層或者更多，所述第三導(dǎo)電插塞、第三金屬層以及第四導(dǎo)電插塞、第四金屬層的形成步驟請(qǐng)參考上述步驟中的步驟S305和步驟S307，在此不再贅述。本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)明人還提供了一種采用上述形成方法形成的CMOS圖像傳感器，請(qǐng)繼續(xù)參考圖11，包括基底400，所述基底400內(nèi)包括至少一個(gè)感光單元401 ；位于基底400表面且與所述感光單元401相連的多晶硅層404，覆蓋所述基底400
8和多晶硅層404表面的層間介質(zhì)層403 ；位于所述層間介質(zhì)層403內(nèi)的第一導(dǎo)電插塞406和與所述導(dǎo)電插塞406相連的第一金屬層407 ；位于所述層間介質(zhì)層403表面的隔離層408，所述隔離層408內(nèi)有通孔(未標(biāo)示)； 填充滿所述通孔的第二導(dǎo)電插塞409 ；位于所述隔離層408表面、與第二導(dǎo)電插塞409相連的第二金屬層410。其中，所述層間介質(zhì)層的材料為Si02，厚度為3000 6000 A;所述第一導(dǎo)電插塞和第一金屬層的材料為鎢；所述隔離層的材料為SiO2,厚度為500 2000 A;所述第二導(dǎo)電插塞和第二金屬層的材料為熱鋁。綜上，一方面，本發(fā)明的實(shí)施例的第一導(dǎo)電插塞和第一金屬層均形成在層間介質(zhì)層內(nèi)，且在同一工藝步驟中形成，節(jié)省了工藝步驟，形成工藝簡(jiǎn)單；并且本發(fā)明實(shí)施例的第一金屬層表面與層間介質(zhì)層表面齊平，使得后續(xù)形成的隔離層表面平整，避免了由于化學(xué)機(jī)械拋光的精度問(wèn)題而對(duì)隔離層的厚度形成的限制，形成的隔離層的厚度比現(xiàn)有技術(shù)中的薄，減小了光線從微透鏡到感光單元表面的距離，降低了光線的損失，提高了 CMOS圖像傳感器的成像質(zhì)量。另一方面，本發(fā)明實(shí)施例的隔離層的厚度較薄，有助于形成深寬比較為合適的通孔，鋁在所述通孔內(nèi)更易填充，并且本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)明人在溫度為420 460°C的環(huán)境下向所述通孔內(nèi)和隔離層表面沉積填充性能更好的熱鋁形成第二導(dǎo)電插塞和第二金屬層，既節(jié)省了工藝步驟，所述第二導(dǎo)電插塞和第二金屬層之間連接強(qiáng)度和導(dǎo)電性能又好。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種CMOS圖像傳感器，包括基底；位于基底表面的層間介質(zhì)層； 其特征在于，還包括第一導(dǎo)電插塞和與所述第一導(dǎo)電插塞相連的第一金屬層，所述第一導(dǎo)電插塞和第一金屬層均位于所述層間介質(zhì)層內(nèi)；位于所述層間介質(zhì)層表面的隔離層，所述隔離層內(nèi)具有暴露出所述第一金屬層的通孔；填充滿所述通孔的第二導(dǎo)電插塞；位于所述隔離層表面、與第二導(dǎo)電插塞相連的第二金屬層。
2.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述隔離層的厚度為500 2000 A0
3.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述第二導(dǎo)電插塞和第二金屬層的材料為熱鋁。
4.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述層間介質(zhì)層的厚度為 3000 6000 A
5.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述層間介質(zhì)層的材料為SiO2； 所述第一導(dǎo)電插塞和第一金屬層的材料為鎢；所述隔離層的材料為Si02。
6.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述基底內(nèi)包括至少一個(gè)感光單元。
7.—種如權(quán)利要求1 6中的任一項(xiàng)所述的CMOS圖像傳感器的形成方法，包括提供基底；在所述基底表面形成層間介質(zhì)層； 其特征在于，還包括形成第一導(dǎo)電插塞和第一金屬層，所述第一導(dǎo)電插塞和第一金屬層均位于所述層間介質(zhì)層內(nèi)；形成位于所述層間介質(zhì)層表面的隔離層，所述隔離層內(nèi)具有暴露出第一金屬層的通孔；形成填充滿所述通孔的第二導(dǎo)電插塞；形成位于所述隔離層表面、與第二導(dǎo)電插塞相連的第二金屬層。
8.如權(quán)利要求7所述的CMOS圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述隔離層的厚度為 500 2000 A。
9.如權(quán)利要求7所述的CMOS圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電插塞和第二金屬層在同一工藝步驟中形成，形成所述第二導(dǎo)電插塞和第二金屬層具體步驟為 在沉積溫度為420 460°C時(shí)，向所述通孔內(nèi)和隔離層表面沉積熱鋁；然后采用刻蝕工藝刻蝕所述熱鋁。
10.如權(quán)利要求7所述的CMOS圖像傳感器的形成方法，其特征在于，在所述層間介質(zhì)層表面形成隔離層前，還包括平坦化所述第一金屬層。
11.如權(quán)利要求7所述的CMOS圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述隔離層的形成工藝為高密度等離子體化學(xué)氣相沉積或TEOS工藝。
全文摘要
本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種CMOS圖像傳感器，包括基底；位于基底表面的層間介質(zhì)層；第一導(dǎo)電插塞和與所述導(dǎo)電插塞相連的第一金屬層，所述第一導(dǎo)電插塞和第一金屬層均位于所述層間介質(zhì)層內(nèi)；位于所述層間介質(zhì)層表面的隔離層，所述隔離層內(nèi)具有暴露出所述第一金屬層的通孔；填充滿所述通孔的第二導(dǎo)電插塞；位于所述隔離層表面、與第二導(dǎo)電插塞相連的第二金屬層。相應(yīng)的，本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種CMOS圖像傳感器的形成方法。采用本發(fā)明的實(shí)施例形成的CMOS圖像傳感器的成像質(zhì)量高，形成工藝簡(jiǎn)單。
文檔編號(hào)H01L21/768GK102231381SQ20111016312
公開(kāi)日2011年11月2日 申請(qǐng)日期2011年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月16日
發(fā)明者霍介光 申請(qǐng)人:格科微電子(上海)有限公司