專利名稱：平板顯示設備及其制造方法
技術領域：
根據(jù)本發(fā)明的實施例的方面涉及平板顯示設備及其制造方法。
背景技術：
諸如有機發(fā)光顯示設備和液晶顯示器(LCD)設備之類的平板顯示設備被分為有源矩陣平板顯示設備和無源矩陣平板顯示設備。有源矩陣平板顯示設備包括位于每個像素中的薄膜晶體管(TFT)和電容器，并且顯示高分辨率的圖像。當在每個像素中形成TFT和電容器時，用于連接TFT和電容器的布線以精細圖案形成，以便增加開口率。這種精細圖案通常通過利用光掩膜的光刻術形成。光刻術涉及在基板上均勻涂覆光刻膠，將其上形成有圖案的光掩膜與基板對準， 并且通過利用諸如步進機之類的曝光設備對光刻膠進行曝光。如果光刻膠為正性光刻膠， 則光刻術進一步涉及對曝光的光刻膠進行顯影并刻蝕以形成期望的圖案，并且進一步涉及在不再需要光刻膠時去除光刻膠。如上所述，通過利用光掩膜形成圖案的一系列工藝是復雜的。隨著利用光掩膜的工藝數(shù)目增加，制造成本和制造時間也增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例致力于一種可以減少利用光掩膜的工藝數(shù)目并增加開口率的平板顯示設備和制造平板顯示設備的方法。根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供一種制造平板顯示設備的方法，所述方法包括在基板上形成薄膜晶體管(TFT)的半導體層；在所述半導體層上形成柵電極，其中所述柵電極與所述半導體層之間有柵絕緣層，并且利用離子雜質(zhì)對所述半導體層的源區(qū)和漏區(qū)進行摻雜；依次形成第一導電層、第一絕緣層和第二導電層，并且通過圖案化所述第一導電層、所述第一絕緣層和所述第二導電層在離開所述TFT—定距離處形成電容器；形成第二絕緣層，并且形成穿過所述第二絕緣層的接觸孔，所述接觸孔暴露所述源區(qū)和所述漏區(qū)以及所述第二導電層的一部分；并且形成源電極和漏電極，所述源電極接觸所述源區(qū)，并且所述漏電極通過所述接觸孔接觸所述漏區(qū)和所述第二導電層。所述形成柵電極可以包括在形成有所述柵電極的所述柵絕緣層上形成布線，所述布線包括與所述柵電極相同的材料，并且直接接觸所述第一導電層。所述利用離子雜質(zhì)對所述半導體層的源區(qū)和漏區(qū)進行摻雜可以包括利用相同的離子雜質(zhì)對所述源區(qū)和所述漏區(qū)進行摻雜。所述利用離子雜質(zhì)對所述半導體層的源區(qū)和漏區(qū)進行摻雜可以包括通過使用所述柵電極作為自對準掩膜，利用所述離子雜質(zhì)對所述源區(qū)和所述漏區(qū)進行摻雜。所述第一導電層和所述第二導電層中的每一個可以包括透明導電材料。所述第一導電層、所述第一絕緣層和所述第二導電層的形成所述TFT的部分可以被完全刻蝕。所述形成電容器可以包括圖案化所述第一導電層、所述第一絕緣層和所述第二導電層，使得所述第一導電層、所述第一絕緣層和所述第二導電層的刻蝕后的側表面被對準。所述第二絕緣層可以直接接觸所述柵電極。所述方法可以進一步包括在所述源電極和所述漏電極上形成有機層，并且形成穿過所述有機層的通孔，所述通孔暴露所述源電極和所述漏電極之一的一部分。所述方法可以進一步包括形成通過所述通孔接觸所述源電極和所述漏電極之一的像素電極。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供一種平板顯示設備，包括TFT的位于基板上的半導體層，所述半導體層包括溝道區(qū)、源區(qū)和漏區(qū)；位于所述溝道區(qū)上的柵電極，其中所述柵電極與所述溝道區(qū)之間有柵絕緣層；位于所述柵絕緣層上的電容器，所述電容器包括刻蝕后的側表面被對準的第一導電層、第一絕緣層和第二導電層；位于所述柵電極和所述電容器上穿過第二絕緣層的源電極和漏電極，所述源電極接觸所述源區(qū)，并且所述漏電極接觸所述漏區(qū)和所述第二導電層；以及接觸所述源電極和所述漏電極之一的一部分的像素電極。所述源區(qū)和所述漏區(qū)可以包括相同的離子雜質(zhì)。 所述平板顯示設備可以進一步包括由與所述柵電極相同的材料形成的布線，所述布線位于形成有所述柵電極的所述柵絕緣層上，并且直接接觸所述第一導電層。所述布線可以包括從由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳 (Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、鎢化鉬(MoW)、鋁 /同(Al/Cu)及其結合所組成的組中選擇的至少一種導電材料。所述電容器的第一導電層和第二導電層中的每一個可以包括透明導電材料。所述透明導電材料可以包括從由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(SiO)、 氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)和氧化鋁鋅(AZO)所組成的組中選擇的至少一種材料。所述第一絕緣層可以包括具有比所述第二絕緣層高的介電常數(shù)的材料。所述第一絕緣層可以包括氮化物。所述第一絕緣層可以僅僅位于所述第一導電層與所述第二導電層之間。所述平板顯示設備可以進一步包括位于所述源電極和所述漏電極與所述像素電極之間的有機層，其中所述源電極和所述漏電極之一通過所述有機層中的通孔接觸所述像素電極。所述平板顯示設備可以進一步包括面對所述像素電極的對電極；以及位于所述像素電極與所述對電極之間的液晶層。所述平板顯示設備可以進一步包括由與所述柵電極相同的材料形成的布線，所述布線位于形成有所述柵電極的所述柵絕緣層上，并且直接接觸所述第一導電層，其中所述布線用于接收電壓Vcom。所述平板顯示設備可以進一步包括面對所述像素電極的對電極；以及位于所述像素電極與所述對電極之間的有機發(fā)光層。


通過參照附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施例，根據(jù)本發(fā)明的實施例的以上及其它特征和方面將變得更明顯，附圖中圖IA和圖IB為示出根據(jù)本發(fā)明實施例的制造平板顯示設備的方法的第一掩膜工藝的截面圖；圖2A、圖2B和圖2C為示出根據(jù)本發(fā)明實施例的圖IA和圖IB的方法的第二掩膜工藝的截面圖；圖3A、圖3B、圖3C、圖3D和3E為示出根據(jù)本發(fā)明實施例的圖IA和圖IB的方法的
第三掩膜工藝的截面圖；圖4A和圖4B為示出根據(jù)本發(fā)明實施例的圖IA和圖IB的方法的第四掩膜工藝的截面圖；圖5A和圖5B為示出根據(jù)本發(fā)明實施例的圖IA和圖IB的方法的第五掩膜工藝的截面圖；圖6為示出根據(jù)本發(fā)明實施例的圖IA和圖IB的方法的第六掩膜工藝的截面圖；圖7為示出根據(jù)本發(fā)明實施例的圖IA和圖IB的方法的第七掩膜工藝的截面圖； 以及圖8為示出根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示器(LCD)設備的截面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，附圖中示出本發(fā)明的示例性實施例。圖IA和圖IB為示出根據(jù)本發(fā)明實施例的制造平板顯示設備的方法的第一掩膜工藝的截面圖。參見圖1A，在基板10上沉積將成為半導體層的材料的材料層11，在材料層11上涂覆第一光刻膠P1，并且執(zhí)行利用第一光掩膜Ml的第一光掩膜工藝。基板10可以由包括SiO2作為主成分的透明玻璃材料形成?？梢栽诨?0上進一步布置包括SiO2和/或SiNx的緩沖層，以便平坦化基板10并防止雜質(zhì)元素滲入。緩沖層和材料層11可以通過以下各種合適的沉積方法沉積，例如等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、常壓CVD(APCVD)、低壓CVD(LPCVD)或其它合適的方法。在一個實施例中，材料層11可以由非晶硅或多晶硅形成。多晶硅可以通過對非晶硅進行晶體化而形成。對非晶硅進行晶體化的方法的示例可以包括快速熱退火(RTA)、 固相晶體化(SPC)、準分子激光退火(ELA)、金屬誘導晶體化(MIC)、金屬誘導橫向晶體化 (MILC)、連續(xù)橫向固化(SLQ或其它合適的方法。第一掩膜工藝利用包括透光部分Mll和擋光部分M12的第一光掩膜Ml執(zhí)行。第一光刻膠Pi通過利用曝光設備而曝光，并且執(zhí)行顯影、刻蝕和剝離或清洗的一系列工藝。參見圖1B，作為第一掩膜工藝的結果，材料層11被圖案化成薄膜晶體管 (TFT) 20 (參見圖5B)的半導體層21。圖2A至圖2C為示出根據(jù)本發(fā)明實施例的圖IA和圖IB的方法的第二掩膜工藝的截面圖。參見圖2A，以所述的順序在所得到的圖IB的結構上依次堆疊柵絕緣層12、將成為柵電極的材料的金屬層13以及第二光刻膠P2，并且利用包括透光部分M21和擋光部分M22 的第二光掩膜M2執(zhí)行第二掩膜工藝。柵絕緣層12可以具有單層結構或包括氧化硅和氮化硅等等的多層結構。金屬層13可以包括從由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳 (Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、鎢化鉬(MoW)、鋁 /銅(Al/Cu)及其結合所組成的組中選擇的至少一種導電材料。參見圖2B，作為第二掩膜工藝的結果，金屬層13被圖案化以形成將在后面更詳細說明的TFT 20的柵電極23和電容器30的布線33。由于電容器30的布線33和TFT 20的柵電極23由相同材料形成在同一層即柵絕緣層12上，因此布線33可以在不額外執(zhí)行單獨的掩膜工藝的情況下形成。參見圖2C，半導體層21包括與柵電極23對應的溝道區(qū)21b以及形成為與溝道區(qū) 21b相鄰的源區(qū)21a和漏區(qū)21c。在一個實施例中，源區(qū)21a和漏區(qū)21c通過利用作為第二掩膜工藝的結果而形成的柵電極23作為自對準掩膜，被摻雜有相同的離子雜質(zhì)。盡管源區(qū)21a和漏區(qū)21c在參照圖2C描述的第二掩膜工藝中被摻雜有P+型雜質(zhì)， 但本發(fā)明的實施例不限于此。也就是說，源區(qū)21a和漏區(qū)21c可以被摻雜有N+、P-或N-雜質(zhì)，與在P溝道金屬氧化物半導體(PMOQ TFT或N溝道金屬氧化物半導體(NMOQ TFT中相同，但與互補金屬氧化物半導體(CMOS)TFT不同。形成CMOS TFT的傳統(tǒng)方法包括至少兩個掩膜工藝。然而，根據(jù)當前實施例，由于源區(qū)21a和漏區(qū)21c通過利用柵電極23作為自對準掩膜被摻雜有相同的離子雜質(zhì)，因此不需要額外的掩膜工藝。因此，減少了掩膜工藝的數(shù)目，并且降低了制造成本。圖3A至圖3E為示出根據(jù)本發(fā)明實施例的圖IA和圖IB的方法的第三掩膜工藝的截面圖。參見圖3A，以所述的順序在所得到的圖2C的結構上依次堆疊第一導電層14、第一絕緣層15、第二導電層16和第三光刻膠P3，并且利用包括透光部分M31和擋光部分M32的第三光掩膜M3執(zhí)行第三掩膜工藝。參見圖3B，對第三光刻膠P3進行顯影，并且與擋光部分M32對應的第三光刻膠 P3'保留在第二導電層16的一部分上。參見圖3C，第二導電層16的未被與擋光部分M32對應的第三光刻膠P3'覆蓋的一部分被刻蝕，并且第二導電層16的與剩余的第三光刻膠P3對應的一部分保留作為電容器30的上電極36 (參見圖3E)。參見圖3D，第一絕緣層15的未被與擋光部分M32對應的第三光刻膠P3'覆蓋的一部分被刻蝕，并且第一絕緣層15的、與剩余的對應于擋光部分M32的第三光刻膠P3'相對應的一部分保留作為電容器30的介電層35 (參見圖3E)。參見圖3E，第一導電層14的未被與擋光部分M32對應的第三光刻膠P3'覆蓋的一部分被刻蝕，并且第一導電層14的、與剩余的對應于擋光部分M32的第三光刻膠P3' 相對應的一部分保留作為電容器30的下電極34，并且與擋光部分M32對應的第三光刻膠 P3'被去除。
由于電容器30的下電極34、介電層35和上電極36通過使用第三光刻膠P3'作為由一個光掩膜(即第三光掩膜M3)形成的掩膜被刻蝕，因此電容器30的刻蝕后的側表面 A被對準。電容器30的下電極34和上電極36中的每一個可以包括透明導電材料。透明導電材料可以從由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵 (IGO)和氧化鋁鋅(AZO)所組成的組中選擇。由于電容器30的上電極36和下電極34是透明電極，因此可以在不減小電容器30的尺寸的情況下增加平板顯示設備的開口率。而且，電容器30的下電極34可以直接接觸電容器30的布線33。如果電容器30 的上電極36和下電極34中的每一個由具有高電阻率的透明電極形成，并且布線33由具有高電阻率的材料形成，則施加于電容器30的電壓應當增加。然而，如果電容器30的布線 33就像用于形成柵電極23的材料那樣由具有低電阻率的材料形成，則施加于電容器30的電壓可以降低。此外，在液晶顯示器(LCD)設備的情況下，應當額外向電容器30施加電壓 Vcom。在一個實施例中，由于額外向電容器30的由與柵電極23相同的材料形成的布線33 施加電壓Vcom，因此可以最小化或降低由于布線電阻而導致的負載。而且，形成電容器30的介電層35的第一絕緣層15可以包括具有高介電常數(shù)的絕緣材料。在一個實施例中，介電層35包括氮化硅。這里，盡管第二導電層16、第一絕緣層15和第一導電層14通過不同的刻蝕工藝 (即圖3C至圖3E中的三個刻蝕工藝)進行刻蝕，但本發(fā)明的實施例不限于此，而是可以執(zhí)行一個或兩個刻蝕工藝。圖4A至圖4B為示出根據(jù)本發(fā)明實施例的圖IA和圖IB的方法的第四掩膜工藝的截面圖。參見圖4A，以所述的順序在所得到的圖3E的結構上依次堆疊第二絕緣層17和第四光刻膠P4，并且利用包括透光部分M41和擋光部分M42的第四光掩膜M4執(zhí)行第四掩膜工藝。參見圖4B，作為第四掩膜工藝的結果，形成穿過第二絕緣層17并暴露TFT 20的源區(qū)21a和漏區(qū)21c的一部分以及電容器30的上電極36的一部分的接觸孔27a、27c和37。由于第一絕緣層15的形成TFT 20的那部分在第三掩膜工藝中被完全刻蝕，因此第二絕緣層17直接接觸TFT 20的柵電極23。第二絕緣層17被形成為直接插入在TFT 20的柵電極23與源電極28a和漏電極參見圖5B)之間的層間絕緣層。第二絕緣層17可以包括氮化物或氧化物，并且可以由具有比第一絕緣層15小的介電常數(shù)的材料形成。圖5A和圖5B為示出根據(jù)本發(fā)明實施例的圖IA和圖IB的方法的第五掩膜工藝的截面圖。參見圖5A，以所述的順序在所得到的圖4B的結構上依次堆疊將成為源電極和漏電極的材料的材料層18以及第五光刻膠P5，并且利用包括透光部分M51和擋光部分M52的第五光掩膜M5執(zhí)行第五掩膜工藝。參見圖5B，作為第五掩膜工藝的結果，形成通過第二絕緣層17中的接觸孔27a、 27c和37分別接觸TFT 20的源區(qū)21a和漏區(qū)21c以及電容器30的上電極36的源電極28a和漏電極觀0。根據(jù)以上所述的實施例，平板顯示設備的TFT 20和電容器30可以通過五個光掩膜工藝形成。相應地，掩膜工藝的數(shù)目和制造成本降低。圖6為示出根據(jù)本發(fā)明實施例的圖IA和圖IB的方法的第六掩膜工藝的截面圖。參見圖6，在所得到的圖5B的結構上形成有機層19。通過第六掩膜工藝形成穿過有機層19并暴露源電極28a和漏電極28c之一的一部分的通孔四。在一個實施例中，無機絕緣層可以進一步布置在源電極28a和漏電極^c與有機層19之間。圖7為示出根據(jù)本發(fā)明實施例的圖IA和圖IB的方法的第七掩膜工藝的截面圖。參見圖7，在形成通孔四的有機層19上通過第七掩膜工藝形成像素電極41。像素電極41通過通孔四連接到源電極28a和漏電極28c之一。圖8為根據(jù)本發(fā)明實施例的通過圖IA和圖IB的方法形成的IXD設備的截面圖。 液晶層43和對電極42被形成在包括像素電極41的基板10上。通過如上所述的方法形成的平板顯示設備可以通過五個掩膜工藝在像素中包括 TFT和電容器。相應地，掩膜工藝的數(shù)目和制造成本得到了降低。而且，如果電容器的兩個電極都是透明電極，則可以在不減小電容器的尺寸的情況下增加平板顯示設備的開口率。 而且，由于連接到電容器的布線由與具有低電阻的柵電極相同的材料形成，因此可以減小布線電阻。這里，盡管在圖8中示出IXD設備，但本發(fā)明的實施例不限于此，并且可以形成諸如有機發(fā)光顯示設備之類的各種顯示設備。由于為了說明的方便可能放大或減小了附圖中示出的元件，因此本發(fā)明不限于附圖中示出的元件的尺寸或形狀。本領域普通技術人員應當理解，在這里可以做出各種修改和等同。相應地，本發(fā)明的精神和范圍應當由所附的權利要求及其等同物來限定。
權利要求
1.一種制造平板顯示設備的方法，所述方法包括 在基板上形成薄膜晶體管的半導體層；在所述半導體層上形成柵電極，其中所述柵電極與所述半導體層之間有柵絕緣層，并且利用離子雜質(zhì)對所述半導體層的源區(qū)和漏區(qū)進行摻雜；依次形成第一導電層、第一絕緣層和第二導電層，并且通過圖案化所述第一導電層、所述第一絕緣層和所述第二導電層在離開所述薄膜晶體管一定距離處形成電容器；形成第二絕緣層，并且形成穿過所述第二絕緣層的接觸孔，所述接觸孔暴露所述源區(qū)和所述漏區(qū)以及所述第二導電層的一部分；并且形成源電極和漏電極，所述源電極接觸所述源區(qū)，并且所述漏電極接觸所述漏區(qū)，所述源電極和所述漏電極之一通過所述接觸孔接觸所述第二導電層。
2.根據(jù)權利要求1所述的制造平板顯示設備的方法，其中所述形成柵電極包括在形成有所述柵電極的所述柵絕緣層上形成布線，所述布線包括與所述柵電極相同的材料，并且直接接觸所述第一導電層。
3.根據(jù)權利要求1所述的制造平板顯示設備的方法，其中所述利用離子雜質(zhì)對所述半導體層的源區(qū)和漏區(qū)進行摻雜包括利用相同的雜質(zhì)對所述源區(qū)和所述漏區(qū)進行摻雜。
4.根據(jù)權利要求1所述的制造平板顯示設備的方法，其中所述利用離子雜質(zhì)對所述半導體層的源區(qū)和漏區(qū)進行摻雜包括通過使用所述柵電極作為自對準掩膜，利用所述離子雜質(zhì)對所述源區(qū)和所述漏區(qū)進行摻雜。
5.根據(jù)權利要求1所述的制造平板顯示設備的方法，其中所述第一導電層和所述第二導電層中的每一個包括透明導電材料。
6.根據(jù)權利要求1所述的制造平板顯示設備的方法，其中所述第一導電層、所述第一絕緣層和所述第二導電層的形成所述薄膜晶體管的部分被完全刻蝕。
7.根據(jù)權利要求1所述的制造平板顯示設備的方法，其中所述形成電容器包括圖案化所述第一導電層、所述第一絕緣層和所述第二導電層，使得所述第一導電層、所述第一絕緣層和所述第二導電層的刻蝕后的側表面被對準。
8.根據(jù)權利要求1所述的制造平板顯示設備的方法，其中所述第二絕緣層直接接觸所述柵電極。
9.根據(jù)權利要求1所述的制造平板顯示設備的方法，進一步包括在所述源電極和所述漏電極上形成有機層，并且形成穿過所述有機層的通孔，所述通孔暴露所述源電極和所述漏電極之一的一部分。
10.根據(jù)權利要求9所述的制造平板顯示設備的方法，進一步包括形成通過所述通孔接觸所述源電極和所述漏電極之一的像素電極。
11.一種平板顯示設備，包括薄膜晶體管的位于基板上的半導體層，所述半導體層包括溝道區(qū)、源區(qū)和漏區(qū)； 位于所述溝道區(qū)上的柵電極，其中所述柵電極與所述溝道區(qū)之間有柵絕緣層； 位于所述柵絕緣層上的電容器，所述電容器包括刻蝕后的側表面被對準的第一導電層、第一絕緣層和第二導電層；位于所述柵電極和所述電容器上穿過第二絕緣層的源電極和漏電極，所述源電極接觸所述源區(qū)，并且所述漏電極接觸所述漏區(qū)，所述源電極和所述漏電極之一接觸所述第二導電層；以及接觸所述源電極和所述漏電極之一的一部分的像素電極。
12.根據(jù)權利要求11所述的平板顯示設備，其中所述源區(qū)和所述漏區(qū)包括相同的離子雜質(zhì)。
13.根據(jù)權利要求11所述的平板顯示設備，進一步包括由與所述柵電極相同的材料形成的布線，所述布線位于形成有所述柵電極的所述柵絕緣層上，并且直接接觸所述第一導電層。
14.根據(jù)權利要求13所述的平板顯示設備，其中所述布線包括從由銀、鎂、鋁、鉬、鈀、 金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、鉬、鈦、鎢、鎢化鉬、鋁/銅及其結合所組成的組中選擇的至少一種導電材料。
15.根據(jù)權利要求11所述的平板顯示設備，其中所述電容器的第一導電層和第二導電層中的每一個包括透明導電材料。
16.根據(jù)權利要求15所述的平板顯示設備，其中所述透明導電材料包括從由氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦、氧化銦鎵和氧化鋁鋅所組成的組中選擇的至少一種材料。
17.根據(jù)權利要求11所述的平板顯示設備，其中所述第一絕緣層包括具有比所述第二絕緣層高的介電常數(shù)的材料。
18.根據(jù)權利要求11所述的平板顯示設備，其中所述第一絕緣層包括氮化物。
19.根據(jù)權利要求11所述的平板顯示設備，其中所述第一絕緣層僅僅位于所述第一導電層與所述第二導電層之間。
20.根據(jù)權利要求11所述的平板顯示設備，進一步包括位于所述源電極和所述漏電極與所述像素電極之間的有機層，其中所述源電極和所述漏電極之一通過所述有機層中的通孔接觸所述像素電極。
21.根據(jù)權利要求11所述的平板顯示設備，進一步包括面對所述像素電極的對電極；以及位于所述像素電極與所述對電極之間的液晶層。
22.根據(jù)權利要求21所述的平板顯示設備，進一步包括由與所述柵電極相同的材料形成的布線，所述布線位于形成有所述柵電極的所述柵絕緣層上，并且直接接觸所述第一導電層，其中所述布線用于接收電壓Vcom。
23.根據(jù)權利要求11所述的平板顯示設備，進一步包括面對所述像素電極的對電極；以及位于所述像素電極與所述對電極之間的有機發(fā)光層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種平板顯示設備及其制造方法。所述制造平板顯示設備的方法包括在基板上形成薄膜晶體管(TFT)的半導體層；在所述半導體層上形成柵電極，其中所述柵電極與所述半導體層之間有柵絕緣層，并且利用離子雜質(zhì)對所述半導體層的源區(qū)和漏區(qū)進行摻雜；依次形成第一導電層、第一絕緣層和第二導電層，并且通過圖案化所述第一導電層、所述第一絕緣層和所述第二導電層在離開所述TFT一定距離處形成電容器；形成第二絕緣層，并且形成穿過所述第二絕緣層的接觸孔，所述接觸孔暴露所述源區(qū)和所述漏區(qū)以及所述第二導電層的一部分；并且形成通過所述接觸孔分別接觸所述源區(qū)和所述漏區(qū)以及所述第二導電層的源電極和漏電極。
文檔編號H01L21/77GK102270605SQ20111015680
公開日2011年12月7日 申請日期2011年6月3日 優(yōu)先權日2010年6月3日
發(fā)明者元裕奉, 太勝奎, 鄭盛祐, 鄭震九, 金德會 申請人:三星移動顯示器株式會社