專利名稱：一種有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)電子學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法。
背景技術(shù)：
隨著信息技術(shù)的不斷深入，電子產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入人們生活工作的每個環(huán)節(jié)。在日常生活中人們對低成本、柔性、低重量、便攜的電子產(chǎn)品的需求越來越大。傳統(tǒng)的基于無機(jī)半導(dǎo)體材料的器件和電路難于滿足這些要求，因此可以實(shí)現(xiàn)這些特性的基于有機(jī)聚合物半導(dǎo)體材料的有機(jī)微電子技術(shù)在這一趨勢下得到了人們越來越多的關(guān)注。有機(jī)場效應(yīng)晶體管作為有機(jī)電路的基礎(chǔ)元器件，其性能對電路的性能起著決定性 的作用。其中遷移率決定了器件工作的快慢，進(jìn)而影響電路的工作頻率；電壓，包括工作電壓和閾值電壓，決定了器件以及電路的功耗。本發(fā)明提出了ー種新型的有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)中柵電極、源電極、漏電極、柵介質(zhì)層和有機(jī)半導(dǎo)體層處于同一平面。通過將電極設(shè)計(jì)到同一平面上，避免了高分辨率電極制備過程中對有機(jī)半導(dǎo)體的損傷，從而能有效提高器件的良率。同時，柵源漏電極均在同一平面上，可以直接進(jìn)行互連，制備電路時省略了通常堆垛結(jié)構(gòu)所需的通孔和互連線，有效減少了電路制備的復(fù)雜性。本發(fā)明另提供的制作這種有機(jī)場效應(yīng)晶體管的方法，采用先制備所有電極的エ藝，有效避免了電極制備過程中對有機(jī)功能薄膜損傷，并且能夠和現(xiàn)有的硅微加工技術(shù)兼容，能夠充分利用現(xiàn)有設(shè)備，降低新器件制備的成本。

發(fā)明內(nèi)容
(一 )要解決的技術(shù)問題有鑒于此，本發(fā)明的ー個目的在于提供一種有機(jī)場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)中柵電極、源電極、漏電極、柵介質(zhì)層和有機(jī)半導(dǎo)體層處于同一平面，通過將電極設(shè)計(jì)到同一平面上，避免了高分辨率電極制備過程中對有機(jī)半導(dǎo)體的損傷，從而能有效提高器件的良率。本發(fā)明的另ー個目的在于提供一種有機(jī)場效應(yīng)晶體管的制備方法，為實(shí)現(xiàn)有機(jī)單元器件提供一種可行的方法。( ニ )技術(shù)方案為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下一種有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括絕緣襯底、柵電極、柵介質(zhì)層、有機(jī)半導(dǎo)體層、源電極和漏電極，其中所述柵電極、柵介質(zhì)層、有機(jī)半導(dǎo)體層、源電極和漏電極均位于所述絕緣襯底之上，并處于同一平面。上述方案中，在所述絕緣襯底之上的同一平面內(nèi)，沿同一方向依次為柵電極、柵介質(zhì)層、有機(jī)半導(dǎo)體層和源漏電極，其中所述柵介質(zhì)層的兩側(cè)分別為所述柵電極和所述有機(jī)半導(dǎo)體層，所述源漏電極與有機(jī)半導(dǎo)體層的另ー側(cè)接觸，源電極和漏電極之間彼此隔離ー段距離。上述方案中，所述柵介質(zhì)層和有機(jī)半導(dǎo)體層位于所述柵電極與源漏電極之間。上述方案中，所述柵介質(zhì)層的兩個側(cè)面分別與有機(jī)半導(dǎo)體層和柵電極接觸。上述方案中，所述有機(jī)半導(dǎo)體層的一側(cè)與柵介質(zhì)層接觸，另ー側(cè)與源漏電極接觸。上述方案中，所述絕緣襯底為長有氧化硅薄膜或氮化硅薄膜的硅片、絕緣玻璃或絕緣塑料薄膜。上述方案中，所述柵電極層采用的材料包括金、鋁、鉬、銅、銀、鎳、鉻、鈦、鉭和導(dǎo)電有機(jī)物 PEDOT: PSS。上述方案中，所述源漏金屬電極采用的材料包括金、鉬、銀、銅、鋁或PED0T:PSS。 上述方案中，所述柵介質(zhì)層采用的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化鋯、氧化鋁、氧化鉭、氧化鉿、聚酰亞胺PI、聚こ烯吡硌烷酮PVP、聚甲基丙稀酸甲酯PMMA和聚對ニ甲苯parylene。上述方案中，所述有機(jī)半導(dǎo)體層采用的材料包括并五苯、金屬酞菁CuPc、P3HT、噻吩或紅突稀。一種制備有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的方法，該方法包括在絕緣襯底上制備圖形化的柵電極；在該制備有圖形化柵電極的絕緣襯底上沉積柵介質(zhì)層，通過圖形化去掉除溝道區(qū)以外沉積的柵介質(zhì)層；在柵介質(zhì)層相對于柵電極所在一側(cè)的另一側(cè)制備圖形化的源漏電極，且源漏電極與柵介質(zhì)層之間具有一定間隔；在源漏電極與柵介質(zhì)層之間的間隔位置沉積有機(jī)半導(dǎo)體層，完成器件的制備。上述方案中，所述在絕緣襯底上制備圖形化的柵電極的步驟中，柵電極的薄膜沉積方法包括真空熱物理沉積、電子束沉積、離子輔助沉積、濺射、噴墨打印或旋涂；金屬柵電極的圖形化采用光刻加刻蝕或者光刻加金屬剝離工藝；聚合物柵電極的制備采用噴墨打印ェ藝。上述方案中，所述在絕緣襯底上沉積柵介質(zhì)層的步驟中，無機(jī)柵介質(zhì)層通過低壓化學(xué)氣相沉積或?yàn)R射或者原子層沉積來沉積，再通過干法刻蝕將柵電極側(cè)壁以外的介質(zhì)材料去除；有機(jī)介質(zhì)層的制備通過光刻加剝離技術(shù)來完成。上述方案中，所述制備圖形化的源漏電極的步驟中，源漏電極的薄膜沉積方法包括真空熱物理沉積、電子束沉積、離子輔助沉積、濺射、噴墨打印或旋涂；金屬源漏電極的圖形化采用光刻加刻蝕或者光刻加金屬剝離工藝；聚合物源漏電極的制備采用噴墨打印エ藝。上述方案中，所述在源漏電極與柵介質(zhì)層之間的間隔位置沉積有機(jī)半導(dǎo)體層的步驟中，有機(jī)半導(dǎo)層通過慢速的真空熱沉積方法來制備薄膜，然后通過各向異性的干法刻蝕將側(cè)壁以外的有機(jī)半導(dǎo)體材料去除，形成圖形化的有源層。(三)有益效果從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明具有以下有益效果I、本發(fā)明提供的這種有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，柵電極、源電極、漏電極、柵介質(zhì)層和有機(jī)半導(dǎo)體層處于同一平面，通過將電極設(shè)計(jì)到同一平面上，避免了高分辨率電極制備過程中對有機(jī)半導(dǎo)體的損傷，從而能有效提高器件的良率。同時，柵源漏電極均在同一平面上，可以直接進(jìn)行互連，制備電路時省略了通常堆垛結(jié)構(gòu)所需的通孔和互連線，有效減少了電路制備的復(fù)雜性。2、本發(fā)明另提供的制作這種有機(jī)場效應(yīng)晶體管的方法，采用先制備所有電極的エ藝，有效避免了電極制備過程中對有機(jī)功能薄膜損傷，并且能夠和現(xiàn)有的硅微加工技術(shù)兼容，能夠充分利用現(xiàn)有設(shè)備，降低新器件制備的成本。


為了更進(jìn)ー步說明本發(fā)明的內(nèi)容，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例子，對本發(fā)明做詳細(xì)描述， 圖I為本發(fā)明提供的有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的示意圖(a)俯視圖，(b)為剖面圖；圖2-1圖2-4為本發(fā)明提供的制備有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的流程示意圖，其中圖2-1 (a)、圖 2-2 (a)、圖 2-3 (a)和圖 2-4 (a)為俯視圖，圖 2-1 (b)、圖 2-2 (b)、圖 2-3 (b)和圖2-4 (b)為剖面圖；圖3為依照本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的示意圖；圖4-1至圖4-4為依照本發(fā)明實(shí)施例的制備有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的エ藝流程圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對本發(fā)明進(jìn)ー步詳細(xì)說明。本發(fā)明提供了ー種有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其俯視圖如圖1(a)所示，剖面圖如圖1(b)所示。器件結(jié)構(gòu)包括絕緣襯底101，柵電極102，柵介質(zhì)103，源漏電極104，有機(jī)半導(dǎo)體層105。其中的柵電極、源漏電極、柵介質(zhì)層和有機(jī)半導(dǎo)體層均位于絕緣襯底上，并處于同一平面。本發(fā)明絕緣襯底101為電極、柵介質(zhì)和有機(jī)半導(dǎo)體薄膜層的支撐部分，襯底應(yīng)具有較低的表面粗糙度，和一定的防水汽和氧氣滲透的能力。包括長有氧化硅、氮化硅等絕緣薄膜的硅片，絕緣玻璃和絕緣塑料薄膜。本發(fā)明中的柵電極102和源、漏電極104分別位于器件的兩側(cè)。柵電極102的寬度大于源、漏電極之間間隔的距離，材料包括金，鋁，鉬，銅、銀、鎳、鉻、鈦、鉭和PED0T:PSS。本發(fā)明中的源、漏電極104位于器件的同一側(cè)，兩者之間彼此隔離一段距離。源電極與漏電極的材料和尺寸都相同，電極材料包括金、鉬、銀、銅、鋁和PED0T:PSS。本發(fā)明中的柵介質(zhì)103和有機(jī)半導(dǎo)體105位于柵電極102和源、漏電極104之間，其中的柵介質(zhì)103的兩個側(cè)面分別與有機(jī)半導(dǎo)體105和柵電極102接觸。介質(zhì)層材料包括氧化硅，氮化硅，氧化鋯，氧化鋁，氧化鉭、氧化鉿，聚酰亞胺(PI)、聚こ烯吡硌烷酮(PVP)、聚甲基丙稀酸甲酯(PMMA)和聚對ニ甲苯(parylene)。本發(fā)明中的有機(jī)半導(dǎo)體105—側(cè)與柵介質(zhì)103接觸，另ー側(cè)與源、漏電極104接觸。有機(jī)半導(dǎo)體材料包括并五苯、金屬酞菁(CuPc)、P3HT、噻吩和紅熒稀。圖2-1圖2-4為本發(fā)明提供的制備有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的流程示意圖，其中圖2-1 (a)、圖 2-2 (a)、圖 2-3 (a)和圖 2-4 (a)為俯視圖，圖 2-1 (b)、圖 2-2 (b)、圖 2-3 (b)和圖2-4(b)為剖面圖，該方法主要包括以下步驟如圖2-1所示，在絕緣襯底(201)上制備圖形化的柵電極(202)，柵電極層的薄膜沉積方法包括真空熱物理沉積、電子束沉積、離子輔助沉積、濺射、噴墨打印、旋涂。其中金屬電極的圖形化采用先沉積薄膜，再光刻、刻蝕形成電極圖形的エ藝，或者采用先光刻形成對應(yīng)的光刻膠圖形，然后沉積金屬薄膜，再通過金屬剝離去除多余金屬薄膜的エ藝。聚合物電極的制備通過噴墨打印エ藝同時實(shí)現(xiàn)沉積和圖形化。如圖2-2所示，在柵電極層(202)上沉積柵介質(zhì)層(203)，通過圖形化去除溝道區(qū)以外多余的柵介質(zhì)層薄膜。無機(jī)柵介質(zhì)層通過低壓化學(xué)氣相沉積，濺射或者原子層沉積等方法來沉積，使其具有很好的臺階覆蓋性。然后通過各向異性的干法刻蝕把柵電極側(cè)壁以 外的介質(zhì)材料去除。有機(jī)介質(zhì)層的制備首先通過光刻技術(shù)定義其圖形，其次通過旋涂技術(shù)來沉積介質(zhì)薄膜，經(jīng)過退火處理后通過剝離技術(shù)把柵電極側(cè)壁以外的介質(zhì)材料去除。如圖2-3所示，在柵電極的一側(cè)制備圖形化的源、漏電極(204)。源、漏電極層的薄膜沉積方法包括真空熱物理沉積、電子束沉積、離子輔助沉積、濺射、噴墨打印、旋涂。其中金屬電極的圖形化采用先沉積薄膜，再光刻、刻蝕形成電極圖形的エ藝，或者采用先光刻形成對應(yīng)的光刻膠圖形，然后沉積金屬薄膜，再通過金屬剝離去除多余金屬薄膜的エ藝。聚合物電極的制備通過噴墨打印エ藝同時實(shí)現(xiàn)沉積和圖形化。如圖2-4所示，沉積有機(jī)半導(dǎo)體層(205)，通過圖形化去除溝道區(qū)以外多余的有機(jī)半導(dǎo)體層薄膜。有機(jī)半導(dǎo)層通過慢速的真空熱沉積方法來制備薄膜，使其具有很好的臺階覆蓋性，從而能夠包裹在柵介質(zhì)層兩側(cè)。然后通過各向異性的干法刻蝕把側(cè)壁以外的有機(jī)半導(dǎo)體材料去除，形成圖形化的有源層。實(shí)施例圖3為依照本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖3 (a)為俯視圖，圖3(b)為剖面圖。器件結(jié)構(gòu)包括絕緣襯底301，柵電極302，柵介質(zhì)303，源漏電極304，有機(jī)半導(dǎo)體層305。絕緣襯底為生長了 300nm氧化硅薄膜的硅片，柵電極為200nm厚的鋁金屬薄膜，柵介質(zhì)為IOOnm厚的氧化招薄膜,源、漏電極為200nm的金薄膜,有機(jī)半導(dǎo)體為180nm的并五苯薄膜。圖4-1至圖4-4為依照本發(fā)明實(shí)施例的制備有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的エ藝流程圖，該實(shí)施例的制備方法如下如圖4-1所示，在300nm的氧化硅絕緣襯底(401)上通過電子束蒸發(fā)沉積200nm厚的鋁金屬薄膜。然后采用再光刻技術(shù)在金屬薄膜表面制備出柵電極的膠圖形，再采用堿性溶液通過濕法刻蝕形成圖形化的柵電極402。如圖4-2所示，在圖形化的金屬鋁柵電極層(402)上通過原子層沉積制備IOOnm的氧化鋁薄膜作為柵介質(zhì)層，然后通過各向異性的干法刻蝕把柵電極側(cè)壁以外的介質(zhì)材料去除，留下柵電極側(cè)壁上的薄膜作為圖形化的柵介質(zhì)層403。如圖4-3所示，在制備好柵介質(zhì)層403和柵電極402的樣品表面涂覆光刻膠，然后采用光刻技術(shù)制備出源、漏電極對應(yīng)的光刻膠圖形，然后通過電子束蒸發(fā)沉積200nm的金薄膜，再把樣品整個浸泡在丙酮溶液中，把光刻膠溶解，同時把光刻膠表面的金屬去除，留下絕緣襯底上圖形化的金薄膜作為源、漏電極404。如圖4-4所示，在制備好了源、漏電極404的樣品表面通過真空熱蒸發(fā)沉積180nm的并五苯薄膜作為的有機(jī)半導(dǎo)體層，然后通過各向異性的干法刻蝕把側(cè)壁以外的有機(jī)半導(dǎo)體材料去除，形成圖形化的有源層405。完成器件的制備。以上所述的具體實(shí)施例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)ー步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)包括絕緣襯底、柵電極、柵介質(zhì)層、有機(jī)半導(dǎo)體層、源電極和漏電極，其中所述柵電極、柵介質(zhì)層、有機(jī)半導(dǎo)體層、源電極和漏電極均位于所述絕緣襯底之上，并處于同一平面。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述絕緣襯底之上的同一平面內(nèi)，沿同一方向依次為柵電極、柵介質(zhì)層、有機(jī)半導(dǎo)體層和源漏電極，其中所述柵介質(zhì)層的兩側(cè)分別為所述柵電極和所述有機(jī)半導(dǎo)體層，所述源漏電極與有機(jī)半導(dǎo)體層的另一側(cè)接觸，源電極和漏電極之間彼此隔離一段距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵介質(zhì)層和有機(jī)半導(dǎo)體層位于所述柵電極與源漏電極之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵介質(zhì)層的兩個側(cè)面分別與有機(jī)半導(dǎo)體層和柵電極接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有機(jī)半導(dǎo)體層的一側(cè)與柵介質(zhì)層接觸，另一側(cè)與源漏電極接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣襯底為長有氧化硅薄膜或氮化硅薄膜的硅片、絕緣玻璃或絕緣塑料薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵電極層采用的材料包括金、鋁、鉬、銅、銀、鎳、鉻、鈦、鉭和導(dǎo)電有機(jī)物PEDOT: PSS。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述源漏金屬電極采用的材料包括金、鉬、銀、銅、鋁或PEDOT: PSS。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵介質(zhì)層采用的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化鋯、氧化鋁、氧化鉭、氧化鉿、聚酰亞胺PI、聚乙烯吡硌烷酮PVP、聚甲基丙稀酸甲酯PMMA和聚對二甲苯parylene。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有機(jī)半導(dǎo)體層采用的材料包括并五苯、金屬酞菁CuPc、P3HT、噻吩或紅熒稀。
11.一種制備有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，該方法包括 在絕緣襯底上制備圖形化的柵電極； 在該制備有圖形化柵電極的絕緣襯底上沉積柵介質(zhì)層，通過圖形化去掉除溝道區(qū)以外沉積的柵介質(zhì)層； 在柵介質(zhì)層相對于柵電極所在一側(cè)的另一側(cè)制備圖形化的源漏電極，且源漏電極與柵介質(zhì)層之間具有一定間隔； 在源漏電極與柵介質(zhì)層之間的間隔位置沉積有機(jī)半導(dǎo)體層，完成器件的制備。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述在絕緣襯底上制備圖形化的柵電極的步驟中，柵電極的薄膜沉積方法包括真空熱物理沉積、電子束沉積、離子輔助沉積、濺射、噴墨打印或旋涂；金屬柵電極的圖形化采用光刻加刻蝕或者光刻加金屬剝離工藝；聚合物柵電極的制備采用噴墨打印工藝。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述在絕緣襯底上沉積柵介質(zhì)層的步驟中，無機(jī)柵介質(zhì)層通過低壓化學(xué)氣相沉積或?yàn)R射或者原子層沉積來沉積，再通過干法刻蝕將柵電極側(cè)壁以外的介質(zhì)材料去除；有機(jī)介質(zhì)層的制備通過光刻加剝離技術(shù)來完成。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述制備圖形化的源漏電極的步驟中，源漏電極的薄膜沉積方法包括真空熱物理沉積、電子束沉積、離子輔助沉積、濺射、噴墨打印或旋涂；金屬源漏電極的圖形化采用光刻加刻蝕或者光刻加金屬剝離工藝；聚合物源漏電極的制備采用噴墨打印工藝。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述在源漏電極與柵介質(zhì)層之間的間隔位置沉積有機(jī)半導(dǎo)體層的步驟中，有機(jī)半導(dǎo)層通過慢速的真空熱沉積方法來制備薄膜，然后通過各向異性的干法刻蝕將側(cè)壁以外的有機(jī)半導(dǎo)體材料去除，形成圖形化的有源層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，包括絕緣襯底、柵電極、柵介質(zhì)層、有機(jī)半導(dǎo)體層、源電極和漏電極，其中所述柵電極、柵介質(zhì)層、有機(jī)半導(dǎo)體層、源電極和漏電極均位于所述絕緣襯底之上，并處于同一平面。本發(fā)明同時公開了一種制備有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的方法。利用本發(fā)明，柵電極、源電極、漏電極、柵介質(zhì)層和有機(jī)半導(dǎo)體層處于同一平面，通過將電極設(shè)計(jì)到同一平面上，避免了高分辨率電極制備過程中對有機(jī)半導(dǎo)體的損傷，從而能有效提高器件的良率。
文檔編號H01L51/40GK102683589SQ20111005819
公開日2012年9月19日 申請日期2011年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月10日
發(fā)明者其他發(fā)明人請求不公開姓名, 商立偉, 姬濯宇 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所