專利名稱：電路模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路模塊，尤其涉及設(shè)有多個(gè)磁芯隔離器的電路模塊。
背景技術(shù)：
作為以往的隔離器，例如，已知有專利文獻(xiàn)I記載的非可逆電路元件。該非可逆電路元件包括具有一對(duì)相對(duì)的主面的鐵氧體；多個(gè)中心電極；具有與鐵氧體的主面相對(duì)的主面的永磁體；以及電路基板。多個(gè)中心電極在永磁體的主面上由導(dǎo)體膜以彼此絕緣、交叉的狀態(tài)形成，且經(jīng)由形成于與鐵氧體的主面正交的端面的中繼用電極進(jìn)行電連接。而且，在電路基板上，將鐵氧體及永磁體各自的主面都配置在與電路基板的表面正交的方向上。上述的非可逆電路元件例如在通信裝置等中進(jìn)行使用。然而，近年來(lái)，隨著減小通信裝置外形的要求，迫切需要減小非可逆電路元件的外形。因此，在專利文獻(xiàn)I記載的非可逆電路元件中，提出了除去用于抑制磁通朝外部泄漏的磁軛的方案。然而，在從非可逆電路元件除去磁軛的情況下，磁通會(huì)泄漏到非可逆電路元件的周?chē)?。由于在通信裝置中裝載有多個(gè)非可逆電路元件，因此，若發(fā)生磁通泄漏，則非可逆電路元件彼此會(huì)產(chǎn)生磁耦合。其結(jié)果是，非可逆電路元件的特性發(fā)生變動(dòng)。專利文獻(xiàn)I :日本專利特開(kāi)2006 - 311455號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
為此，本發(fā)明的目的在于，在安裝有多個(gè)不具有磁軛的隔離器(磁芯隔離器COrei so I at or)的電路模塊中，抑制磁芯隔離器彼此產(chǎn)生磁耦合。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的電路模塊的特征在于，包括層疊體，該層疊體通過(guò)將多個(gè)絕緣體層進(jìn)行層疊而成；以及第一磁芯隔離器及第二磁芯隔離器，該第一磁芯隔離器及第二磁芯隔離器具有鐵氧體；將直流磁場(chǎng)施加于該鐵氧體的永磁體；設(shè)于該鐵氧體、一端與輸入端口相連接、另一端與輸出端口相連接的第一中心電極；以及與該第一中心電極以絕緣狀態(tài)交叉地設(shè)于該鐵氧體、一端與輸出端口相連接、另一端與接地端口相連接的第二中心電極，并且，該第一磁芯隔離器及第二磁芯隔離器不具有用于防止該直流磁場(chǎng)朝外部泄漏的磁軛，將所述第一磁芯隔離器及所述第二磁芯隔離器分別安裝在不同的所述絕緣體層上，并使所述直流磁場(chǎng)的方向與所述絕緣體層的主面平行。根據(jù)本發(fā)明，在安裝有多個(gè)不具有磁軛的磁芯隔離器的電路模塊中，能抑制磁芯隔離器彼此產(chǎn)生磁耦合。


圖I是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的電路模塊的分解立體圖。圖2是圖I的電路模塊的框圖。圖3是圖I的電路模塊的A-A的剖視結(jié)構(gòu)圖。
圖4是隔離器的外觀立體圖。圖5是設(shè)有中心電極的鐵氧體的外觀立體圖。圖6是鐵氧體的外觀立體圖。圖7是磁芯隔離器的分解立體圖。圖8是隔離器的等效電路圖。圖9是變形例I所涉及的電路模塊的剖視結(jié)構(gòu)圖。圖10是變形例2所涉及的電路模塊的剖視結(jié)構(gòu)圖。
圖11是變形例3所涉及的電路模塊的剖視結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的電路模塊進(jìn)行說(shuō)明。(電路模塊的結(jié)構(gòu))首先，參照附圖對(duì)電路模塊的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖I是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的電路模塊I的分解立體圖。圖1(a)是從上側(cè)觀察電路模塊I的分解立體圖，圖1(b)是將電路模塊I以軸Ax為中心旋轉(zhuǎn)180度后的分解立體圖。圖2是圖I的電路模塊I的框圖。圖3是圖I的電路模塊I的A-A的剖視結(jié)構(gòu)圖。另外，在圖I中，僅表示了主要的電子元器件，省略了芯片電容器和芯片電感器等細(xì)小的電子元器件。電路模塊I構(gòu)成移動(dòng)電話等無(wú)線通信機(jī)的發(fā)送電路的一部分，以放大輸出多種高頻信號(hào)。如圖I及圖2所示，電路模塊I包括電路基板2、發(fā)送路徑Rl、R2(圖I中未圖示)、及金屬殼體50。如圖I及圖3所不，電路基板2是在表面和內(nèi)部形成有電路的板狀的印刷多層基板。如圖I及圖3所示，電路基板2具有基板主體14、外部電極15、及接地導(dǎo)體層16。基板主體14具有主面S1、S2。如圖1(b)所示，在主面S2的中央部分設(shè)有凹部G。如圖I所示，以沿著基板主體14的主面S2的各邊排列的方式設(shè)有外部電極15，以將電路基板2內(nèi)部的電路與電路基板2之外的電路相連接。如圖3所示，接地導(dǎo)體層16是設(shè)置在基板主體14內(nèi)的導(dǎo)體層，經(jīng)由未圖示的通孔導(dǎo)體與外部電極15進(jìn)行電連接，從而施加有接地電位。如圖2所示，發(fā)送路徑Rl將輸入信號(hào)RFin — BCO (800MHz頻帶)、RFin —BC3 (900MHz頻帶)進(jìn)行放大，然后作為輸出信號(hào)RFout — BCO (800MHz頻帶)、RFout —BC3(900MHz頻帶)進(jìn)行輸出。如圖2所示，發(fā)送路徑Rl由SAW濾波器(表面波濾波器)3a、3b、開(kāi)關(guān)4、功率放大器(放大器)6a、耦合器7、隔離器8a、及開(kāi)關(guān)9所構(gòu)成。如圖I所示，SAff濾波器3a、3b、開(kāi)關(guān)4、功率放大器6a、稱合器7、隔離器8a、及開(kāi)關(guān)9是安裝在基板主體14的主面SI上的電子元器件。如圖I所示，SAW濾波器3a、3b由一個(gè)電子元器件所構(gòu)成，是僅使規(guī)定頻率的信號(hào)通過(guò)的帶通濾波器。如圖2所示，SAff濾波器3a、3b經(jīng)由開(kāi)關(guān)4與功率放大器6a的輸入端子(未圖示)進(jìn)行電連接。如圖2所示，將輸入信號(hào)RFin —BC3輸入SAW濾波器3a。另夕卜，如圖2所示，將輸入信號(hào)RFin —BCO輸入SAW濾波器3b。如圖2所示，開(kāi)關(guān)4與SAW濾波器3a、3b及功率放大器6a相連接，將從SAW濾波器3a輸出而來(lái)的輸入信號(hào)RFin _ BC3、及從SAW濾波器3b輸出而來(lái)的輸入信號(hào)RFin _BCO中的任一個(gè)輸入信號(hào)輸出到功率放大器6a。功率放大器6a將從開(kāi)關(guān)4輸出而來(lái)的輸入信號(hào)RFin _ BCO, RFin _ BC3進(jìn)行放大。如圖2所示，功率放大器6a與后級(jí)的耦合器7的輸入端子(未圖示)相連接。如圖2所示，耦合器7與隔離器8a的輸入端子(未圖示)相連接。然后，耦合器7將經(jīng)功率放大器6a放大后的輸入信號(hào)RFin —BCO、RFin —BC3的一部分進(jìn)行分離而作為輸出信號(hào)Couplerout向電路模塊I之外進(jìn)行輸出，且將輸入信號(hào)RFin —BCO、RFin _BC3輸出到后級(jí)的隔18a。如圖2所示，隔離器8a是將輸入信號(hào)RFin —BC0、RFin —BC3輸出到后級(jí)的開(kāi)關(guān)
9、而不將從開(kāi)關(guān)9 一側(cè)反射而來(lái)的信號(hào)輸出到耦合器7 —側(cè)的非可逆電路元件。另外，在后面對(duì)隔離器8a的詳細(xì)情況進(jìn)行敘述。如圖2所示，開(kāi)關(guān)9將從隔離器8a輸出而來(lái)的輸入信號(hào)RFin — BCO及RFin — BC3中的任一個(gè)輸入信號(hào)作為輸出信號(hào)RFout — BCO,RFout—BC3輸出到電路模塊I之外。
如圖2所示，發(fā)送路徑R2將輸入信號(hào)RFin —BC6 (1900MHz頻帶)進(jìn)行放大，然后作為輸出信號(hào)RFout _ BC6 (1900MHz頻帶)進(jìn)行輸出。如圖2所示，發(fā)送路徑R2由SAW濾波器3c、功率放大器6b、及隔離器8b所構(gòu)成。如圖I所不,SAW濾波器3c、功率放大器6b、及隔離器8b是安裝在電路基板2上的電子元器件。此外，如圖2所不,在將輸出信號(hào)Coupler out進(jìn)行輸出的布線與發(fā)送路徑R2之間設(shè)有電容器Ce。更詳細(xì)而言，電容器Ce的一端連接在隔離器Sb與功率放大器6b之間，電容器Ce的另一端與將輸出信號(hào)Coupler out進(jìn)行輸出的布線相連接。而且，電容器Ce將經(jīng)功率放大器6b放大后的輸入信號(hào)RFin —BC6的一部分作為輸出信號(hào)Coupler out輸出到電路模塊I之外。SAW濾波器3c是僅使規(guī)定頻率的信號(hào)通過(guò)的帶通濾波器。如圖2所示，將輸入信號(hào)RFin — BC6輸入SAW濾波器3c。如圖2所示，功率放大器6b將從SAW濾波器3c輸出而來(lái)的輸入信號(hào)RFin _ BC6進(jìn)行放大。如圖2所示，隔離器Sb是將輸入信號(hào)RFin — BC6輸出到電路模塊I之外、而不將從電路模塊I之外反射而來(lái)的信號(hào)輸出到功率放大器6b —側(cè)的非可逆電路元件。另外，在后面對(duì)隔離器8b的詳細(xì)情況進(jìn)行敘述。金屬殼體50安裝在基板主體14的主面SI上，并覆蓋SAW濾波器3a 3c、開(kāi)關(guān)
4、功率放大器6a、6b、f禹合器7、隔離器8a、及開(kāi)關(guān)9。而且,經(jīng)由基板主體14內(nèi)的電路對(duì)金屬殼體50施加接地電位。(隔離器的結(jié)構(gòu))以下參照附圖對(duì)隔離器8a、8b進(jìn)行說(shuō)明。圖4是隔離器8a的外觀立體圖。圖5是設(shè)有中心電極35、36的鐵氧體32的外觀立體圖。圖6是鐵氧體32的外觀立體圖。圖7是磁芯隔離器30a、30b的分解立體圖。隔離器8a是集中參數(shù)隔離器，如圖4所示，由電路基板2、磁芯隔離器30a、電容器Cl、C2、CSU CS2、及電阻R所構(gòu)成。隔離器8b與隔離器8a相同，也是集中參數(shù)隔離器，由電路基板2、磁芯隔離器30a、電容器C1、C2、CS1、CS2、及電阻R所構(gòu)成。其中，如圖I所示，對(duì)于隔離器8b，將磁芯隔離器30b與電容器Cl、C2、CSl、CS2及電阻R分開(kāi)配置。然而，由于隔離器8a、8b的結(jié)構(gòu)基本相同，因此，以下以隔離器8a為例進(jìn)行說(shuō)明。
如圖4所示，磁芯隔離器30a由鐵氧體32、及一對(duì)永磁體41所構(gòu)成。另外，本實(shí)施方式中的所謂的磁芯隔離器30a是僅由鐵氧體32及永磁體41構(gòu)成的部分。如圖5所示，在鐵氧體32的表面和背面的主面32a、32b上設(shè)有彼此電絕緣的中心電極35、36。此處，鐵氧體32呈具有彼此相對(duì)的平行的主面32a、32b的長(zhǎng)方體形狀。此外，將永磁體41例如經(jīng)由環(huán)氧類的粘接劑42與鐵氧體32的主面32a、32b進(jìn)行粘接，以在與主面32a、32b近似垂直的方向上對(duì)鐵氧體32施加直流磁場(chǎng)(參照?qǐng)D7)。永磁體41的主面41a與鐵氧體32的主面32a、32b為相同尺寸。而且，將鐵氧體32及永磁體41配置成在主面32a、32b的外形與主面41a的外形一致的狀態(tài)下相對(duì)。中心電極35是導(dǎo)體膜。即，如圖5所示，中心電極35在鐵氧體32的主面32a上從右下立起，在分叉為兩根的狀態(tài)下以相對(duì)于長(zhǎng)邊較小的角度朝左上傾斜。然后，中心電極 35朝左上方立起，經(jīng)由上表面32c上的中繼用電極35a而環(huán)繞到主面32b。而且，在主面32b上，將中心電極35設(shè)置成以在透視狀態(tài)下與主面32a重合的方式分叉為兩根。中心電極35的一端與形成于下表面32d的連接用電極35b相連接。此外，中心電極35的另一端與形成于下表面32d的連接用電極35c相連接。由此，中心電極35在鐵氧體32上卷繞一匝。而且，中心電極35與以下進(jìn)行說(shuō)明的中心電極36在彼此之間設(shè)有絕緣膜而彼此絕緣的狀態(tài)下進(jìn)行交叉。根據(jù)需要來(lái)設(shè)定中心電極35與36的交叉角，從而調(diào)節(jié)輸入阻抗和插入損耗。中心電極36是導(dǎo)體膜。對(duì)于中心電極36,在主面32a上，以相對(duì)于長(zhǎng)邊構(gòu)成較大的角度的方式從右下朝左上傾斜、并與中心電極35交叉的狀態(tài)形成第O. 5匝36a，經(jīng)由上表面32c上的中繼用電極36b而環(huán)繞到主面32b，在主面32b上，以與中心電極35基本垂直地交叉的狀態(tài)形成該第一匝36c。第一匝36c的下端部經(jīng)由下表面32d的中繼用電極36d而環(huán)繞到主面32a，在主面32a上，以與第O. 5匝36a平行地與中心電極35交叉的狀態(tài)形成該第I. 5匝36e，并經(jīng)由上表面32c上的中繼用電極36f而環(huán)繞到主面32b。以下相同，在鐵氧體32的表面上分別形成有第2匝36g、中繼用電極36h、第2. 5匝36i、中繼用電極36j、第3匝36k、中繼用電極361、第3. 5匝36m、中繼用電極36η、以及第4匝36ο。此外，中心電極36的兩端與分別形成于鐵氧體32的下表面32d的連接用電極35c、36p相連接。另外，將連接用電極35c共用為中心電極35及中心電極36各自的端部的連接用電極。此外，對(duì)于連接用電極35b、35c、36p和中繼用電極35a、36b、36d、36f、36h、36j、361、36η，通過(guò)對(duì)形成于鐵氧體32的上表面32c及下表面32d的凹部37 (參照?qǐng)D6)涂布或填充銀、銀合金、銅、銅合金等電極用導(dǎo)體來(lái)進(jìn)行設(shè)置。此外，在上表面32c及下表面32d上，還與各種電極平行地設(shè)有凹部38,并設(shè)有假電極(dummu electrode) 39a、39b、39c。對(duì)于這種電極，通過(guò)預(yù)先對(duì)母鐵氧體基板形成通孔，用電極用導(dǎo)體填充該通孔，然后在分割通孔的位置處進(jìn)行切割來(lái)形成。另外，各種電極也可以是在凹部37、38中作為導(dǎo)體膜而形成的電極。使用YIG鐵氧體等作為鐵氧體32。中心電極35、36及各種電極作為銀或銀合金的厚膜或薄膜，能通過(guò)印刷、轉(zhuǎn)印、光刻等工藝來(lái)形成。能使用玻璃、氧化鋁等電介質(zhì)厚膜、聚酰亞胺等樹(shù)脂膜等作為中心電極35、36的絕緣膜。它們也能通過(guò)印刷、轉(zhuǎn)印、及光刻等工藝來(lái)形成。另外，可以利用磁性體材料將鐵氧體32包含絕緣膜及各種電極一體燒成。在此情況下，對(duì)各種電極使用耐高溫?zé)傻腜d、Ag或Pd / Ag。對(duì)永磁體41通常使用鍶類、鋇類、鑭一鈷類的鐵氧體磁體。作為粘接永磁體41和鐵氧體32的粘接劑42，優(yōu)選使用單一液型的熱固型環(huán)氧粘接劑。電路基板2由與通常的印刷布線電路基板相同種類的材料所構(gòu)成，但也可以是將多個(gè)陶瓷絕緣層進(jìn)行層疊所得到的多層陶瓷基板。在電路基板2的表面設(shè)有用于安裝磁芯隔離器30a、電容器C1、C2、CS1、CS2、及電阻R的端子電極21a、21b、21c、22a 22j ;輸入輸出用電極；以及接地電極(未圖示)等。將磁芯隔離器30a安裝在電路基板2上。具體而言，將鐵氧體32的下表面32d的連接用電極35b、35c、36p回流焊接在電路基板2上的端子電極2la、2lb、2Ic上而使它們成為一體，并利用粘接劑使永磁體41的下表面在電路基板2上成為一體。此外，將電容器Cl、C2、CSU CS2及電阻R與電路基板2上的端子電極22a 22j進(jìn)行回流焊接。通過(guò)電路基 板2內(nèi)的布線將磁芯隔離器30a、電容器Cl、C2、CSl、CS2、電阻R進(jìn)行連接，從而構(gòu)成隔離器8a。(隔離器的電路結(jié)構(gòu))接下來(lái)，參照附圖對(duì)隔離器8a、8b的電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖8是隔離器8a、8b的等效電路圖。輸入端口 Pl經(jīng)由電容器CSl與電容器Cl和電阻R相連接。電容器CSl與中心電極35的一端相連接。中心電極35的另一端及中心電極36的一端與電阻R及電容器C1、C2相連接，且經(jīng)由電容器CS2與輸出端口 P2相連接。中心電極36的另一端及電容器C2與接地端口 P3相連接。在由以上的等效電路所構(gòu)成的隔離器8a、8b中，中心電極35的一端與輸入端口 Pl相連接，另一端與輸出端口 P2相連接，中心電極36的一端與輸出端口 P2相連接，另一端與接地端口 P3相連接，因此，能構(gòu)成插入損耗較小的兩端口型的集中參數(shù)隔離器。此外，對(duì)于磁芯隔離器30a、30b，通過(guò)粘接劑42使鐵氧體32與一對(duì)永磁體41成為一體，從而成為機(jī)械結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、不會(huì)因振動(dòng)或沖擊而造成變形、破損的牢固的隔離器。(磁芯隔離器的配置)然而,磁芯隔離器30a、30b不具有用于抑制磁通朝磁芯隔離器30a、30b外泄漏的磁軛。因此，若高頻信號(hào)流入磁芯隔離器30a、30b，則在磁芯隔離器30a、30b的周?chē)a(chǎn)生磁通。而且，根據(jù)磁芯隔離器30a、30b的配置方法的不同，存在磁芯隔離器30a和30b彼此產(chǎn)生磁耦合、在隔離器8a、8b無(wú)法得到所需的特性這樣的問(wèn)題。因此，在電路模塊I中，將磁芯隔離器30a與磁芯隔離器30b配置成彼此不產(chǎn)生磁耦合。具體而言，利用永磁體41，在鐵氧體32的主面32a、32b的法線方向上對(duì)磁芯隔離器30a、30b的鐵氧體32施加直流磁場(chǎng)BI、B2。如圖4所示，將磁芯隔離器30a、30b安裝在基板主體14上，并使鐵氧體32的主面32a、32b與基板主體14的主面SI、S2垂直。即，將磁芯隔離器30a、30b安裝在基板主體14上，并使直流磁場(chǎng)B1、B2的方向與主面SI平行。此處，若直流磁場(chǎng)BI以與直流磁場(chǎng)B2平行的狀態(tài)貫穿磁芯隔離器30b，則磁芯隔離器30a與磁芯隔離器30b產(chǎn)生磁耦合。同樣，若直流磁場(chǎng)B2以與直流磁場(chǎng)BI平行的狀態(tài)貫穿磁芯隔離器30b，則磁芯隔離器30a與磁芯隔離器30b產(chǎn)生磁耦合。因此，如圖I所示，在電路模塊I中，將磁芯隔離器30a安裝在基板主體14的主面SI上，將磁芯隔離器30b安裝在基板主體14的主面S2上。本實(shí)施方式中，如圖I所示，將磁芯隔離器30b安裝在設(shè)于主面S2的凹部G內(nèi)。而且，從主面SI的法線方向俯視時(shí)，磁芯隔離器30b與磁芯隔離器30a不重合。而且，如圖I及圖3所示，施加于磁芯隔離器30a的鐵氧體32的直流磁場(chǎng)BI的方向與施加于磁芯隔離器30b的鐵氧體32的直流磁場(chǎng)B2的方向不同。如圖3所不,本實(shí)施方式中，在紙面的垂直方向上產(chǎn)生直流磁場(chǎng)BI，在紙面的左右方向上產(chǎn)生直流磁場(chǎng)B2。由此，從主面SI的法線方向俯視時(shí)，直流磁場(chǎng)BI與直流磁場(chǎng)B2正交。此外，由于磁芯隔離器30a、30b分別安裝在主面S1、S2上，因此，如圖3所示，接地導(dǎo)體層16設(shè)置在磁芯隔離器30a與磁芯隔離器30b之間。(效果)根據(jù)本實(shí)施方式所涉及的電路模塊1，在安裝有不具有磁軛的多個(gè)磁芯隔離器 30a、30b的電路模塊I中，能抑制磁芯隔離器30a和30b彼此產(chǎn)生磁耦合。更詳細(xì)而言，在電路模塊I中，磁芯隔離器30a、30b分別安裝在基板主體14的主面S1、S2上。因此，在電路模塊I中，與將兩個(gè)磁芯隔離器安裝在同一個(gè)主面上的電路模塊相比，能將磁芯隔離器30a和30b彼此分開(kāi)配置。而且，由于在磁芯隔離器30a和30b之間存在基板主體14，因此，直流磁場(chǎng)BI和B2被基板主體14隔開(kāi)。其結(jié)果是，能抑制磁芯隔離器30a和30b彼此產(chǎn)生磁耦合。尤其是，本實(shí)施方式中，使施加于磁芯隔離器30a的鐵氧體32的直流磁場(chǎng)BI的方向與施加于磁芯隔離器30b的鐵氧體32的直流磁場(chǎng)B2的方向不同。因此，能更有效地抑制磁芯隔離器30a和30b彼此產(chǎn)生磁耦合。而且，從主面SI的法線方向俯視時(shí)，直流磁場(chǎng)BI與B2正交，從而能更有效地抑制磁芯隔離器30a和30b彼此產(chǎn)生磁耦合。此外，在電路模塊I中，在磁芯隔離器30a與30b之間設(shè)有接地導(dǎo)體層16。由于對(duì)接地導(dǎo)體層16施加有接地電位，因此，接地導(dǎo)體層16將直流磁場(chǎng)BI和B2隔開(kāi)。其結(jié)果是，能抑制磁芯隔離器30a和30b彼此產(chǎn)生磁耦合。此外，電路模塊I中，從主面S I的法線方向俯視時(shí)，磁芯隔離器30a與30b不重合。由此，磁芯隔離器30a與30b以彼此分開(kāi)的狀態(tài)進(jìn)行配置，因此，能抑制磁芯隔離器30a和30b彼此產(chǎn)生磁耦合。此外，電路模塊I中，施加有接地電位的金屬殼體50覆蓋基板主體14的主面SI。因此，能抑制噪聲進(jìn)入安裝在基板主體14上的磁芯隔離器30a等電子元器件。此外，能抑制從安裝在基板主體14上的磁芯隔離器30a等電子元器件輻射出的噪聲朝電路模塊I外進(jìn)行輻射。此外，在電路模塊I中，在基板主體14的主面S2設(shè)有凹部G，磁芯隔離器30b安裝在凹部G內(nèi)。其結(jié)果是，能降低電路模塊I的高度。另外，本實(shí)施方式所涉及的電路模塊I中，也可以使用將多個(gè)樹(shù)脂層進(jìn)行層疊而成的層疊體來(lái)取代印刷布線基板等電路基板2。在此情況下，只要將磁芯隔離器30a和30b安裝在不同的絕緣體層上即可。(變形例I)以下參照附圖對(duì)變形例I所涉及的電路模塊Ia進(jìn)行說(shuō)明。圖9是變形例I所涉及的電路模塊Ia的剖視結(jié)構(gòu)圖。
如圖9所示，電路模塊Ia中，磁芯隔離器30c安裝在基板主體14的主面SI上。其中，功率放大器6b在主面SI上安裝在磁芯隔離器30a和30c之間。由此，施加于磁芯隔離器30a和30c的鐵氧體32的直流磁場(chǎng)BI和B3被功率放大器6b隔開(kāi)。其結(jié)果是，即使將多個(gè)磁芯隔離器30a和30b安裝在相同的主面SI上，也能抑制磁芯隔離器30a和30b彼此產(chǎn)生磁耦合。(變形例2)以下參照附圖對(duì)變形例2所涉及的電路模塊Ib進(jìn)行說(shuō)明。圖10是變形例2所涉及的電路模塊Ib的剖視結(jié)構(gòu)圖。電路模塊Ib中設(shè)有絕緣性樹(shù)脂60以取代金屬殼體50，該絕緣性樹(shù)脂60設(shè)置在主面SI上，且覆蓋磁芯隔離器30a。在電路模塊Ib中，絕緣性樹(shù)脂60覆蓋整個(gè)主面SI。由此，能利用絕緣性樹(shù)脂60來(lái)保護(hù)安裝在主面SI上的磁芯隔離器30a等電子元器件。 (變形例3)以下參照附圖對(duì)變形例3所涉及的電路模塊Ic進(jìn)行說(shuō)明。圖11是變形例3所涉及的信號(hào)線路Ic的剖視結(jié)構(gòu)圖。電路模塊Ic中，在未設(shè)有凹部G的平板狀的基板主體14’的主面S2上，設(shè)有覆蓋磁芯隔離器30b的絕緣性樹(shù)脂70。而且，外部電極15設(shè)置在絕緣性樹(shù)脂70上。將磁芯隔離器30b安裝在基板主體14’的主面S2上，然后對(duì)主面S2涂布樹(shù)脂材料來(lái)形成絕緣性樹(shù)脂70。因此，不必像基板主體14那樣設(shè)置凹部G就能將磁芯隔離器30b內(nèi)置于基板主體14及絕緣性樹(shù)脂70內(nèi)。另外，電路模塊l、la、lb中，在基板主體14中，接地導(dǎo)體層16內(nèi)置于凹部G的底面的上側(cè)。然而，也可以將接地導(dǎo)體層16設(shè)置在與凹部G的底面相同的高度。在此情況下，接地導(dǎo)體層16也可以在凹部G的底面露出一部分。而且，在電路模塊Ic中，接地導(dǎo)體層16也可以設(shè)置在主面S2上。另外，也可以將絕緣性樹(shù)脂填充于電路模塊I、la、Ib的凹部G內(nèi)。由此，能利用絕緣性樹(shù)脂保護(hù)磁芯隔離器30b。工業(yè)上的實(shí)用性如上所述，本發(fā)明對(duì)電路模塊是有用的，尤其在安裝有多個(gè)不具有磁軛的磁芯隔離器的電路模塊中，在能抑制磁芯隔離器彼此產(chǎn)生磁耦合方面較為優(yōu)異。標(biāo)號(hào)說(shuō)明Cl、C2、CSl、CS2、Cc 電容器G 凹部R 電阻R1、R2發(fā)送路徑l、la Ic 電路模塊2、2’電路基板3a 3c SAW 濾波器4、9 開(kāi)關(guān)6a、6b功率放大器7稱合器
8a,8b 隔離器14、14’基板主體15外部電極16接地導(dǎo)體層 30a 30c磁芯隔離器50金屬殼體60、70絕緣性樹(shù)脂
權(quán)利要求
1.一種電路模塊，其特征在于，包括 層疊體，該層疊體通過(guò)將多個(gè)絕緣體層進(jìn)行層疊而成；以及 第一磁芯隔離器及第二磁芯隔離器，該第一磁芯隔離器及第二磁芯隔離器具有鐵氧體；將直流磁場(chǎng)施加于該鐵氧體的永磁體；設(shè)于該鐵氧體、一端與輸入端口相連接、另一端與輸出端口相連接的第一中心電極；以及與該第一中心電極以絕緣狀態(tài)交叉地設(shè)于該鐵氧體、一端與輸出端口相連接、另一端與接地端口相連接的第二中心電極，并且，該第一磁芯隔離器及第二磁芯隔離器不具有用于防止該直流磁場(chǎng)朝外部泄漏的磁軛， 將所述第一磁芯隔離器及所述第二磁芯隔離器分別安裝在不同的所述絕緣體層上，并使所述直流磁場(chǎng)的方向與所述絕緣體層的主面平行。
2.如權(quán)利要求I所述的電路模塊，其特征在于， 所述層疊體包含具有第一主面和第二主面的電路基板， 將所述第一磁芯隔離器及所述第二磁芯隔離器分別安裝在所述第一主面上及所述第二主面上。
3.如權(quán)利要求2所述的電路模塊，其特征在于， 施加于所述第一磁芯隔離器的所述鐵氧體的所述直流磁場(chǎng)的方向與施加于所述第二磁芯隔離器的所述鐵氧體的直流磁場(chǎng)的方向不同。
4.如權(quán)利要求3所述的電路模塊，其特征在于， 從所述第一主面的法線方向俯視時(shí)，施加于所述第一磁芯隔離器的所述鐵氧體的所述直流磁場(chǎng)的方向與施加于所述第二磁芯隔離器的所述鐵氧體的所述直流磁場(chǎng)正交。
5.如權(quán)利要求2至4的任一項(xiàng)所述的電路模塊，其特征在于， 所述電路基板具有設(shè)置在所述第一磁芯隔離器與所述第二磁芯隔離器之間的接地導(dǎo)體層。
6.如權(quán)利要求2至5的任一項(xiàng)所述的電路模塊，其特征在于， 所述電路模塊還包括 第三磁芯隔離器，該第三磁芯隔離器安裝在所述第一主面上；以及 電子元器件，該電子元器件在所述第一主面上安裝在所述第一磁芯隔離器與所述第三磁芯隔離器之間。
7.如權(quán)利要求2至6的任一項(xiàng)所述的電路模塊，其特征在于， 從所述第一主面的法線方向俯視時(shí)，所述第一磁芯隔離器與所述第二磁芯隔離器不重口 ο
8.如權(quán)利要求2至7的任一項(xiàng)所述的電路模塊，其特征在于， 在所述電路基板的所述第二主面上設(shè)有凹部， 所述第二磁芯隔離器安裝在所述凹部?jī)?nèi)。
9.如權(quán)利要求2至8的任一項(xiàng)所述的電路模塊，其特征在于， 所述電路模塊還包括 第一絕緣性樹(shù)脂，該第一絕緣性樹(shù)脂設(shè)置在所述第一主面上，且覆蓋所述第一磁芯隔離器；以及 第二絕緣性樹(shù)脂，該第二絕緣性樹(shù)脂設(shè)置在所述第二主面上，且覆蓋所述第二磁芯隔離器。
全文摘要
本發(fā)明在安裝有多個(gè)不具有磁軛的磁芯隔離器的電路模塊中，能抑制磁芯隔離器彼此產(chǎn)生磁耦合。基板主體(14)具有主面(S1、S2)。磁芯隔離器(30a、30b)具有鐵氧體；將直流磁場(chǎng)(B1、B2)施加于該鐵氧體的永磁體；設(shè)于鐵氧體、一端與輸入端口相連接、另一端與輸出端口相連接的第一中心電極；以及與該第一中心電極以絕緣狀態(tài)交叉地設(shè)于鐵氧體、一端與輸出端口相連接、另一端與接地端口相連接的第二中心電極，并且，磁芯隔離器(30a、30b)不具有用于防止該直流磁場(chǎng)朝外部泄漏的磁軛。磁芯隔離器(30a、30b)分別安裝在主面(S1、S2)上，并使直流磁場(chǎng)(B1、B2)的方向與主面(S1)平行。
文檔編號(hào)H01P1/36GK102725906SQ201080062340
公開(kāi)日2012年10月10日 申請(qǐng)日期2010年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月21日
發(fā)明者降谷孝治 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所