專利名稱：用于制造發(fā)光機(jī)構(gòu)的方法和發(fā)光機(jī)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提出一種用于制造發(fā)光機(jī)構(gòu)的方法。此外，提出一種發(fā)光機(jī)構(gòu)，該發(fā)光機(jī)構(gòu)可優(yōu)選借助該方法制造。

發(fā)明內(nèi)容
在這里描述的發(fā)光機(jī)構(gòu)可例如使用在小型的全色顯示器中。此外可能的是，這里描述的發(fā)光機(jī)構(gòu)作為光源使用在光學(xué)的投影裝置中，例如使用在小型的投影儀中。根據(jù)用于制造發(fā)光機(jī)構(gòu)的方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，首先提供多個(gè)發(fā)光二級(jí)管。 每個(gè)發(fā)光二極管包括一個(gè)輻射可穿透的載體和至少兩個(gè)空間上相互分開的半導(dǎo)體。這些半導(dǎo)體例如設(shè)置在輻射可穿透的載體上且設(shè)置在輻射可穿透的載體的頂側(cè)上。該載體的頂側(cè)也構(gòu)成發(fā)光二極管的頂側(cè)。每個(gè)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)成用于產(chǎn)生電磁輻射并且這些半導(dǎo)體為此可被相互分開地控制。 也就是說，這些發(fā)光二極管的半導(dǎo)體在不同時(shí)刻或者同時(shí)地發(fā)出電磁輻射。該輻射可穿透的載體對(duì)于在發(fā)光二極管工作時(shí)由半導(dǎo)體發(fā)出的電磁輻射而言是可穿透的，優(yōu)選是清晰可見的，也就是說是透明的。該輻射可穿透的載體例如由輻射可穿透的薄膜(英語(yǔ)為foil)形成。發(fā)光二極管的半導(dǎo)體優(yōu)選不受生長(zhǎng)襯底約束。也就是說，這些發(fā)光二極管的半導(dǎo)體分別外延生長(zhǎng)，該生長(zhǎng)襯底與這些半導(dǎo)體分開，半導(dǎo)體外延淀積在該生長(zhǎng)襯底上。根據(jù)該方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，在另一方法步驟中提供由半導(dǎo)體芯片組成的芯片組合體，這些半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)成用于控制發(fā)光二極管。在此，每個(gè)半導(dǎo)體芯片在其頂側(cè)上包括至少兩個(gè)設(shè)計(jì)成用于連接發(fā)光二極管的連接部位。該芯片組合體的半導(dǎo)體芯片例如為所謂的CMOS芯片(互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體芯片)。CMOS芯片是半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件，在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件中使用在共同的襯底上的P溝道和η溝道MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)。根據(jù)該方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，這些發(fā)光二極管中的至少一個(gè)與CMOS芯片中的一個(gè)連接，其中，發(fā)光二極管的頂側(cè)設(shè)置在CMOS芯片的頂側(cè)上并且發(fā)光二極管的每個(gè)半導(dǎo)體與CMOS芯片的連接部位連接。也就是說，發(fā)光二極管的和CMOS芯片的頂側(cè)相互朝向并且發(fā)光二極管的半導(dǎo)體與CMOS芯片的相應(yīng)的連接部位連接。在此，該CMOS芯片優(yōu)選具有多個(gè)連接部位，這些連接部位至少相應(yīng)于發(fā)光二極管的半導(dǎo)體的數(shù)量。例如在芯片組合體的每個(gè)CMOS芯片上安放剛好一個(gè)發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管的半導(dǎo)體分別與相關(guān)聯(lián)的 CMOS芯片的相關(guān)聯(lián)的連接部位連接。通過CMOS芯片的這些連接部位，這些發(fā)光二極管可以被分別地控制，使得通過與發(fā)光二極管相關(guān)聯(lián)的芯片來控制通過半導(dǎo)體產(chǎn)生的電磁輻射。根據(jù)該方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，首先提供多個(gè)發(fā)光二極管，其中，每個(gè)發(fā)光二極管具有一個(gè)輻射可穿透的載體和至少兩個(gè)空間上相互分開的半導(dǎo)體，每個(gè)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)成用于產(chǎn)生電磁輻射，這些半導(dǎo)體可被相互分開地控制并且這些半導(dǎo)體設(shè)置在輻射可穿透的載體上且設(shè)置在輻射可穿透的載體的頂側(cè)上。在另一方法步驟中，提供了由至少一個(gè)CMOS芯片組成的芯片組合體，其中，每個(gè)CMOS芯片在其頂側(cè)上具有至少兩個(gè)連接部位。隨后發(fā)光二極管中的至少一個(gè)與CMOS芯片中的一個(gè)連接，其中，發(fā)光二極管的頂側(cè)設(shè)置在CMOS芯片的頂側(cè)上并且發(fā)光二極管的每個(gè)半導(dǎo)體與CMOS芯片的連接部位連接。此外，提出一種發(fā)光機(jī)構(gòu)。根據(jù)該發(fā)光機(jī)構(gòu)的至少一個(gè)實(shí)施方式，該發(fā)光機(jī)構(gòu)包括用于控制發(fā)光二極管的芯片，例如CMOS芯片，其中，該芯片在其頂側(cè)上具有至少兩個(gè)連接部位。根據(jù)發(fā)光機(jī)構(gòu)的至少一個(gè)實(shí)施方式，該發(fā)光機(jī)構(gòu)包括至少一個(gè)發(fā)光二極管，其中， 該發(fā)光機(jī)構(gòu)的每個(gè)發(fā)光二極管具有一個(gè)輻射可穿透的載體和至少兩個(gè)空間上相互分開的半導(dǎo)體，每個(gè)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)成用于產(chǎn)生電磁輻射，這些半導(dǎo)體可被相互分開地控制并且這些半導(dǎo)體設(shè)置在輻射可穿透的載體上且設(shè)置在輻射可穿透的載體的頂側(cè)上。這些半導(dǎo)體空間上相互分開，例如也就是說，這些半導(dǎo)體沒有通過共同的元件，例如共同的生長(zhǎng)襯底，相互連接。那么在這些半導(dǎo)體之間的唯一的機(jī)械連接例如可通過輻射可穿透的載體提供，在該載體上設(shè)置有半導(dǎo)體。根據(jù)發(fā)光機(jī)構(gòu)的至少一個(gè)實(shí)施方式，至少一個(gè)發(fā)光二極管的和CMOS芯片的頂側(cè)相互朝向并且至少一個(gè)發(fā)光二極管的每個(gè)半導(dǎo)體與CMOS芯片的連接部位連接。在此，至少一個(gè)發(fā)光二極管的每個(gè)半導(dǎo)體優(yōu)選與CMOS芯片的剛好一個(gè)連接部位連接，那么發(fā)光二極管的其他半導(dǎo)體與CMOS芯片的這個(gè)連接部位不連接。也就是說，半導(dǎo)體和連接部位明確地
相互關(guān)聯(lián)。根據(jù)發(fā)光機(jī)構(gòu)的至少一個(gè)實(shí)施方式，該發(fā)光機(jī)構(gòu)包括控制芯片，例如CMOS芯片， 其中，該CMOS芯片在其頂側(cè)上具有至少兩個(gè)連接部位。此外，該發(fā)光機(jī)構(gòu)包括至少一個(gè)發(fā)光二極管，其中，該發(fā)光二極管具有一個(gè)輻射可穿透的載體和至少兩個(gè)空間上相互分開的半導(dǎo)體，每個(gè)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)成用于產(chǎn)生電磁輻射，這些半導(dǎo)體可被相互分開地控制并且這些半導(dǎo)體設(shè)置在輻射可穿透的載體上且設(shè)置在輻射可穿透的載體的頂側(cè)上。在此，至少一個(gè)發(fā)光二極管的和CMOS芯片的頂側(cè)相互朝向并且至少一個(gè)發(fā)光二極管的每個(gè)半導(dǎo)體與CMOS 芯片的連接部位連接。這里描述的發(fā)光機(jī)構(gòu)優(yōu)選可借助這里描述的方法來制造。這意味著，所有的針對(duì)方法而描述的特征對(duì)于發(fā)光機(jī)構(gòu)而言也是公開的并且反之亦然。下面的實(shí)施方式涉及用于制造發(fā)光機(jī)構(gòu)的方法和發(fā)光機(jī)構(gòu)。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，連接部位與半導(dǎo)體的背離輻射可穿透的載體的表面直接接觸。也就是說，發(fā)光二極管安放在相關(guān)聯(lián)的芯片上，使得半導(dǎo)體和芯片的與半導(dǎo)體相關(guān)聯(lián)的連接部位接觸。在此，該連接部位例如與半導(dǎo)體的P型導(dǎo)電側(cè)導(dǎo)電地連接，使得該連接部位用于觸點(diǎn)接通半導(dǎo)體的P側(cè)。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，在用于半導(dǎo)體中的至少一個(gè)半導(dǎo)體的輻射可穿透的載體的背離半導(dǎo)體的底側(cè)上，轉(zhuǎn)換元件安裝在輻射可穿透的載體上，使得在半導(dǎo)體工作時(shí)由其發(fā)出的電磁輻射穿過該轉(zhuǎn)換元件并且由該轉(zhuǎn)換元件至少部分地進(jìn)行轉(zhuǎn)換波長(zhǎng)。在此，該半導(dǎo)體優(yōu)選設(shè)計(jì)成用于在工作時(shí)產(chǎn)生在紫外線和/或藍(lán)光的光譜區(qū)域中的電磁輻射。在該情況下，發(fā)光二極管的全部半導(dǎo)體例如可以相同地構(gòu)成，使得發(fā)光二極管的全部半導(dǎo)體發(fā)出在相同光譜區(qū)域中的電磁輻射。這些設(shè)置在半導(dǎo)體后面的轉(zhuǎn)換元件可以不同。發(fā)光機(jī)構(gòu)例如能夠以該方式制造，該發(fā)光機(jī)構(gòu)在工作時(shí)可產(chǎn)生綠光、紅光和藍(lán)光。在此，例如通過將由這些半導(dǎo)體產(chǎn)生的電磁輻射完全地進(jìn)行波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換來產(chǎn)生綠光和紅光。替代地，可能的是，每個(gè)發(fā)光二極管的半導(dǎo)體本身就可設(shè)計(jì)成用于產(chǎn)生紅光、綠光和藍(lán)光。那么發(fā)光二極管的半導(dǎo)體相互不同。根據(jù)本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)施方式，轉(zhuǎn)換元件位于組合體中。也就是說，多個(gè)轉(zhuǎn)換元件例如通過一個(gè)共同的載體相互連接。該共同的載體例如為生長(zhǎng)襯底，這些轉(zhuǎn)換元件安裝，例如外延淀積在該生長(zhǎng)襯底上。那么這些轉(zhuǎn)換元件可以例如由II/VI半導(dǎo)體材料構(gòu)成。那么多個(gè)位于組合體中的轉(zhuǎn)換元件可優(yōu)選同時(shí)與多個(gè)發(fā)光二極管連接。這例如能夠在將發(fā)光二極管安裝在芯片組合體上之后進(jìn)行。多個(gè)轉(zhuǎn)換元件的連接元件，即例如生長(zhǎng)襯底，可在與發(fā)光二極管連接之后被去除。但是替代地，也可能的是，這些轉(zhuǎn)換元件單個(gè)地安裝在發(fā)光二極管上。那么這些轉(zhuǎn)換元件例如也可以借助陶瓷的熒光材料，例如摻柿的釔鋁石榴石(YAG)構(gòu)成。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，由芯片組合體和多個(gè)發(fā)光二極管組成的組合體被分隔成單個(gè)的發(fā)光機(jī)構(gòu)，在這些發(fā)光機(jī)構(gòu)中，每個(gè)發(fā)光機(jī)構(gòu)包括至少一個(gè)發(fā)光二極管，其中，在分隔時(shí)僅芯片組合體被切斷。當(dāng)前這些發(fā)光二極管單個(gè)地與芯片組合體的芯片的相關(guān)聯(lián)的連接部位連接。也就是說，在與芯片組合體連接時(shí)這些發(fā)光二極管本身不在所述組合體中，而是這些發(fā)光二極管為分離的結(jié)構(gòu)元件，這些結(jié)構(gòu)元件可以被單個(gè)地安裝在芯片組合體上。因此，為了分隔芯片組合體不需要穿過發(fā)光二極管分隔，僅需將芯片組合體本身切斷。以這種方式不會(huì)發(fā)生由于切斷發(fā)光二極管而損壞發(fā)光二極管，因?yàn)槭∪チ饲袛喟l(fā)光二極管。此外，在芯片組合體上單獨(dú)地裝配發(fā)光二極管使各個(gè)工藝步驟的相互影響最小化。此外，在單獨(dú)地裝配發(fā)光二極管時(shí)可能的是，可將發(fā)光二極管以小于1 μ m的非常高的精度安置在芯片組合體的相關(guān)聯(lián)的芯片上。通過發(fā)光二極管與控制芯片的連接，省去了用于發(fā)光二極管本身的控制線路和/或耗費(fèi)的布線，這允許了使用具有小的橫截面面積的尤其成本有利的發(fā)光二極管。此外，能夠在與控制芯片連接之前檢測(cè)各個(gè)發(fā)光二極管，這導(dǎo)致發(fā)光機(jī)構(gòu)的廢品的減少。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，所述至少一個(gè)發(fā)光二極管在其輻射可穿透的載體的背離半導(dǎo)體的側(cè)上具有連接部位，該連接部位設(shè)計(jì)成用于共同地電接觸發(fā)光二極管的所有半導(dǎo)體。該共同的連接部位例如為可使發(fā)光二極管的半導(dǎo)體在η側(cè)觸點(diǎn)接通的連接部位。那么， 半導(dǎo)體的η側(cè)位于共同的電勢(shì)上。通過借助相關(guān)聯(lián)的CMOS芯片的相關(guān)聯(lián)的連接部位的供電實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的分開的控制。那么，通過該連接部位，這些半導(dǎo)體在P側(cè)觸點(diǎn)接通。在此， 極性也可交換，也就是說，在輻射可穿透的載體上的連接部位可設(shè)計(jì)成用于在P側(cè)觸點(diǎn)接通半導(dǎo)體。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，所述至少一個(gè)發(fā)光二極管的輻射可穿透的載體包括塑料薄膜，用于觸點(diǎn)接通半導(dǎo)體的電導(dǎo)線設(shè)置在該塑料薄膜中和/或塑料薄膜上。也就是說，該輻射可穿透的載體本身由電絕緣的材料構(gòu)成。例如在輻射可穿透的載體的電絕緣的材料中引入穿通接觸部，該穿通接觸部將在載體頂側(cè)上的半導(dǎo)體與在載體底側(cè)上的連接部位連接。然而用于將半導(dǎo)體與連接部位連接的電導(dǎo)線也可以在塑料薄膜的外部面上延伸。


在下面借助實(shí)施例和所屬的附圖詳細(xì)地闡述在這里描述的方法以及在這里描述的發(fā)光機(jī)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式結(jié)合圖1和2，借助示意的剖視圖詳細(xì)地闡述在這里描述的方法的和在這里描述的發(fā)光機(jī)構(gòu)的實(shí)施例。相同的、相同類型的或者起相同作用的元件在圖中設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。這些附圖和在附圖中示出的元件的相互的大小比例不視為是按比例的。相反，為了清楚的表達(dá)和/或更好的理解夸大地示出各個(gè)元件。圖IA以示意的剖視圖示出具有多個(gè)CMOS芯片10的芯片組合體1。在每個(gè)CMOS 芯片10的頂側(cè)IOa上設(shè)置有三個(gè)連接部位2。這些連接部位2的每個(gè)設(shè)計(jì)成用于為發(fā)光二極管的半導(dǎo)體通電。在圖IB的示意的剖視圖中示出三個(gè)發(fā)光二極管4，這些發(fā)光二極管設(shè)置在例如在薄膜的共同的載體3上。如在圖IC中所示，這些發(fā)光二極管4可單個(gè)地與載體3分離。每個(gè)發(fā)光二極管4包括輻射可穿透的載體44，在該載體的頂側(cè)4 上分別設(shè)有三個(gè)半導(dǎo)體41、42、43。半導(dǎo)體41、42、43在空間上相互分開并且僅通過輻射可穿透的載體44 相互連接。該輻射可穿透的載體44為透明的塑料薄膜。此外，每個(gè)發(fā)光二極管4在載體44的背離頂側(cè)44a的底側(cè)44b上包括連接部位 45，通過該連接部位，半導(dǎo)體41、42、43例如可在η側(cè)觸點(diǎn)接通。當(dāng)前半導(dǎo)體41、42、43為相互不同的半導(dǎo)體，這些半導(dǎo)體在工作時(shí)設(shè)計(jì)成分別用于產(chǎn)生另一顏色的電磁輻射。例如半導(dǎo)體41在工作時(shí)產(chǎn)生紅光，半導(dǎo)體42在工作時(shí)產(chǎn)生綠光并且半導(dǎo)體43在工作時(shí)產(chǎn)生藍(lán)光。在圖IC中示意性地示出這些半導(dǎo)體4能夠以簡(jiǎn)單的方式與載體3分離。這些發(fā)光二極管4為單獨(dú)的構(gòu)件，這些單獨(dú)的構(gòu)件可以被相互分開地設(shè)置在芯片組合體1的CMOS 芯片10上。在此，這些發(fā)光二極管4設(shè)置在CMOS芯片10上，使得載體44的和芯片10的頂側(cè)4 和IOa相互對(duì)置。在此，每個(gè)發(fā)光二極管4的每個(gè)半導(dǎo)體41、42、43機(jī)械地固定在 CMOS芯片10的所屬的連接部位2上并且與該連接部位電接觸，參見圖1E。在最后的方法步驟中，由發(fā)光二極管4和CMOS芯片10組成的組合體可被分隔。最小的可能的單元包括剛好一個(gè)CMOS芯片10和一個(gè)相關(guān)聯(lián)的發(fā)光二極管4。因此該CMOS芯片10的側(cè)面IOc通過分隔產(chǎn)生并且具有用于分隔工藝的痕跡，例如鋸槽。然而可能的是，這些發(fā)光機(jī)構(gòu)100分別包括多個(gè)CMOS芯片10和多個(gè)發(fā)光二極管 4。在該情況下，該發(fā)光機(jī)構(gòu)100尤其好地適合作為全色顯示器，在該顯示器中，每個(gè)發(fā)光二極管4代表一個(gè)像素，該像素包括三個(gè)子像素，這些子像素分別通過半導(dǎo)體41、42、43構(gòu)成。如在圖IF中所示，具有剛好一個(gè)發(fā)光二極管4和剛好一個(gè)CMOS芯片10的發(fā)光機(jī)構(gòu)100可以例如作為光源應(yīng)用在光學(xué)的投影儀器中。通過CMOS芯片10能夠以可預(yù)先給定的方式控制這些半導(dǎo)體41、42、43。結(jié)合圖2A至2C詳細(xì)地闡述在這里描述的方法的替代的實(shí)施例。在該實(shí)施例中， 這些半導(dǎo)體41、42、43相同類型地構(gòu)成。也就是說，每個(gè)發(fā)光二極管的這些半導(dǎo)體41、42、43 在工作時(shí)產(chǎn)生在相同光譜區(qū)域中的電磁輻射。
這些半導(dǎo)體41、42、43在工作時(shí)例如產(chǎn)生UV光。在圖2A的示意的剖視圖中示出， 這些發(fā)光二極管4已被安裝在芯片組合體1上并且每個(gè)半導(dǎo)體41、42、43與相關(guān)聯(lián)的CMOS 芯片IOa的相關(guān)聯(lián)的連接部位2連接?，F(xiàn)在，在這些發(fā)光二極管4上分別安裝轉(zhuǎn)換元件51、 52、53，這些轉(zhuǎn)換元件固定在每個(gè)載體的底側(cè)44b上，使得這些轉(zhuǎn)換元件在它們的發(fā)射方向上設(shè)置在相關(guān)聯(lián)的半導(dǎo)體41、42、43后面。這些轉(zhuǎn)換元件51、52、53例如在安裝在發(fā)光二極管上之前被安裝在共同的載體5 上。這些轉(zhuǎn)換元件例如可以借助例如II/VI半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體材料構(gòu)成。這些轉(zhuǎn)換元件可以外延淀積在載體5上。然而也可涉及陶瓷的轉(zhuǎn)換元件，這些陶瓷的轉(zhuǎn)換元件被安裝在組合體中，也就是說安裝在共同的載體5上或者單個(gè)地安裝在發(fā)光二極管4上。在與載體5分開后獲得發(fā)光機(jī)構(gòu)，在該發(fā)光機(jī)構(gòu)中，轉(zhuǎn)換元件51、52、53設(shè)置在每個(gè)發(fā)光二極管4的每個(gè)半導(dǎo)體41、42、43后面。由半導(dǎo)體在工作時(shí)產(chǎn)生的電磁輻射例如穿過輻射可穿透的載體44并且在那里盡可能完全地波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換成可見光。因此每個(gè)發(fā)光二極管例如適合用于發(fā)出紅光、綠光、藍(lán)光。如在圖2C中所示，芯片組合體1根據(jù)需要被切斷成發(fā)光機(jī)構(gòu)100，其中，在分離時(shí)又僅穿過芯片組合體1并且不穿過發(fā)光二極管4被分離。該專利申請(qǐng)要求德國(guó)專利申請(qǐng)102009033915. 9的優(yōu)先權(quán)，該德國(guó)專利的公開內(nèi)容再次通過參引并入本文。本發(fā)明沒有由于借助實(shí)施例的描述而局限于所述實(shí)施例。相反，本發(fā)明包括每個(gè)新的特征以及特征的每個(gè)組合，這特別包括權(quán)利要求中的特征的每個(gè)組合，即使該特征或者該組合本身沒有在權(quán)利要求或者實(shí)施例中詳盡地說明。
權(quán)利要求
1.用于制造發(fā)光機(jī)構(gòu)的方法，具有如下步驟-提供多個(gè)發(fā)光二極管G)，其中，每個(gè)發(fā)光二極管包括一個(gè)輻射能穿透的載體G4)和至少兩個(gè)空間上相互分開的半導(dǎo)體(41，42，43)，每個(gè)半導(dǎo)體01，42，43)設(shè)計(jì)成用于產(chǎn)生電磁輻射，所述半導(dǎo)體Gl，42，43)能被相互分開地控制并且所述半導(dǎo)體Gl，42，43)設(shè)置在所述輻射能穿透的載體G4)上且設(shè)置在所述輻射能穿透的載體G4)的頂側(cè)(44a)上，-提供由CMOS芯片(10)組成的芯片組合體(1)，其中，每個(gè)CMOS芯片(10)在其頂側(cè) (IOa)上具有至少兩個(gè)連接部位(2)，-將所述發(fā)光二極管中的至少一個(gè)與所述CMOS芯片(10)中一個(gè)連接，其中，所述發(fā)光二極管(4)設(shè)置在所述輻射能穿透的載體G4)的所述頂側(cè)(44a)上且設(shè)置在所述 CMOS芯片(10)的頂側(cè)(IOa)上，并且所述發(fā)光二極管的每個(gè)半導(dǎo)體01，42，43)與所述 CMOS芯片(10)的連接部位(2)連接。
2.根據(jù)前一項(xiàng)權(quán)利要求的方法，其中，所述連接部位( 與所述半導(dǎo)體01，42，43)的背離所述輻射能穿透的載體G4)的表面直接接觸。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求之一的方法，其中，在用于所述半導(dǎo)體01，42，43)中的至少一個(gè)半導(dǎo)體的所述輻射能穿透的載體G4)的背離所述半導(dǎo)體01，42，4；3)的底側(cè)(44b)上，轉(zhuǎn)換元件(51，52，5；3)安裝在所述輻射能穿透的載體G4)上，使得在所述半導(dǎo)體Gl，42，43) 工作時(shí)由所述半導(dǎo)體發(fā)出的電磁輻射穿過所述轉(zhuǎn)換元件(51，52，5；3)并且由所述轉(zhuǎn)換元件至少部分地進(jìn)行轉(zhuǎn)換波長(zhǎng)。
4.根據(jù)前一項(xiàng)權(quán)利要求的方法，其中，存在于組合體中的多個(gè)轉(zhuǎn)換元件(51，52，53)同時(shí)與多個(gè)發(fā)光二極管(4)連接。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一的方法，其中，由芯片組合體(1)和多個(gè)發(fā)光二極管(4)組成的組合體被分隔成各個(gè)發(fā)光機(jī)構(gòu)，在所述發(fā)光機(jī)構(gòu)中，每個(gè)發(fā)光機(jī)構(gòu)包括至少一個(gè)發(fā)光二極管G)，其中，在分隔時(shí)僅所述芯片組合體(1)被切斷。
6.發(fā)光機(jī)構(gòu)，具有-CMOS芯片(10)，其中，所述CMOS芯片(10)在其頂側(cè)上具有至少兩個(gè)連接部位0)，-發(fā)光二極管G)，其中，所述發(fā)光二極管(4)具有一個(gè)輻射能穿透的載體G4)和至少兩個(gè)空間上相互分開的半導(dǎo)體(41，42，43)，每個(gè)半導(dǎo)體01，42，43)設(shè)計(jì)成用于產(chǎn)生電磁輻射，所述半導(dǎo)體01，42，4；3)能被相互分開地控制并且所述半導(dǎo)體01，42，4；3)設(shè)置在所述輻射能穿透的載體G4)上且設(shè)置在所述輻射能穿透的載體的所述頂側(cè)(44a)上，-其中，所述發(fā)光二極管(4)的和所述CMOS芯片(10)的所述頂側(cè)(44a，10a)相互朝向并且所述至少一個(gè)發(fā)光二極管的每個(gè)半導(dǎo)體01，42，43)與所述CMOS芯片(10)的連接部位⑵連接。
7.根據(jù)前一項(xiàng)權(quán)利要求的發(fā)光機(jī)構(gòu)，其中，所述至少一個(gè)發(fā)光二極管(4)在其輻射能穿透的載體G4)的背離所述半導(dǎo)體01，42，4；3)的側(cè)上具有連接部位(45)，所述連接部位設(shè)計(jì)成用于共同地電接觸所述發(fā)光二極管的所有半導(dǎo)體01，42，43)。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求之一的方法或發(fā)光機(jī)構(gòu)，其中，所述至少一個(gè)發(fā)光二極管的所有半導(dǎo)體01，42，4；3)產(chǎn)生在同樣的光譜區(qū)域中的電磁輻射，并且在所述半導(dǎo)體01，42， 43)中的至少一個(gè)半導(dǎo)體后面設(shè)置轉(zhuǎn)換元件(51，52，53)，其中，所述轉(zhuǎn)換元件(51，52，53) 設(shè)置在所述輻射能穿透的載體G4)的背離所述半導(dǎo)體01，42，4；3)的所述底側(cè)(44b)上，使得在所述半導(dǎo)體01，42，4；3)工作時(shí)由所述半導(dǎo)體發(fā)出的電磁輻射穿過所述轉(zhuǎn)換元件 (51,52,53)并且由所述轉(zhuǎn)換元件至少部分地進(jìn)行波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求之一的方法或發(fā)光機(jī)構(gòu)，其中，所述至少一個(gè)發(fā)光二極管的至少兩個(gè)半導(dǎo)體01，42，4；3)在工作時(shí)產(chǎn)生在相互不同的光譜區(qū)域中的電磁輻射。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求之一的方法或發(fā)光機(jī)構(gòu)，其中，所述至少一個(gè)發(fā)光二極管的所述輻射能穿透的載體G4)包括塑料薄膜，用于觸點(diǎn)接通所述半導(dǎo)體Gl，42，43)的電導(dǎo)線設(shè)置在所述塑料薄膜中和/或所述塑料薄膜上。
全文摘要
一種用于制造發(fā)光機(jī)構(gòu)的方法，具有如下步驟提供多個(gè)發(fā)光二極管(4)，其中，每個(gè)發(fā)光二極管包括一個(gè)輻射可穿透的載體(44)和至少兩個(gè)空間上相互分開的半導(dǎo)體(41，42，43)，每個(gè)半導(dǎo)體(41，42，43)設(shè)計(jì)成用于產(chǎn)生電磁輻射，所述半導(dǎo)體(41，42，43)可被相互分開地控制并且所述半導(dǎo)體(41，42，43)設(shè)置在輻射可穿透的載體(44)上且設(shè)置在輻射可穿透的載體(44)的頂側(cè)(44a)上；提供由CMOS芯片(10)組成的芯片組合體(1)，其中，每個(gè)CMOS芯片(10)在其頂側(cè)(10a)上具有至少兩個(gè)連接部位(2)；將發(fā)光二極管(4)中的至少一個(gè)與CMOS芯片(10)中一個(gè)連接，其中，發(fā)光二極管(4)設(shè)置在輻射可穿透的載體(44)的頂側(cè)(44a)上且設(shè)置在CMOS芯片(10)的頂側(cè)(10a)上并且發(fā)光二極管的每個(gè)半導(dǎo)體(41，42，43)與CMOS芯片(10)的連接部位(2)連接。
文檔編號(hào)H01L25/16GK102473704SQ201080033175
公開日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月20日
發(fā)明者西格弗里德·赫爾曼, 貝特霍爾德·哈恩, 馬庫(kù)斯·毛特 申請(qǐng)人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司