專利名稱：半導(dǎo)體器件、用于半導(dǎo)體器件的安裝基板以及制造安裝基板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件、一種用于所述半導(dǎo)體器件的安裝基板以及一種制造所述安裝基板的方法，并且更具體地涉及一種基板、一種具有所述基板的半導(dǎo)體器件以及一種制造所述基板的方法，其中將布置有第一電感器的半導(dǎo)體器件安裝在布置有與所述第一電感器相對(duì)應(yīng)的第二電感器的基板上，其中所述第一電感器用于電磁耦合至所述基板的主表面，所述第二電感器用于電磁耦合至所述第一電感器，從而使第一電感器與第二電感器之間的電磁耦合成為可能。
背景技術(shù)：
近年來，隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展，諸如LSI之類的半導(dǎo)體器件的主要部分中所包括的半導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體芯片)的電極數(shù)量(端子數(shù)量)不斷增加，并且因此，在半導(dǎo)體元件的外圍布置的電極中，形成細(xì)微間距(窄間距)電極的趨勢。為此，代替相關(guān)技術(shù)中的方法，廣泛使用倒裝芯片連接技術(shù)，其中通過引線鍵合將每個(gè)電極和外部構(gòu)件(諸如基板上的電極)電連接。在此倒裝芯片連接技術(shù)中，不僅利用半導(dǎo)體元件的外圍部分，還利用整個(gè)平面部分；而且，電極按照面陣的形式排列，從而使得可在不使用細(xì)微間距電極的情況下顯著增加電極的數(shù)量。使用這些面陣排列的電極將每個(gè)電極和外部構(gòu)件直接電連接。倒裝芯片連接類型的半導(dǎo)體器件中所包括的半導(dǎo)體元件中也已經(jīng)要求進(jìn)一步增加電極的數(shù)量。因此，為了支持細(xì)微間距電極，已經(jīng)增加了基板的層數(shù)。為此，已經(jīng)增加了大量的制造工藝，并且引入特殊材料等等已經(jīng)成為必須，由此導(dǎo)致制造產(chǎn)量下降。在其中通過倒裝芯片連接將多個(gè)半導(dǎo)體元件安裝在基板上的多芯片型半導(dǎo)體器件的情況下，要求基板的尺寸進(jìn)一步按比例縮小。在這種半導(dǎo)體器件中，由于電極數(shù)量的增力口，電極與外部構(gòu)件之間的連接點(diǎn)的數(shù)量也增加。不僅如此，凸塊(凸出形電極)的尺寸的按比例縮小也是不可避免的，其中所述凸塊起到下列作用將半導(dǎo)體元件的電極與布置在基板上的與所述半導(dǎo)體的電極相對(duì)應(yīng)的電極電連接；并且使半導(dǎo)體元件與基板之間的間距保持為預(yù)定距離。為了使半導(dǎo)體元件與基板之間的間隙更窄，需要小尺寸(低高度)的凸塊。成本由于小尺寸凸塊而增加。圖13示出根據(jù)第一相關(guān)技術(shù)的倒裝芯片連接類型的半導(dǎo)體器件100的截面圖。 如圖13中所示，在半導(dǎo)體器件100中，具有第一電極101的半導(dǎo)體元件102安裝在具有第二電極103的基板104上，其中第一電極101布置在半導(dǎo)體元件102的一個(gè)主表面上以電連接至外部構(gòu)件，第二電極103布置在基板104上以對(duì)應(yīng)于第一電極101，從而使第一電極 101與第二電極103經(jīng)由凸塊105電連接。為了保護(hù)連接點(diǎn)，諸如電極101和103，不受周圍氣氛的影響，通過樹脂填充形成密封體106。將外部電極107布置在基板104的背面，從而電連接至第二電極103。將凸塊 108電連接至外部電極107。圖14示出根據(jù)第二相關(guān)技術(shù)的通過倒裝芯片連接形成的多芯片型半導(dǎo)體器件200的截面圖。在半導(dǎo)體器件200中，如圖14中所示，將兩個(gè)半導(dǎo)體元件102A和102B按照與圖13大致相同的結(jié)構(gòu)安裝在公用基板104上。然而，在上述這些倒裝芯片連接類型半導(dǎo)體器件中，存在以下幾個(gè)問題。首先，由于半導(dǎo)體元件的細(xì)微間距電極，凸塊的高度也變低，并且半導(dǎo)體元件與基板之間的間隙變小。將清洗溶液等填充入此間隙變得困難。為此，由于助焊劑清洗作用的退化，UF(底部填充)樹脂填充特性等降低，生產(chǎn)率下降。此外，根據(jù)電極數(shù)量的增加所導(dǎo)致的連接點(diǎn)數(shù)量的增加，電極的連接收益下降。此外，與半導(dǎo)體元件的電極和凸塊的尺寸按比例縮小相比，基板的按比例縮小要求更高的技術(shù)。換句話說，在處理半導(dǎo)體元件的過程中，將具有高平整度的硅用作基板材料，并且制造裝置具有高精確度。另一方面，在處理基板的過程中，在樹脂或浸透樹脂的玻璃布等基底材料上形成金屬布線。如上文已提及，為了在尺寸上對(duì)基板進(jìn)行按比例縮小，由于高度多層化引起的工藝數(shù)量的增加、特殊材料的引入以及由此導(dǎo)致的制造產(chǎn)量的降低將變得不可避免。因此，成本變高。此外，對(duì)于其上安裝有多個(gè)半導(dǎo)體元件的多芯片型半導(dǎo)體器件，因?yàn)橐筮M(jìn)一步的按比例縮小，所以基板的成本也變得更高。另一方面，為了加速半導(dǎo)體器件并減輕半導(dǎo)體元件的負(fù)擔(dān)，公開了一種半導(dǎo)體器件，其中經(jīng)由內(nèi)插器將半導(dǎo)體元件倒裝芯片連接在基板上，所述內(nèi)插器包括其上形成有有源元件的半導(dǎo)體基板(專利文獻(xiàn)1)。然而，在這種半導(dǎo)體器件中，由于使用諸如硅之類的半導(dǎo)體基板，盡管內(nèi)插式基板有利于按比例縮小，但是難以按比例縮小內(nèi)插式基板與底板之間的連接部分。此外，在內(nèi)插式基板中，為了連接至底板，需要在內(nèi)插式基板的背面形成布線。連接至半導(dǎo)體基板的穿透式布線的形成要求較高的成本，因此，還存在內(nèi)插式基板的成本變高這一缺點(diǎn)。此外，由于在此內(nèi)插式基板上形成有源元件，因此出現(xiàn)制造步驟增加這一不足，由此成本增加變得不可避免。還公開了一種半導(dǎo)體器件，其中為了增加芯片與基板之間輸入的信號(hào)的數(shù)量而不增加芯片和基板的面積，將具有第一電感器導(dǎo)體的芯片安裝在具有第二電感器導(dǎo)體和外部連接端子的基板上，其中對(duì)應(yīng)于輸入-輸出端子的一部分形成所述第一電感器導(dǎo)體，對(duì)應(yīng)于所述第一電感器導(dǎo)體形成所述第二電感器導(dǎo)體，并且對(duì)應(yīng)于所述第二電感器導(dǎo)體形成所述外部連接端子(專利文獻(xiàn)幻。將第一和第二電感器導(dǎo)體磁耦合，通過芯片與基板之間的電磁感應(yīng)傳輸信號(hào)。此外，還公開了一種具有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件，其中每個(gè)半導(dǎo)體芯片具有用于通信的電感器，并且每個(gè)半導(dǎo)體芯片彼此層疊并通過電感器連接；其中，為了防止電感器的磁場強(qiáng)度由于芯片中產(chǎn)生的渦電流而下降，所述半導(dǎo)體器件包括布置在具有第一電阻率的半導(dǎo)體基板上的半導(dǎo)體層，其中所述半導(dǎo)體層具有小于所述第一電阻率的第二電阻率；位于所述半導(dǎo)體層上的布線層；以及，在所述布線層中提供的電感器，用于執(zhí)行信號(hào)的發(fā)送和接收(專利文獻(xiàn)3)。[相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)1]日本專利申請(qǐng)公開第2002-110865號(hào)[專利文獻(xiàn)2]日本專利申請(qǐng)公開第1998-200007號(hào)[專利文獻(xiàn)3]日本專利申請(qǐng)公開第2007-318003號(hào)

發(fā)明內(nèi)容
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[有待本發(fā)明解決的問題]專利文獻(xiàn)2中公開的半導(dǎo)體器件使用芯片與基板之間的磁耦合來傳輸信號(hào)。當(dāng)布線距離變長時(shí)，電感器接收到的信號(hào)波形衰減，因?yàn)榻邮盏降碾娏魇菑膭?dòng)電流(driven current)。僅通過將電感器裝配到基板難以實(shí)現(xiàn)與構(gòu)成系統(tǒng)儀器的其它電子部件的連接。 所述半導(dǎo)體器件沒有被應(yīng)用到多個(gè)部件之間的信號(hào)傳輸。并且，在專利文獻(xiàn)2中，與本發(fā)明形成對(duì)比，不考慮以低成本在基板上安裝具有細(xì)微間距電極的半導(dǎo)體元件而不減少輸入-輸出端子的數(shù)量，而且此外通過減少對(duì)半導(dǎo)體元件的電極與外部構(gòu)件進(jìn)行電連接的連接點(diǎn)的數(shù)量來提高連接收益。在專利文獻(xiàn)3中公開的半導(dǎo)體器件中，盡管將多個(gè)半導(dǎo)體芯片彼此層疊并通過電感器耦合，但當(dāng)對(duì)芯片層疊型半導(dǎo)體器件的使用頻率較低時(shí)，電感器的磁場強(qiáng)度幾乎不受芯片中所產(chǎn)生的渦電流的影響。此外，同樣在專利文獻(xiàn)3中，如同專利文獻(xiàn)2的情況，與本發(fā)明形成對(duì)比，不考慮以低成本在基板上安裝具有細(xì)微間距電極的半導(dǎo)體元件而不減少輸入-輸出端子的數(shù)量以及此外通過減少對(duì)半導(dǎo)體元件的電極與外部構(gòu)件進(jìn)行電連接的連接點(diǎn)的數(shù)量來提高連接收益。本發(fā)明的目的為提供解決上述問題的一種半導(dǎo)體器件、一種用于所述半導(dǎo)體器件的安裝基板以及一種制造所述安裝基板的方法。[解決問題的手段]本發(fā)明的半導(dǎo)體器件具有半導(dǎo)體元件和基板。所述半導(dǎo)體元件包括第一主表面， 其上布置有第一電感器；第二主表面；以及布置在所述第一主表面或所述第二主表面上的第一電極。所述基板安裝在所述半導(dǎo)體元件上，并且包括第二電感器，其布置在與所述第一電感器相對(duì)應(yīng)的位置，用于與所述第一電感器電磁耦合；以及外部電極，其用于輸入或輸出被輸入到所述半導(dǎo)體元件或從所述半導(dǎo)體元件輸出的信號(hào)的至少一部分，所述信號(hào)通過所述第一電感器與所述第二電感器之間的無接觸電磁耦合進(jìn)行傳輸。本發(fā)明的安裝基板安裝具有第一電感器和第一電極的半導(dǎo)體元件。所述安裝基板包括電感器元件，其上在與所述第一電感器相對(duì)應(yīng)的位置布置與所述第一電感器電磁耦合的第二電感器；以及外部電極，用于輸入或輸出被輸入到所述半導(dǎo)體元件或從所述半導(dǎo)體元件輸出的信號(hào)的至少一部分，所述信號(hào)通過所述第一電感器與所述第二電感器之間的無接觸電磁耦合進(jìn)行傳輸。本申請(qǐng)的制造安裝基板的方法，其中所述安裝基板用于安裝具有第一電感器和第一電極的半導(dǎo)體元件，所述方法包括在基板內(nèi)部或所述基板表面上的對(duì)應(yīng)于所述第一電感器的位置中形成的電感器元件的第一表面上布置與所述第一電感器電磁耦合的第二電感器的步驟；以及形成用于輸入或輸出被輸入至所述半導(dǎo)體元件或從所述半導(dǎo)體元件輸出的信號(hào)的至少一部分的外部電極的步驟，所述信號(hào)通過所述第一電感器與所述第二電感器之間的無接觸電磁耦合進(jìn)行傳輸。[本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)]根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，在其中將布置有第一電感器的半導(dǎo)體器件安裝在布置有第二電感器的基板上的結(jié)構(gòu)中，所述第一電感器用于電磁耦合至所述半導(dǎo)體器件的一個(gè)主表面，所述第二電感器對(duì)應(yīng)于所述第一電感器，用于電磁耦合至所述第一電感器，從而使所述第一電感器和所述第二電感器之間的電磁耦合成為可能；由于將用于與外部構(gòu)件電連接的電極布置在所述半導(dǎo)體元件的一個(gè)主表面或另一主表面上，并且將所述半導(dǎo)體元件的輸入/輸出信號(hào)的至少一部分按照無接觸方式傳輸并輸入至布置在基板上的外部電極或從布置在基板上的外部電極輸出，因此可以以低成本將具有細(xì)微間距電極的半導(dǎo)體元件安裝到基板上而不減少其輸入-輸出端子的數(shù)量。并且，可以減少將半導(dǎo)體元件的電極電連接至外部構(gòu)件的連接點(diǎn)的數(shù)量，由此提高連接收益。


圖1為示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性構(gòu)造的一個(gè)示例的截面圖；圖2為示出用于根據(jù)第一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的電感器元件的示意性構(gòu)造的一個(gè)示例的透視圖；圖3為示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的修改的半導(dǎo)體器件的示意性構(gòu)造的一個(gè)示例的截面圖；圖4為示出根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性構(gòu)造的一個(gè)示例的截面圖；圖5為示出根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性構(gòu)造的一個(gè)示例的截面圖；圖6為示出根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例的修改的半導(dǎo)體器件的示意性構(gòu)造的一個(gè)示例的截面圖；圖7為示出根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性構(gòu)造的一個(gè)示例的截面圖；圖8為示出根據(jù)本發(fā)明的第五示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性構(gòu)造的一個(gè)示例的截面圖；圖9為示出根據(jù)本發(fā)明的第六示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性構(gòu)造的一個(gè)示例的截面圖；圖10為示出根據(jù)本發(fā)明的第七示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性構(gòu)造的一個(gè)示例的截面圖；圖11為示出根據(jù)本發(fā)明的第八示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性構(gòu)造的一個(gè)示例的截面圖；圖12為示出根據(jù)本發(fā)明的第九示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性構(gòu)造的一個(gè)示例的截面圖；圖13為示出根據(jù)第一相關(guān)技術(shù)的半導(dǎo)體器件的示意性構(gòu)造的截面圖；以及圖14為示出根據(jù)第二相關(guān)技術(shù)的半導(dǎo)體器件的示意性構(gòu)造的截面圖。
具體實(shí)施例方式[示例性實(shí)施例1]圖1為示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件10的示意性構(gòu)造的截面圖。半導(dǎo)體器件10包括半導(dǎo)體元件3和基板5。
將與基板5電連接的電極1布置在半導(dǎo)體元件3的一個(gè)主表面上，并且將用于執(zhí)行電磁耦合的第一電感器2按照鄰近電極1的方式布置在電極1之間。在基板5上，將與第一電感器2電磁耦合的第二電感器4布置在與第一電感器2 相對(duì)應(yīng)的位置。將半導(dǎo)體元件3安裝在基板5上，從而使得第一電感器2與第二電感器4面向彼此。此處，布置在半導(dǎo)體元件3的一個(gè)主表面上的電極1和第一電感器2包括半導(dǎo)體元件 3的輸入-輸出端子。基板5由絕緣材料制成，并且將電極6布置在面向半導(dǎo)體元件3的一個(gè)主表面的表面上的對(duì)應(yīng)于電極1的位置。第二電感器4形成于電感器元件7的由絕緣襯底制成的表面上。將電感器元件7按照面向上的方向合并入基板5，從而使第二電感器4面向第一電感器2。在這種情況下，基板5的制造步驟包括將電感器元件7預(yù)先嵌入作為基板5的材料的絕緣樹脂中，并且使用光刻處理技術(shù)等形成連接部分中的過孔，以形成電連接部分。盡管只需將用于傳輸信號(hào)的第二電感器4和電極6形成到電感器元件7中，但是為了實(shí)現(xiàn)更為可靠的信號(hào)傳輸，電感器元件7可包括具有用于對(duì)從半導(dǎo)體元件3輸入的信號(hào)進(jìn)行調(diào)制、解調(diào)或放大的有源功能的電路。當(dāng)從外部器件向半導(dǎo)體元件3輸入信號(hào)時(shí)，也可使用電路的這種有源功能。電極8形成于電感器元件7的表面上。通過形成于基板5中的布線9，將這些電極 8與布置在基板5的背面(在圖1中，基板5的下部)的外部電極11電連接。將連接至另一電子部件的半球電極13布置在外部電極11上。同時(shí)，這些半球電極13是示例，并且可采用其它電極，例如針柵陣列(PGA)，作為連接至外部電極11的電極。為了保護(hù)連接點(diǎn)(諸如電極1)不受周圍氣氛的影響，通過樹脂填充形成密封體14。圖2為示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的布置在電感器元件7的上部(在圖 1中，電感器元件7的上半部)的電極8和第二電感器4的布局圖案的示意性構(gòu)造的透視圖。作為一個(gè)示例，圖2表示其中電極8和第二電感器4按照平面方式交替布置的結(jié)構(gòu)。如下文將提及的，因?yàn)樵趯⑼箟K12連接至電極1時(shí)，對(duì)于第一電感器2而言凸塊 12是不必要的，所以若交替地布置電極1和第一電感器2，則無需將凸塊12限制為小尺寸。 電極8和第二電感器4的布局圖案并非局限于此布局圖案，而是可具有按照具有此示例性實(shí)施例的效果的方式布置第二電感器4的圖案。經(jīng)由凸塊12將半導(dǎo)體元件3的電極1連接至對(duì)應(yīng)于電極1的基板5的電極6，其中凸塊12為凸出形電極。通過未示出的基板5的布線將電極1進(jìn)一步電連接至外部電極 11。在將半導(dǎo)體元件3安裝在基板5上時(shí)，凸塊12起到在半導(dǎo)體元件3與基板5之間保持間隙的作用。半導(dǎo)體元件3的輸入-輸出端子的數(shù)量為布置在一個(gè)主表面上的電極1的總數(shù)與第一電感器2的總數(shù)之和。因此，通過根據(jù)制造的半導(dǎo)體器件的目的、用途等適當(dāng)?shù)卣{(diào)整第一電感器2的數(shù)量，可以減少電極1的數(shù)量，并且繼而也可減少所需要的凸塊12的數(shù)量。根據(jù)該目的、用途等，可以可選地改變或選擇是使用第一電感器2與第二電感器4之間的電磁耦合來傳輸信號(hào)還是使用電極1與電極6之間的電連接來傳輸信號(hào)。作為一個(gè)示例，可使用電連接來供電和接地，并且將電磁耦合僅用于信號(hào)傳輸。通過上述結(jié)構(gòu)，通過第一電感器2和第二電感器4之間的電磁耦合按照無接觸方式傳輸半導(dǎo)體元件3的輸入/輸出信號(hào)中所期望的輸入/輸出信號(hào)，而不經(jīng)過電極1，并且經(jīng)由基板5的外部電極11進(jìn)行輸入和輸出。因此，即使半導(dǎo)體元件3具有細(xì)微間距電極，數(shù)量為第一電感器2 (或第二電感器4)的數(shù)量的凸塊12不是必須的。因此，由于能夠使用可以低成本制造的尺寸足夠大的凸塊，而無需同常規(guī)方式一樣對(duì)其進(jìn)行小型化，半導(dǎo)體元件3 與基板5之間的間距可較寬。由于能夠?qū)⑶逑慈芤旱瘸浞痔畛淙氪碎g距內(nèi)的間隙中，因此可實(shí)現(xiàn)助焊劑清洗作用的提高和UF樹脂填充特性等的提高，并且因此提高生產(chǎn)率。例如， 根據(jù)本示例性實(shí)施例，當(dāng)半導(dǎo)體元件3的電極1的數(shù)量等于第一電感器2的數(shù)量時(shí)，用于電連接的電極1的連接間距減小約一半。凸塊12確定可通過第一電感器2與第二電感器4之間的電磁耦合無接觸地傳輸輸入/輸出信號(hào)的一個(gè)主表面上的位置和距離。借此，可通過凸塊12控制其中可傳輸輸入 /輸出信號(hào)的一個(gè)主表面上的范圍。并且，由于使用第一電感器2和第二電感器4之間的電磁耦合執(zhí)行半導(dǎo)體元件3 的信號(hào)傳輸，因此對(duì)電極1的電連接的使用減少。因此，提高了電連接的連接收益。如上述，在第一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件10中，將半導(dǎo)體元件3安裝在基板5 上。在半導(dǎo)體元件3的一個(gè)主表面上布置用于執(zhí)行電連接的電極1和用于執(zhí)行電磁耦合的第一電感器2，其中每個(gè)第一電感器2布置在電極1之間并且鄰近所述電極1。在基板5上， 將用于與第一電感器2電磁耦合的第二電感器4布置在與第一電感器2相對(duì)應(yīng)的位置。將半導(dǎo)體元件3安裝在基板5上，從而使第一電感器2與第二電感器4面向彼此。在這種半導(dǎo)體器件中，僅半導(dǎo)體元件3的輸入/輸出信號(hào)中所期望的輸入/輸出信號(hào)通過第一電感器2和第二電感器4之間的電磁耦合無接觸地傳輸，而不經(jīng)過電極1，并且從基板5的外部電極11輸入或輸出。因此，可大體上減少使用電極1的電連接執(zhí)行的信號(hào)傳輸。因此，可能以低成本將具有細(xì)微間距電極的半導(dǎo)體元件安裝到基板上，而不減少電極的輸入-輸出端子的數(shù)量。并且，通過減少用于將半導(dǎo)體元件的電極與外部構(gòu)件電連接的連接點(diǎn)的數(shù)量，提高了連接收益。[修改1]圖3為示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第一示例性實(shí)施例的修改的示意性構(gòu)造的截面圖。本修改的半導(dǎo)體器件與上述第一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的不同之處在于當(dāng)通過擴(kuò)大電感器元件的尺寸將各種尺寸的半導(dǎo)體元件安裝在基板上時(shí)，實(shí)現(xiàn)電感器元件的標(biāo)準(zhǔn)化(統(tǒng)一形狀的利用)。換句話說，如圖3中所示，在本修改的半導(dǎo)體器件IOA中，電感器元件7的尺寸充分大于半導(dǎo)體元件3的尺寸，并且布置足夠大數(shù)量的第二電感器4和電極8，從而使其能夠應(yīng)對(duì)其中甚至安裝大尺寸半導(dǎo)體元件的情況。此外，在半導(dǎo)體器件IOA上，作為安裝在基板 5上的其它電子部件的示例，布置芯片部件15，例如電阻器。除了這些特征外，本修改示例等同于上述第一示例性實(shí)施例。因此，在圖3中，對(duì)與圖1中的組件相對(duì)應(yīng)的每個(gè)元件賦予相同的數(shù)字，并且將省略其描述。因此，根據(jù)本修改，通過預(yù)先使電感器元件的尺寸變大以便應(yīng)對(duì)其中甚至安裝不同尺寸的半導(dǎo)體元件的情況，可以實(shí)現(xiàn)電感器元件的標(biāo)準(zhǔn)化(統(tǒng)一化)。從而，獲得與第一示例性實(shí)施例中所描述的效果幾乎相同的效果。此外，通過標(biāo)準(zhǔn)化，降低了基板的成本。
[示例性實(shí)施例2]圖4為示出作為本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性構(gòu)造的截面圖。 本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件與第一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的不同之處在于將電感器元件按照面向下的方式合并入基板。如圖4中所示，在第二示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件20中，將電感器元件7按照面向下的方式合并入基板5，從而使第二電感器4布置在第一電感器2的對(duì)側(cè)。經(jīng)由凸塊16 實(shí)現(xiàn)電感器元件7的電極8與布線9之間的電連接。當(dāng)將電感器元件7按照面向下的方式合并入基板5時(shí)，如在本第二示例性實(shí)施例中，經(jīng)由電感器元件7的背面實(shí)現(xiàn)第二電感器4 與第一電感器2之間的電磁耦合。在這種情況下，在基板5的制造步驟中，不需要同在根據(jù)第一示例性實(shí)施例的基板5的制造步驟的情況下一樣，使用光刻處理技術(shù)等在連接部分中形成過孔。由于可通過，例如，凸塊安裝來實(shí)施本示例性實(shí)施例的基板5，因此存在基板的生產(chǎn)成本減少這一效果。同時(shí)，對(duì)與第一示例性實(shí)施例的公用構(gòu)件賦予相同的數(shù)字，并且將省略其描述。因此，根據(jù)第二示例性實(shí)施例，由于布置電感器元件以使其按照面向下的方式合并入基板，因此獲得與第一示例性實(shí)施例所描述的效果幾乎相同的效果。并且，其具有可以減少基板的生產(chǎn)成本這一效果。[示例性實(shí)施例3]圖5為示出作為本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性構(gòu)造的截面圖。 本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)與上述第一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的不同之處在于其應(yīng)用于多芯片型半導(dǎo)體器件。在第三示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件30中，將半導(dǎo)體元件3A和;3B安裝在基板5上， 如圖5中所示。在半導(dǎo)體元件3A和;3B的每一個(gè)中，將用于電連接的電極IA和IB布置在一個(gè)主表面上，并且布置用于執(zhí)行電磁耦合的第一電感器2A和2B，其中將第一電感器2A和 2B中的每一個(gè)布置在電極IA和IB之間并且鄰近電極IA和1B。在基板5中，將用于與這些第一電感器2A和2B電磁耦合的第二電感器4A和4B布置在與第一電感器2A和2B相對(duì)應(yīng)的位置。將半導(dǎo)體元件3A和;3B安裝在基板5上，從而使第一電感器2A和2B與第二電感器4A和4B可面向彼此。此處，電感器元件7具有可應(yīng)對(duì)所有半導(dǎo)體元件3A和;3B兩者的公用結(jié)構(gòu)。因?yàn)椋?根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可使用單個(gè)電感器元件7共同支持兩個(gè)半導(dǎo)體元件3A和:3B，所以當(dāng)通過電磁耦合傳輸半導(dǎo)體元件3A和;3B的輸入/輸出信號(hào)時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)高速信號(hào)傳輸。同時(shí)，對(duì)與第一示例性實(shí)施例相同的構(gòu)件賦予相同的數(shù)字，并且將省略其描述。因此，根據(jù)第三示例性實(shí)施例，由于在將多個(gè)半導(dǎo)體元件安裝在基板上時(shí)使用可以應(yīng)對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體元件的公用電感器元件，所以可獲得與第一示例性實(shí)施例所描述的效果幾乎相同的效果。此外，可以在根據(jù)第三示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中執(zhí)行高速信號(hào)傳輸。[修改2]圖6為示出作為第三示例性實(shí)施例的修改示例的半導(dǎo)體器件的示意性構(gòu)造的截面圖。本修改的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)與上述第三示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的不同之處在于針對(duì)每個(gè)半導(dǎo)體元件形成密封體。換句話說，在本修改的半導(dǎo)體器件30A中，如圖6所示，針對(duì)半導(dǎo)體元件3A和中的每一個(gè)形成密封體14A和14B。將芯片部件15 (諸如電阻器)安裝在基板5上，作為其它電子部件的示例。因此，根據(jù)第三示例性實(shí)施例的修改示例，由于多芯片型半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)與根據(jù)第三示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)幾乎相同，所以可獲得與第三示例性實(shí)施例中所描述的效果幾乎相同的效果。[示例性實(shí)施例4]圖7為示出根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性構(gòu)造的截面圖。本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)與上述第三示例性實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的不同之處在于在多芯片型半導(dǎo)體器件中，針對(duì)每個(gè)半導(dǎo)體元件將電感器元件合并入基板。在第四示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件40中，如圖7中所示，將分別對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體元件3A和;3B的電感器元件7A和7B合并入基板5。由于取決于每個(gè)半導(dǎo)體元件3A和!3B，規(guī)格中存在不同(諸如管腳的數(shù)量和布局)，通過將符合此規(guī)格的電感器元件7A和7B分別與半導(dǎo)體元件3A和;3B組合，可以執(zhí)行每個(gè)半導(dǎo)體元件3A和;3B的輸入/輸出信號(hào)的最適合的信號(hào)傳輸。同時(shí)，可以布置對(duì)應(yīng)于多個(gè)電感器元件7A和7B的公用電感器元件。同時(shí)，對(duì)與第一示例性實(shí)施例相同的構(gòu)件賦予相同的數(shù)字，并且將省略其描述。因此，根據(jù)第四示例性實(shí)施例，由于即使在安裝各自具有不同規(guī)格的多個(gè)半導(dǎo)體元件時(shí)，也可將根據(jù)各自規(guī)格的電感器元件進(jìn)行組合，所以可以獲得與第三示例性實(shí)施例中所描述的效果幾乎相同的效果。此外，可以執(zhí)行每個(gè)半導(dǎo)體元件的輸入/輸出信號(hào)的最適合的信號(hào)傳輸。[示例性實(shí)施例5]圖8為示出根據(jù)本發(fā)明的第五示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性構(gòu)造的截面圖。本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)與上述第一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的不同之處在于將半導(dǎo)體元件分別安裝在基板的兩側(cè)。如圖8中所示，在第五示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件50中，將半導(dǎo)體元件3A布置在合并入基板5的電感器元件7的表面上。另一方面，將半導(dǎo)體元件:3B布置在電感器元件7 的背面。半導(dǎo)體元件3A和;3B的第一電感器2A和2B分別面向布置在電感器元件7的表面上的第二電感器4A和4B。在基板5內(nèi)形成穿透電極17。通過這種結(jié)構(gòu)，由于使用基板5的兩側(cè)和電感器元件7的兩側(cè)通過電磁耦合執(zhí)行半導(dǎo)體元件3A和;3B的輸入/輸出信號(hào)的傳輸，可以保證被分別布置在半導(dǎo)體元件3A和;3B 中的電極IA和IB的間距的按比例縮小程度中存在余量。同時(shí)，對(duì)與第一示例性實(shí)施例相同的構(gòu)件賦予相同的數(shù)字，并且將省略其描述。因此，根據(jù)第五示例性實(shí)施例，由于將半導(dǎo)體元件分別安裝在基板的兩側(cè)，所以可獲得與第一示例性實(shí)施例所描述的效果幾乎相同的效果。在布置于半導(dǎo)體元件中的電極的間距的按比例縮小程度中可以獲得余量。[示例性實(shí)施例6]圖9為示出作為本發(fā)明的第六示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性構(gòu)造的截面圖。本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)與上述第一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的不同之處在于將電感器元件安裝在基板的表面。如圖9中所示，第六示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件60具有以下結(jié)構(gòu)，其中將電感器元件7安裝在基板5的表面上，并且經(jīng)由形成在電感器元件7內(nèi)的穿透電極17將電極8與基板5的外部電極11電連接。盡管從小型化的觀點(diǎn)來看希望將電感器元件7合并入基板 5，但是，因?yàn)橥ㄟ^將電感器元件7布置在基板的表面上(此為第六示例性實(shí)施例的情形)， 可以防止在基板制造過程中趨向于出現(xiàn)的電感器元件7的損壞并且能夠以高產(chǎn)量制造基板5，所以可保證連接可靠性。同時(shí)，對(duì)與第一示例性實(shí)施例的公用構(gòu)件賦予相同的數(shù)字，并且將省略其描述。因此，根據(jù)第六示例性實(shí)施例，由于將電感器元件安裝在基板的表面上，所以可獲得與第一示例性實(shí)施例所描述的效果幾乎相同的效果。此外，保證了基板的連接可靠性。[示例性實(shí)施例7]圖10為示出根據(jù)本發(fā)明的第七示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性構(gòu)造的截面圖。本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)與上述第一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的不同之處在于將電感器元件安裝在由半導(dǎo)體元件的電極所包圍的區(qū)域上。如圖10中所示，在第七示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件70中，將電感器元件7安裝在半導(dǎo)體元件3的中心部分的周圍，其中半導(dǎo)體元件3的中心部分被布置在半導(dǎo)體元件3的外圍部分的電極1包圍。因此，形成電感器元件7以使其具有小于半導(dǎo)體元件3的尺寸。通過這種結(jié)構(gòu)，電感器元件7的小型化成為可能，并且可實(shí)現(xiàn)成本降低。同時(shí)，對(duì)與第一示例性實(shí)施例的公用構(gòu)件賦予相同的數(shù)字，并且將省略其描述。因此，根據(jù)第七示例性實(shí)施例，由于將電感器元件安裝在由半導(dǎo)體元件的電極所包圍的區(qū)域上，所以可獲得與第一示例性實(shí)施例所描述的效果幾乎相同的效果。此外，可實(shí)現(xiàn)電感器元件的成本降低。[示例性實(shí)施例8]圖11為示出作為本發(fā)明第八示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性構(gòu)造的截面圖。本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)與上述第一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的不同之處在于當(dāng)應(yīng)用于多芯片型半導(dǎo)體器件時(shí)，經(jīng)由信號(hào)傳輸元件執(zhí)行多個(gè)半導(dǎo)體元件之間的連接。在第八示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件80中，如圖11中所示，經(jīng)由信號(hào)傳輸元件18 執(zhí)行多個(gè)半導(dǎo)體元件3A和;3B之間的連接。將第二電感器4A和4B布置在基板5的表面上， 并且將與電感器4A和4B連接的信號(hào)傳輸元件18合并入基板5。信號(hào)傳輸元件18包括用于調(diào)制、解調(diào)或放大的信號(hào)轉(zhuǎn)換功能，并且對(duì)從一端輸入的信號(hào)執(zhí)行所期望的處理并從另一端輸出處理后的信號(hào)。同時(shí)，對(duì)與第一示例性實(shí)施例的公用構(gòu)件賦予相同的數(shù)字，并且將省略其描述。通過這種結(jié)構(gòu)，由于將通過電磁耦合傳輸?shù)拿總€(gè)半導(dǎo)體元件3A和IBB的輸入/輸出信號(hào)輸入到信號(hào)傳輸元件18、施加所期望的處理并且繼而進(jìn)行輸出，所以當(dāng)連接多個(gè)電子部件時(shí)(如同多芯片型半導(dǎo)體器件的情況)，可以高可靠性地相互發(fā)送和接收輸入/輸出信號(hào)。因此，根據(jù)第八示例性實(shí)施例，由于經(jīng)由信號(hào)傳輸元件執(zhí)行多個(gè)半導(dǎo)體元件之間的連接，所以可獲得與第一示例性實(shí)施例所描述的效果幾乎相同的效果。并且，其具有以高可靠性相互發(fā)送和接收輸入/輸出信號(hào)這一效果。[示例性實(shí)施例9]
圖12為示出根據(jù)本發(fā)明的第九示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性構(gòu)造的截面圖。本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)與上述第八示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的不同之處在于當(dāng)經(jīng)由信號(hào)傳輸元件執(zhí)行多個(gè)半導(dǎo)體元件之間的連接時(shí)，一個(gè)半導(dǎo)體元件的所有輸入-輸出端子均由用于電連接的電極構(gòu)成。在第九示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件90中，如圖12中所示，在經(jīng)由信號(hào)傳輸元件18 連接的一個(gè)半導(dǎo)體元件3A的一個(gè)主表面上全都布置電極1A，并且經(jīng)由凸塊12將電極IA與外部電極11電連接。通過這種結(jié)構(gòu)，可通過組合高度統(tǒng)一的電子部件來構(gòu)造多芯片型半導(dǎo)體器件，其執(zhí)行對(duì)輸入/輸出信號(hào)的傳輸，而非必須依賴電磁耦合。同時(shí)，對(duì)與第一示例性實(shí)施例的公用構(gòu)件賦予相同的數(shù)字，并且將省略其描述。因此，根據(jù)第九示例性實(shí)施例，由于通過組合不依賴于電磁耦合而對(duì)輸入/輸出信號(hào)進(jìn)行傳輸?shù)碾娮硬考順?gòu)造多芯片型半導(dǎo)體器件，所以可獲得與第一示例性實(shí)施例所描述的效果幾乎相同的效果。此外，存在使用高度統(tǒng)一的電子部件以高可靠性相互發(fā)送或接收輸入/輸出信號(hào)這一效果。盡管在第一示例性實(shí)施例中已經(jīng)示出其中通過倒裝芯片連接將半導(dǎo)體元件3按照面向下的方式安裝在基板5上的示例，但是用于電連接的電極1和用于電磁耦合的第一電感器2的布置并非必須限制于此。換句話說，電極1和第一電感器2兩者無需布置在半導(dǎo)體元件3的一個(gè)主表面上。例如，可以通過不包括金屬成分的粘合材料將半導(dǎo)體元件3 按照面向上的方式安裝在基板5上，并且可以通過引線鍵合等將電極1電連接至基板5的電極6。并且，在根據(jù)上述示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中，可通過電感器的電磁耦合無接觸地傳輸信號(hào)，但是本發(fā)明并非限制于此。作為無接觸地傳輸信號(hào)的方法，可以應(yīng)用通過電容器實(shí)現(xiàn)的電容連接。可用電容器替換電感器以通過電容耦合傳輸信號(hào)。同時(shí)，在通過電容器實(shí)現(xiàn)的電容連接的情況下，優(yōu)選地，按照下列構(gòu)造用電容器替換一部分或全部電感器， 其中電極面向彼此，并且在電極之間存在具有低介電率的絕緣層。當(dāng)在半導(dǎo)體元件1中形成穿透過孔時(shí)，可在與一個(gè)主表面相反的一側(cè)的另一主表面上提供電極1或第一電感器2。在這種情況下，電極1和第一電感器2并非必須布置在半導(dǎo)體元件3的相同主表面上。此外，無需將第一和第二電感器按照面向彼此的關(guān)系布置，并且它們只需要按照可實(shí)現(xiàn)電磁耦合的關(guān)系進(jìn)行布置。盡管在每個(gè)示例性實(shí)施例或修改的特定圖示中省略了對(duì)布線的說明，但是很明顯，這些并未背離本發(fā)明的關(guān)鍵點(diǎn)。盡管已參照上述示例性實(shí)施例和示例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明并非限制于上述示例性實(shí)施例和示例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解到，在本發(fā)明的范圍內(nèi)，可以對(duì)本發(fā)明的構(gòu)造和細(xì)節(jié)做出各種修改。本申請(qǐng)案主張于2009年6月30日遞交的日本專利申請(qǐng)第2009-156330號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容以全文引用的方式結(jié)合在本文中。[工業(yè)適用性]在其中將多個(gè)半導(dǎo)體元件安裝在基板上的多芯片型半導(dǎo)體器件的情況下，由于通過電感器或電感器元件之一一次性地發(fā)送或接收輸入/輸出信號(hào)，并且在此處布置系統(tǒng)電
13路并將輸入/輸出信號(hào)輸出至外部，因此本發(fā)明尤其適合應(yīng)用于系統(tǒng)封裝。[符號(hào)描述]1、1A、1B 電極2、2A、2B 第一電感器3、3A、;3B、102、102A、102B 半導(dǎo)體元件4、4A、4B 第二電感器5、104基板(安裝基板)6 電極7、7A、7B電感器元件8 電極9 布線10、10A、20、30、30A 半導(dǎo)體器件40、50、60、70、80、90、100 或 200 半導(dǎo)體器件11、107外部電極12、16、105、108凸塊(凸出形電極)13半球電極14、14A、14B、106 密封體15芯片部件17穿透電極18信號(hào)傳輸元件101 第一電極102 第二電極
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于包括 半導(dǎo)體元件，其包括第一主表面，其上布置有第一電感器； 第二主表面；以及第一電極，布置在所述第一主表面或所述第二主表面上；以及基板，其上安裝有所述半導(dǎo)體元件，所述基板包括第二電感器，布置在對(duì)應(yīng)于所述第一電感器的位置，用于與所述第一電感器電磁耦合；以及外部電極，用于輸入或輸出被輸入至所述半導(dǎo)體元件或從所述半導(dǎo)體元件輸出的信號(hào)的至少一部分，所述信號(hào)通過所述第一電感器與所述第二電感器之間的無接觸電磁耦合進(jìn)行傳輸。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述基板包括第二電極，其連接至所述第一電極，用于向所述半導(dǎo)體元件輸入信號(hào)或從所述半導(dǎo)體元件輸出信號(hào)，所述信號(hào)通過所述外部電極輸入或輸出，但不通過所述第一電感器與所述第二電感器之間的無接觸電磁耦合進(jìn)行傳輸。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述第一電極按照鄰近所述第一電感器的方式布置在所述第一主表面上。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于 所述第一電感器和所述第一電極交替地布置。
5.如權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述第一電極經(jīng)由凸出形電極連接至所述第二電極，其中所述凸出形電極限定了所述半導(dǎo)體元件與所述基板之間的距離。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述凸出形電極確定所述第一電感器在所述第一主表面上的位置以及與所述第二電感器的距離，其中在所述位置和所述距離處，可通過無接觸電磁耦合來傳輸被輸入至所述半導(dǎo)體元件或從所述半導(dǎo)體元件輸出的所述信號(hào)。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述基板包括電感器元件，所述電感器元件具有第一表面，所述第一表面上布置有所述第二電感器。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于 所述電感器元件布置在所述基板內(nèi)部。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述基板具有對(duì)應(yīng)于所述第一電感器的公用第二電感器。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述半導(dǎo)體元件布置在所述電感器元件的第二表面的一側(cè)；以及所述第二電感器布置在與所述半導(dǎo)體元件的所述第一電感器相對(duì)應(yīng)的所述電感器元件的所述第一表面上的位置。
11.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于 所述電感器元件安裝在所述基板的表面上。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述電感器元件安裝在由布置于所述半導(dǎo)體元件的外圍部分中的所述第一電極所界定的區(qū)域內(nèi)。
13.如權(quán)利要求7至12中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述電感器元件具有對(duì)輸入至所述半導(dǎo)體元件或從所述半導(dǎo)體元件輸出的信號(hào)進(jìn)行調(diào)制、解調(diào)或放大的功能。
14.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，進(jìn)一步包括多個(gè)半導(dǎo)體元件；以及信號(hào)轉(zhuǎn)換器件，用于連接所述多個(gè)半導(dǎo)體元件，并且用于對(duì)輸入至所述多個(gè)半導(dǎo)體元件或從所述半導(dǎo)體元件輸出的信號(hào)進(jìn)行調(diào)制、解調(diào)或放大。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于將所述信號(hào)轉(zhuǎn)換器件合并入所述基板。
16.一種安裝基板，用于安裝具有第一電感器和第一電極的半導(dǎo)體元件，其特征在于， 包括電感器元件，其上在對(duì)應(yīng)于所述第一電感器的位置中布置有與所述第一電感器電磁耦合的第二電感器；以及外部電極，用于輸入或輸出被輸入至所述半導(dǎo)體元件或從所述半導(dǎo)體元件輸出的信號(hào)的至少一部分，所述信號(hào)通過所述第一電感器與所述第二電感器之間的無接觸電磁耦合進(jìn)行傳輸。
17.如權(quán)利要求16所述的安裝基板，其特征在于，進(jìn)一步包括第二電極，其連接至所述第一電極，用于向所述半導(dǎo)體元件輸入信號(hào)或從所述半導(dǎo)體元件輸出信號(hào)，其中所述信號(hào)通過所述外部電極輸入或輸出，但不通過所述第一電感器與所述第二電感器之間的無接觸電磁耦合進(jìn)行傳輸。
18.如權(quán)利要求16所述的安裝基板，其特征在于所述半導(dǎo)體元件安裝在與布置有所述電感器元件的所述第二電感器的一側(cè)相反的一側(cè)；以及所述第二電感器布置在與所述半導(dǎo)體元件的所述第一電感器相對(duì)應(yīng)的所述電感器元件的位置。
19.如權(quán)利要求16所述的安裝基板，其特征在于所述電感器元件安裝在由布置于所述半導(dǎo)體元件的外圍部分中的所述第一電極所界定的所述基板的表面上的區(qū)域內(nèi)。
20.一種制造安裝基板的方法，其中所述安裝基板用于安裝具有第一電感器和第一電極的半導(dǎo)體元件，其特征在于，所述方法包括在所述基板內(nèi)部或所述基板表面上的對(duì)應(yīng)于所述第一電感器的位置形成的電感器元件的第一表面上布置與所述第一電感器電磁耦合的第二電感器的步驟；以及形成用于輸入或輸出被輸入至所述半導(dǎo)體元件或從所述半導(dǎo)體元件輸出的信號(hào)的至少一部分的外部電極的步驟，所述信號(hào)通過所述第一電感器與所述第二電感器之間的無接觸電磁耦合進(jìn)行傳輸。
全文摘要
提供一種半導(dǎo)體器件，其中將具有細(xì)微間距電極的半導(dǎo)體元件以低成本安裝在基板上，而不減少輸入/輸出端子的數(shù)量。將用于電連接的電極(1)和用于電感耦合的第一電感器(2)布置在半導(dǎo)體元件(3)的第一主表面上，其中第一電感器(2)將布置在電極(1)之間并且鄰近電極(1)。在基板(5)上，將用于與第一電感器(2)電感耦合的第二電感器(4)布置在其中第二電感器(4)與第一電感器(2)相對(duì)應(yīng)的位置處。將半導(dǎo)體元件(3)安裝在基板(5)上，從而使得第一和第二電感器(2、4)面向彼此。按照通過第一和第二電感器(2、4)之間的電磁耦合無接觸地傳輸?shù)姆绞?，僅半導(dǎo)體元件(3)的輸入/輸出信號(hào)中所期望的輸入/輸出信號(hào)從基板(5)的外部端子(11)輸入或輸出到基板(5)的外部端子(11)，而不經(jīng)過電極(1)。
文檔編號(hào)H01L21/822GK102460686SQ201080028509
公開日2012年5月16日 申請(qǐng)日期2010年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月30日
發(fā)明者田子雅基 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社