專利名稱：功率led框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于LED照明技術(shù)領(lǐng)域，具體是涉及一種功率LED框架結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在LED照明中，IW甚至更高功率的LED得到了廣泛應(yīng)用。而且隨著LED芯片技術(shù) 的發(fā)展，垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片被越來越多的用于功率LED的封裝。現(xiàn)有功率LED的封裝， 兩電極均是通過鍵合金線與LED芯片連接，不僅費(fèi)工費(fèi)力，工作效率低，而且鍵合金線用量 大，生產(chǎn)成本高，可靠性也不高。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種可降低生產(chǎn)成本，生產(chǎn)效率高，能顯著 提高可靠性的功率LED框架。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型包括殼體、熱沉、LED芯片、鍵合線和電極，所述 殼體設(shè)有通孔，熱沉插裝在通孔內(nèi)并與殼體緊固連接，熱沉頂面貼裝有LED芯片，其結(jié)構(gòu)特 點(diǎn)是所述電極中的一個(gè)極為短接電極，該短接電極與熱沉直接連接形成電連接，LED芯片的 一個(gè)極與熱沉電連接。優(yōu)選的是所述LED芯片為垂直結(jié)構(gòu)芯片，其正極面與熱沉相接。由于本實(shí)用新型設(shè)有短接電極，它與熱沉直接連接；當(dāng)熱沉頂面采用垂直結(jié)構(gòu)芯 片時(shí)，芯片一個(gè)極通過熱沉與短接電極電連接，另一個(gè)極通過鍵合線與外接電極連接，不僅 可節(jié)省一半金線，而且提高了生產(chǎn)效率，同時(shí)鍵合點(diǎn)的減少，也提高了整體可靠性。當(dāng)采用 橫向結(jié)構(gòu)芯片時(shí)，芯片一個(gè)極與熱沉鍵合連接，也可節(jié)省部分金線，焊嘴鍵合時(shí)無需擺動(dòng)， 工作效率也較傳統(tǒng)方法高。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述

圖1是本實(shí)用新型整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的縱剖視圖；圖3是本實(shí)用新型另一個(gè)實(shí)施例的縱剖視圖。
具體實(shí)施方式
圖1、圖2所示的功率LED框架，包括殼體1、熱沉2、LED芯片3、鍵合線4和電極 (5ajb)，在殼體1中心位置設(shè)有通孔，熱沉2插裝在通孔內(nèi)并與殼體1緊固連接，在熱沉2 頂面貼裝有功率為1瓦至3瓦的LED芯片3，該LED芯片為垂直結(jié)構(gòu)芯片，其正極底面與熱 沉2相接形成電連接。電極(5ajb)中的一個(gè)極fe為短接電極，該短接電極一端與熱沉2 焊接或壓接形成電連接。圖3所示實(shí)施例中，LED芯片3為橫向結(jié)構(gòu)芯片，芯片3兩個(gè)極通過鍵合線分別與熱沉2和一個(gè)電極恥連接。
權(quán)利要求1.一種功率LED框架，包括殼體(1)、熱沉(2)、LED芯片(3)、鍵合線(4)和電極(5a、 恥)，所述殼體(1)設(shè)有通孔，熱沉(2)插裝在通孔內(nèi)并與殼體(1)緊固連接，熱沉(2)頂面 貼裝有LED芯片(3)，其特征是所述電極(5ajb)中的一個(gè)極為短接電極，該短接電極與熱 沉(2)直接連接形成電連接，LED芯片(3)的一個(gè)極與熱沉(2)電連接。
2.按照權(quán)利要求1所述的功率LED框架，其特征是所述LED芯片(3)為垂直結(jié)構(gòu)芯片， 其正極面與熱沉(2)相接。
3.按照權(quán)利要求1所述的功率LED框架，其特征是所述短接電極與熱沉(2)緊固連接。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種功率LED框架，包括殼體、熱沉、LED芯片、鍵合線和電極，所述殼體設(shè)有通孔，熱沉插裝在通孔內(nèi)并與殼體緊固連接，熱沉頂面貼裝有LED芯片，所述電極中的一個(gè)極為短接電極，該短接電極與熱沉直接連接形成電連接，LED芯片的一個(gè)極與熱沉電連接。該框架主要用于1瓦以上LED的封裝，不僅節(jié)約生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率，而且能顯著增強(qiáng)其整體可靠性。
文檔編號(hào)H01L33/48GK201910444SQ201020653329
公開日2011年7月27日 申請(qǐng)日期2010年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月11日
發(fā)明者劉樹高, 安建春 申請(qǐng)人:山東開元電子有限公司