專利名稱：一種防局部偏磁電流互感器二次繞組結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種防局部偏磁電流互感器二次繞組結(jié)構(gòu)，特別是正立式大電流 電流互感器二次繞組，屬于互感器制造技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著電網(wǎng)容量的不斷增大，電網(wǎng)中的一次電流也越來越大，220kV和500kV電流互 感器的額定一次電流達(dá)到4000安培以上。正立式電流互感器因一次導(dǎo)體一般為“U”形管， 電流從導(dǎo)電管一端流入從另一端(稱為返回導(dǎo)體)流出，二次繞組套裝在其中一端上，這就 存在返回導(dǎo)體對該二次繞組的影響。由于返回導(dǎo)體中的電流產(chǎn)生的磁通經(jīng)過鐵芯，靠近返 回導(dǎo)體一側(cè)的鐵芯的磁通密度增加，遠(yuǎn)離返回導(dǎo)體一側(cè)的鐵芯的磁通密度減少，使得鐵芯 各段的磁通密度不等。因為這種外磁場產(chǎn)生的磁通路徑大部分通過空氣，鐵芯磁路只是極 小一段，所以其磁感應(yīng)強度與空氣的磁導(dǎo)率成正比，而且磁力線只與部分二次繞組相鏈，在 正常工作情況下是使二次漏抗增加的漏磁。但是在大電流情況下(如4000A)，一次安匝數(shù) 高，往往又有儀表保安系數(shù)要求，此時鐵芯尺寸會很小。因返回導(dǎo)體影響，會在鐵芯中出現(xiàn) 局部偏磁，使靠近返回導(dǎo)體一側(cè)的鐵芯磁通密度很快增長，誤差迅速加大，造成測量級二次 繞組誤差不合格。實用新型內(nèi)容本實用新型目的是提供一種防局部偏磁電流互感器二次繞組結(jié)構(gòu)，減少外磁場影 響，防止局部偏磁，解決背景技術(shù)中存在的上述問題。本實用新型的技術(shù)方案是一種防局部偏磁電流互感器二次繞組結(jié)構(gòu)，包含鐵芯、鐵芯絕緣、主繞組、屏蔽繞 組，鐵芯上纏繞主絕緣，主絕緣外設(shè)置主繞組，主繞組外均勻布滿了數(shù)對匝數(shù)相同、繞向相 反、位置相對的屏蔽繞組，屏蔽繞組聯(lián)結(jié)在一起。本實用新型還設(shè)有層間絕緣和外絕緣，在主繞組與屏蔽繞組之間設(shè)置層間絕緣， 在屏蔽繞組外面設(shè)置外絕緣。所說的鐵芯是超微晶鐵芯。采用本實用新型，在鐵芯上繞上主絕緣，在主繞組外均勻布滿了數(shù)對匝數(shù)相同、繞 向相反、位置相對的屏蔽繞組，將屏蔽繞組聯(lián)結(jié)在一起，使主磁通在其中感應(yīng)的電勢互相抵 消，利用返回導(dǎo)體產(chǎn)生的外磁場，在鐵芯各部分產(chǎn)生的磁通的差異所產(chǎn)生的電勢差形成環(huán) 流，以減少雜散磁通的影響，防止因鐵芯出現(xiàn)局部偏磁而出現(xiàn)誤差不合格現(xiàn)象。在設(shè)計屏蔽繞組時要考慮環(huán)流大小，選擇適當(dāng)?shù)膶?dǎo)線，防止溫升過高。本實用新型的有益效果是結(jié)構(gòu)新穎，減少外磁場影響，防止局部偏磁，解決了儀 表保安系數(shù)小與額定一次電流大之間的矛盾，產(chǎn)品測量精度達(dá)到0. 2S級，儀表保安系數(shù)FS 小于等于5。


圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實用新型的屏蔽繞組聯(lián)接示意圖；[0017]圖3是本實用新型的剖視圖。圖中鐵芯1、鐵芯絕緣2、主繞組3、層間絕緣4、屏蔽繞組5、外絕緣6。
具體實施方式

以下結(jié)合附圖，通過實施例對本實用新型作進(jìn)一步說明。一種防局部偏磁電流互感器二次繞組結(jié)構(gòu)，包含鐵芯1、鐵芯絕緣2、主繞組3、屏 蔽繞組5，鐵芯上纏繞主絕緣，主絕緣外設(shè)置主繞組，主繞組外均勻布滿了數(shù)對匝數(shù)相同、繞 向相反、位置相對的屏蔽繞組，屏蔽繞組聯(lián)結(jié)在一起。本實用新型還設(shè)有層間絕緣4和外絕 緣6，在主繞組與屏蔽繞組之間設(shè)置層間絕緣，在屏蔽繞組外面設(shè)置外絕緣。所說的鐵芯是 超微晶鐵芯。本實施例中主繞組外均勻布滿了兩對(A、B、C、D )匝數(shù)相同、繞向相反、位置相對的 屏蔽繞組，屏蔽繞組聯(lián)結(jié)在一起。在合適大小的鐵芯1上繞上鐵芯絕緣2，再繞上主繞組3， 層間繞上層間絕緣4，主繞組外再繞上兩對屏蔽繞組5，并將屏蔽繞組按圖2連接在一起，屏 蔽繞組外繞上外絕緣6即可。采用本實用新型，在鐵芯上繞上主絕緣，在主繞組外均勻布滿了數(shù)對匝數(shù)相同、繞 向相反、位置相對的屏蔽繞組，將屏蔽繞組聯(lián)結(jié)在一起，使主磁通在其中感應(yīng)的電勢互相抵 消，利用外磁場在鐵芯各部分產(chǎn)生的磁通的差異所產(chǎn)生的電勢差形成環(huán)流，以減少雜散磁 通的影響，防止局部偏磁。
權(quán)利要求1.一種防局部偏磁電流互感器二次繞組結(jié)構(gòu)，其特征在于包含鐵芯(1)、鐵芯絕緣 (2)、主繞組(3)、屏蔽繞組(5)，鐵芯上纏繞主絕緣，主絕緣外設(shè)置主繞組，主繞組外均勻布 滿了數(shù)對匝數(shù)相同、繞向相反、位置相對的屏蔽繞組，屏蔽繞組聯(lián)結(jié)在一起。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述之防局部偏磁電流互感器二次繞組結(jié)構(gòu)，其特征在于還設(shè)有層 間絕緣(4)和外絕緣(6)，在主繞組與屏蔽繞組之間設(shè)置層間絕緣，在屏蔽繞組外面設(shè)置外 絕緣。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述之防局部偏磁電流互感器二次繞組結(jié)構(gòu)，其特征在于所說 的鐵芯是超微晶鐵芯。
專利摘要本實用新型涉及一種防局部偏磁電流互感器二次繞組結(jié)構(gòu)，特別是正立式大電流電流互感器二次繞組，屬于互感器制造技術(shù)領(lǐng)域。技術(shù)方案是包含鐵芯(1)、鐵芯絕緣(2)、主繞組(3)、屏蔽繞組(5)，鐵芯上纏繞主絕緣，主絕緣外設(shè)置主繞組，主繞組外均勻布滿了數(shù)對匝數(shù)相同、繞向相反、位置相對的屏蔽繞組，屏蔽繞組聯(lián)結(jié)在一起。本實用新型的有益效果是結(jié)構(gòu)新穎，減少外磁場影響，防止局部偏磁，解決了儀表保安系數(shù)小與額定一次電流大之間的矛盾，產(chǎn)品測量精度達(dá)到0.2S級，儀表保安系數(shù)FS小于等于5。
文檔編號H01F38/28GK201877277SQ20102064165
公開日2011年6月22日 申請日期2010年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月6日
發(fā)明者劉秀鳳, 張偉明, 王文娣, 趙顏真, 陳杰, 黃潔 申請人:保定天威集團有限公司