專利名稱：共陰極雙二極管的內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，具體涉及一種共陰極雙二極管的內(nèi)部封裝 結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
二極管芯片有兩個電極，陰極和陽極。如果將二極管芯片封裝在具有三個電極的 三極管外形中，有四種組合方式1、單二極管，集電極C為陰極，基極B為陽極，空一個電極； 2、共陽極雙二極管，兩個二極管的陽極公用集電極C，兩個二極管的陰極分別為基極B和發(fā) 射極E ;3、串聯(lián)雙二極管，一個二極管的陽極為基極B，陰極為集電極C，集電極C同時又是 另一個二極管的陽極，另一個二極管的陰極為發(fā)射極E ;4、共陰極雙二極管，兩個二極管的 陰極公用集電極C，兩個二極管的陽極分別為基極B和發(fā)射極E。第4種組合方式，即共陰 極雙二極管相對于其他組合方式而言比較特殊，即兩顆二極管芯片都貼在中間的集電極焊 區(qū)。傳統(tǒng)的共陰極雙二極管在進行封裝時，一般都是使用兩顆獨立的二極管芯片，分兩次貼 片在公用的集電極后封裝成型的。這種結(jié)構(gòu)的共陰極雙二極管在封裝成三極管外形時，必 需經(jīng)歷以下2個步驟首先在晶園片切割劃片時，需要額外在其中一個方向上多劃一刀，以 保證晶園片上的每個二極管芯片均能形成一個獨立的個體；其次需要分兩次貼片才能夠?qū)?2個相對獨立的二極管芯片覆貼在公用的集電極上。這不僅使得封裝過程變得復(fù)雜、降低了 生產(chǎn)效率；而且多次的切割和貼片也增加了二極管芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)被損壞的風(fēng)險。
實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的問題是提供一種共陰極雙二極管的內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)，它既能 提高貼片的生產(chǎn)效率，同時也能夠在一定程度上避免二極管芯片的損壞。為了解決上述問題，本實用新型所設(shè)計的共陰極雙二極管的內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)，包括 管芯和引線框架；所述引線框架包含有3個相互絕緣的引出電極，即基極、集電極和發(fā)射 極；所述管芯由2個相互連接成一體的二極管芯片所構(gòu)成；這2個二極管芯片的陰極均處 于管芯的背面，并同時覆貼在引線框架的集電極上；而2個二極管芯片的陽極則處于管芯 的正面，其中1個二極管芯片的陽極通過內(nèi)部導(dǎo)線與引線框架的基極相連，另1個二極管芯 片的陽極則通過內(nèi)部導(dǎo)線與引線框架的發(fā)射極相連。為了簡化焊線工藝，上述連接在二極管芯片的陽極與引線框架的基極之間的內(nèi)部 導(dǎo)線的線徑與連接在二極管芯片的陽極與引線框架的發(fā)射極之間的內(nèi)部導(dǎo)線的線徑最好 相同。上述方案所述內(nèi)部導(dǎo)線的線徑最好介于17 20um之間。上述方案中，位于同一管芯內(nèi)的2個二極管芯片的陽極之間最好通過二氧化硅絕 緣層相分隔。為了有效避免2個二極管芯片之間的相互干擾，本實用新型的2個二極管芯片之 間的距離不能過窄，其數(shù)值最好介于50 IOOum之間。[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型在前期的晶園片切割劃片過程中，無需將每個二極 管芯片切割成每個獨立的個體，而只需將2個二極管芯片切割劃片成一體即可，這不僅能 夠減少切片工序的工作量、提高生產(chǎn)效率，同時也能夠有效避免切割過程中的二極管內(nèi)部 結(jié)構(gòu)的損壞；此外，本實用新型在貼片過程中，無需對貼片設(shè)備進行改進即可1次將2個二 極管芯片同時覆貼至集電極上、因而有效減少了生產(chǎn)中貼片的次數(shù)，進一步提高了生產(chǎn)效 率。
圖1為本實用新型優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標記1、管芯；1-1、二極管芯片；2、引線框架；3、內(nèi)部導(dǎo)線。
具體實施方式
本實用新型一種共陰極雙二極管的內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)如圖1所示，其主要由管芯1、引 線框架2、以及連接管芯1和引線框架2的內(nèi)部導(dǎo)線3所構(gòu)成。上述引線框架2包含有3個 相互絕緣的引出電極，即基極、集電極和發(fā)射極。所述管芯1由2個相互連接成一體的二極 管芯片1-1所構(gòu)成。上述2個二極管芯片1-1的陰極均處于管芯1的背面，并同時覆貼在 引線框架2的集電極上；而2個二極管芯片1-1的陽極則處于管芯1的正面，其中1個二極 管芯片1-1的陽極通過內(nèi)部導(dǎo)線3與引線框架2的基極相連，另1個二極管芯片1-1的陽 極則通過內(nèi)部導(dǎo)線3與引線框架2的發(fā)射極相連。本實用新型的前提條件是晶園片在切割 劃片時就在某個方向每兩刀少劃一刀，保證2個二極管芯片1-1每兩顆連在一起；之后，再 將2個二極管芯片1-1 一次性貼片在1個具有三個電極的三極管外形中，這樣即能減少切 割劃片次數(shù)、又能減少生產(chǎn)中貼片的次數(shù)，從而有效提高了生產(chǎn)效率。連接在二極管芯片1-1的陽極與引線框架2的基極之間的內(nèi)部導(dǎo)線3的線徑、以 及連接在二極管芯片1-1的陽極與引線框架2的發(fā)射極之間的內(nèi)部導(dǎo)線3的線徑需根據(jù)該 二極管芯片1-1的額定電流的大小進行設(shè)定，當2個二極管芯片1-1的額定電流不同時，可 以采用不同線徑的內(nèi)部導(dǎo)線3。但一般來說，位于同一引線框架2的集電極上的2個二極管 芯片1-1都是具有相同參數(shù)的，即額定電流相同，為了簡化焊線工藝，因此在本實用新型優(yōu) 選實施例中，連接在二極管芯片1-1的陽極與引線框架2的基極之間的內(nèi)部導(dǎo)線3的線徑 與連接在二極管芯片1-1的陽極與引線框架2的發(fā)射極之間的內(nèi)部導(dǎo)線3的線徑相同。當 二極管芯片1-1的額定電流較大時，采用1條內(nèi)部導(dǎo)線3來連接二極管芯片1-1的陽極和 引線框架2的基極或集電極時，就需要1條較粗線徑的內(nèi)部導(dǎo)線3，本實用新型優(yōu)選實施例 中，連接在二極管芯片1-1的陽極與引線框架2的基極之間的內(nèi)部導(dǎo)線3、和/或連接在二 極管芯片1-1的陽極與引線框架2的發(fā)射極之間的內(nèi)部導(dǎo)線3的條數(shù)為1條；且每條內(nèi)部 導(dǎo)線3的線徑應(yīng)控制在17 20um之間，以達到滿足2個二極管芯片1_1額定電流為準。為了避免2個二極管芯片1-1之間的距離過近而造成的相互干擾、甚至因電流過 大而引起的相互擊穿導(dǎo)通，上述方案所述二極管芯片1-1為采用平面工藝生產(chǎn)的芯片，位 于同一管芯1內(nèi)的2個二極管芯片1-1的陽極之間即陽極光刻圖形之間通過二氧化硅絕緣 層相互分開，進行絕緣。上述2個二極管芯片1-1之間應(yīng)間隔即二氧化硅絕緣層的寬度為 50 lOOum。
權(quán)利要求1.共陰極雙二極管的內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)，包括管芯(1)和引線框架O)；所述引線框架(2) 包含有3個相互絕緣的引出電極，即基極、集電極和發(fā)射極；其特征在于所述管芯(1)由2 個相互連接成一體的二極管芯片(1-1)所構(gòu)成；這2個二極管芯片(1-1)的陰極均處于管 芯(1)的背面，并同時覆貼在引線框架O)的集電極上；而2個二極管芯片(1-1)的陽極則 處于管芯(1)的正面，其中1個二極管芯片(1-1)的陽極通過內(nèi)部導(dǎo)線(3)與引線框架(2) 的基極相連，另1個二極管芯片(1-1)的陽極則通過內(nèi)部導(dǎo)線(3)與引線框架O)的發(fā)射 極相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共陰極雙二極管的內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于連接在二極 管芯片(1-1)的陽極與引線框架O)的基極之間的內(nèi)部導(dǎo)線(3)的線徑與連接在二極管芯 片(1-1)的陽極與引線框架O)的發(fā)射極之間的內(nèi)部導(dǎo)線(3)的線徑相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的共陰極雙二極管的內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于每條內(nèi) 部導(dǎo)線⑶的線徑介于17 20um之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共陰極雙二極管的內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于位于同一管 芯(1)內(nèi)的2個二極管芯片(1-1)的陽極之間通過二氧化硅絕緣層相分隔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的共陰極雙二極管的內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于2個二極管芯 片(1-1)之間的距離介于50 IOOum之間。
專利摘要本實用新型公開一種共陰極雙二極管的內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)，包括管芯和引線框架；所述引線框架包含有3個相互絕緣的引出電極，即基極、集電極和發(fā)射極；所述管芯由2個相互連接成一體的二極管芯片所構(gòu)成；這2個二極管芯片的陰極均處于管芯的背面，并同時覆貼在引線框架的集電極上；而2個二極管芯片的陽極則處于管芯的正面，其中1個二極管芯片的陽極通過內(nèi)部導(dǎo)線與引線框架的基極相連，另1個二極管芯片的陽極則通過內(nèi)部導(dǎo)線與引線框架的發(fā)射極相連。這既能提高貼片的生產(chǎn)效率，同時也能夠在一定程度上避免二極管芯片的損壞。
文檔編號H01L25/07GK201829495SQ20102054287
公開日2011年5月11日 申請日期2010年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月26日
發(fā)明者周潘衡, 彭志容, 彭順剛, 李勇昌, 蔣振榮, 鄒鋒 申請人:桂林斯壯微電子有限責(zé)任公司