專利名稱：發(fā)光二極管芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及光電子技術(shù)，尤其涉及發(fā)光二極管芯片。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體照明正快速的進(jìn)入通用照明，目前的主要障礙是高成本，另外，擴(kuò)展產(chǎn)能需 要巨額資金。向發(fā)光二極管(以下簡(jiǎn)稱“LED”)芯片輸入大電流是快速降低LED芯片成本、 減少巨額投資的重要方法，因此需要能引入大電流的LED芯片。目前橫向結(jié)構(gòu)的LED芯片中，半導(dǎo)體外延層中的P-打線焊盤直接連接到透明電 極上，這樣，外部電流從P-打線焊盤直接流到透明電極上，進(jìn)而流到P-類型限制層。由 于P-打線焊盤的區(qū)域面積集中，因此，如果向LED芯片引入大電流，那么，外部電流就會(huì)在 P-打線焊盤下方形成電流擁塞。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型提供一種LED芯片，能夠避免電流擁塞。本實(shí)用新型提供的LED芯片，包括生長(zhǎng)襯底、半導(dǎo)體外延層和透明電極，其中，半 導(dǎo)體外延層包括N-類型限制層、活化層、P-類型限制層，其特征在于，該LED芯片還包括 半導(dǎo)體外延層半通槽、鈍化層、P-打線焊盤及至少一個(gè)P-條形電極；其中，半導(dǎo)體外延層半通槽穿過透明電極、P-類型限制層和活化層，底部是N-類型限制 層；鈍化層形成在透明電極上并且覆蓋半導(dǎo)體外延層半通槽的側(cè)面和底面；P-打線焊盤形成在所述的鈍化層預(yù)定的位置上，P-條形電極形成在暴露的透明 電極上，P-打線焊盤與P-條形電極電連接?？蛇x地，所述的P-條形電極為圓弧形。其中，所述的P-條形電極的個(gè)數(shù)為3 ；3條圓弧形的P-條形電極的圓心重合。較佳地，該LED芯片進(jìn)一步包括至少一個(gè)N-半通槽和N-打線焊盤，其中，N-半 通槽形成在所述鈍化層的覆蓋所述半導(dǎo)體外延層半通槽的底面的預(yù)定位置上，使得所述的 N-類型限制層在所述的N-半通槽中暴露；N-打線焊盤形成在N-半通槽中暴露的N-類型 限制層的預(yù)定位置上；圓弧形的P-條形電極朝向所述N-打線焊盤的邊緣上的各點(diǎn)到N-打線焊盤朝向 所述P-條形電極的邊緣的最短距離相等。較佳地，所述半導(dǎo)體外延層的P-類型限制層與所述透明電極之間形成有反射層， 該反射層的位置、形狀和尺寸與所述的P-打線焊盤相對(duì)應(yīng)；禾口/ 或，所述鈍化層和所述透明電極之間形成有反射層，該反射層的位置、形狀和尺寸與 所述的P-打線焊盤相對(duì)應(yīng)；禾口/ 或，[0017]所述鈍化層和所述P-打線焊盤之間形成有反射層，該反射層的位置、形狀和尺寸 與所述的P-打線焊盤相對(duì)應(yīng)；禾口/ 或，所述N-類型限制層與LED芯片中的N-打線焊盤之間形成有反射層，該反射層的 位置、形狀和尺寸與N-打線焊盤相對(duì)應(yīng)?？蛇x地，所述透明電極和所述P-類型限制層之間形成有電流阻擋層，該電流阻擋 層的位置、形狀和尺寸與所述的P-打線焊盤相對(duì)應(yīng)。較佳地，所述透明電極的表面上形成有微結(jié)構(gòu)。其中，透明電極的表面上的微結(jié)構(gòu)為圓柱形、圓錐形、棱錐形、半球形或球冠形。可選地，所述鈍化層的表面上形成有微結(jié)構(gòu)。所述鈍化層的表面上的微結(jié)構(gòu)為圓柱形、圓錐形、棱錐形、半球形或球冠形。由以上描述可知，本實(shí)用新型的有益效果至少包括本實(shí)用新型中，P-打線焊盤形成在鈍化層上，使得P-打線焊盤不與透明電極直接 接觸，由于P-條形電極形成在暴露的透明電極上，而P-條形電極與P-打線焊盤電連接，因 此，電流通過P-打線焊盤流向P-條形電極，進(jìn)而流向透明電極和P-類型限制層。由于電 流沒有從P-打線焊盤直接流向半導(dǎo)體外延層的與P-打線焊盤對(duì)應(yīng)的部分，而是通過形狀 為條形的P-條形電極流向透明電極，因此，不會(huì)在P-打線焊盤的下方形成電流擁塞，能夠 采用大電流密度驅(qū)動(dòng)，解決了向芯片輸入大電流的問題，進(jìn)一步地，由于本實(shí)用新型中反射層的設(shè)置，使得本實(shí)用新型提供的LED芯片發(fā) 出的光通量增加。進(jìn)一步地，本實(shí)用新型提供的LED芯片中由于P-打線焊盤形成在鈍化層上，因此， 降低了流明成本，使得LED可以很快地進(jìn)入普通照明，增強(qiáng)了其實(shí)用性；并且，在相同的芯 片產(chǎn)能的條件下，提高了流明產(chǎn)能，其中，流明產(chǎn)能=芯片產(chǎn)能X流明/芯片。本實(shí)用新型 提供的LED芯片能夠引入大電流，節(jié)省了巨額的設(shè)備投資；并且，在相同的流明產(chǎn)能的條件 下，節(jié)省了外延生長(zhǎng)和芯片工藝的原材料。

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例 或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是 本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下， 還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖Ia是橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的截面圖。圖Ib是本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的一個(gè)實(shí)施例的頂視圖。圖Ic是本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的一個(gè)實(shí)施例的截面圖。圖Id是本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的另一個(gè)實(shí)施例的頂視圖。圖Ie是本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的另一個(gè)實(shí)施例的截面圖。圖If是本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的又一個(gè)實(shí)施例的頂視圖。圖Ig是本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的又一個(gè)實(shí)施例的截面圖。圖Ih是本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的再一個(gè)實(shí)施例的頂視圖。[0038]圖2a是本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的一個(gè)實(shí)施例中電極設(shè)置的一種結(jié)構(gòu)的 頂視圖。圖2b是本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的一個(gè)實(shí)施例中電極設(shè)置的另一種結(jié)構(gòu) 的頂視圖。圖3a是本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的另一個(gè)實(shí)施例中電極設(shè)置的一種結(jié)構(gòu) 的頂視圖。圖3b是本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的另一個(gè)實(shí)施例中電極設(shè)置的另一種結(jié) 構(gòu)的頂視圖。圖3c是本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的另一個(gè)實(shí)施例中電極設(shè)置的再一種結(jié) 構(gòu)的頂視圖。圖4a是本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的反射層的設(shè)置的一個(gè)實(shí)施例的截面圖。圖4b是本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的反射層的設(shè)置的另一個(gè)實(shí)施例的截面 圖。圖4c是本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的反射層的設(shè)置的又一個(gè)實(shí)施例的截面 圖。圖5是本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的電流阻擋層的設(shè)置的一個(gè)實(shí)施例的截面 圖。圖6是本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的表面微結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例的頂視圖。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新 型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描 述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施 例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于 本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。本實(shí)用新型公開的LED芯片的基本結(jié)構(gòu)包括生長(zhǎng)襯底、半導(dǎo)體外延層和透明電 極，其中，半導(dǎo)體外延層包括N-類型限制層、活化層、P-類型限制層，該LED芯片還形成有 半導(dǎo)體外延層半通槽，該半導(dǎo)體外延層半通槽穿過透明電極、P-類型限制層和活化層，底部 是N-類型限制層，在透明電極上還形成有鈍化層，該鈍化層覆蓋半導(dǎo)體外延層半通槽的側(cè) 面和底面；該LED芯片還包括至少一個(gè)N-半通槽和N-打線焊盤，其中，N-半通槽形成在所 述鈍化層的覆蓋所述半導(dǎo)體外延層半通槽的底面的預(yù)定位置上，使得所述的N-類型限制 層在所述的N-半通槽中暴露；N-打線焊盤形成在N-半通槽中暴露的N-類型限制層的預(yù) 定位置上；特別地，該LED芯片還包括P-打線焊盤及至少一個(gè)P-條形電極；其中，P-打線焊盤形成在所述的鈍化層上，使得P-打線焊盤不與透明電極直接接觸； P-條形電極形成在暴露的透明電極上，P"打線焊盤與P-條形電極電連接。由本實(shí)用新型的LED結(jié)構(gòu)可以看出，P-打線焊盤形成在鈍化層預(yù)定的位置上， 使得P-打線焊盤不與透明電極直接接觸，由于P-條形電極形成在暴露的透明電極上，而 P-條形電極與P-打線焊盤電連接，因此，電流通過P-打線焊盤流向P-條形電極，進(jìn)而流向
6透明電極和P-類型限制層。由于電流沒有從P-打線焊盤直接流向半導(dǎo)體外延層的與P-打 線焊盤對(duì)應(yīng)的部分，而是通過形狀為條形的P-條形電流向透明電極，因此，不會(huì)在P-打線 焊盤的下方形成電流擁塞。在本實(shí)用新型的LED結(jié)構(gòu)中，P-條形電極的具體形狀可以根據(jù)實(shí)際需要確定，比 如，可以為圓弧形。在本實(shí)用新型的LED結(jié)構(gòu)中，P-條形電極的個(gè)數(shù)可以根據(jù)實(shí)際需要確定，比如，可 以為3或5等。在本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例中，3條圓弧形的P-條形電極的圓心重合。在本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例中，P-條形電極是圓弧形，圓弧上的朝向N-打線焊 盤的邊緣上的各點(diǎn)到N-打線焊盤的朝向P-條形電極的邊緣的最短距離相等。由于在現(xiàn)有技術(shù)中，P-打線焊盤直接與透明電極連接，電流流到透明電極并進(jìn)而 到達(dá)P-類型限制層發(fā)光后，部分光會(huì)反射回P-打線焊盤，由于P-打線焊盤是金屬盤，因 此，反射光會(huì)被P-打線焊盤吸收，從而降低了光通量。在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，可以 通過如下任意一個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)來解決該問題，提高光通量，比如，包括1、P-打線焊盤與鈍化層之間形成有反射層，該反射層的位置、形狀和尺寸分別與 P"打線焊盤相對(duì)應(yīng)；這里以及以下的描述中，“相對(duì)應(yīng)”指的是位置在下方，比如正下方，而形狀和尺寸 基本相同或完全相同。比如，該第1點(diǎn)中，P-打線焊盤與鈍化層之間的反射層的形狀和尺寸分別與P-打 線焊盤的形狀和尺寸基本相同，該反射層的位置在P-打線焊盤的正下方。2、P-條形電極與鈍化層之間形成有反射層，該反射層的位置、形狀和尺寸分別與 P"條形電極相對(duì)應(yīng)；3、鈍化層和透明電極之間形成有反射層，該反射層的位置、形狀和尺寸分別與 P"打線焊盤相對(duì)應(yīng)；4、透明電極和半導(dǎo)體外延層的P-類型限制層之間形成有反射層，該反射層的位 置、形狀與尺寸分別與P-打線焊盤。5、N_類型限制層與N-打線焊盤之間形成有反射層；反射層的位置、形狀與尺寸與 N-打線焊盤相對(duì)應(yīng)。在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，透明電極和P-類型限制層之間形成有電流阻擋 層；電流阻擋層的位置、形狀和尺寸與P-打線焊盤相對(duì)應(yīng)。在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，為了提高出光效率，在透明電極的表面上形成有 微結(jié)構(gòu)。在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，為了提高出光效率，在鈍化層的表面上也形成有 微結(jié)構(gòu)。在透明電極和鈍化層表面上形成的微結(jié)構(gòu)可以是圓柱形狀、圓錐形、棱錐形、半球 形或球冠形。上面描述了本實(shí)用新型提出的LED的結(jié)構(gòu)，下面則結(jié)合各個(gè)附圖來更為形象地展 示本實(shí)用新型的LED結(jié)構(gòu)。注意，圖中各部分的比例不代表真實(shí)產(chǎn)品的比例。參見圖la，橫向結(jié)構(gòu)的LED中包括生長(zhǎng)襯底101、半導(dǎo)體外延層和透明電極105。半導(dǎo)體外延層包括，N-類型限制層102、活化層103、P-類型限制層104，其中，N-類型限制 層102形成在生長(zhǎng)襯底101上，活化層103形成在N-類型限制層102上，P-類型限制層104 形成在活化層103上，透明電極105形成在P-類型限制層104上。透明電極105的邊緣與 P-類型限制層104的邊緣相齊。圖Ib和圖Ic分別展示了本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的一個(gè)實(shí)施例的頂視圖 和A-A截面圖。通過光刻的方法，在橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的表面上形成至少一個(gè)具有預(yù)定形狀的半 導(dǎo)體外延層半通槽(mesa) 106，半導(dǎo)體外延層半通槽106通過透明電極105、P_類型限制層 104、活化層103，使得N-類型限制層102暴露。圖Id和圖Ie分別展示了本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的另一個(gè)實(shí)施例的頂視 圖和A-A截面圖。通過光刻的方法，把透明電極105的與P-類型限制層104相齊的邊緣向內(nèi)蝕刻一 固定的寬度(TCL)，形成一個(gè)臺(tái)階105a。圖If和圖Ig分別展示了本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的又一個(gè)實(shí)施例的頂視 圖和A-A截面圖。在橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的表面上形成有鈍化層(passivition) 107。鈍化層107包括 幾個(gè)同時(shí)形成且互相連接的部分形成在透明電極105表面的鈍化層、形成在半導(dǎo)體外延 層半通槽106的底部上的暴露的N-類型限制層的表面的鈍化層，和形成在半導(dǎo)體外延層半 通槽106的側(cè)面的鈍化層。形成在半導(dǎo)體外延層半通槽的側(cè)面的鈍化層覆蓋半導(dǎo)體外延層 半通槽中暴露的透明電極105、P-類型限制層104、活化層103和N-類型限制層102的側(cè)通過光刻的方法，在鈍化層預(yù)定的位置上形成有具有預(yù)定形狀的窗口 在半導(dǎo)體 外延層半通槽的底部上方的鈍化層上形成有窗口 107a，使得N-類型限制層102的表面暴 露；在半導(dǎo)體外延層的透明電極105的上方的鈍化層107上形成有預(yù)定形狀的窗口 107b、 107c、107d，使得透明電極105的表面暴露。參見圖lh，展示了本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的再一個(gè)實(shí)施例的頂視圖。通過金屬沉積的方法，在窗口 107a中形成有N-打線焊盤108a，使得N-打線焊盤 108a與N-類型限制層電連接；在窗口 107b、107c、107d中分別形成有P-條形電極108b、 108c、108d，使得P-條形電極108b、108c、108d與透明電極105電連接；在鈍化層上形成有 P-打線焊盤109a和連接電極109b，使得電流不能從P-打線焊盤109a和連接電極109b直 接流向透明電極105，其中，連接電極109b把P-打線焊盤109a和三條P-條形電極108b、 108c、108d形成電連接。圓弧形的P-條形電極108b、108c、108d的圓心重合。圓弧形的P-條形電極108d的朝向N-打線焊盤108a的邊緣上的各點(diǎn)到N-打線 焊盤108a的朝向P-條形電極的邊緣的最短距離相等。同時(shí)，圖Ih展示了本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的一個(gè)實(shí)施例。參見圖2a，其與圖Ia 圖Ih展示的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的實(shí)施例基本相同，其不同 之處在于，在蝕刻透明電極205的與P-類型限制層相齊的邊緣從而形成臺(tái)階205a時(shí)，同時(shí) 在預(yù)定的一個(gè)位置蝕刻透明電極205，形成窗口 210，在窗口 210中，P-類型限制層暴露，改
8善電流擁塞。參見圖2b，其與圖Ia 圖Ih展示的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的實(shí)施例基本相同，其不同 之處在于，在蝕刻透明電極205的與P-類型限制層相齊的邊緣從而形成臺(tái)階205a時(shí)，同時(shí) 在預(yù)定的另一個(gè)位置蝕刻透明電極205，形成窗口 210，在窗口 210中，P-類型限制層暴露， 改善電流擁塞。參見圖3a，其與圖Ia 圖Ih展示的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的實(shí)施例基本相同。其不 同之處在于，沒有連接電極，P-打線焊盤311把三條P-條形電極308b、308c、308d形成電 連接。P-打線焊盤311的主要部分形成在鈍化層上，使得電流不能直接從P-打線焊盤311 流向透明電極。參見圖3b，其與圖Ia 圖Ih展示的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的實(shí)施例基本相同，其不同 之處在于，在蝕刻透明電極的與P-類型限制層相齊的邊緣從而形成臺(tái)階時(shí)，同時(shí)在預(yù)定的 一個(gè)位置蝕刻透明電極，形成窗口 312，在窗口 312中，P-類型限制層暴露，改善電流擁塞。參見圖3c，其與圖Ia 圖Ih展示的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的實(shí)施例基本相同，其不 同之處在于，在蝕刻透明電極的與P-類型限制層相齊的邊緣從而形成臺(tái)階時(shí)，同時(shí)在預(yù)定 的另一個(gè)位置蝕刻透明電極，形成窗口 312，在窗口 312中，P-類型限制層暴露，改善電流擁
O注意，圖lh、圖2a、圖2b、圖3a、圖3b、圖3c展示的本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯 片的實(shí)施例中，P"條形電極的靠近N-打線焊盤的邊緣上的每一點(diǎn)與N-打線焊盤的靠近 P-條形電極的邊緣的最短距離是基本上相等的。參見圖4a，對(duì)于橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的反射層的設(shè)置，一種設(shè)置方案為在透明電極 405的預(yù)定位置上形成反射層421，反射層421的形狀、位置、尺寸與P-打線焊盤420相對(duì) 應(yīng)。鈍化層406形成在透明電極405上，并覆蓋在反射層421上。P-打線焊盤420形成在 鈍化層406上。反射層421的尺寸等于或大于P-打線焊盤420的尺寸。橫向結(jié)構(gòu)LED芯 片的其他部分沒有在圖4a中展出。參見圖4b，對(duì)于橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的反射層的設(shè)置，另一種設(shè)置方案為在透明電 極405上形成鈍化層406。在鈍化層406的預(yù)定位置形成反射層421，反射層421的形狀、 位置、尺寸與P-打線焊盤420相對(duì)應(yīng)。P-打線焊盤420形成在反射層421上。反射層421 的尺寸等于或大于P-打線焊盤420的尺寸。橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的其他部分沒有在圖4b中展出。參見圖4c，對(duì)于橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的反射層的設(shè)置，又一種設(shè)置方案為在P-類 型限制層404的預(yù)定位置形成反射層421，反射層421的形狀、位置、尺寸與P-打線焊盤420 相對(duì)應(yīng)。透明電極405形成在P-類型限制層404上，并覆蓋在反射層421上。鈍化層406 覆蓋在透明電極405上。P-打線焊盤420形成在鈍化層406上。反射層421的尺寸等于或 大于P-打線焊盤420的尺寸。橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的其他部分沒有在圖4c中展出。參見圖5，本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的電流阻擋層的結(jié)構(gòu)設(shè)置為電流阻擋 層522形成在P-類型限制層504上。透明電極505形成在P-類型限制層504上，并覆蓋 在電流阻擋層522上。鈍化層506覆蓋在透明電極505上。P-打線焊盤520形成在鈍化層 506上。電流阻擋層522的形狀、位置、尺寸與P-打線焊盤520相對(duì)應(yīng)，電流阻擋層522的 尺寸等于或大于P-打線焊盤520的尺寸。橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的其他部分沒有在圖5中展
9出ο參見圖6，本實(shí)用新型的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的表面微結(jié)構(gòu)的設(shè)置可以為一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例是在P-類型限制層的暴露的表面上形成微結(jié)構(gòu)或光子晶體 (未在圖中展示)；一個(gè)優(yōu)化的實(shí)施例是透明電極和鈍化層的表面上形成微結(jié)構(gòu)623。最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制； 盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解: 其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等 同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實(shí)用新型各實(shí)施例技術(shù) 方案的精神和范圍。
權(quán)利要求一種LED芯片，包括生長(zhǎng)襯底、半導(dǎo)體外延層和透明電極，其中，半導(dǎo)體外延層包括N 類型限制層、活化層、P 類型限制層，該LED芯片還形成有半導(dǎo)體外延層半通槽，該半導(dǎo)體外延層半通槽穿過透明電極、P 類型限制層和活化層，底部是N 類型限制層，在透明電極上還形成有鈍化層，該鈍化層覆蓋半導(dǎo)體外延層半通槽的側(cè)面和底面，其特征在于，該LED芯片還包括P 打線焊盤及至少一個(gè)P 條形電極；其中，P 打線焊盤形成在所述的鈍化層上，使得P 打線焊盤不與透明電極直接接觸；P 條形電極形成在暴露的透明電極上，P 打線焊盤與P 條形電極電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述的P-條形電極為圓弧形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述的P-條形電極的個(gè)數(shù)為3；3條 圓弧形的P-條形電極的圓心重合。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED芯片，其特征在于，該LED芯片進(jìn)一步包括至少一個(gè)N-半 通槽和N-打線焊盤，其中，N-半通槽形成在所述鈍化層的覆蓋所述半導(dǎo)體外延層半通槽的 底面的預(yù)定位置上，使得所述的N-類型限制層在所述的N-半通槽中暴露；N-打線焊盤形 成在N-半通槽中暴露的N-類型限制層的預(yù)定位置上；圓弧形的P-條形電極朝向所述N-打線焊盤的邊緣上的各點(diǎn)到N-打線焊盤朝向所述 P-條形電極的邊緣的最短距離相等。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的LED芯片，其特征在于，所述半導(dǎo)體外延層的P-類型限制層與所述透明電極之間形成有反射層，該反射層的 位置、形狀和尺寸與所述的P-打線焊盤相對(duì)應(yīng)；和/或，所述鈍化層和所述透明電極之間形成有反射層，該反射層的位置、形狀和尺寸與所述 的P-打線焊盤相對(duì)應(yīng)；和/或，所述鈍化層和所述P-打線焊盤之間形成有反射層，該反射層的位置、形狀和尺寸與所 述的P-打線焊盤相對(duì)應(yīng)；和/或，所述鈍化層和所述P-條形電極之間形成有反射層，該反射層的位置、形狀和尺寸與所 述的P-條形電極相對(duì)應(yīng)；和/或，所述N-類型限制層與LED芯片中的N-打線焊盤之間形成有反射層，該反射層的位置、 形狀和尺寸與N-打線焊盤相對(duì)應(yīng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的LED芯片，其特征在于，所述透明電極和所述P-類 型限制層之間形成有電流阻擋層，該電流阻擋層的位置、形狀和尺寸與所述的P-打線焊盤 相對(duì)應(yīng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的LED芯片，其特征在于，所述透明電極的表面上形成有微結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED芯片，其特征在于，所述微結(jié)構(gòu)為圓柱形、圓錐形、棱錐 形、半球形或球冠形。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的LED芯片，其特征在于，所述鈍化層的表面上形成有微結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的LED芯片，其特征在于，所述微結(jié)構(gòu)為圓柱形、圓錐形、棱錐 形、半球形或球冠形。
專利摘要本實(shí)用新型提供發(fā)光二極管芯片，包括生長(zhǎng)襯底、半導(dǎo)體外延層和透明電極，其中，半導(dǎo)體外延層包括N-類型限制層、活化層、P-類型限制層，該發(fā)光二極管(LED)芯片還形成有半導(dǎo)體外延層半通槽，該半導(dǎo)體外延層半通槽穿過透明電極、P-類型限制層和活化層，底部是N-類型限制層，在透明電極上還形成有鈍化層，該鈍化層覆蓋半導(dǎo)體外延層半通槽的側(cè)面和底面，該LED芯片還包括P-打線焊盤及至少一個(gè)P-條形電極；其中，P-打線焊盤形成在所述的鈍化層上，使得P-打線焊盤不與透明電極直接接觸；P-條形電極形成在暴露的透明電極上，P-打線焊盤與P-條形電極電連接。本實(shí)用新型能夠避免電流擁塞。
文檔編號(hào)H01L33/46GK201749876SQ20102027553
公開日2011年2月16日 申請(qǐng)日期2010年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月27日
發(fā)明者彭暉, 閆春輝, 馬欣榮 申請(qǐng)人:亞威朗光電(中國(guó))有限公司