專利名稱：一種小功率igbt并聯(lián)散熱構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電力電子裝置的散熱技術(shù)，尤其是涉及小功率IGBT并聯(lián)使用的 散熱構(gòu)造。
背景技術(shù)：
大功率的絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)模塊廣泛應(yīng)用于風(fēng)機(jī)變流器、電除塵器供 電電源驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路當(dāng)中，而大功率IGBT的單體結(jié)構(gòu)不易散熱，因此解決大功率IGBT模 塊的散熱和溫升問題一直是工程技術(shù)人員努力的方向。通過實(shí)際試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，采用多個(gè)小功率的IGBT模塊并聯(lián)使用的方式，可在很多工況 條件下，與同功率的單體大功率IGBT模塊實(shí)現(xiàn)相同的功能，并且比大功率IGBT模塊更易于 控制其溫升，從而提高了可靠性和穩(wěn)定性。

實(shí)用新型內(nèi)容為了解決上述問題，本實(shí)用新型的目的是提供一種多個(gè)小功率IGBT并聯(lián)使用的 降溫和散熱構(gòu)造，以替代大功率IGBT模塊，解決其溫升高難以散熱的技術(shù)難題。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采取的技術(shù)方案是一種小功率IGBT并聯(lián)散熱構(gòu) 造，多個(gè)相同技術(shù)參數(shù)的小功率IGBT模塊以兩個(gè)為一組，采用并聯(lián)方式，以等間距相互平 行設(shè)置于散熱器上，其平行間距為1. 2 3mm ；多個(gè)小功率IGBT與散熱器之間均勻涂敷散 熱膏，散熱膏厚度為1. 6 3. 3mm。由于采用了上述的技術(shù)方案，本實(shí)用新型所具有的有益效果是通過多個(gè)小功率IGBT的并聯(lián)使用，實(shí)現(xiàn)了大功率的功能，以較高性價(jià)比通過將小 功率IGBT模塊進(jìn)行并聯(lián)組合，可獲得不同額定電流的等效模塊，并聯(lián)的方式可靈活多樣。由于采用了多個(gè)IGBT并聯(lián)，能夠提供更高的電流密度；尤其是可降低IGBT模塊 的熱集中，獲得更加均勻的溫度梯度分布，較低的平均散熱器溫度，有益于提高熱循環(huán)的效 率，實(shí)現(xiàn)散熱功能，可使得IGBT的布局更加靈活，解決了由于大功率IGBT單體結(jié)構(gòu)帶來的 不易降溫、散熱困難的的技術(shù)問題。

圖1是本實(shí)用新型一種小功率IGBT并聯(lián)散熱構(gòu)造的俯視圖；圖2是本實(shí)用新型一種小功率IGBT并聯(lián)散熱構(gòu)造的側(cè)視圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。參見圖1和圖2所示，是本實(shí)用新型所公開的一種小功率IGBT并聯(lián)散熱構(gòu)造的具 體實(shí)施方式，多個(gè)相同技術(shù)參數(shù)的小功率IGBT模塊1采用并聯(lián)方式，相互平行，以等間距設(shè) 置于散熱器2上，其平行間距d為1. 2 3mm，多個(gè)小功率IGBT模塊1與散熱器2之間均勻涂敷散熱膏3，散熱膏3厚度為1. 6 3. 3mm。選用同一型號(hào)、同一規(guī)格，技術(shù)參數(shù)相同的小功率IGBT以兩個(gè)為一組，根據(jù)所需 功率不同可組成4組、6組、8組、10組、12組并聯(lián)。圖1中所示為4組小功率IGBT模塊Pl P8并聯(lián)排列于一塊散熱器2上。其中，Pl與P2并聯(lián)，P3與P4并聯(lián)，P5與P6并聯(lián)，P7與 P8并聯(lián)。如圖1所示的本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，各個(gè)IGBT模塊1之間的平行間距d為 1. 3mm，該間距的尺寸是保證熱平衡的關(guān)鍵數(shù)值。為了保證小功率IGBT模塊1的散熱效果，在各個(gè)小功率IGBT模塊1與散熱器2 之間均勻涂敷1. 6 3. 3mm厚度的散熱膏3。如圖2所示的本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，散 熱膏3的厚度為1. 8mm。為了保證散熱膏3的厚度均勻，在涂敷時(shí)需制作與散熱器面積同一尺寸的模框， 該?？蛟谏岣嗤糠笸瓿珊蟛鸪ㄟ^?？虻氖褂帽ＷC涂層厚度一致。本說明書中所述的只是本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，以上實(shí)施方式僅用以說明本 實(shí)用新型的技術(shù)方案而非對(duì)本實(shí)用新型的限制。凡本領(lǐng)域技術(shù)人員依本實(shí)用新型的構(gòu)思通 過邏輯分析、推理或者有限的實(shí)驗(yàn)可以得到的技術(shù)方案，皆應(yīng)在本實(shí)用新型的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求一種小功率IGBT并聯(lián)散熱構(gòu)造，其特征在于多個(gè)技術(shù)參數(shù)相同的小功率IGBT模塊以兩個(gè)為一組，采用并聯(lián)方式，以等間距相互平行設(shè)置于散熱器上，其平行間距為1.2～3mm；所述的多個(gè)小功率IGBT模塊與散熱器之間均勻涂敷散熱膏，散熱膏厚度為1.6～3.3mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小功率IGBT并聯(lián)散熱構(gòu)造，其特征在于所述各個(gè)小功 率IGBT模塊之間的平行間距為1. 3mm，所述小功率IGBT模塊與散熱器之間均勻涂敷的散熱 膏的厚度為1.8mm。
專利摘要一種小功率IGBT并聯(lián)散熱構(gòu)造，涉及電力電子裝置的散熱技術(shù)。多個(gè)相同技術(shù)參數(shù)的小功率IGBT模塊采用并聯(lián)方式，相互平行設(shè)置于散熱器上，其平行間距為1.2～3mm；多個(gè)小功率IGBT與散熱器之間均勻涂敷散熱膏，散熱膏厚度為1.6～3.3mm。通過多個(gè)小功率IGBT的并聯(lián)使用，實(shí)現(xiàn)了大功率的功能，以較高性價(jià)比通過將小功率IGBT模塊進(jìn)行并聯(lián)組合，可獲得不同額定電流的等效模塊，并聯(lián)的方式可靈活多樣。由于采用了多個(gè)IGBT并聯(lián)，能夠提供更高的電流密度；尤其是可降低熱集中，獲得更加均勻的溫度梯度分布，解決了由于大功率IGBT單體結(jié)構(gòu)帶來的不易降溫、散熱困難的技術(shù)問題。
文檔編號(hào)H01L25/07GK201717259SQ20102026325
公開日2011年1月19日 申請(qǐng)日期2010年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月20日
發(fā)明者佟強(qiáng), 劉曉冬, 孫躍斌, 張兆毅 申請(qǐng)人:北京時(shí)代山源自動(dòng)化控制技術(shù)有限公司