專利名稱：改良半導體可控硅的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種半導體可控硅，具體涉及一種起控制或開關(guān)電源用的改良半 導體可控硅。
背景技術(shù)：
目前，可控硅廣泛應用于開關(guān)電源用或調(diào)壓用設(shè)備上，如廣泛應用在調(diào)速、調(diào)壓， 調(diào)光電源上，但是現(xiàn)有技術(shù)中的可控硅中只含有1個芯片，只有一個芯片的可控硅功能有 限，若要提高可控硅的性能，一般只有增加芯片面積，但由于芯片面積與芯片合格率成反比 關(guān)系，芯片面積增加的同時會直接導致成本的提高。因此，目前現(xiàn)有技術(shù)中的可控硅不能滿 足高要求的標準。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種結(jié)構(gòu)設(shè)計合理、性能好、 生產(chǎn)成本低的改良半導體可控硅。為了實現(xiàn)以上目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為一種改良半導體可控硅，其包括銅 電極片底座、銅引腳、可控硅芯片和塑封管帽，所述兩個銅引腳設(shè)置在銅電極片底座上，若 干個可控硅芯片焊接在銅電極片底座上，各可控硅芯片之間焊接在一起，其中每個可控硅 芯片的門極和陰極分別通過金屬絲用超聲波焊接到二個銅引腳上；塑封管帽粘設(shè)在銅電極 片底座上并將所有可控硅芯片封裝在銅電極片底座上形成一個完整的可控硅。銅電極片底座上的可控硅芯片的個數(shù)為2至4個，作為進一步優(yōu)選方案，其中焊接 在銅電極片底座上的可控硅芯片的個數(shù)為2個，2個可控硅芯片的門極和陰極分別用金屬 絲通過超聲波焊接并聯(lián)到銅電極片底座上的兩個引腳上，2個可控硅芯片之間通過焊絲或 焊片焊連接。本實用新型所述的改良半導體可控硅，其中底座為銅電極片，所述的銅電極片底 座可以采用不同形狀，也可以采用的較大面積或厚度的銅電極片。本實用新型所述的改良半導體可控硅，其中管帽將整個可控硅芯片封裝在銅電極 片底座上，形成一個完整的塑料封裝的可控硅。本實用新型所述的改良半導體可控硅和現(xiàn)有技術(shù)中的半導體可控硅相比具有以 下優(yōu)點1、本實用新型所述的改良半導體可控硅，結(jié)構(gòu)設(shè)計合理、性能高，生產(chǎn)成本低、應 用范圍廣泛。2、本實用新型所述的改良半導體可控硅，產(chǎn)品的形狀結(jié)構(gòu)精致，便于包裝、運輸和 安裝，可控硅性價比高，單位產(chǎn)品所需的可控硅少。
圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。[0012]圖2為圖1沿A-A方向的剖視圖。 具體實施例
以下結(jié)合附圖和具體實施例，進一步闡明本實用新型，應理解這些實施例僅用于 說明本實用新型而不用于限制本實用新型的范圍，在閱讀了本實用新型之后，本領(lǐng)域技術(shù) 人員對本實用新型的各種等價形式的修改均落于本申請所附權(quán)利要求所限定的范圍。如圖1和圖2所示，一種改良半導體可控硅，它包括銅電極片底座1、設(shè)置在銅電 極片底座1上的兩個銅引腳2、焊接在銅電極片底座1上的兩個可控硅芯片3、粘設(shè)在銅電 極片底座1上的塑封料4。其中兩個可控硅芯片3之間用焊膏或焊絲焊連接，其中兩個可 控硅芯片3的門極和陰極分別通過金屬絲5用超聲波焊接到二個銅引腳2上，其中塑封料 4將整個可控硅芯片3封裝在銅電極片底座1上，形成一個完整的可控硅。此外，可控硅芯 片3的個數(shù)可以為3個或者4個，其結(jié)構(gòu)與上述實施例類似。
權(quán)利要求一種改良半導體可控硅，其特征在于它包括銅電極片底座(1)、銅引腳(2)、可控硅芯片(3)和塑封管帽(4)，所述兩個銅引腳(2)設(shè)置在銅電極片底座(1)上，若干個可控硅芯片(3)焊接在銅電極片底座(1)上，各可控硅芯片(3)之間焊接在一起，其中每個可控硅芯片(3)的門極和陰極分別通過金屬絲(5)用超聲波焊接到二個銅引腳(2)上；塑封管帽(4)粘設(shè)在銅電極片底座(1)上并將所有可控硅芯片(3)封裝在銅電極片底座(1)上形成一個完整的可控硅。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改良半導體可控硅，其特征在于，銅電極片底座(1)上的可控 硅芯片⑶的個數(shù)為2至4個。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改良半導體可控硅，其特征在于，焊接在底座(1)上的可控硅 芯片⑶的個數(shù)為2個。
專利摘要本實用新型公開了一種改良半導體可控硅，它包括銅電極片底座、設(shè)置在銅電極片底座上的兩個銅引腳、焊接在銅電極片底座上的兩個可控硅芯片、粘設(shè)在銅電極片底座上的塑封管帽。其中可控硅芯片之間用焊膏焊連接，可控硅芯片的門極和陰極分別通過金屬絲用超聲波焊接到二個銅引腳上，塑封管帽將整個可控硅芯片封裝在銅電極片底座上，形成一個完整的可控硅。本實用新型提供的改良半導體可控硅結(jié)構(gòu)設(shè)計合理、性能高，生產(chǎn)成本低、應用范圍廣泛，可滿足高要求的標準，且形狀結(jié)構(gòu)精致，便于包裝、運輸和安裝。
文檔編號H01L23/488GK201773838SQ20102025235
公開日2011年3月23日 申請日期2010年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月7日
發(fā)明者伍林, 左亞兵, 潘建英 申請人:宜興市環(huán)洲微電子有限公司