專利名稱：共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造領(lǐng)域，且特別涉及一種共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存及其制造方法。
背景技術(shù)：
閃存以其便捷，存儲(chǔ)密度高，可靠性好等優(yōu)點(diǎn)成為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中研究的熱點(diǎn)。 從二十世紀(jì)八十年代第一個(gè)閃存產(chǎn)品問(wèn)世以來(lái)，隨著技術(shù)的發(fā)展和各類電子產(chǎn)品對(duì)存儲(chǔ)的 需求，閃存被廣泛用于手機(jī)，筆記本，掌上電腦和U盤等移動(dòng)和通訊設(shè)備中，閃存為一種非 易變性存儲(chǔ)器，其運(yùn)作原理是通過(guò)改變晶體管或存儲(chǔ)單元的臨界電壓來(lái)控制門極通道的開(kāi) 關(guān)以達(dá)到存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的目的，使存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)不會(huì)因電源中斷而消失，而閃存為電 可擦除且可編程的只讀存儲(chǔ)器的一種特殊結(jié)構(gòu)。如今閃存已經(jīng)占據(jù)了非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ) 器的大部分市場(chǎng)份額，成為發(fā)展最快的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。然而現(xiàn)有的閃存在邁向更高存儲(chǔ)密度的時(shí)候，由于受到編程電壓的限制，通過(guò)縮 小器件尺寸來(lái)提高存儲(chǔ)密度將會(huì)面臨很大的挑戰(zhàn)，因而研制高存儲(chǔ)密度的閃存是閃存技術(shù) 發(fā)展的重要推動(dòng)力。傳統(tǒng)的閃存在邁向更高存儲(chǔ)密度的時(shí)候，由于受到結(jié)構(gòu)的限制，實(shí)現(xiàn)器 件的編程電壓進(jìn)一步減小將會(huì)面臨著很大的挑戰(zhàn)。一般而言，閃存為分柵結(jié)構(gòu)或堆疊柵結(jié)構(gòu)或兩種結(jié)構(gòu)的組合。分柵式閃存由于其 特殊的結(jié)構(gòu)，相比堆疊柵閃存在編程和擦除的時(shí)候都體現(xiàn)出其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，因此分柵 式結(jié)構(gòu)由于具有高的編程效率，字線的結(jié)構(gòu)可以避免“過(guò)擦除”等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用尤為廣泛。但 是由于分柵式閃存相對(duì)于堆疊柵閃存多了一個(gè)字線從而使得芯片的面積也會(huì)增加，因此如 何在提高芯片性能的同時(shí)進(jìn)一步減小芯片的尺寸是亟需解決的問(wèn)題。同時(shí)，隨著存儲(chǔ)器件尺寸不斷縮小和存儲(chǔ)密度的不斷上升，形成于內(nèi)層介電層中 的接觸孔的尺寸也會(huì)變得更小，然而該內(nèi)層介電層必須保持合理的厚度，使得該接觸孔需 要保持相當(dāng)大的深寬比(深度/寬度)，從而使得半導(dǎo)體襯底上的接觸點(diǎn)占據(jù)整個(gè)存儲(chǔ)單元 面積相當(dāng)大的比率，成為制約存儲(chǔ)器件尺寸和存儲(chǔ)密度進(jìn)一步發(fā)展的重要因素。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存及其制造方法，其得到的閃存器件 能夠在保持芯片的電學(xué)隔離性能不變的情況下，有效地縮小芯片的面積，同時(shí)也可以避免 過(guò)擦除的問(wèn)題。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提出一種共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存，包括半導(dǎo)體襯底，其上具有間隔設(shè)置的源極區(qū)域和漏極區(qū)域；溝道區(qū)，位于所述源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間；第一位線和第二位線，分別連接于所述源極區(qū)域和漏極區(qū)域；第一浮柵，設(shè)置于所述溝道區(qū)和源極區(qū)域上方；第二浮柵，設(shè)置于所述溝道區(qū)和漏極區(qū)域上方，所述第一浮柵和第二浮柵分別構(gòu)成第一存儲(chǔ)位單元和第二存儲(chǔ)位單元；
字線，包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述溝道區(qū)上方并位于所述 第一浮柵和第二浮柵之間，所述第二部分連接于所述第一部分頂部，并位于所述第一浮柵 和第二浮柵上方，所述第二部分頂部延伸至所述第一位線和第二位線上方，并通過(guò)絕緣層 與所述第一位線和第二位線頂部相連接。進(jìn)一步的，分別對(duì)所述字線、所述第一位線和所述第二位線施加第一存儲(chǔ)位單元 讀取電壓，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元讀取。進(jìn)一步的，對(duì)所述字線、所述第一位線和所述第二位線施加的第一存儲(chǔ)位單元讀 取電壓分別為2. 5V、0V和1. 5V，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元讀取。進(jìn)一步的，分別對(duì)所述字線、所述第一位線和所述第二位線施加第二存儲(chǔ)位單元 讀取電壓，實(shí)現(xiàn)第二存儲(chǔ)位單元讀取。進(jìn)一步的，對(duì)所述字線、所述第一位線和所述第二位線施加的第二存儲(chǔ)位單元讀 取電壓分別為2. 5V、1. 5V和0V，實(shí)現(xiàn)第二存儲(chǔ)位單元讀取。進(jìn)一步的，分別對(duì)所述字線、所述第一位線和所述第二位線施加第一存儲(chǔ)位單元 編程電壓，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元編程。進(jìn)一步的，對(duì)所述字線、所述第一位線和所述第二位線施加的第一存儲(chǔ)位單元編 程電壓分別為4V、7. 5V和0V，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元編程。進(jìn)一步的，分別對(duì)所述字線、所述第一位線和所述第二位線施加第二存儲(chǔ)位單元 編程電壓，實(shí)現(xiàn)第二存儲(chǔ)位單元編程。進(jìn)一步的，對(duì)所述字線、所述第一位線和所述第二位線施加的第二存儲(chǔ)位單元編 程電壓分別為4V、0V和7. 5V，實(shí)現(xiàn)第二存儲(chǔ)位單元編程。進(jìn)一步的，分別對(duì)所述字線、所述第一位線和所述第二位線施加存儲(chǔ)位單元擦除 電壓，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元和第二存儲(chǔ)位單元擦除。進(jìn)一步的，對(duì)所述字線、所述第一位線和所述第二位線施加的存儲(chǔ)位單元擦除電 壓分別為11V、0V和0V，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元和第二存儲(chǔ)位單元擦除。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明還提出一種共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存制造方法， 包括下列步驟提供一半導(dǎo)體襯底，并依次沉積氧化層、浮柵多晶硅層和氮化硅層；對(duì)所述氮化硅層進(jìn)行干法刻蝕直至露出所述浮柵多晶硅層，形成多個(gè)凹槽；在所述凹槽側(cè)壁沉積形成第一側(cè)墻氧化物層；對(duì)所述凹槽內(nèi)的所述浮柵多晶硅層進(jìn)行干法刻蝕，并進(jìn)一步刻蝕所述氧化層直至 露出所述半導(dǎo)體襯底；對(duì)凹槽底部的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入，形成位線；在所述凹槽側(cè)壁沉積形成第二側(cè)墻氧化物層；在上述結(jié)構(gòu)表面沉積位線多晶硅，對(duì)所述位線多晶硅進(jìn)行研磨并進(jìn)一步干法刻蝕 直至所述位線多晶硅的高度降至所述凹槽頂面以下；在上述結(jié)構(gòu)表面沉積絕緣層，并對(duì)其進(jìn)行研磨直至填滿所述凹槽；濕法刻蝕去除所述氮化硅層，并在上述結(jié)構(gòu)表面沉積側(cè)墻氮化硅層；對(duì)所述側(cè)墻氮化硅層進(jìn)行干法刻蝕形成氮化硅側(cè)墻，并進(jìn)一步干法刻蝕去除部分浮柵多晶硅層和濕法刻蝕去除部分氧化層直至露出所述半導(dǎo)體襯底；濕法刻蝕去除所述氮化硅側(cè)墻；在上述結(jié)構(gòu)上沉積隧穿氧化物層和字線多晶硅。進(jìn)一步的，所述氧化層的厚度為大于等于100埃。進(jìn)一步的，所述浮柵多晶硅層的厚度為500埃 1000埃。進(jìn)一步的，所述氮化硅層的厚度為4000埃 6000埃。進(jìn)一步的，所述第一側(cè)墻氧化物層的厚度為200埃 500埃。進(jìn)一步的，所述位線多晶硅的厚度為1800埃 2500埃。進(jìn)一步的，所述絕緣層研磨后的厚度為300埃 500埃。進(jìn)一步的，所述側(cè)墻氮化硅層的厚度為1800埃 2000埃。進(jìn)一步的，所述字線多晶硅的厚度為大于等于2000埃。本發(fā)明提出的共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存及其制造方法，將兩個(gè)存儲(chǔ)位單元共 享使用一個(gè)字線，通過(guò)對(duì)字線、第一位線和第二位線施加不同的工作電壓實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)位單 元的讀取、編程和擦除，共享位線的結(jié)構(gòu)使得分柵式閃存其能夠在保持芯片的電學(xué)隔離性 能不變的情況下，有效地縮小芯片的面積，同時(shí)也可以避免過(guò)擦除的問(wèn)題。同時(shí)采用無(wú)觸點(diǎn) 的設(shè)計(jì)，使得閃存器件具有尺寸小，工藝與CMOS傳統(tǒng)工藝兼容的特點(diǎn)，有利于器件尺寸進(jìn) 一步縮小。


圖1所示為本發(fā)明較佳實(shí)施例的共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存結(jié)構(gòu)示意圖。圖2 圖12所示為本發(fā)明較佳實(shí)施例的共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存制造方法 示意圖。
具體實(shí)施例方式為了更了解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，特舉具體實(shí)施例并配合所附圖式說(shuō)明如下。本發(fā)明提出一種共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存及其制造方法，其得到的閃存器件能夠在保持芯片的電學(xué)隔離性能不變的情況下，有效地縮小芯片的面積，同時(shí)也可以避免 過(guò)擦除的問(wèn)題。請(qǐng)參考圖1，圖1所示為本發(fā)明較佳實(shí)施例的共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存結(jié)構(gòu) 示意圖。本發(fā)明提出一種共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存，包括半導(dǎo)體襯底100，其上具有 間隔設(shè)置的源極區(qū)域110和漏極區(qū)域120 ；溝道區(qū)130，位于所述源極區(qū)域110和漏極區(qū)域 120之間；第一位線210和第二位線220，分別連接于所述源極區(qū)域110和漏極區(qū)域120 ；第 一浮柵310，設(shè)置于所述溝道區(qū)130和源極區(qū)域110上方；第二浮柵320，設(shè)置于所述溝道區(qū) 130和漏極區(qū)域120上方，所述第一浮柵310和第二浮柵320分別構(gòu)成第一存儲(chǔ)位單元和第 二存儲(chǔ)位單元；字線500，包括第一部分510和第二部分520，所述第一部分510位于所述溝 道區(qū)130上方并位于所述第一浮柵310和第二浮柵320之間，所述第二部分520連接于所 述第一部分510頂部，并位于所述第一浮柵310和第二浮柵320上方，所述第二部分520頂 部延伸至所述第一位線210和第二位線220上方，并通過(guò)絕緣層610、620與所述第一位線 210和第二位線220頂部相連接。
根據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例，所述第一浮柵310和第二浮柵320分別構(gòu)成的第一存儲(chǔ) 位單元和第二存儲(chǔ)位單元為多晶硅浮柵。多晶硅屬于導(dǎo)體，傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器都是采用多晶硅 為存儲(chǔ)介質(zhì)，其采用與一般柵極相同的多晶硅，因此能夠很好的與傳統(tǒng)工藝兼容；本發(fā)明的 第一位線210和第二位線220，分別直接連接于所述源極區(qū)域110和漏極區(qū)域120，而不需 要通過(guò)制作接觸孔在半導(dǎo)體襯底100上形成接觸點(diǎn)的方式連接，具有無(wú)接觸點(diǎn)的設(shè)計(jì)，使 得閃存器件具有更小的尺寸，有利于器件尺寸進(jìn)一步縮小。本發(fā)明較佳實(shí)施例中，溝道130內(nèi)有電流在源極區(qū)域110和漏極區(qū)域120之間流 動(dòng)，所述第一浮柵310和第二浮柵320分別構(gòu)成的第一存儲(chǔ)位單元和第二存儲(chǔ)位單元有無(wú) 電荷存儲(chǔ)會(huì)影響溝道130內(nèi)電流大小，當(dāng)所述第一浮柵310和第二浮柵320分別構(gòu)成的第 一存儲(chǔ)位單元和第二存儲(chǔ)位單元有電荷時(shí)，溝道130內(nèi)電流很小，反之當(dāng)所述第一浮柵310 和第二浮柵320分別構(gòu)成的第一存儲(chǔ)位單元和第二存儲(chǔ)位單元無(wú)電荷時(shí)，溝道130內(nèi)電流 很大，設(shè)定溝道130內(nèi)小電流狀態(tài)為“0”，設(shè)定溝道130內(nèi)大電流狀態(tài)為“1”，這樣所述第一 浮柵310和第二浮柵320分別構(gòu)成的第一存儲(chǔ)位單元和第二存儲(chǔ)位單元有無(wú)電荷存儲(chǔ)的狀 態(tài)可以作為區(qū)分存儲(chǔ)“0”或“1”信息狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元和第二存儲(chǔ)位單元信息存 儲(chǔ)讀取的功能。 根據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例，分別對(duì)所述字線500、所述第一位線210和所述第二位線 220施加第一存儲(chǔ)位單元讀取電壓，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元讀取。進(jìn)一步的，對(duì)所述字線500、所述第一位線210和所述第二位線220施加的第一存 儲(chǔ)位單元讀取電壓分別為2. 5V、0V和1. 5V，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元讀取。根據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例，分別對(duì)所述字線500、所述第一位線210和所述第二位線 220施加第二存儲(chǔ)位單元讀取電壓，實(shí)現(xiàn)第二存儲(chǔ)位單元讀取。進(jìn)一步的，對(duì)所述字線500、所述第一位線210和所述第二位線220施加的第二存 儲(chǔ)位單元讀取電壓分別為2. 5V、1. 5V和0V，實(shí)現(xiàn)第二存儲(chǔ)位單元讀取。當(dāng)源極區(qū)域110和漏極區(qū)域120之間的源_漏極電壓足夠高，足以導(dǎo)致某些高能 電子越過(guò)絕緣介電層，并進(jìn)入絕緣介電層上的儲(chǔ)位單元，這種過(guò)程稱為熱電子注入。而所述 絕緣介電層的成分為硅的氧化物或者硅的氮化物，如二氧化硅或者氮化硅等材料，其位于 半導(dǎo)體襯底100和所述第一浮柵310和第二浮柵320分別構(gòu)成的第一存儲(chǔ)位單元和第二存 儲(chǔ)位單元之間。根據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例，分別對(duì)所述字線500、所述第一位線210和所述第二位線 220施加第一存儲(chǔ)位單元編程電壓，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元編程。本發(fā)明較佳實(shí)施例中，在施 加讀取工作電壓后，溝道130內(nèi)有電子從漏極區(qū)域120流到源極區(qū)域110，部分電子通過(guò)熱 電子注入方式注入到所述第一浮柵310構(gòu)成的第一存儲(chǔ)位單元中，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元的 編程操作。進(jìn)一步的，對(duì)所述字線500、所述第一位線210和所述第二位線220施加的第一存 儲(chǔ)位單元編程電壓分別為4V、7. 5V和0V，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元編程。根據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例，分別對(duì)所述字線500、所述第一位線210和所述第二位線 220施加第二存儲(chǔ)位單元編程電壓，實(shí)現(xiàn)第二存儲(chǔ)位單元編程。本發(fā)明較佳實(shí)施例中，在施 加讀取工作電壓后，溝道130內(nèi)有電子從源極區(qū)域110流到漏極區(qū)域120，部分電子通過(guò)熱 電子注入方式注入到第二浮柵320構(gòu)成的第二存儲(chǔ)位單元中，實(shí)現(xiàn)第二存儲(chǔ)位單元的編程操作。進(jìn)一步的，對(duì)所述字線500、所述第一位線210和所述第二位線220施加的第二存儲(chǔ)位單元編程電壓分別為4V、0V和7. 5V，實(shí)現(xiàn)第二存儲(chǔ)位單元編程。根據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例，分別對(duì)所述字線500、所述第一位線210和所述第二位線 220施加存儲(chǔ)位單元擦除電壓，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元和第二存儲(chǔ)位單元擦除。在該施加工作 電壓條件下，存儲(chǔ)在所述第一浮柵310和第二浮柵320分別構(gòu)成的第一存儲(chǔ)位單元和第二 存儲(chǔ)位單元的電子在高電場(chǎng)下FN(Fowler-Nordheim)隧穿到字線500端，通過(guò)字線500端 流走，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元和第二存儲(chǔ)位單元的擦除操作。進(jìn)一步的，對(duì)所述字線500、所述第一位線210和所述第二位線220施加的存儲(chǔ)位 單元擦除電壓分別為11V、0V和0V，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元和第二存儲(chǔ)位單元擦除。再請(qǐng)參考圖2 圖12，圖2 圖12所示為本發(fā)明較佳實(shí)施例的共享字線的無(wú)觸點(diǎn) 分柵式閃存制造方法示意圖。本發(fā)明還提出一種共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存制造方法， 包括下列步驟參考圖2，提供一半導(dǎo)體襯底10，并依次沉積氧化層11、浮柵多晶硅層12和氮化硅 層13 ；所述氧化層11的厚度為大于等于100埃，所述浮柵多晶硅層12的厚度為500埃 1000埃，所述氮化硅層13的厚度為4000埃 6000埃。再請(qǐng)參考圖3對(duì)所述氮化硅層13進(jìn)行干法刻蝕直至露出所述浮柵多晶硅層12，形 成多個(gè)凹槽20 ；接著參考圖4，在所述凹槽20側(cè)壁沉積形成第一側(cè)墻氧化物層21 ；所述第一側(cè)墻 氧化物層21的厚度為200埃 500埃。參考圖5，對(duì)所述凹槽20內(nèi)的所述浮柵多晶硅層12進(jìn)行干法刻蝕，并進(jìn)一步刻蝕 所述氧化層11直至露出所述半導(dǎo)體襯底10 ；對(duì)凹槽20底部的半導(dǎo)體襯底10進(jìn)行離子注入，形成位線；再請(qǐng)參考圖6和圖7，在所述凹槽20側(cè)壁沉積形成第二側(cè)墻氧化物層22 ；并在上述結(jié)構(gòu)表面沉積位線多晶硅30，所述位線多晶硅30的厚度為1800埃 2500埃，對(duì)所述位線多晶硅30進(jìn)行研磨并進(jìn)一步干法刻蝕直至所述位線多晶硅30的高度 降至所述凹槽20頂面以下；請(qǐng)參考圖8，在上述結(jié)構(gòu)表面沉積絕緣層40，并對(duì)其進(jìn)行研磨直至填滿所述凹槽 20，所述絕緣層40研磨后的厚度為300埃 500埃；參考圖9和圖10，濕法刻蝕去除所述氮化硅層13，并在上述結(jié)構(gòu)表面沉積側(cè)墻氮 化硅層(圖中未示)；所述側(cè)墻氮化硅層的厚度為1800埃 2000埃。對(duì)所述側(cè)墻氮化硅層進(jìn)行干法刻蝕形成氮化硅側(cè)墻50，并進(jìn)一步干法刻蝕去除部 分浮柵多晶硅層12和濕法刻蝕去除部分氧化層11直至露出所述半導(dǎo)體襯底10 ；請(qǐng)參考圖11，濕法刻蝕去除所述氮化硅側(cè)墻50 ；最后請(qǐng)參考圖12，在上述結(jié)構(gòu)上沉積隧穿氧化物層60和字線多晶硅70，所述字線 多晶硅70的厚度為大于等于2000埃。本發(fā)明提出的共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存及其制造方法，將兩個(gè)存儲(chǔ)位單元共 享使用一個(gè)字線，通過(guò)對(duì)字線、第一位線和第二位線施加不同的工作電壓實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)位單 元的讀取、編程和擦除，共享位線的結(jié)構(gòu)使得分柵式閃存其能夠在保持芯片的電學(xué)隔離性能不變的情況下，有效地縮小芯片的面積，同時(shí)也可以避免過(guò)擦除的問(wèn)題。同時(shí)采用無(wú)觸點(diǎn) 的設(shè)計(jì)，使得閃存器件具有尺寸小，工藝與CMOS傳統(tǒng)工藝兼容的特點(diǎn)，有利于器件尺寸進(jìn)
一步縮小。 雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因 此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書(shū)所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存，其特征在于，包括半導(dǎo)體襯底，其上具有間隔設(shè)置的源極區(qū)域和漏極區(qū)域；溝道區(qū)，位于所述源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間；第一位線和第二位線，分別連接于所述源極區(qū)域和漏極區(qū)域；第一浮柵，設(shè)置于所述溝道區(qū)和源極區(qū)域上方；第二浮柵，設(shè)置于所述溝道區(qū)和漏極區(qū)域上方，所述第一浮柵和第二浮柵分別構(gòu)成第一存儲(chǔ)位單元和第二存儲(chǔ)位單元；字線，包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述溝道區(qū)上方并位于所述第一浮柵和第二浮柵之間，所述第二部分連接于所述第一部分頂部，并位于所述第一浮柵和第二浮柵上方，所述第二部分頂部延伸至所述第一位線和第二位線上方，并通過(guò)絕緣層與所述第一位線和第二位線頂部相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存，其特征在于，分別對(duì)所述字 線、所述第一位線和所述第二位線施加第一存儲(chǔ)位單元讀取電壓，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元讀 取。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存，其特征在于，對(duì)所述字線、所 述第一位線和所述第二位線施加的第一存儲(chǔ)位單元讀取電壓分別為2. 5V、0V和1. 5V，實(shí)現(xiàn) 第一存儲(chǔ)位單元讀取。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存，其特征在于，分別對(duì)所述字 線、所述第一位線和所述第二位線施加第二存儲(chǔ)位單元讀取電壓，實(shí)現(xiàn)第二存儲(chǔ)位單元讀 取。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存，其特征在于，對(duì)所述字線、所 述第一位線和所述第二位線施加的第二存儲(chǔ)位單元讀取電壓分別為2. 5V、1. 5V和0V，實(shí)現(xiàn) 第二存儲(chǔ)位單元讀取。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存，其特征在于，分別對(duì)所述字 線、所述第一位線和所述第二位線施加第一存儲(chǔ)位單元編程電壓，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元編 程。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存，其特征在于，對(duì)所述字線、所 述第一位線和所述第二位線施加的第一存儲(chǔ)位單元編程電壓分別為4V、7. 5V和0V，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元編程。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存，其特征在于，分別對(duì)所述字 線、所述第一位線和所述第二位線施加第二存儲(chǔ)位單元編程電壓，實(shí)現(xiàn)第二存儲(chǔ)位單元編程。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存，其特征在于，對(duì)所述字線、所 述第一位線和所述第二位線施加的第二存儲(chǔ)位單元編程電壓分別為4V、0V和7. 5V，實(shí)現(xiàn)第二存儲(chǔ)位單元編程。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存，其特征在于，分別對(duì)所述字 線、所述第一位線和所述第二位線施加存儲(chǔ)位單元擦除電壓，實(shí)現(xiàn)第一存儲(chǔ)位單元和第二 存儲(chǔ)位單元擦除。
11.根據(jù)權(quán)利要求11所述的共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存，其特征在于，對(duì)所述字線、所述第一位線和所述第二位線施加的存儲(chǔ)位單元擦除電壓分別為11V、0V和0V，實(shí)現(xiàn)第一 存儲(chǔ)位單元和第二存儲(chǔ)位單元擦除。
12.—種共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存制造方法，其特征在于，包括下列步驟 提供一半導(dǎo)體襯底，并依次沉積氧化層、浮柵多晶硅層和氮化硅層；對(duì)所述氮化硅層進(jìn)行干法刻蝕直至露出所述浮柵多晶硅層，形成多個(gè)凹槽； 在所述凹槽側(cè)壁沉積形成第一側(cè)墻氧化物層；對(duì)所述凹槽內(nèi)的所述浮柵多晶硅層進(jìn)行干法刻蝕，并進(jìn)一步刻蝕所述氧化層直至露出 所述半導(dǎo)體襯底；對(duì)凹槽底部的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入，形成位線； 在所述凹槽側(cè)壁沉積形成第二側(cè)墻氧化物層；在上述結(jié)構(gòu)表面沉積位線多晶硅，對(duì)所述位線多晶硅進(jìn)行研磨并進(jìn)一步干法刻蝕直至 所述位線多晶硅的高度降至所述凹槽頂面以下；在上述結(jié)構(gòu)表面沉積絕緣層，并對(duì)其進(jìn)行研磨直至填滿所述凹槽； 濕法刻蝕去除所述氮化硅層，并在上述結(jié)構(gòu)表面沉積側(cè)墻氮化硅層； 對(duì)所述側(cè)墻氮化硅層進(jìn)行干法刻蝕形成氮化硅側(cè)墻，并進(jìn)一步干法刻蝕去除部分浮柵 多晶硅層和濕法刻蝕去除部分氧化層直至露出所述半導(dǎo)體襯底； 濕法刻蝕去除所述氮化硅側(cè)墻； 在上述結(jié)構(gòu)上沉積隧穿氧化物層和字線多晶硅。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存制造方法，其特征在于，所 述氧化層的厚度為大于等于100埃。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存制造方法，其特征在于，所 述浮柵多晶硅層的厚度為500埃 1000埃。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存制造方法，其特征在于，所 述氮化硅層的厚度為4000埃 6000埃。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存制造方法，其特征在于，所 述第一側(cè)墻氧化物層的厚度為200埃 500埃。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存制造方法，其特征在于，所 述位線多晶硅的厚度為1800埃 2500埃。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存制造方法，其特征在于，所 述絕緣層研磨后的厚度為300埃 500埃。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存制造方法，其特征在于，所 述側(cè)墻氮化硅層的厚度為1800埃 2000埃。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存制造方法，其特征在于，所 述字線多晶硅的厚度為大于等于2000埃。
全文摘要
本發(fā)明提出的共享字線的無(wú)觸點(diǎn)分柵式閃存及其制造方法，得到的閃存器件將兩個(gè)存儲(chǔ)位單元共享使用一個(gè)字線，通過(guò)對(duì)字線、第一位線和第二位線施加不同的工作電壓實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)位單元的讀取、編程和擦除，共享位線的結(jié)構(gòu)使得分柵式閃存其能夠在保持芯片的電學(xué)隔離性能不變的情況下，有效地縮小芯片的面積，同時(shí)也可以避免過(guò)擦除的問(wèn)題。同時(shí)采用無(wú)觸點(diǎn)的設(shè)計(jì)，使得閃存器件具有尺寸小，工藝與CMOS傳統(tǒng)工藝兼容的特點(diǎn)，有利于器件尺寸進(jìn)一步縮小。
文檔編號(hào)H01L27/115GK101807581SQ20101906303
公開(kāi)日2010年8月18日 申請(qǐng)日期2010年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月5日
發(fā)明者張 雄, 曹子貴, 謝中華 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司