專(zhuān)利名稱(chēng)：承載件、半導(dǎo)體封裝件及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種承載件、半導(dǎo)體封裝件及其制法，特別涉及一種成本低的承載件、 半導(dǎo)體封裝件及其制法。
背景技術(shù)：
隨著電子工業(yè)的進(jìn)步與數(shù)碼時(shí)代的來(lái)臨，各式電子產(chǎn)品已日漸朝向功效整合的趨勢(shì)發(fā)展，期望能將多樣產(chǎn)品整合于單一可攜式裝置上，以提升使用者的使用便利，進(jìn)而突破原有的空間限制，因此，對(duì)于例如具發(fā)光二極管(LED)或激光二極管(Laser Diode)等配置于各類(lèi)電子產(chǎn)品而言，如何將其朝薄型化的裝置進(jìn)行整合，無(wú)疑是目前電子產(chǎn)業(yè)的趨勢(shì)。請(qǐng)參閱圖1，圖1為現(xiàn)有的具發(fā)光元件的封裝件的示意圖。該封裝件在硅基板10上形成具有傾斜壁IOOa的凹槽100以承載如發(fā)光二極管(LED)或激光二極管(Laser Diode) 的半導(dǎo)體元件11，且該半導(dǎo)體元件11以打線方式電性連接該硅基板10，并在該凹槽100的傾斜壁IOOa上依序形成氧化硅絕緣層12、以鋁或銀等對(duì)光反射率高材質(zhì)所制成的反射層 13、及氧化硅絕緣層14。請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D2A至2C，圖2A至2C是第65313 號(hào)美國(guó)專(zhuān)利所揭露的具有凹槽的硅基板的制法示意圖。如圖2A所示，先在硅基板10上涂布光阻層15，且利用掩膜光刻方式移除部分光阻層15以形成開(kāi)口 150，使該硅基板10的部分表面外露于該開(kāi)口 150中。如圖 2B所示，濕法蝕刻外露的硅基板10表面，以形成凹槽100，且該凹槽100具有傾斜壁100a。 如圖2C所示，移除該光阻層15。現(xiàn)有的硅基板10的凹槽100的成形方式為濕法蝕刻圖案化工藝，因而使該凹槽 100具有傾斜角54. 74度的傾斜壁100a，此乃因該硅基板10的硅晶格的化學(xué)晶格排列所導(dǎo)致。但是，若欲蝕刻出其他角度以達(dá)到更佳的發(fā)光反射效率或降低高度(角度愈大，高度愈低，以利于薄化設(shè)計(jì))，將需耗費(fèi)更多時(shí)間及使用更多藥液，導(dǎo)致工藝成本提高。再者，使用濕法蝕刻圖案化工藝形成該凹槽100，需購(gòu)置濕式蝕刻設(shè)備及藥液，導(dǎo)致生產(chǎn)成本大幅提高。因此，如何避免現(xiàn)有技術(shù)的種種問(wèn)題，實(shí)為當(dāng)前所要解決的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容
為克服現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝件，包括基板；阻層， 設(shè)于該基板上，且具有開(kāi)口，以外露出該基板的表面；第一金屬層，設(shè)于該阻層表面上；半導(dǎo)體元件，設(shè)于該開(kāi)口中的基板上，并電性連接該基板；封裝材，設(shè)于該開(kāi)口中，以被覆該半導(dǎo)體元件。本發(fā)明還揭露一種半導(dǎo)體封裝件的制法，包括提供一基板；在該基板上形成阻層，且在該阻層上形成至少一開(kāi)口，以外露出該基板的表面；在該阻層表面上形成第一金屬層；在該開(kāi)口中的基板上設(shè)置半導(dǎo)體元件，且令該半導(dǎo)體元件電性連接該基板；以及在該開(kāi)口中形成封裝材，以被覆該半導(dǎo)體元件。
此外，本發(fā)明還提供一種承載件，包括基板；阻層，設(shè)于該基板上，且具有開(kāi)口， 以外露出該基板的表面，且該開(kāi)口的口徑朝該基板表面漸縮；以及第一金屬層，設(shè)于該阻層表面上。前述的半導(dǎo)體封裝件、其制法及承載件中，該基板可為硅基板，該阻層可為光阻層，且該開(kāi)口的口徑以朝該基板表面漸縮為佳，而形成該第一金屬層的材料可為銀、鋁或鎳。前述的半導(dǎo)體封裝件、其制法及承載件中，該半導(dǎo)體元件是發(fā)光二極管芯片，且該半導(dǎo)體元件以打線方式或覆晶方式電性連接該基板。前述的半導(dǎo)體封裝件、其制法及承載件中，還包括在設(shè)置該半導(dǎo)體元件前，形成第二金屬層，設(shè)于該基板或部分阻層上，并與該半導(dǎo)體元件電性連接，例如該半導(dǎo)體元件可設(shè)在該第二金屬層上，且形成該第二金屬層的材料為金或鎳。由上可知，本發(fā)明的承載件、半導(dǎo)體封裝件及其制法，通過(guò)直接在該阻層上形成放置該半導(dǎo)體元件的開(kāi)口，取代如現(xiàn)有技術(shù)的以濕法蝕刻方式在基板上制作開(kāi)口，不僅無(wú)需使用蝕刻液，且無(wú)需耗費(fèi)額外時(shí)間進(jìn)行蝕刻，有效降低工藝成本。再者，通過(guò)直接在該阻層上形成的開(kāi)口，該開(kāi)口的孔壁的傾斜角度不受限制，即可依需求使傾斜角度增大，以降低高度愈低，有效達(dá)到薄化的目的。此外，由于無(wú)需使用濕法蝕刻圖案化工藝，因此無(wú)需購(gòu)置濕式蝕刻設(shè)備及藥液，有效降低生產(chǎn)成本。


圖1為現(xiàn)有的具發(fā)光元件的封裝件的剖面示意圖2A至2C為美國(guó)專(zhuān)利公告號(hào)US 6531328B1的制法的示意圖；以及
圖3A至3E為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝件的制法的剖面示意圖。
主要元件符號(hào)說(shuō)明
10娃基板
100凹槽
IOOa傾斜壁
11半導(dǎo)體元件
12,14氧化硅絕緣層
13反射層
15光阻層
150開(kāi)口
20基板
21阻層
210開(kāi)口
22第一金屬層
220開(kāi)槽
23半導(dǎo)體元件
230第二金屬層
24封裝材
具體實(shí)施例方式以下通過(guò)特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。以下配合圖3A至3E說(shuō)明的實(shí)施方式中，所謂“一”、“上”、“下”僅是便于說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)特征的參考數(shù)值與相對(duì)參考方向，并非用以限制本發(fā)明的實(shí)施方式與保護(hù)范圍， 合先敘明。請(qǐng)參閱圖3A至3E，揭示了本發(fā)明半導(dǎo)體封裝件的制法。如圖3A所示，提供一基板20，以作承載之用，在本實(shí)施例中，該基板20可為硅基板或線路板，且基板20中具有導(dǎo)電線路。如圖;3B所示，形成阻層21于該基板20上，該阻層21可為光阻材料，以在該阻層 21上通過(guò)曝光顯影的方式形成多開(kāi)口 210，以令該基板20的部分表面外露出該開(kāi)口 210。 在本實(shí)施例中，該開(kāi)口 210的口徑朝該基板20表面漸縮，即由上往下漸縮，以令該開(kāi)口 210 的孔壁呈傾斜。如圖3C圖所示，形成第一金屬層22于該阻層21表面，在本實(shí)施例中，該第一金屬層22還延伸形成于該開(kāi)口 210中的基板20表面上，并具有外露出該基板20表面的開(kāi)槽 220，以形成本發(fā)明的承載件。在本實(shí)施例中，形成該第一金屬層22的材料為具有高折射率的材料，例如銀、鋁或鎳，以作為反射層之用。如圖3D圖所示，設(shè)置半導(dǎo)體元件23于開(kāi)口 210中的基板20上。本實(shí)施例中，半導(dǎo)體元件23設(shè)于該開(kāi)口 210中的開(kāi)槽220中的基板20表面上，且令該半導(dǎo)體元件23電性連接該基板20。在本實(shí)施例中，該半導(dǎo)體元件23為發(fā)光二極管芯片，且該半導(dǎo)體元件23以打線方式電性連接該基板20，也可以覆晶方式電性連接該基板20。再者，也可在設(shè)置該半導(dǎo)體元件23前，形成第二金屬層230，設(shè)于該基板20或部分阻層21上，并與半導(dǎo)體元件23 電性連接，例如該半導(dǎo)體元件23設(shè)于該第二金屬層230上，且形成該第二金屬層230的材料為具有導(dǎo)熱及導(dǎo)電特性的材料，例如金或鎳，以供該半導(dǎo)體元件23散熱及當(dāng)電性傳導(dǎo)路徑之用。如圖3E所示，形成其中分散有熒光粉的封裝材M于該開(kāi)口 210中，以被覆該半導(dǎo)體元件23。本發(fā)明通過(guò)該第一金屬層22以反射該半導(dǎo)體元件23所產(chǎn)生的光線。再者，本發(fā)明通過(guò)在該阻層21上以曝光顯影的方式形成放置該半導(dǎo)體元件23的開(kāi)口 210，不僅無(wú)需使用蝕刻液，且無(wú)需耗費(fèi)額外時(shí)間進(jìn)行蝕刻，有效降低工藝成本，且該開(kāi)口 210的孔壁的傾斜角度不受限制，即可依需求使傾斜角度增大，以降低高度愈低，有效達(dá)到薄化的目的。此外，由于無(wú)需使用濕蝕刻圖案化工藝，因此無(wú)需購(gòu)置濕式蝕刻設(shè)備及藥液，有效降低生產(chǎn)成本。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體封裝件，包括發(fā)光元件承載件，包括基板20、設(shè)于該基板20上的阻層21及設(shè)于該阻層21表面上的第一金屬層22 ；設(shè)于該基板20上的半導(dǎo)體元件23 ；以及被覆該半導(dǎo)體元件23的封裝材24。
所述的阻層21具有外露出該基板20的部分表面的開(kāi)口 210。本實(shí)施例中，所述的第一金屬層22還設(shè)于該開(kāi)口 210中的基板20表面上，且該開(kāi)口 210中的第一金屬層22具有開(kāi)槽220，以外露出該基板20的表面。所述的半導(dǎo)體元件23設(shè)于該開(kāi)口 210中的開(kāi)槽220中的基板20表面上，并電性連接該基板20。所述的封裝材M設(shè)于該開(kāi)口 210中，以被覆該半導(dǎo)體元件23。所述的半導(dǎo)體封裝件還可包括第二金屬層230，設(shè)于該基板20或部分阻層21上， 并與半導(dǎo)體元件23電性連接，且形成該第二金屬層230的材料為具有導(dǎo)熱及導(dǎo)電特性的材料，例如金或鎳。綜上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件及其制法，通過(guò)直接在該阻層上形成放置該半導(dǎo)體元件的開(kāi)口，不僅無(wú)需使用蝕刻液，且無(wú)需耗費(fèi)額外時(shí)間進(jìn)行蝕刻，有效降低制造方法成本。再者，通過(guò)直接在該阻層上形成的開(kāi)口，該開(kāi)口的孔壁的傾斜角度不受限制，即可依需求使傾斜角度增大，以降低高度愈低，有效達(dá)到薄化的目的。此外，由于無(wú)需使用濕蝕刻圖案化制造方法，因此無(wú)需購(gòu)置濕式蝕刻設(shè)備及藥液， 有效降低生產(chǎn)成本。上述實(shí)施例用以例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求所列。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝件，包括基板；阻層，設(shè)于該基板上，且具有開(kāi)口，以外露出該基板的表面；第一金屬層，設(shè)于該阻層表面上；半導(dǎo)體元件，設(shè)于該開(kāi)口中的基板上，并電性連接該基板，該半導(dǎo)體元件為發(fā)光二極管芯片；以及封裝材，設(shè)于該開(kāi)口中，以被覆該半導(dǎo)體元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該第一金屬層還形成在該開(kāi)口中的基板表面上，并具有外露出該基板表面的開(kāi)槽，且該半導(dǎo)體元件設(shè)于該開(kāi)槽中的基板上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該基板為硅基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該開(kāi)口的口徑朝該基板表面漸縮。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，形成該第一金屬層的材料為銀、 招或鎳。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該半導(dǎo)體元件以打線方式或覆晶方式電性連接該基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，還包括第二金屬層，設(shè)于該基板或部分阻層上，并與該半導(dǎo)體元件電性連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，形成該第二金屬層的材料為金或鎳。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該封裝材中分散有熒光粉。
10.一種半導(dǎo)體封裝件的制法，包括提供一基板；在該基板上形成阻層，且在該阻層上形成至少一開(kāi)口，以外露出該基板的表面；在該阻層表面上形成第一金屬層；在該開(kāi)口中的基板上設(shè)置半導(dǎo)體元件，且令該半導(dǎo)體元件電性連接該基板，該半導(dǎo)體元件為發(fā)光二極管芯片；以及在該開(kāi)口中形成封裝材，以被覆該半導(dǎo)體元件。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該第一金屬層還形成在該開(kāi)口中的基板表面上，并具有外露出該基板表面的開(kāi)槽，且該半導(dǎo)體元件設(shè)于該開(kāi)槽中的基板上。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該基板為硅基板。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該開(kāi)口的口徑朝該基板表面漸縮。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，還包括在設(shè)置該半導(dǎo)體元件前，形成第二金屬層于該基板或部分阻層上，并與該半導(dǎo)體元件電性連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求10或14所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該封裝材中分散有熒光粉。
16.一種承載件，包括基板；阻層，設(shè)于該基板上，且具有開(kāi)口，以外露出該基板的表面，該開(kāi)口的口徑朝該基板表面漸縮；以及第一金屬層，設(shè)于該阻層表面上。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的承載件，其特征在于，該基板為硅基板。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的承載件，其特征在于，形成該第一金屬層的材料為銀、鋁或鎳。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的承載件，其特征在于，該第一金屬層還形成在該開(kāi)口中的基板表面上，并具有外露出該基板表面的開(kāi)槽。
全文摘要
本發(fā)明提供一種承載件、半導(dǎo)體封裝件及其制法。一種半導(dǎo)體封裝件，包括基板；設(shè)于該基板上的阻層，具有開(kāi)口，以外露出該基板的表面；設(shè)于該阻層表面上的第一金屬層；設(shè)于該開(kāi)口中的基板上的半導(dǎo)體元件，并電性連接該基板；以及設(shè)于該開(kāi)口中的封裝材，以被覆半導(dǎo)體元件，從而通過(guò)直接在該阻層上形成放置該半導(dǎo)體元件的開(kāi)口，不僅無(wú)需使用蝕刻液，且無(wú)需耗費(fèi)額外時(shí)間進(jìn)行蝕刻，有效降低成本。
文檔編號(hào)H01L33/48GK102544304SQ20101061294
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2010年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月21日
發(fā)明者李文豪, 陳賢文 申請(qǐng)人:矽品精密工業(yè)股份有限公司