專利名稱：一種通過分流補償磁場線圈非均勻性的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁場線圈非均勻性補償技術(shù)，特別是涉及有多個線圈組成的磁場線圈 系統(tǒng)非均勻性補償方法。
背景技術(shù)：
目前使用磁場線圈，由于線圈繞組匝數(shù)只能取整數(shù)和機械加工誤差引起線圈實際 尺寸變化，磁場線圈工作區(qū)的實際磁場非均勻性與理論設(shè)計值有較大差別。以魯本士線圈 為例，其線圈外徑10%尺寸半徑的工作區(qū)內(nèi)磁場非均勻性的理論值小于1X10_5，而實際非 均勻性可達1X10—3以上。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種通過分流補償磁場線圈非均勻性的方法，該方法可以 補償因為線圈繞組匝數(shù)只能取整數(shù)和機械加工誤差導致線圈實際尺寸變化而引起的磁場 線圈均勻性變差。本發(fā)明的目的通過這樣的技術(shù)方案來實現(xiàn)一種通過分流補償磁場線圈非均勻性 的方法，在磁場線圈的每個線圈都并聯(lián)一個分流電阻箱，通過分流電阻箱微調(diào)通過單個線 圈的電流，使各個線圈的等效匝數(shù)比例達到理論最佳值，以補償因線圈匝數(shù)及機械加工誤 差引起的磁場非均勻性。
權(quán)利要求
1.一種通過分流補償磁場線圈非均勻性的方法，其特征在于在磁場線圈的每個線圈 都并聯(lián)一個分流電阻箱，通過分流電阻箱微調(diào)通過單個線圈的電流，使各個線圈的等效匝 數(shù)比例達到理論最佳值，以補償因線圈匝數(shù)及機械加工誤差引起的磁場非均勻性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場線圈非均勻性補償方法，其特征在于分流電阻箱的電 阻選擇應(yīng)服從以下公式
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的通過分流補償磁場線圈非均勻性的方法，其特征在于 電阻箱的線圈常數(shù)的實際值與理論值的相對差值最小的線圈，其并聯(lián)的分流電阻箱在工作 時與線圈斷開連接。
全文摘要
一種通過分流補償磁場線圈非均勻性的方法，具體有多個線圈組成的磁場線圈系統(tǒng)非均勻性補償方法。本發(fā)明中磁場線圈是進行磁學測試試驗的載體；每個線圈并聯(lián)一個調(diào)流電阻箱，調(diào)流電阻箱可以對通過單個線圈的電流進行調(diào)節(jié)；利用分流電阻箱微調(diào)通過單個線圈的電流，使各個線圈的等效匝數(shù)比例達到理論最佳值，以補償因線圈匝數(shù)及機械加工誤差引起的磁場非均勻性。
文檔編號H01F41/04GK102136336SQ20101061033
公開日2011年7月27日 申請日期2010年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月29日
發(fā)明者侯錢, 李享, 程華富, 蔡傳真, 韓曉東 申請人:中國船舶重工集團公司第七一○研究所