專利名稱：平板顯示設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本技術(shù)所公開的實施例涉及平板顯示設(shè)備及其制造方法，更詳細地說，涉及具有 提高的顯示面板的光透射率的平板顯示設(shè)備及制造該平板顯示設(shè)備的方法。
背景技術(shù)：
平板顯示設(shè)備的種類包括利用液晶的光電特性的液晶顯示設(shè)備和利用有機發(fā)光 二極管的自發(fā)射特性的有機發(fā)光顯示設(shè)備。平板顯示設(shè)備被分成無源矩陣類型和有源矩陣 類型。包括薄膜晶體管的有源矩陣類型具有很高的分辨率和很好的視頻實現(xiàn)能力，并且比 無源矩陣類型使用得更加廣泛。

發(fā)明內(nèi)容
一方面是一種具有提高的顯示面板的光透射率的平板顯示設(shè)備以及制造該平板 顯示設(shè)備的方法。另一方面是一種平板顯示設(shè)備，其包括第一基板；形成在所述第一基板上并且 包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)的有源層；柵極絕緣層，其形成在包括所述有源層的所述第一基板 上；柵電極，其形成在所述溝道區(qū)上方的所述柵極絕緣層上；第一層間絕緣膜，其形成在 包括所述柵電極的所述柵極絕緣層上；源電極和漏電極，其通過形成在所述第一層間絕緣 膜和所述柵極絕緣層中的接觸孔與所述源區(qū)和漏區(qū)中的所述有源層連接；第二層間絕緣 膜，其插入所述第一層間絕緣膜與所述源電極和所述漏電極之間；平坦層，其形成在包括所 述源電極和所述漏電極的所述第一層間絕緣膜上；以及像素電極，其通過形成在所述平坦 層中的通孔與所述源電極或所述漏電極連接。另一方面是制造平板顯示設(shè)備的方法，其包括在第一基板上形成包括源區(qū)、漏區(qū) 和溝道區(qū)的有源層；在包括所述有源層的所述第一基板上形成柵極絕緣層；在所述溝道區(qū) 上方的所述柵極絕緣層上形成柵電極；在包括所述柵電極的所述柵極絕緣層上形成第一層 間絕緣膜；在所述第一層間絕緣膜上形成具有比所述第一層間絕緣膜小的厚度的第二層間 絕緣膜；執(zhí)行熱處理；通過對所述第二層間絕緣膜、所述第一層間絕緣膜和所述柵極絕緣 層進行圖案化來在所述源區(qū)和漏區(qū)中暴露所述有源層；在所述第二層間絕緣膜上形成與所 述源區(qū)和漏區(qū)中的所述有源層連接的源電極和漏電極；將暴露部分中的第二層間絕緣膜去 除；在包括所述源電極和所述漏電極的所述第一層間絕緣膜上形成平坦層；通過對所述平 坦層進行圖案化來暴露所述源電極或所述漏電極；并且在所述平坦層上形成與所述源電極
5或所述漏電極連接的像素電極。層間絕緣膜形成在源電極和漏電極與柵電極之間以最小化包括薄膜晶體管的平 板顯示設(shè)備中的信號干擾。然而，因為層間絕緣膜包括具有低的光透射率的氮化硅膜，所以 它使顯示面板的光透射率劣化。在一個實施例中，可以通過在形成源電極和漏電極的過程中不使用特定掩膜的情 況下形成氧化硅膜和氮化硅膜的層間絕緣膜，并且將光透射區(qū)域中的氮化硅膜去除來提高 顯示面板的光透射率。進一步，在本發(fā)明的一個實施例中，通過使所述氮化硅膜比所述氧化硅膜薄，即使 在形成層間絕緣膜之后執(zhí)行熱處理也不會使氮化硅膜破裂。而且，可以通過擴散氮化硅膜 中包含的氫來改善有源層的電特性。另一方面是一種平板顯示設(shè)備，包括第一基板；形成在所述第一基板上方的有 源層，其中所述有源層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)；形成在所述有源層上的柵極絕緣層；柵電 極，形成在所述柵極絕緣層上并且在所述有源層的溝道區(qū)上方；第一層間絕緣膜，形成在所 述柵極絕緣層和所述柵電極上；源電極和漏電極，通過接觸孔分別電連接至所述有源層的 源區(qū)和漏區(qū)，其中所述接觸孔形成在所述第一層間絕緣膜和所述柵極絕緣層中；第二層間 絕緣膜，基本上僅插入i)所述第一層間絕緣膜與ii)所述源電極和所述漏電極之間；平坦 層，形成在所述第一層間絕緣膜以及所述源電極和所述漏電極上；以及像素電極，通過形成 在所述平坦層中的通孔電連接至所述源電極或所述漏電極。上述設(shè)備進一步包括第二基板，被布置為面對所述第一基板；公共電極，形成在 所述第二基板上并且在所述像素電極上方；以及液晶層，插入所述第一基板與所述第二基 板之間。上述設(shè)備進一步包括像素限定層，形成在所述像素電極的第一部分和所述平坦層 上；有機發(fā)光層，形成在所述像素電極的第二部分和所述像素限定層的部分上，其中所述像 素電極的第一部分和第二部分彼此不重疊；以及陰電極，形成在所述有機發(fā)光層和所述像 素限定層上。在上述設(shè)備中，所述第二層間絕緣膜比所述第一層間絕緣膜薄。在上述設(shè)備中，所 述第二層間絕緣膜的厚度是所述第一層間絕緣膜的厚度的大約60%到大約80%。在上述 設(shè)備中，所述第一層間絕緣膜由氧化硅形成，并且其中所述第二層間絕緣膜由氮化硅形成。 在上述設(shè)備中，所述有源層由多晶硅形成。在上述設(shè)備中，所述像素電極由透明導(dǎo)電材料形 成。上述設(shè)備進一步包括插入i)所述第一基板與ii)所述柵極絕緣層和所述有源層之間 的緩沖層。在上述設(shè)備中，所述第二層間絕緣膜未形成在所述源電極與所述漏電極之間。另一方面是一種制造平板顯示設(shè)備的方法，包括在第一基板上方形成有源層，其 中所述有源層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)；在所述有源層上形成柵極絕緣層；在所述柵極絕 緣層上形成柵電極以基本上直接在所述有源層的溝道區(qū)上方；在所述柵極絕緣層和所述 柵電極上形成第一層間絕緣膜；在所述第一層間絕緣膜上形成第二層間絕緣膜，其中所述 第二層間絕緣膜比所述第一層間絕緣膜?。粚)所述第一層間絕緣膜和所述第二層間絕 緣膜、ii)所述柵電極、iii)所述柵極絕緣層以及iv)所述有源層執(zhí)行熱處理；對所述第一 層間絕緣膜和所述第二層間絕緣膜以及所述柵極絕緣層進行圖案化，以便暴露所述有源層 的源區(qū)和漏區(qū)；在暴露的部分上形成源電極和漏電極，使得所述源電極和漏電極電連接至 所述有源層；對所述第二層間絕緣膜進行圖案化，使得所述第二層間絕緣膜的剩余部分基本上僅形成在i)所述第一層間絕緣膜與ii)所述源電極和所述漏電極之間；在所述第一層 間絕緣膜以及所述源電極和所述漏電極上形成平坦層；對所述平坦層進行圖案化，以便暴 露所述源電極或所述漏電極；并且在所述平坦層上形成像素電極，以便連接至所述源電極 或所述漏電極。上述方法進一步包括在第二基板上并且在所述像素電極上方形成公共電極；將 所述第一基板和所述第二基板布置為彼此面對；沿所述第一基板和所述第二基板的邊緣形 成密封劑；并且將液晶注入所述第一基板與所述第二基板之間的空間。上述方法進一步包括在所述平坦層和所述像素電極上形成像素限定層；在發(fā)光 區(qū)域中暴露所述像素電極；在所述像素電極的暴露部分上形成有機發(fā)光層；并且在所述有 機發(fā)光層和所述像素限定層上形成陰電極。在上述方法中，所述第二層間絕緣膜未形成在 所述發(fā)光區(qū)域中。在上述方法中，所述第二層間絕緣膜的厚度是所述第一層間絕緣膜的厚 度的大約60%至大約80%。在上述方法中，所述第一層間絕緣膜由氧化硅形成，并且其中 所述第二層間絕緣膜由氮化硅形成。在上述方法中，所述暴露部分中的所述第二層間絕緣 膜通過使用所述源電極和所述漏電極作為掩模的干蝕刻被去除。另一方面是一種平板顯示設(shè)備，包括基板，其中像素區(qū)域和非像素區(qū)域形成在所 述基板中或所述基板上方，并且其中所述像素區(qū)域被配置為發(fā)射光；形成在所述第一基板 上方的有源層，其中源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)形成在所述有源層中；形成在所述有源層上的柵 極絕緣層；柵電極，形成在所述柵極絕緣層上和所述有源層的溝道區(qū)上方；第一層間絕緣 膜，形成在所述柵極絕緣層和所述柵電極上；源電極和漏電極，分別電連接至所述有源層的 源區(qū)和漏區(qū)；以及形成在所述第一層間絕緣膜上的第二層間絕緣膜，其中所述第二層間絕 緣膜基本上未形成在所述像素區(qū)域中。在上述設(shè)備中，所述第二層間絕緣膜僅插入i)所述第一層間絕緣膜與ii)所述源 電極和所述漏電極之間。在上述設(shè)備中，所述第二層間絕緣膜比所述第一層間絕緣膜薄。


圖1是圖示說明根據(jù)本發(fā)明一個實施例的平板顯示設(shè)備的截面圖。圖2是圖示說明根據(jù)本發(fā)明一個實施例的平板顯示設(shè)備的截面圖。圖3A至圖3G是圖示說明根據(jù)本發(fā)明一個實施例的制造平板顯示設(shè)備的方法的截 面圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的平板顯示設(shè)備的截面圖。
圖5是圖1和圖4的平板顯示設(shè)備的光透射率的測量結(jié)果的視圖。 圖6是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的平板顯示設(shè)備的截面圖。
具體實施例方式有源矩陣類型液晶顯示設(shè)備(TFT-IXD) —般包括i)具有兩個基板的顯示面板， 這兩個基板之間具有液晶，ii)布置在顯示面板的背面上并用作光源的背光單元，以及 iii)驅(qū)動顯示面板的驅(qū)動IC。背光單元所產(chǎn)生的光傳播到顯示面板，被響應(yīng)于驅(qū)動IC所 供應(yīng)的信號而排列的液晶調(diào)制，而后被發(fā)射到環(huán)境中，從而顯示字符或圖像。進一步，有源矩陣類型有機發(fā)光顯示設(shè)備包括具有有機發(fā)光二極管的顯示面板和驅(qū)動顯示面板的驅(qū)動IC。有機發(fā)光二極管所產(chǎn)生的光響應(yīng)于從驅(qū)動IC供應(yīng)的信號而被發(fā) 射到外部，從而顯示字符或圖像。在諸如液晶顯示設(shè)備和有機發(fā)光顯示設(shè)備之類的平板顯示設(shè)備中，顯示面板的光 透射率可能顯著影響亮度。然而，有源矩陣類型平板顯示器包括薄膜晶體管，其中在制造工藝過程中，諸如氧 化硅膜和氮化硅膜之類的絕緣層被堆疊在光所透射通過的基板上的像素區(qū)域(或發(fā)光區(qū) 域)中。因此，光透射率由于絕緣層而被降低，從而導(dǎo)致亮度降低。在以下詳細描述中，簡單地通過圖示說明的方式示出并描述本發(fā)明的僅僅某些示 例性實施例。如本領(lǐng)域技術(shù)人員會認識到的那樣，可以在均不背離本發(fā)明的精神或范圍的 情況下以各種不同的方式修改所描述的實施例。相應(yīng)地，附圖和描述將被認為本質(zhì)上是示 例性的而非限制性的。另外，當一元件被提到在另一元件“上”時，它可以直接在該另一元 件上，或者可以以它們之間插入有一個或多個中間元件的方式間接在該另一元件上。同樣， 當一元件被提到“連接至”另一元件時，它可以直接連接至該另一元件，或者可以以它們之 間插入有一個或多個中間元件的方式間接連接至該另一元件。下文中，相同的附圖標記指 代相同的元件。下文中，將參照附圖詳細描述本發(fā)明的實施例。圖1是圖示說明根據(jù)本發(fā)明一個實施例的平板顯示設(shè)備100的截面圖。在一個實 施例中，如圖1中所示，平板顯示設(shè)備100是液晶顯示設(shè)備。參見圖1，緩沖層11形成在下基板10上，并且提供薄膜晶體管的源區(qū)、漏區(qū)和溝道 區(qū)的有源層12形成在緩沖層11上。柵極絕緣層13形成在緩沖層11和有源層12上。柵 電極14形成在溝道區(qū)上方的柵極絕緣層13上。第一層間絕緣膜1 形成在柵極絕緣層13 和柵電極14上。通過接觸孔電連接至有源層12的源區(qū)和漏區(qū)的源電極和漏電極16形成 在第一層間絕緣膜1 上。在一個實施例中，第二層間絕緣膜1 僅形成在第一層間絕緣 膜1 與源電極和漏電極16之間。在一個實施例，第二層間絕緣膜1 未形成在像素區(qū)域 中。平坦層17形成在第一層間絕緣膜15a以及源電極和漏電極16上。通過通孔連接至源 電極或漏電極16的像素電極18形成在平坦層17上。具有公共電極21的上基板20被布置在具有上述配置的下基板10的上方，并且液 晶層30被布置在下基板10與上基板20之間。在液晶顯示設(shè)備中，由布置在下基板10的背面的背光單元產(chǎn)生的光傳播到顯示 面板100，被由從驅(qū)動IC向像素電極18和公共電極21施加的電壓而排列的液晶層30調(diào) 制。然后，調(diào)制后的光通過上基板20發(fā)射到外部，從而顯示字符或圖像。圖2是圖示說明根據(jù)本發(fā)明另一實施例的平板顯示設(shè)備的截面圖。在一個實施例 中，如圖2所示，平板顯示設(shè)備200是有機發(fā)光顯示設(shè)備。參見圖2，緩沖層41形成在下基板40上，并且提供薄膜晶體管的源區(qū)、漏區(qū)和溝道 區(qū)的有源層42形成在緩沖層41上。柵極絕緣層43形成在緩沖層41和有源層42上。柵 電極44形成在溝道區(qū)上方的柵極絕緣層43上。第一層間絕緣膜4 形成在柵極絕緣層43 和柵電極44上。通過接觸孔電連接至有源層42的源區(qū)和漏區(qū)的源電極和漏電極46形成 在第一層間絕緣膜4 上。在一個實施例中，第二層間絕緣膜4 僅形成在第一層間絕緣 膜4 與源電極和漏電極46之間。在一個實施例中，第二層間絕緣膜4 未形成在像素區(qū)域。平坦層47形成在第一層間絕緣膜45a以及源電極和漏電極46上。通過通孔連接至源 電極或漏電極46的像素電極48形成在平坦層47上。像素限定層49形成在平坦層47和像素電極48上，使得發(fā)光區(qū)域中的像素電極48 被暴露并且有機發(fā)光層50形成在暴露的像素電極48上。陰電極51形成在像素限定層49 和有機發(fā)光層50上。密封基板60被布置在具有上述配置的下基板40的上方，并且下基板40和密封基 板60用密封劑來粘合。在有機發(fā)光顯示設(shè)備中，當預(yù)定電壓被施加到像素電極48和陰電極51時，通過像 素電極48注入的空穴和通過陰電極51注入的電子在有機發(fā)光層50中復(fù)合。由于在該過 程中產(chǎn)生的能量差而從有機發(fā)光層50發(fā)射的光通過下基板40發(fā)射到外部，從而顯示字符 或圖像。圖3A至圖3G是圖示說明根據(jù)本發(fā)明一個實施例的制造平板顯示設(shè)備的方法的截 面圖。參見圖3A，在基板10上形成緩沖層11，并且在緩沖層11上形成提供薄膜晶體管 的源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)的有源層12。在緩沖層11和有源層12上形成柵極絕緣層13。在溝 道區(qū)上方的柵極絕緣層13上形成柵電極14。諸如玻璃和塑料之類的透明基板用作基板10。在一個實施例中，有源層12由諸如 多晶硅之類的半導(dǎo)體形成，并且如果需要，可執(zhí)行結(jié)晶化和離子注入。參見圖:3B，在柵極絕緣層13和柵電極14上形成層間絕緣膜15。在一個實施例中， 層間絕緣膜15包括被堆疊以防止柵電極與源電極和漏電極16之間的信號干擾的第一層間 絕緣膜1 和第二層間絕緣膜15b。在一個實施例中，第二層間絕緣膜1 形成得比第一層 間絕緣膜15a薄，例如，被形成為具有第一層間絕緣膜15a的厚度的大約60%到大約80% 的厚度。第一層間絕緣膜1 可以由具有大約3000人的厚度的氧化硅膜(SiO)形成，并 且第二層間絕緣膜1 可以由具有大約2000人到大約2600人的厚度的氮化硅膜(SiN) 形成。參見圖3C，執(zhí)行快速熱退火以使有源層12再結(jié)晶。通過高溫?zé)崽幚硎拱诘?化硅膜(SiN) 15b中的氫原子(H)擴散到有源層12中并且與硅懸掛鍵(dangling bond)結(jié) 合，使得有源層12的缺陷被去除。相應(yīng)地，可以改善諸如表面電阻、遷移率以及散射程度之 類的電特性。因為氮化硅膜一般是堅硬的，所以當該膜具有超出大約4000人的厚度時，可能 會因高溫下熱膨脹系數(shù)的差異而斷裂或變形。然而，在一個實施例中，由于氮化硅膜1 形 成得相對較薄，因此它在高溫?zé)崽幚碇胁粫嗔鸦蜃冃?。因此，可以在形成層間絕緣膜15 之后執(zhí)行熱處理，從而可以通過如上所述的氫(H)原子的擴散來改善電特性。如果在形成 層間絕緣膜15之前執(zhí)行熱處理，則柵電極14可能被氧化并且難以期望通過氫(H)原子的 擴散來改善電特性。參見圖3D，通過對第二層間絕緣膜15b、第一層間絕緣膜1 和柵極絕緣層13進 行圖案化，形成接觸孔15c使得源區(qū)和漏區(qū)中的有源層12被暴露。參見圖3E，通過在第二層間絕緣膜1 上形成金屬層使得接觸孔15c被填充，而 后對金屬層進行圖案化，來形成連接至源區(qū)和漏區(qū)中的有源層12的源電極和漏電極16。金屬層可以由鈦(Ti)或鋁(Al)和鈦(Ti)的疊層形成，并且可以通過基于氯(Cl)的氣體進 行圖案化。參見圖3F，第二層間絕緣膜1 的部分已經(jīng)通過使用源電極和漏電極16作為掩模 的干蝕刻被暴露，并且被去除。在該過程中，氧化硅膜1 和氮化硅膜1 之間的蝕刻率之 差很大，使得使用基于氟(SF6)的氣體的蝕刻可以容易地去除基于氯(Cl)的殘留物，而不 會破壞氧化硅膜15a。參見圖3G，通過在第一層間絕緣膜15a以及源電極和漏電極16上形成平坦層17 并對平坦層17進行圖案化來形成通孔，使得源電極或漏電極16被暴露。通過在平坦層17 上形成諸如ITO和IZO之類的透明導(dǎo)電層使得通孔被填充，而后對導(dǎo)電層進行圖案化，來形 成連接至源電極或漏電極16的像素電極18。再次參見圖1，在上基板20上形成公共電極21。下基板10和上基板20被放置為 彼此面對，并且密封劑(未示出)沿著下基板10和上基板20的邊緣形成。其后，通過將液 晶層30注入下基板10與上基板20之間的空間來完成液晶顯示設(shè)備的顯示面板100。進一步，再次參見圖2，在平坦層47和像素電極48上形成像素限定層49，然后發(fā) 光區(qū)域中的像素電極48被暴露。在暴露的像素電極48上形成有機發(fā)光層50，并且在像素 限定層49和有機發(fā)光層50上形成陰電極51。其后，通過將密封基板60沉積在下基板40 上方并利用密封劑(未示出)對下基板40和密封基板60進行粘合來完成有機發(fā)光顯示設(shè) 備的顯示面板200。在一個實施例中，層間絕緣膜由氧化硅膜1 和4 以及氮化硅膜1 和4 形 成。進一步，在形成源電極和漏電極16和46的過程中，在不使用特定的掩模的情況下將光 透射區(qū)域中的氮化硅膜1 和4 去除。由于光透射區(qū)域中的氮化硅膜1 和4 被去除， 因此提高了顯示面板的光透射率，使得顯示設(shè)備的亮度和圖片質(zhì)量可以被提高。如果如圖4所示未將光透射區(qū)域中的氮化硅膜15b去除(比較例)，則氮化硅膜 15b的透射率比氧化硅膜1 低大約7%，并且光的振動增加，使得光透射率被減小。由于 在圖4的比較例中，氮化硅膜1 形成在像素區(qū)域中，因此光透射率被減小。進一步，由于 氮化硅膜15b比氧化硅膜15a厚(例如，大約6000人對大約1500A )，因此光透射率被 進一步減小(例如，大約85. 4% )。從實際測量光透射率的結(jié)果中可以看出，如可以從圖5中看到的那樣，對于紅色 像素，與圖4中示出的結(jié)構(gòu)相比，圖1中示出的結(jié)構(gòu)中的透射率被提高大約8%。如圖6所示，雖然可以通過將圖4的結(jié)構(gòu)中的光透射區(qū)域L中的氧化硅膜15a和 氮化硅膜1 去除來提高光透射率，但蝕刻氮化硅膜15b、氧化硅膜1 和柵極絕緣層13會 花費長時間，這使得生產(chǎn)率劣化，并且上述的熱處理效果不可能被實現(xiàn)。雖然已結(jié)合某些示例性實施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)當理解，本發(fā)明并不限于所公 開的實施例，而是相反，本發(fā)明意在覆蓋包括在所附權(quán)利要求及其等同物的精神和范圍內(nèi) 的各種修改和等同布置。
權(quán)利要求
1.一種平板顯示設(shè)備，包括第一基板；形成在所述第一基板上方的有源層，其中所述有源層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)； 形成在所述有源層上的柵極絕緣層；柵電極，形成在所述柵極絕緣層上并且在所述有源層的溝道區(qū)上方； 第一層間絕緣膜，形成在所述柵極絕緣層和所述柵電極上；源電極和漏電極，通過接觸孔分別電連接至所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)，其中所述接觸 孔形成在所述第一層間絕緣膜和所述柵極絕緣層中；第二層間絕緣膜，僅插入i)所述第一層間絕緣膜與ii)所述源電極和所述漏電極之間；平坦層，形成在所述第一層間絕緣膜以及所述源電極和所述漏電極上；以及 像素電極，通過形成在所述平坦層中的通孔電連接至所述源電極或所述漏電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示設(shè)備，進一步包括 第二基板，被布置為面對所述第一基板；公共電極，形成在所述第二基板上并且在所述像素電極上方；以及 液晶層，插入所述第一基板與所述第二基板之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示設(shè)備，進一步包括像素限定層，形成在所述像素電極的第一部分和所述平坦層上； 有機發(fā)光層，形成在所述像素電極的第二部分和所述像素限定層的部分上，其中所述 像素電極的第一部分和第二部分彼此不重疊；以及陰電極，形成在所述有機發(fā)光層和所述像素限定層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示設(shè)備，其中所述第二層間絕緣膜比所述第一層間絕緣膜薄。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的平板顯示設(shè)備，其中所述第二層間絕緣膜的厚度是所述第一 層間絕緣膜的厚度的60%到80%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示設(shè)備，其中所述第一層間絕緣膜由氧化硅形成，并 且其中所述第二層間絕緣膜由氮化硅形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示設(shè)備，其中所述有源層由多晶硅形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示設(shè)備，其中所述像素電極由透明導(dǎo)電材料形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示設(shè)備，進一步包括插入i)所述第一基板與ii)所述 柵極絕緣層和所述有源層之間的緩沖層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示設(shè)備，其中所述第二層間絕緣膜未形成在所述源 電極與所述漏電極之間。
11.一種制造平板顯示設(shè)備的方法，包括在第一基板上方形成有源層，其中所述有源層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)； 在所述有源層上形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成柵電極以直接在所述有源層的溝道區(qū)上方； 在所述柵極絕緣層和所述柵電極上形成第一層間絕緣膜；在所述第一層間絕緣膜上形成第二層間絕緣膜，其中所述第二層間絕緣膜比所述第一層間絕緣膜?。粚)所述第一層間絕緣膜和所述第二層間絕緣膜、ii)所述柵電極、iii)所述柵極絕 緣層以及iv)所述有源層執(zhí)行熱處理；對所述第一層間絕緣膜和所述第二層間絕緣膜以及所述柵極絕緣層進行圖案化，以便 暴露所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)；在暴露的部分上形成源電極和漏電極，使得所述源電極和漏電極電連接至所述有源 層；對所述第二層間絕緣膜進行圖案化，使得所述第二層間絕緣膜的剩余部分僅形成在i) 所述第一層間絕緣膜與ii)所述源電極和所述漏電極之間；在所述第一層間絕緣膜以及所述源電極和所述漏電極上形成平坦層； 對所述平坦層進行圖案化，以便暴露所述源電極或所述漏電極；并且 在所述平坦層上形成像素電極，以便連接至所述源電極或所述漏電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造平板顯示設(shè)備的方法，進一步包括 在第二基板上并且在所述像素電極上方形成公共電極；將所述第一基板和所述第二基板布置為彼此面對； 沿所述第一基板和所述第二基板的邊緣形成密封劑；并且 將液晶注入所述第一基板與所述第二基板之間的空間。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造平板顯示設(shè)備的方法，進一步包括 在所述平坦層和所述像素電極上形成像素限定層；在發(fā)光區(qū)域中暴露所述像素電極；在所述像素電極的暴露部分上形成有機發(fā)光層；并且在所述有機發(fā)光層和所述像素限定層上形成陰電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造平板顯示設(shè)備的方法，其中所述第二層間絕緣膜未形 成在所述發(fā)光區(qū)域中。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造平板顯示設(shè)備的方法，其中所述第二層間絕緣膜的厚 度是所述第一層間絕緣膜的厚度的60%至80%。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的平板顯示設(shè)備，其中所述第一層間絕緣膜由氧化硅形成， 并且其中所述第二層間絕緣膜由氮化硅形成。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造平板顯示設(shè)備的方法，其中所述暴露部分中的所述第 二層間絕緣膜通過使用所述源電極和所述漏電極作為掩模的干蝕刻被去除。
18.一種平板顯示設(shè)備，包括基板，其中像素區(qū)域和非像素區(qū)域形成在所述基板中或所述基板上方，并且其中所述 像素區(qū)域被配置為發(fā)射光；形成在所述第一基板上方的有源層，其中源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)形成在所述有源層中； 形成在所述有源層上的柵極絕緣層；柵電極，形成在所述柵極絕緣層上和所述有源層的溝道區(qū)上方； 第一層間絕緣膜，形成在所述柵極絕緣層和所述柵電極上； 源電極和漏電極，分別電連接至所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)；以及 形成在所述第一層間絕緣膜上的第二層間絕緣膜，其中所述第二層間絕緣膜未形成在 所述像素區(qū)域中。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的平板顯示設(shè)備，其中所述第二層間絕緣膜僅插入i)所述第 一層間絕緣膜與ii)所述源電極和所述漏電極之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的平板顯示設(shè)備，其中所述第二層間絕緣膜比所述第一層間絕緣膜薄。
全文摘要
公開平板顯示設(shè)備及其制造方法。在實施例中，平板顯示設(shè)備包括i)第一基板，ii)形成在第一基板上方的有源層，其中有源層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)，iii)形成在有源層上的柵極絕緣層，iv)形成在柵極絕緣層上并在有源層的溝道區(qū)上方的柵電極以及v)形成在柵極絕緣層和柵電極上的第一層間絕緣膜。該設(shè)備可進一步包括1)通過接觸孔分別電連接至有源層的源區(qū)和漏區(qū)的源電極和漏電極，其中接觸孔形成在第一層間絕緣膜和柵極絕緣層中，2)僅插入i)第一層間絕緣膜與ii)源電極和漏電極之間的第二層間絕緣膜，3)形成在第一層間絕緣膜以及源電極和漏電極上的平坦層以及4)通過形成在平坦層中的通孔電連接至源電極或漏電極的像素電極。
文檔編號H01L27/12GK102142427SQ20101058832
公開日2011年8月3日 申請日期2010年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月1日
發(fā)明者姜鎮(zhèn)熙, 樸鐘賢, 樸鮮, 李律圭, 柳春其 申請人:三星移動顯示器株式會社