專利名稱：液晶顯示器及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器，更具體地，涉及一種液晶顯示器及其制造方法。
背景技術：
直至近期前，顯示器通常利用陰極射線管(CRT)。當前，對用于替代CRT的諸如液 晶顯示器(LCD)、等離子體顯示面板(PDP)、場發(fā)射顯示器和電發(fā)光顯示器(ELD)的多種類 型平板顯示器的開發(fā)進行了大量的嘗試和研究。在這些平板顯示器中，IXD具有如分辨率 高、重量輕、外形薄、體積小和電源電壓需求低的多種優(yōu)點。一般地，LCD包括彼此分離且相對的兩個基板，液晶材料插入在兩個基板之間。所 述兩個基板包括彼此相對的電極，使施加至電極的電壓引發(fā)跨越液晶材料的電場。液晶材 料中的液晶分子的取向依據(jù)引發(fā)的電場的強度變化為引發(fā)的電場的方向，從而改變LCD的 透光率。因此，IXD通過改變引發(fā)的電場的強度來顯示圖像。圖1是表示根據(jù)現(xiàn)有技術的IXD的透視圖。參見圖1，IXD包括陣列基板10、濾色器基板20和在陣列基板10與濾色器基板20 之間的液晶層30。陣列基板10包括在第一基板12上彼此交叉以限定像素區(qū)P的柵線14和數(shù)據(jù)線 16。薄膜晶體管Tr形成在柵線14和數(shù)據(jù)線16的交叉部分。像素區(qū)P中的像素電極18與 薄膜晶體管連接。濾色器基板20包括在第二基板22上且與柵線14和數(shù)據(jù)線16對應的黑矩陣25 以及濾色器層26。濾色器層沈對應于像素區(qū)P。濾色器層包括與各個像素區(qū)P對應的紅 (R)、綠(G)和藍⑶濾色器圖案^a、26b和^c。公共電極28形成在黑矩陣25和濾色器 層26上。盡管沒有在附圖中顯示，但沿著陣列基板10和濾色器基板20的外圍部分形成密 封劑以粘合陣列基板10和濾色器基板20。用于對液晶層30的液晶分子進行取向的取向層 分別形成于陣列基板和濾色器基板處。偏振板分別形成在陣列基板10和濾色器基板20的 外表面上。背光單元在陣列基板10的下方以提供光。當給柵線14提供柵信號時，薄膜晶體管Tr導通并且數(shù)據(jù)信號通過數(shù)據(jù)線16被提 供至像素電極18。因此，在像素電極18和公共電極觀之間引發(fā)電場，并由IXD來顯示圖像。近期，LCD被應用于多種電子設備中，例如電視(TV)、投影儀、移動站、個人數(shù)字助 理(PDA)等等，通過用戶在顯示屏幕上的觸摸，這些設備進行特定的操作。為了實現(xiàn)觸摸功能，需要LCD進一步包括其它的元件，如感應觸摸的觸摸區(qū)塊和 與觸摸區(qū)塊連接的感應線。低電阻金屬的感應線形成在與形成柵線和數(shù)據(jù)線的層不同的層中。由于感應線應當給位于LCD的非顯示區(qū)的χ和y感應電路傳送觸摸式傳感器感應到的 觸摸發(fā)生的位置的信息，于是形成沿著χ和y方向的感應線。這種情況中，由于χ和y方向 的感應線都形成在相同的層，χ方向的χ感應線和y方向的y感應線必定會交叉并且彼此之 間會發(fā)生短路。應當防止χ感應線和y感應線之間的此類短路。尤其是，應當防止在觸摸 區(qū)塊中χ感應線和y感應線之間的短路。為此，使用輔助線作為χ感應線的繞行路徑。換 言之，輔助線形成在與柵線相同的層中且由與柵線相同的材料形成，并且與χ感應線相連， 因而防止了 χ感應線和ι感應線之間的短路。觸摸區(qū)塊感應在用戶用手指觸摸顯示屏幕時發(fā)生的電容的微小變化，將電容的變 化轉換為例如電流的信號，并將該信號通過各條感應線傳送至X感應電路和y感應電路。因 此，微小的電流在感應線上流動。對于通過感應線到達χ感應電路和y感應電路的電流，該 感應線應具有每單位面積的低電阻。作為感應線的一部分的輔助線也應具有低電阻，為此，應增大輔助線的寬度或厚 度。然而，若輔助線的寬度增大，則導致LCD的孔徑比減小。此外，若輔助線的厚度增大，則 導致在與形成輔助線的工序相同的工序中形成的柵線的厚度增大，并且在形成輔助線和柵 線的刻蝕工序中，出現(xiàn)陣列基板的中心部分和邊緣部分之間的刻蝕率的差異，從而造成柵 線圖案的非均勻。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種基本避免了由于現(xiàn)有技術的限制和不足造成的一個或多個 問題的液晶顯示器及其制造方法。本發(fā)明的益處在于提供一種可以獲得低電阻而不增大感應線的寬度或厚度的液 晶顯示器及其制造方法。本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的描述中列出，這些特征和優(yōu)點部分地可從描 述中明顯了解或可以從本發(fā)明的實施中獲知?？赏ㄟ^說明書文字部分和權利要求以及附圖 中特別指出的結構理解和獲得本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點。為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明的目的，如此處具體和廣義描述的，一種 液晶顯示器包括具有用于顯示圖像的顯示區(qū)的基板，所述顯示區(qū)包括多個觸摸區(qū)塊，每個 所述觸摸區(qū)塊包括多個像素區(qū)；在所述基板上彼此交叉以限定所述像素區(qū)的柵線和數(shù)據(jù) 線；在每個所述像素區(qū)內(nèi)且與限定該個像素區(qū)的柵線和數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管；在所述 薄膜晶體管下方的遮擋圖案，在所述薄膜晶體管和所述遮擋圖案之間設置有第一絕緣層； 與所述遮擋圖案連接且位于所述柵線下方的第一輔助線，在所述第一輔助線和所述柵線之 間設置有所述第一絕緣層；在每個所述觸摸區(qū)塊內(nèi)且位于與所述柵線相同的層中、由與所 述柵線相同的材料制成以及與所述柵線平行的第二輔助線；接觸所述第一輔助線和第二輔 助線的第一連接圖案；在所述薄膜晶體管和第一連接圖案上的第一鈍化層；在每個所述觸 摸區(qū)塊內(nèi)且在所述第一鈍化層上的公共電極；在所述公共電極上且分別與所述柵線和數(shù)據(jù) 線重疊的χ感應線和y感應線；在所述χ感應線和y感應線上的第二鈍化層，所述第二鈍化 層包括暴露所述薄膜晶體管的漏電極的漏接觸孔、暴露所述第一連接圖案的第一接觸孔和 暴露所述χ感應線的第二接觸孔；在每個所述像素區(qū)內(nèi)的像素電極，所述像素電極通過所 述漏接觸孔與所述漏電極連接且包括多個開口 ；以及與所述像素電極隔開且分別通過所述第一接觸孔和第二接觸孔接觸所述第一連接圖案和所述X感應線的第二連接圖案。另一方面，一種制造液晶顯示器的方法包括在具有用于顯示圖像的顯示區(qū)的基 板上形成第一輔助線和遮擋圖案，其中所述顯示區(qū)包括多個觸摸區(qū)塊，其中每個所述觸摸 區(qū)塊包括多個像素區(qū)，其中所述遮擋圖案形成在每個所述像素區(qū)內(nèi)；在所述第一輔助線和 所述遮擋圖案上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成柵線和第二輔助線，其中所述 柵線與所述第一輔助線重疊，其中所述第二輔助線形成在每個所述觸摸區(qū)塊內(nèi)并與所述柵 線隔開；在所述柵線和所述第二輔助線上形成絕緣夾層；在所述絕緣夾層上形成數(shù)據(jù)線和 第一連接圖案，其中所述數(shù)據(jù)線與所述柵線交叉以限定每個所述像素區(qū)，其中所述第一連 接圖案接觸所述第一輔助線和第二輔助線；在每個所述像素區(qū)內(nèi)形成與所述柵線和數(shù)據(jù)線 連接的薄膜晶體管；在所述薄膜晶體管和第一連接圖案上形成第一鈍化層；在每個所述觸 摸區(qū)塊內(nèi)和所述第一鈍化層上形成公共電極；在所述公共電極上形成分別與所述柵線和數(shù) 據(jù)線重疊的X感應線和y感應線；在所述X感應線和y感應線上形成第二鈍化層，其中所述 第二鈍化層包括暴露所述薄膜晶體管的漏電極的漏接觸孔、暴露所述第一連接圖案的第一 接觸孔和暴露所述χ感應線的第二接觸孔；以及在所述第二鈍化層上形成第二連接圖案和 形成在每個所述像素區(qū)內(nèi)的像素電極，其中所述像素電極通過所述漏接觸孔與所述漏電極 連接并包括多個開口，其中所述第二連接圖案與所述像素電極隔開并分別通過所述第一接 觸孔和第二接觸孔接觸所述第一連接圖案和χ感應線。應理解前述一般性描述和下文的具體描述都是示例性和解釋性的，意在提供如權 利要求所保護的本發(fā)明的進一步解釋。


所包含的用于提供對發(fā)明的進一步的理解并引入組成說明書的一部分的附 解了本發(fā)明的實施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1是表示根據(jù)現(xiàn)有技術的IXD的透視圖。圖2是表示根據(jù)本發(fā)明實施例的LCD陣列基板的部分顯示區(qū)的平面圖。圖3是表示根據(jù)本發(fā)明實施例的LCD陣列基板的觸摸區(qū)塊的平面圖。圖4是表示根據(jù)本發(fā)明實施例的LCD陣列基板的像素區(qū)的平面圖。圖5是表示根據(jù)本發(fā)明實施例的LCD陣列基板中的χ感應線和第一及第二輔助線 之間的連接的平面圖。本實施例的LCD可以稱為單元內(nèi)觸摸式傳感器型LCD。圖6是沿圖4中的VI-VI線截取的截面圖。圖7是沿圖5中的線VII-VII截取的截面圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將具體參考本發(fā)明闡明的實施例，附圖中圖解了這些實施例。圖2是表示根據(jù)本發(fā)明實施例的LCD陣列基板的部分顯示區(qū)的平面圖，圖3是表 示根據(jù)本發(fā)明實施例的LCD陣列基板的觸摸區(qū)塊的平面圖，圖4是表示根據(jù)本發(fā)明實施例 的LCD陣列基板的像素區(qū)的平面圖，圖5是表示根據(jù)本發(fā)明實施例的LCD陣列基板中的χ 感應線和第一、第二輔助線之間的連接的平面圖。本實施例的LCD可以稱為單元內(nèi)觸摸式傳感器型(touch sensorin-cell type)LCD。參見圖2至圖5，陣列基板包括沿如χ方向的第一方向的柵線119和沿如y方向的 第二方向的數(shù)據(jù)線130。柵線119和數(shù)據(jù)線130彼此交叉以限定像素區(qū)P。在像素區(qū)P中，形成與柵線119和數(shù)據(jù)線130連接的薄膜晶體管Tr。遮擋圖案103 形成在薄膜晶體管Tr下方，用于防止從背光單元(未示出)發(fā)出的光入射到薄膜晶體管Tr 的半導體層113。感應線xsl和ysl分別與柵線119和數(shù)據(jù)線130重疊。具體而言，χ感應線xsl沿 χ方向延伸并與柵線119重疊，y感應線ysl沿y方向延伸并與數(shù)據(jù)線130重疊。在像素區(qū)P內(nèi)形成像素電極160，像素電極160包括可具有條形形狀的多個開口
Op0觸摸區(qū)塊TB可以限定為與多個像素區(qū)P對應的觸摸式傳感器單元。作為顯示圖 像的有效區(qū)的顯示區(qū)包括多個觸摸區(qū)塊TB。非顯示區(qū)包圍顯示區(qū)。每個觸摸區(qū)塊TB可以劃分為三個區(qū)域Al至A3。例如，可沿著柵線119的延伸方 向(即，X方向)順序地設置第一至第三區(qū)域Al至A3。每個觸摸區(qū)塊TB的第二區(qū)域A2可以沿著y方向通過y感應線ysl與相鄰的觸摸 區(qū)塊TB連接。換言之，觸摸區(qū)塊TB的第二區(qū)域A2可以沿著y方向與相鄰觸摸區(qū)塊TB的 第二區(qū)域A2連接。每個觸摸區(qū)塊TB的第一區(qū)域Al可以通過χ感應線xsl與位于左側的相鄰觸摸區(qū) 塊TB連接，每個觸摸區(qū)塊TB的第三區(qū)域A3可以通過χ感應線xsl與位于右側的相鄰觸摸 區(qū)塊TB連接。換言之，觸摸區(qū)塊TB的第一區(qū)域Al可以與相鄰觸摸區(qū)塊TB的第三區(qū)域A3 連接，觸摸區(qū)塊TB的第三區(qū)域A3可以與相鄰觸摸區(qū)塊TB的第一區(qū)域Al連接。在每個觸摸區(qū)塊TB中，χ感應線xsl可以在第一區(qū)域Al和第二區(qū)域A2之間的邊 界部分以及第二區(qū)域A2和第三區(qū)域A3之間的邊界部分被斷開。盡管χ感應線xsl是斷開的，然而χ感應線xsl在各個觸摸區(qū)塊TB內(nèi)電連接。具體來說，與第一區(qū)域Al和第三區(qū)域A3對應的部分χ感應線xsl通過第二輔助 線L2彼此連接。第二輔助線L2可形成在與柵線119相同的層中和由與柵線119相同的材 料形成，并且平行于柵線119。第二輔助線L2可以形成在各個觸摸區(qū)塊TB中。例如，第二 輔助線L2越過第二區(qū)域A2并延伸到第一區(qū)域Al和第三區(qū)域A3內(nèi)。第二輔助線L2可通 過形成在第二輔助線L2和χ感應線xsl之間的至少一層絕緣層中的接觸孔與位于第一區(qū) 域Al和第三區(qū)域A3的部分χ感應線xsl的一端連接。通過上述構造，可以防止χ感應線 xsl與y感應線ysl在第二區(qū)域A2中短路。另外，第二輔助線L2可以與第一輔助線Ll相連。第一輔助線Ll可在整個顯示區(qū) 中沿著柵線119的延伸方向自遮擋圖案103延伸出并與柵線119重疊。第一輔助線Ll可 通過形成在第一輔助線Ll和第二輔助線L2之間的至少一層絕緣層中的接觸孔與第二輔助 線L2連接。例如，第一接觸孔127和第二接觸孔1 在第一區(qū)域Al和第三區(qū)域A3的每個中 分別暴露第一輔助線Ll和第二輔助線L2，第一連接圖案138分別通過第一接觸孔127和第 二接觸孔1 接觸第一輔助線Ll和第二輔助線L2。因此，第一輔助線Ll和第二輔助線L2 相連。第一連接圖案138可形成在與數(shù)據(jù)線130相同的層中且由與數(shù)據(jù)線130相同的材料形成。由于第一輔助線Ll和第二輔助線L2是電連接的，于是第一輔助線Ll起到從第二 輔助線L2延伸出的另一輔助線的作用。換言之，第一輔助線Ll和第二輔助線L2起到雙層 輔助線的作用。此構造實現(xiàn)了電荷流過的截面積的增加，并且此構造因而實現(xiàn)了每單位面 積電阻的減小。因此，此構造與更厚地形成第二輔助線L2的構造具有類似的效果。從而，盡 管通過在第一區(qū)域Al和第二區(qū)域A2之間的邊界部分以及第二區(qū)域A2和第三區(qū)域A3之間 的邊界部分兩者將第二輔助線L2與χ感應線xsl相連，從而實現(xiàn)χ感應線xsl的電連接， 但由于使用了第一輔助線Li，本實施例的傳送感應信號的信號線可以具有小于現(xiàn)有技術的 電阻。y感應線ysl可沿著y方向在相鄰觸摸區(qū)塊TB的第一區(qū)域Al之間和沿著y方向 在相鄰觸摸區(qū)塊TB的第三區(qū)域A3之間被斷開。盡管附圖中沒有顯示，然而可在非顯示區(qū)內(nèi)或陣列基板外部設置χ感應電路和y 感應電路。X感應電路與X感應線XSl的一端連接，y感應電路與y感應線ysl的一端連接。 當全部觸摸區(qū)塊TB之中的一個被觸摸時，彼此重疊且在兩者之間設有第三鈍化層155(見 以下描述)的部分像素電極160和公共電極150(見以下描述)形成的存儲電容器的電容 發(fā)生變化，這種變化通過χ感應線xsl和y感應線ysl被傳送到χ感應電路和y感應電路。 由此就能夠識別出觸摸位置。下面將參考圖6和圖7更具體地進一步解釋實施例的IXD結構。圖6是沿圖4中的VI-VI線截取的截面圖，圖7是沿圖5中的線VII-VII截取的 截面圖。在圖6和圖7中，在像素區(qū)P中限定了形成有薄膜晶體管Tr的開關區(qū)TrA。參見圖6和圖7，遮擋圖案103形成在基板101上。遮擋圖案103可由具有相對高 的熔化溫度的金屬材料制成，例如鉬(Mo)。第一輔助線Ll形成在與遮擋圖案103相同的層 中并由與遮擋圖案103相同的材料形成。按照令第一輔助線Ll沿著柵線119的延伸方向 與柵線119重疊的方式構造第一輔助線Li。延伸部分LlE從第一輔助線突出到像素區(qū)內(nèi)， 以對應于第一接觸孔127。通過延伸部分L1E，第一輔助線Ll與第二輔助線L2連接。更具 體地說，第一接觸孔127形成在形成有柵線119的區(qū)域的外部并暴露延伸部分L1E，通過延 伸部分LlE和第一接觸孔127及第二接觸孔128，第一輔助線Ll和第二輔助線L2相連。第一絕緣層105形成在具有第一輔助線Ll和遮擋圖案103的基板101上。第一 絕緣層105可由包括氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)的無機絕緣材料制成，但并不限制于 此。半導體層113形成在開關區(qū)TrA內(nèi)的第一絕緣層105上。半導體層113可由多晶 硅制成。半導體層113包括第一半導體區(qū)113a和在第一半導體區(qū)113a兩側的第二半導體 區(qū)11北。第一半導體區(qū)113a可由本征多晶硅制成并用作半導體層113的溝道。第二半導 體區(qū)11 可由η+或ρ+離子摻雜的非本征多晶硅制成。柵絕緣層116形成在具有半導體層113的基板101上。柵電極120形成在對應于第一半導體區(qū)113a的柵絕緣層116上。此外，與柵電極 120連接的柵線119形成在柵絕緣層116上并沿著χ方向延伸。柵線119與第一輔助線Ll重疊。第二輔助線L2形成在每個觸摸區(qū)塊TB中的柵絕緣層116上。第二輔助線L2與柵線119隔開且與之平行。第二輔助線L2與第一輔助線Ll的延伸部分LlE隔開。絕緣夾層123形成在具有柵電極120、柵線119和第二輔助線L2的基板101上。 絕緣夾層123可由包括氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)的無機絕緣材料制成，但并不限制 于此。絕緣夾層123和柵絕緣層116包括暴露第二半導體區(qū)11 的半導體接觸孔125。 絕緣夾層123、柵絕緣層116和第一絕緣層102包括暴露延伸部分LlE的第一接觸孔127。 絕緣夾層123包括暴露第二輔助線L2的兩端部分的每一個的第二接觸孔128。數(shù)據(jù)線130和源電極133及漏電極136形成在絕緣夾層123上。源電極133與數(shù) 據(jù)線130連接并與漏電極136隔開。在開關區(qū)TrA中的半導體層113、柵絕緣層116、柵電極120、絕緣夾層123和源電 極133及漏電極136形成薄膜晶體管Tr。第一連接圖案138形成在絕緣夾層123上。第一連接圖案138通過第一接觸孔 127接觸延伸部分LlE以及通過第二接觸孔1 接觸第二輔助線L2。因此，第一輔助線Ll 和第二輔助線L2是電連接的。第一鈍化層140形成在具有第一連接圖案138的基板101上。第一鈍化層140可 由包括氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)的無機絕緣材料制成，但并不限制于此。第二鈍化層145形成在第一鈍化層140上。第二鈍化層145可由包括苯并環(huán)丁烯 (BCB)和光學亞克力的有機絕緣材料制成，但并不限制于此。第二鈍化層145可具有約2微 米至約4微米的厚度，以使具有第二鈍化層145的基板101具有基本平坦的表面。第一鈍化層140可起到改善如數(shù)據(jù)線130、源電極133、漏電極136和第一連接圖 案138的金屬材料與如第二鈍化層145的有機絕緣材料之間的粘結性的作用。換言之，由 于金屬材料粘結到有機絕緣材料好于粘結到無機絕緣材料，因此在第二鈍化層145與數(shù)據(jù) 線130、源電極133、漏電極136和第一連接圖案138之間形成第一鈍化層140。然而，應理 解可以省去第一鈍化層140。公共電極150形成在各個觸摸區(qū)塊TB中的第二鈍化層145上。換言之，相鄰觸摸 區(qū)塊TB的公共電極150彼此隔開。另外，公共電極150可形成在每個觸摸區(qū)塊TB的第一區(qū) 域Al至第三區(qū)域A3中的每一區(qū)域內(nèi)。換言之，第一區(qū)域Al至第三區(qū)域A3的公共電極150 彼此隔開。公共電極150可由包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)和氧化銦錫鋅(ITZO) 的透明導電材料制成，但并不限制于此。χ感應線xsl和y感應線ysl形成在公共電極150上。在第一區(qū)域Al至第三區(qū)域 A3的每一區(qū)域內(nèi)，χ感應線和y感應線彼此交叉。然而，如上所述，在每個觸摸區(qū)塊TB中， χ感應線xsl可以在第一區(qū)域Al和第二區(qū)域A2之間的邊界部分以及第二區(qū)域A2和第三區(qū) 域A3之間的邊界部分被斷開，與第一區(qū)域Al和第三區(qū)域A3對應的部分χ感應線xsl通過 第二輔助線L2彼此連接，并且每個觸摸區(qū)塊TB的第二區(qū)域A2沿著y方向與相鄰觸摸區(qū)塊 TB的第二區(qū)域A2連接。因此，不再存在χ感應線xsl與y感應線ysl在第二區(qū)域A2中短 路的問題。第三鈍化層155形成在具有χ感應線xsl和y感應線ysl的基板101上。第三鈍 化層155可由包括氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)的無機絕緣材料制成，但并不限制于此。第一至第三鈍化層140、145和155包括暴露漏電極136的漏接觸孔157和暴露第一連接圖案138的第三接觸孔158。第三接觸孔158可對應于第二接觸孔128。第三鈍化 層155包括暴露第一區(qū)域Al和第三區(qū)域A3中的χ感應線xsl的第四接觸孔159。像素電極160形成在每個像素區(qū)P內(nèi)并通過漏接觸孔157接觸漏電極136。像素 電極160包括開口 op，以在像素電極160和公共電極150之間引發(fā)邊緣電場。像素電極160 可由包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)和氧化銦錫鋅(ITZO)的透明導電材料制成，但并 不限制于此。第二連接圖案163形成在第三鈍化層155上。第二連接圖案163形成在與像素電 極160相同層中且由與像素電極160相同的材料形成。第二連接圖案163通過第三接觸孔 158接觸第一連接圖案138，且通過第四接觸孔159接觸χ感應線xsl。彼此重疊且在兩者之間設有第三鈍化層155的部分像素電極160和公共電極150 形成存儲電容器。下面參考圖3至圖7解釋本實施例的制造IXD的方法。在基板101上形成第一金屬層，并在掩模工藝中圖案化該第一金屬層以形成遮擋 圖案103和第一輔助線Li。用于第一金屬層的金屬可以是具有優(yōu)異遮光性和相對高的熔化 溫度的金屬，例如鉬(Mo)。掩模工藝可包括在第一金屬層上形成光刻膠層，利用光掩模將光 刻膠層暴露于光，顯影光刻膠層，利用顯影的光刻膠層刻蝕第一金屬層，剝離光刻膠層，等 等。第一輔助線Ll包括延伸部分LIE。接下來，在具有第一輔助線Ll和遮擋圖案103的基板101上形成第一絕緣層105。接下來，在第一絕緣層105上形成非晶硅層。對非晶硅層進行激光照射或熱處理 以形成多晶硅層。在掩模工藝中圖案化該多晶硅層以形成開關區(qū)TrA中的半導體層113。接下來，在具有半導體層113的基板101上形成柵絕緣層116。接下來，在柵絕緣層116上形成第二金屬層，并圖案化該第二金屬層以形成柵電 極120、柵線119和第二輔助線L2。用于第二金屬層的金屬可以包括鋁(Al)、鋁合金(例 如，AlNd)J|f (Cu)、銅合金、鉻(Cr)，但并不限制于此。接下來，利用柵電極120作為離子阻擋掩模對半導體層113進行離子摻雜處理。 通過離子摻雜處理，形成摻雜有離子的第二區(qū)域113b，第一區(qū)域113a被阻擋而未被離子摻 雜。因此，第一區(qū)域113a由本征多晶硅形成，第二區(qū)域11 由非本征多晶硅形成。接下來，在具有柵電極120、柵線119和第二輔助線L2的基板101上形成絕緣夾層 123。接下來，圖案化絕緣夾層123、柵絕緣層116和第一絕緣層105以形成暴露第二半 導體區(qū)11 的半導體接觸孔125、暴露延伸部分LlE的第一接觸孔127和暴露第二輔助線 L2的第二接觸孔128。接下來，在絕緣夾層123上形成第三金屬層，并圖案化該第三金屬層以形成源電 極133及漏電極136、柵線130和第一連接圖案138。用于第三金屬層的金屬可以包括鋁 (Al)、鋁合金(例如，AlNcOJ^ (Cu)、銅合金、鉻(Cr)和鉬(Mo)，但并不限制于此。接下來，在具有源電極133及漏電極136、數(shù)據(jù)線130和第一連接圖案138的基板 101上順序形成第一鈍化層140和第二鈍化層145。接下來，在第二鈍化層145上形成透明導電材料，并圖案化該透明導電材料以形 成公共電極150。公共電極150可具有與漏接觸孔157和隨后形成的第三接觸孔158對應的孔，公共電極150的這些孔可具有比對應的漏接觸孔157和第三接觸孔158大的平面面 積。此構造可以防止公共電極150通過漏接觸孔157與漏電極136和像素電極160短路， 并防止公共電極150通過第三接觸孔158與第一連接圖案138和第二連接圖案163短路。接下來，在具有公共電極150的基板101上形成第四金屬層，并圖案化該第四金屬 層以形成X感應線XSl和y感應線ysl。接下來，在具有χ感應線xsl和y感應線ysl的基板101上形成第三鈍化層155。圖案化第一至第三鈍化層140、145和155以形成暴露漏電極136的漏接觸孔157、 暴露第一連接圖案138的第三接觸孔158和暴露在第一區(qū)域Al和第三區(qū)域A3中的χ感應 線xsl的第四接觸孔159。接下來，在第三鈍化層155上形成透明導電材料層，并圖案化該透明導電材料層 以形成像素電極160和第二連接圖案163。通過上述工藝，可以制造本實施例的IXD的陣列基板。陣列基板與相對的如濾色器基板的基板結合，在兩個基板之間設置液晶層。此外， 可進行將X感應電路連接至X感應線XSl和將y感應電路連接至y感應線ysl的處理。從 而，可制造本實施例的IXD。當用戶觸摸IXD的屏幕時，公共電極150和像素電極160之間的電容發(fā)生變化，電 容的變化被轉化為電壓或電流形式的信號并通過X感應線XSl和y感應線ysl傳送至χ感 應電路和y感應電路。從而，可識別到該觸摸位置，并執(zhí)行與該觸摸相關的操作。在上述實施例中，χ感應線的電連接是通過第二輔助線實現(xiàn)的，第二輔助線與第一 輔助線連接。第一輔助線Ll和第二輔助線L2起到雙層輔助線的作用。此構造實現(xiàn)了電荷 流過的截面面積的增大，并且此構造因而實現(xiàn)了每單位面積的電阻減小。因此，傳送感應信 號的信號線可以具有比現(xiàn)有技術小的電阻。另外，由于不需要增加形成在與柵線相同的層中的第二輔助線的厚度，可以避免 現(xiàn)有技術中由于厚度增加導致的柵線圖案的非均勻性。對本領域人員顯而易見的是可對本發(fā)明進行多種變型和更改而不脫離本發(fā)明的 精神或范圍。因此，本發(fā)明意在覆蓋對本發(fā)明的變型和更改，只要它們落入所附權利要求及 其等價物范圍內(nèi)。
權利要求
1.一種液晶顯示器，包括具有用于顯示圖像的顯示區(qū)的基板，所述顯示區(qū)包括多個觸摸區(qū)塊，每個所述觸摸區(qū) 塊包括多個像素區(qū)；在所述基板上彼此交叉以限定所述像素區(qū)的柵線和數(shù)據(jù)線； 在每個所述像素區(qū)內(nèi)且與限定該個像素區(qū)的柵線和數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管； 在所述薄膜晶體管下方的遮擋圖案，在所述薄膜晶體管和所述遮擋圖案之間設置有第 一絕緣層；與所述遮擋圖案連接且位于所述柵線下方的第一輔助線，在所述第一輔助線和所述柵 線之間設置有所述第一絕緣層；在每個所述觸摸區(qū)塊內(nèi)且位于與所述柵線相同的層中、由與所述柵線相同的材料制成 以及與所述柵線平行的第二輔助線；接觸所述第一輔助線和第二輔助線的第一連接圖案； 在所述薄膜晶體管和第一連接圖案上的第一鈍化層； 在每個所述觸摸區(qū)塊內(nèi)且在所述第一鈍化層上的公共電極； 在所述公共電極上且分別與所述柵線和數(shù)據(jù)線重疊的X感應線和y感應線； 在所述χ感應線和y感應線上的第二鈍化層，所述第二鈍化層包括暴露所述薄膜晶體 管的漏電極的漏接觸孔、暴露所述第一連接圖案的第一接觸孔和暴露所述χ感應線的第二 接觸孔；在每個所述像素區(qū)內(nèi)的像素電極，所述像素電極通過所述漏接觸孔與所述漏電極連接 且包括多個開口 ；以及與所述像素電極隔開且分別通過所述第一接觸孔和第二接觸孔接觸所述第一連接圖 案和所述χ感應線的第二連接圖案。
2.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示器，其中每個觸摸區(qū)塊包括沿著所述柵線的延伸方 向通過所述χ感應線與相鄰觸摸區(qū)塊連接的第一區(qū)域和第三區(qū)域以及沿著所述數(shù)據(jù)線的 延伸方向通過所述y感應線與相鄰觸摸區(qū)塊連接的第二區(qū)域，其中在每個所述觸摸區(qū)塊內(nèi) 的公共電極分離地形成在第一至第三區(qū)域的每一區(qū)域中。
3.根據(jù)權利要求2所述的液晶顯示器，其中所述χ感應線在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域 之間以及所述第二區(qū)域和第三區(qū)域之間被斷開，其中所述χ感應線的與所述第一區(qū)域和第 三區(qū)域對應的部分通過所述第二輔助線相連，其中所述X感應線的與所述第一區(qū)域和第三 區(qū)域對應的部分的一端與連接所述第一輔助線和第二輔助線的所述第一連接圖案相連。
4.根據(jù)權利要求3所述的液晶顯示器，其中所述觸摸區(qū)塊沿著所述柵線的延伸方向通 過所述χ感應線電連接，并且其中所述觸摸區(qū)塊沿著所述數(shù)據(jù)線的延伸方向通過所述y感 應線電連接。
5.根據(jù)權利要求4所述的液晶顯示器，還包括 與所述χ感應線的一端連接的χ感應電路；以及 與所述ι感應線的一端連接的y感應電路。
6.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示器，還包括在所述第一鈍化層和所述薄膜晶體管之 間且由無機絕緣材料制成的第三鈍化層，其中所述第一鈍化層由無機絕緣材料制成并具有 基本平坦的表面。
7.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示器，其中所述遮擋圖案和所述第一輔助線由鉬制成。
8.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示器，其中所述第一輔助線包括突出到每個所述像素 區(qū)內(nèi)的延伸部分，其中所述第一絕緣層包括第三接觸孔，所述延伸部分通過所述第三接觸 孔接觸所述第一連接圖案。
9.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示器，其中所述薄膜晶體管包括在所述第一絕緣層上的半導體層，所述半導體層包括由本征多晶硅制成的第一半導體 區(qū)和由非本征多晶硅制成的分別位于所述第一半導體區(qū)兩側的第二半導體區(qū)； 在所述半導體層上的柵絕緣層；在所述柵絕緣層上且對應于所述第一半導體區(qū)的柵電極； 暴露所述第二半導體區(qū)的絕緣夾層；以及 分別接觸所述第二半導體區(qū)的源電極和漏電極。
10.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示器，其中所述公共電極包括分別對應于所述漏接 觸孔和第一接觸孔的孔，其中所述公共電極的這些孔具有分別大于所述漏接觸孔和第一接 觸孔的平面面積。
11.一種制造液晶顯示器的方法，所述方法包括在具有用于顯示圖像的顯示區(qū)的基板上形成第一輔助線和遮擋圖案，其中所述顯示區(qū) 包括多個觸摸區(qū)塊，其中每個所述觸摸區(qū)塊包括多個像素區(qū)，其中所述遮擋圖案形成在每 個所述像素區(qū)內(nèi)；在所述第一輔助線和所述遮擋圖案上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成柵線和第二輔助線，其中所述柵線與所述第一輔助線重疊， 其中所述第二輔助線形成在每個所述觸摸區(qū)塊內(nèi)并與所述柵線隔開； 在所述柵線和所述第二輔助線上形成絕緣夾層；在所述絕緣夾層上形成數(shù)據(jù)線和第一連接圖案，其中所述數(shù)據(jù)線與所述柵線交叉以限 定每個所述像素區(qū)，其中所述第一連接圖案接觸所述第一輔助線和第二輔助線； 在每個所述像素區(qū)內(nèi)形成與所述柵線和數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管； 在所述薄膜晶體管和第一連接圖案上形成第一鈍化層； 在每個所述觸摸區(qū)塊內(nèi)和所述第一鈍化層上形成公共電極； 在所述公共電極上形成分別與所述柵線和數(shù)據(jù)線重疊的X感應線和y感應線； 在所述χ感應線和y感應線上形成第二鈍化層，其中所述第二鈍化層包括暴露所述薄 膜晶體管的漏電極的漏接觸孔、暴露所述第一連接圖案的第一接觸孔和暴露所述χ感應線 的第二接觸孔；以及在所述第二鈍化層上形成第二連接圖案和在每個所述像素區(qū)內(nèi)的像素電極，其中所述 像素電極通過所述漏接觸孔與所述漏電極連接并包括多個開口，其中所述第二連接圖案與 所述像素電極隔開并分別通過所述第一接觸孔和第二接觸孔接觸所述第一連接圖案和χ 感應線。
12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中每個所述觸摸區(qū)塊包括沿著所述柵線的延伸方 向通過所述χ感應線與相鄰觸摸區(qū)塊連接的第一區(qū)域和第三區(qū)域以及沿著所述數(shù)據(jù)線的 延伸方向通過所述y感應線與相鄰觸摸區(qū)塊連接的第二區(qū)域，其中在每個所述觸摸區(qū)塊的公共電極分離地形成在第一至第三區(qū)域的每一區(qū)域中。
13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中所述χ感應線在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域之間 以及所述第二區(qū)域和第三區(qū)域之間被斷開，其中所述χ感應線的與所述第一區(qū)域和第三區(qū) 域對應的部分通過所述第二輔助線相連，其中所述χ感應線的與所述第一區(qū)域和第三區(qū)域 對應的部分的一端與連接所述第一輔助線和第二輔助線的所述第一連接圖案相連。
14.根據(jù)權利要求13所述的方法，其中所述觸摸區(qū)塊沿著所述柵線的延伸方向通過所 述χ感應線電連接，并且其中所述觸摸區(qū)塊沿著所述柵線的延伸方向通過所述y感應線電 連接。
15.根據(jù)權利要求14所述的方法，還包括連接χ感應電路至所述χ感應線的一端；以及連接y感應電路至所述y感應線的一端。
16.根據(jù)權利要求11所述的方法，還包括在所述第一鈍化層和所述薄膜晶體管之間形 成由無機絕緣材料制成的第三鈍化層，其中所述第一鈍化層由無機絕緣材料制成并具有基 本平坦的表面。
17.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中所述第一輔助線包括突出到每個所述像素區(qū)內(nèi) 的延伸部分，其中所述第一絕緣層包括第三接觸孔，所述延伸部分通過所述第三接觸孔接 觸所述第一連接圖案。
18.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中形成所述薄膜晶體管包括在所述第一絕緣層上形成本征非晶硅層；將所述本征非晶硅層結晶為多晶硅層；將所述多晶硅層圖案化為包括第一半導體區(qū)和在所述第一半導體區(qū)兩側的第二半導 體區(qū)的半導體層；在所述半導體層上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成柵電極，所述柵電極連接至所述柵線且對應于所述第一半導體區(qū)；用所述柵電極作為摻雜掩模對所述第二半導體區(qū)進行離子摻雜；在所述半導體層上形成絕緣夾層，所述絕緣夾層包括暴露所述半導體層的所述摻雜的 第二半導體區(qū)的半導體接觸孔；以及在所述絕緣夾層上形成源電極和漏電極，所述源電極和漏電極通過所述半導體接觸孔 接觸所述摻雜的第二半導體區(qū)。
19.根據(jù)權利要求18所述的方法，其中所述絕緣夾層包括分別暴露第一輔助線和第二 輔助線的第三接觸孔和第四接觸孔，所述第一連接圖案分別通過所述第三接觸孔和第四接 觸孔接觸所述第一輔助線和第二輔助線。
20.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中所述公共電極包括分別對應于所述漏接觸孔和 第一接觸孔的孔，其中所述公共電極的這些孔具有分別大于所述漏接觸孔和第一接觸孔的 平面面積。
全文摘要
公開了一種液晶顯示器及其制造方法，該液晶顯示器包括與遮擋圖案連接且位于柵線下方的第一輔助線；在每個觸摸區(qū)塊內(nèi)且位于與柵線相同的層中、由與柵線相同的材料制成的第二輔助線；接觸所述第一輔助線和第二輔助線的第一連接圖案；在每個觸摸區(qū)塊內(nèi)的公共電極；在公共電極上且分別與柵線和數(shù)據(jù)線重疊的x感應線和y感應線；在每個像素區(qū)內(nèi)的像素電極，所述像素電極通過漏接觸孔與漏電極連接且包括多個開口；以及分別通過第一接觸孔和第二接觸孔接觸所述第一連接圖案和所述x感應線的第二連接圖案。
文檔編號H01L21/77GK102109722SQ201010576379
公開日2011年6月29日 申請日期2010年12月2日 優(yōu)先權日2009年12月28日
發(fā)明者李錫宇, 申熙善, 黃洸植 申請人:樂金顯示有限公司