專利名稱：晶片級(jí)半導(dǎo)體裝置連接器的制作方法
晶片級(jí)半導(dǎo)體裝置連接器
背景技術(shù)：
可使用各種半導(dǎo)體模制化合物來包封包含晶體管、集成電路(IC)或一個(gè)或一個(gè) 以上其它半導(dǎo)體裝置在內(nèi)的半導(dǎo)體裸片，且提供一個(gè)或一個(gè)以上用于將半導(dǎo)體裝置耦合到 電路板的端子或一個(gè)或一個(gè)以上經(jīng)配置以接納半導(dǎo)體裝置的其它材料或裝置。在某些實(shí)例 中，半導(dǎo)體連接器可經(jīng)配置以將半導(dǎo)體裸片的一個(gè)或一個(gè)以上觸點(diǎn)耦合到半導(dǎo)體封裝的一 個(gè)或一個(gè)以上端子。

發(fā)明內(nèi)容
本文檔尤其論述半導(dǎo)體連接器，其包含位于電介質(zhì)的表面上的凹入襯墊區(qū)域中的 導(dǎo)電襯墊，所述電介質(zhì)材料經(jīng)配置以使用激光燒蝕而經(jīng)激活為導(dǎo)電鍍敷沉積。在某些實(shí)例 中，半導(dǎo)體連接器可經(jīng)配置以將半導(dǎo)體裸片的一個(gè)或一個(gè)以上觸點(diǎn)耦合到引線框的一個(gè)或 一個(gè)以上端子(例如，半導(dǎo)體封裝的一個(gè)或一個(gè)以上端子)。在實(shí)例1中，半導(dǎo)體連接器包含電介質(zhì)，其具有第一電介質(zhì)表面和與所述第一電 介質(zhì)表面相對的第二電介質(zhì)表面，所述電介質(zhì)經(jīng)配置以使用激光燒蝕被激活為銅(Cu)鍍 敷沉積；具有第一形狀的第一襯墊，其位于所述第一電介質(zhì)表面中的第一凹入襯墊區(qū)域中， 所述第一襯墊經(jīng)配置以將半導(dǎo)體裸片的第一觸點(diǎn)耦合到引線框的第一端子；具有第二形狀 的第二襯墊，其位于所述第一電介質(zhì)表面中的第二凹入襯墊區(qū)域中，所述第二形狀不同于 所述第一形狀，且所述第二襯墊經(jīng)配置以將半導(dǎo)體裸片的第二觸點(diǎn)耦合到引線框的第二端 子；位于所述第二電介質(zhì)表面中的凹入視覺標(biāo)記區(qū)域中的視覺標(biāo)記，其中所述第一和第二 凹入襯墊區(qū)域包含使用所述第一電介質(zhì)表面的激光燒蝕產(chǎn)生的第一和第二凹入，且其中所 述凹入視覺標(biāo)記區(qū)域包含使用所述第二電介質(zhì)表面的激光燒蝕產(chǎn)生的凹入，且其中柵極襯 墊、源極襯墊和視覺標(biāo)記包含激光激活的Cu鍍敷沉積。在實(shí)例2中，實(shí)例1的視覺標(biāo)記任選地經(jīng)配置以提供半導(dǎo)體連接器位置信息。在實(shí)例3中，實(shí)例1到2中任一者或一者以上的視覺標(biāo)記任選地包含單獨(dú)的第一 和第二視覺標(biāo)記，其經(jīng)配置以提供半導(dǎo)體連接器位置信息。在實(shí)例4中，實(shí)例1到3中任一者或一者以上的第一導(dǎo)電襯墊任選地包含源極襯 墊，其經(jīng)配置以耦合到所述半導(dǎo)體裸片的源極觸點(diǎn)和所述引線框的源極端子，且實(shí)例1到2 中任一者或一者以上的第二導(dǎo)電襯墊任選地包含柵極襯墊，其經(jīng)配置以耦合到所述半導(dǎo)體 裸片的柵極觸點(diǎn)和所述引線框的柵極端子。在實(shí)例5中，實(shí)例1到4中任一者或一者以上的半導(dǎo)體連接器任選地包含晶片級(jí) 半導(dǎo)體連接器，且其中所述晶片級(jí)半導(dǎo)體連接器是單個(gè)晶片上的多個(gè)晶片級(jí)半導(dǎo)體連接器 中的一者，且實(shí)例1到4中任一者或一者以上的晶片級(jí)半導(dǎo)體連接器中的每一者任選地包 含視覺標(biāo)記，其經(jīng)配置以相對于位于所述單個(gè)晶片上的所述多個(gè)晶片級(jí)連接器提供用于所 述晶片級(jí)半導(dǎo)體連接器的邊界。在實(shí)例6中，實(shí)例1到5中任一者或一者以上的半導(dǎo)體連接器任選地包含電介 質(zhì)，其具有第一電介質(zhì)表面和與所述第一電介質(zhì)表面相對的第二電介質(zhì)表面，所述電介質(zhì)經(jīng)配置以使用激光燒蝕被激活為導(dǎo)電鍍敷沉積；以及位于所述第一電介質(zhì)表面中的凹入襯 墊區(qū)域中的導(dǎo)電襯墊，所述導(dǎo)電襯墊經(jīng)配置以將半導(dǎo)體裸片的至少一個(gè)觸點(diǎn)耦合到引線框 的至少一個(gè)端子。在實(shí)例7中，實(shí)例1到6中任一者或一者以上的凹入襯墊區(qū)域任選地包含使用所 述第一電介質(zhì)表面的激光燒蝕產(chǎn)生的凹入，且實(shí)例1到6中任一者或一者以上的導(dǎo)電襯墊 任選地包含在所述凹入襯墊區(qū)域中的由激光激活的導(dǎo)電鍍敷沉積。在實(shí)例8中，實(shí)例1到7中任一者或一者以上的電介質(zhì)任選地包含聚合物，經(jīng)配置 以使用激光燒蝕被激活為銅(Cu)鍍敷沉積，且實(shí)例1到7中任一者或一者以上的導(dǎo)電襯墊 任選地包含由激光激活的Cu鍍敷沉積。在實(shí)例9中，實(shí)例1到8中任一者或一者以上的半導(dǎo)體連接器任選地包含位于所 述第二電介質(zhì)表面中的凹入視覺標(biāo)記區(qū)域中的視覺標(biāo)記，其中所述視覺標(biāo)記包含在所述凹 入視覺標(biāo)記區(qū)域中的由激光激活的導(dǎo)電鍍敷沉積。在實(shí)例10中，實(shí)例1到9中任一者或一者以上的電介質(zhì)任選地包含聚合物，其經(jīng) 配置以使用激光燒蝕被激活為銅(Cu)鍍敷沉積，且實(shí)例1到9中任一者或一者以上的視覺 標(biāo)記包含由激光激活的Cu鍍敷沉積。在實(shí)例11中，實(shí)例1到10中任一者或一者以上的視覺標(biāo)記任選地包含第一和第 二視覺標(biāo)記，其經(jīng)配置以提供半導(dǎo)體連接器位置信息。在實(shí)例12中，實(shí)例1到11中任一者或一者以上的導(dǎo)電襯墊任選地包含具有第一 形狀的第一導(dǎo)電襯墊，其位于所述第一電介質(zhì)表面中的第一凹入襯墊區(qū)域中；具有第二形 狀的第二導(dǎo)電襯墊，其位于所述第一電介質(zhì)表面中的第二凹入襯墊區(qū)域中，所述第二形狀 不同于所述第一形狀，其中所述第一和第二導(dǎo)電襯墊經(jīng)配置以將半導(dǎo)體裸片的第一和第二 觸點(diǎn)耦合到引線框的相應(yīng)第一和第二端子。在實(shí)例13中，實(shí)例1到12中任一者或一者以上的第一導(dǎo)電襯墊任選地包含源極 襯墊，其經(jīng)配置以耦合到所述半導(dǎo)體裸片的源極觸點(diǎn)和所述引線框的源極端子，且實(shí)例1 到12中任一者或一者以上的第二導(dǎo)電襯墊任選地包含柵極襯墊，其經(jīng)配置以耦合到所述 半導(dǎo)體裸片的柵極觸點(diǎn)和所述引線框的柵極端子。在實(shí)例14中，實(shí)例1到9中任一者或一者以上的電介質(zhì)任選地包含環(huán)氧模塑化合 物(EMC)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、熱塑或交聯(lián)中的至少一者。在實(shí)例15中，實(shí)例1到14中任一者或一者以上的半導(dǎo)體連接器任選地包含晶片 級(jí)半導(dǎo)體連接器，且其中所述晶片級(jí)半導(dǎo)體連接器是單個(gè)晶片上的多個(gè)晶片級(jí)半導(dǎo)體連接 器中的一者，其中晶片級(jí)半導(dǎo)體連接器中的每一者包含視覺標(biāo)記，其經(jīng)配置以相對于位于 所述單個(gè)晶片上的所述多個(gè)晶片級(jí)連接器提供用于所述晶片級(jí)半導(dǎo)體連接器的邊界。在實(shí)例16中，一種系統(tǒng)包含半導(dǎo)體裸片，其具有多個(gè)電觸點(diǎn)；引線框，其具有多 個(gè)端子；以及半導(dǎo)體連接器，其經(jīng)配置將所述半導(dǎo)體裸片的所述多個(gè)電觸點(diǎn)中的至少一者 耦合到所述引線框的所述多個(gè)端子中的至少一者，所述半導(dǎo)體連接器任選地包含電介質(zhì)， 其具有第一電介質(zhì)表面和與所述第一電介質(zhì)表面相對的第二電介質(zhì)表面，所述電介質(zhì)經(jīng)配 置以使用激光燒蝕被激活為導(dǎo)電鍍敷沉積；以及位于所述第一電介質(zhì)表面中的凹入襯墊區(qū) 域中的導(dǎo)電襯墊，所述導(dǎo)電襯墊經(jīng)配置以將半導(dǎo)體裸片的多個(gè)電觸點(diǎn)中的至少一者耦合到 引線框的多個(gè)端子中的所述至少一者。
在實(shí)例17中，實(shí)例1到16中任一者或一者以上的凹入襯墊區(qū)域任選地包含使用 所述第一電介質(zhì)表面的激光燒蝕產(chǎn)生的凹入，且實(shí)例1到16中任一者或一者以上的導(dǎo)電襯 墊任選地包含在所述凹入襯墊區(qū)域中的由激光激活的導(dǎo)電鍍敷沉積。在實(shí)例18中，實(shí)例1到17中任一者或一者以上的系統(tǒng)任選地包含位于所述第二 電介質(zhì)表面中的凹入視覺標(biāo)記區(qū)域中的視覺標(biāo)記，其中所述視覺標(biāo)記任選地包含在所述凹 入視覺標(biāo)記區(qū)域中的由激光激活的導(dǎo)電鍍敷沉積。在實(shí)例19中，實(shí)例1到18中任一者或一者以上的導(dǎo)電襯墊任選地包含具有第一 形狀的第一導(dǎo)電襯墊，其位于所述第一電介質(zhì)表面中的第一凹入襯墊區(qū)域中；具有第二形 狀的第二導(dǎo)電襯墊，其位于所述第一電介質(zhì)表面中的第二凹入襯墊區(qū)域中，所述第二形狀 不同于所述第一形狀，其中所述第一和第二導(dǎo)電襯墊經(jīng)配置以將半導(dǎo)體裸片的第一和第二 觸點(diǎn)耦合到引線框的相應(yīng)第一和第二端子。在實(shí)例20中，實(shí)例1到19中任一者或一者以上的半導(dǎo)體裸片任選地包含源極觸 點(diǎn)和柵極觸點(diǎn)，實(shí)例1到19中任一者或一者以上的引線框任選地包含源極端子和柵極端 子，實(shí)例1到19中任一者或一者以上的第一導(dǎo)電襯墊任選地包含源極襯墊，其經(jīng)配置以耦 合到所述源極觸點(diǎn)和所述源極端子，且實(shí)例1到9中任一者或一者以上的第二導(dǎo)電襯墊任 選地包含柵極襯墊，其經(jīng)配置以耦合到所述柵極觸點(diǎn)和所述柵極端子。在實(shí)例21中，一種形成半導(dǎo)體連接器的方法包含在電介質(zhì)的第一電介質(zhì)表面中 提供第一凹入襯墊區(qū)域，所述電介質(zhì)經(jīng)配置以使用激光燒蝕被激活為銅(Cu)鍍敷沉積；在 第一電介質(zhì)表面中提供第二凹入襯墊區(qū)域，所述第二凹入襯墊區(qū)域不同于所述第一凹入襯 墊區(qū)域；在電介質(zhì)的第二電介質(zhì)表面中提供凹入視覺標(biāo)記；在第一凹入襯墊區(qū)域中形成第 一 Cu襯墊，所述第一 Cu襯墊經(jīng)配置以將半導(dǎo)體裸片的第一觸點(diǎn)耦合到引線框的第一端子； 在第二凹入襯墊區(qū)域中形成第二 Cu襯墊，所述第二 Cu襯墊經(jīng)配置以將半導(dǎo)體裸片的第二 觸點(diǎn)耦合到引線框的第二端子；以及在凹入視覺標(biāo)記區(qū)域中形成Cu視覺標(biāo)記，其中所述提 供第一和第二凹入襯墊區(qū)域包含使用第一電介質(zhì)表面的激光燒蝕，且其中所述提供凹入視 覺標(biāo)記區(qū)域包含使用第二電介質(zhì)表面的激光燒蝕。在實(shí)例22中，實(shí)例1到21中任一者或一者以上的方法任選地包含使用視覺標(biāo)記 提供半導(dǎo)體連接器位置信息。在實(shí)例23中，實(shí)例1到22中任一者或一者以上的形成Cu視覺標(biāo)記任選地包含形 成單獨(dú)的第一和第二視覺標(biāo)記，其經(jīng)配置以提供半導(dǎo)體位置信息。在實(shí)例M中，實(shí)例1到23中任一者或一者以上的提供第一凹入襯墊區(qū)域任選地 包含提供源極襯墊區(qū)域，實(shí)例1到23中任一者或一者以上的形成第一 Cu襯墊任選地包含 形成Cu源極襯墊，其經(jīng)配置以耦合到所述半導(dǎo)體裸片的源極觸點(diǎn)和所述引線框的源極端 子，且實(shí)例1到23中任一者或一者以上的提供第二凹入襯墊區(qū)域任選地包含提供柵極襯墊 區(qū)域，且實(shí)例1到23中任一者或一者以上的形成第二 Cu襯墊任選地包含形成Cu柵極襯墊， 其經(jīng)配置以耦合到所述半導(dǎo)體裸片的柵極觸點(diǎn)和所述引線框的柵極端子。在實(shí)例25中，實(shí)例1到M中任一者或一者以上的方法任選地包含在電介質(zhì)的第 一電介質(zhì)表面中提供凹入襯墊區(qū)域，所述電介質(zhì)經(jīng)配置以使用激光燒蝕被激活為導(dǎo)電鍍敷 沉積；以及在第一電介質(zhì)表面中的凹入襯墊中形成導(dǎo)電襯墊，所述導(dǎo)電襯墊經(jīng)配置以將半 導(dǎo)體裸片的至少一個(gè)觸點(diǎn)耦合到引線框的至少一個(gè)端子。
在實(shí)例沈中，實(shí)例1到25中任一者或一者以上的提供凹入襯墊區(qū)域任選地包含 使用所述第一電介質(zhì)表面的激光燒蝕，且實(shí)例1到25中任一者或一者以上的形成導(dǎo)電襯墊 任選地包含使用由激光激活的導(dǎo)電鍍敷沉積。在實(shí)例27中，實(shí)例1到沈中任一者或一者以上的提供凹入襯墊區(qū)域任選地包含 使用電介質(zhì)的第一電介質(zhì)表面的激光燒蝕，所述電介質(zhì)經(jīng)配置以使用激光燒蝕被激活為銅 (Cu)鍍敷沉積，且且實(shí)例1到沈中任一者或一者以上的形成導(dǎo)電襯墊任選地包含使用由激 光激活的Cu鍍敷沉積。在實(shí)例觀中，實(shí)例1到27中任一者或一者以上的在第一電介質(zhì)表面中提供凹入 襯墊區(qū)域任選地包含提供第一凹入襯墊區(qū)域和第二凹入襯墊區(qū)域，實(shí)例1到27中任一者或 一者以上的形成導(dǎo)電襯墊任選地包含在第一凹入襯墊區(qū)域中形成第一導(dǎo)電襯墊和在第二 凹入襯墊區(qū)域中形成第二導(dǎo)電襯墊，其中第一導(dǎo)電襯墊經(jīng)配置以將半導(dǎo)體裸片的第一觸點(diǎn) 耦合到引線框的第一端子，且第二導(dǎo)電襯墊經(jīng)配置以將半導(dǎo)體裸片的第二觸點(diǎn)耦合到引線 框的第二端子。在實(shí)例四中，提供第一凹入襯墊區(qū)域包含提供第一凹入襯墊區(qū)域，其具有不同于 第二凹入襯墊區(qū)域的形狀。在實(shí)例30中，實(shí)例1到四中任一者或一者以上的形成第一和第二導(dǎo)電襯墊任選 地包含形成源極襯墊，其經(jīng)配置以耦合到所述半導(dǎo)體裸片的源極觸點(diǎn)和所述引線框的源極 端子，以及形成柵極襯墊，其經(jīng)配置以耦合到所述半導(dǎo)體裸片的柵極觸點(diǎn)和所述引線框的 柵極端子。在實(shí)例31中，實(shí)例1到30中任一者或一者以上的方法任選地包含在電介質(zhì)的第 二電介質(zhì)表面中提供凹入視覺標(biāo)記區(qū)域，以及在第二電介質(zhì)表面中的凹入視覺標(biāo)記區(qū)域中 形成視覺標(biāo)記。在實(shí)例32中，實(shí)例1到31中任一者或一者以上的方法任選地包含使用視覺標(biāo)記 提供半導(dǎo)體連接器位置信息。在實(shí)例33中，實(shí)例1到32中任一者或一者以上的提供凹入視覺標(biāo)記區(qū)域任選地 包含提供第一凹入視覺標(biāo)記區(qū)域和第二凹入視覺標(biāo)記區(qū)域，且實(shí)例1到32中任一者或一者 以上的形成視覺標(biāo)記任選地包含在第一凹入視覺標(biāo)記區(qū)域中形成第一視覺標(biāo)記和在第二 凹入視覺標(biāo)記區(qū)域中形成第二視覺標(biāo)記。在實(shí)例34中，一種形成半導(dǎo)體連接器的方法包含提供電介質(zhì)晶片，其經(jīng)配置以 使用激光燒蝕被激活為導(dǎo)電鍍敷沉積；使用第一電介質(zhì)表面的激光燒蝕在電介質(zhì)的第一表 面中產(chǎn)生第一凹入襯墊區(qū)域和在電介質(zhì)的第一表面中產(chǎn)生第二凹入襯墊區(qū)域；在第一凹入 襯墊區(qū)域中形成第一襯墊，所述第一襯墊經(jīng)配置以將半導(dǎo)體裸片的第一觸點(diǎn)耦合到引線框 的第一端子；以及在第二凹入襯墊區(qū)域中形成第二襯墊，所述第二襯墊經(jīng)配置以將半導(dǎo)體 裸片的第二觸點(diǎn)耦合到引線框的第二端子。在實(shí)例35中，實(shí)例1到34中任一者或一者以上的方法任選地包含使用第二電介 質(zhì)表面的激光燒蝕在電介質(zhì)的第二表面中提供凹入視覺標(biāo)記區(qū)域，以及使用導(dǎo)電鍍敷在凹 入視覺標(biāo)記區(qū)域中形成視覺標(biāo)記，所述視覺標(biāo)記經(jīng)配置以提供半導(dǎo)體連接器位置信息。在實(shí)例36中，一種形成半導(dǎo)體連接器的方法，所述半導(dǎo)體連接器經(jīng)配置以將半導(dǎo) 體裸片的至少一個(gè)觸點(diǎn)耦合到引線框的至少一個(gè)端子，所述方法包含在電介質(zhì)的第一電介質(zhì)表面中燒蝕出凹入襯墊區(qū)域；使用激光燒蝕將所述凹入襯墊區(qū)域激活成導(dǎo)電鍍敷沉 積；以及在所述凹入襯墊區(qū)域中沉積導(dǎo)電襯墊。在實(shí)例37中，實(shí)例1到36中任一者或一者以上的在第一電介質(zhì)表面中燒蝕出凹 入襯墊區(qū)域任選地包含在所述第一電介質(zhì)中燒蝕出凹入源極襯墊區(qū)域，和在所述第一電介 質(zhì)表面中燒蝕出單獨(dú)的凹入柵極襯墊區(qū)域，其中所述使用激光燒蝕將所述凹入襯墊區(qū)域激 活成導(dǎo)電鍍敷沉積包含使用激光燒蝕將所述凹入源極襯墊區(qū)域和所述單獨(dú)的凹入柵極襯 墊區(qū)域激活成導(dǎo)電鍍敷沉積，且其中所述在所述凹入襯墊區(qū)域中沉積所述導(dǎo)電襯墊包含在 所述凹入源極襯墊區(qū)域中沉積源極襯墊和在所述單獨(dú)的凹入柵極襯墊區(qū)域中沉積單獨(dú)的 柵極襯墊。在實(shí)例38中，實(shí)例1到37中任一者或一者以上的方法任選地包含在所述電介質(zhì) 的第二電介質(zhì)表面中燒蝕出凹入視覺標(biāo)記區(qū)域，所述第二電介質(zhì)表面與所述第一電介質(zhì)表 面相對；使用激光燒蝕將所述凹入視覺標(biāo)記區(qū)域激活成導(dǎo)電鍍敷沉積；以及在所述凹入視 覺標(biāo)記區(qū)域中沉積視覺標(biāo)記，其中所述視覺標(biāo)記經(jīng)配置以提供半導(dǎo)體連接器位置信息。在實(shí)例39中，實(shí)例1到38中任一者或一者以上的電介質(zhì)任選地包含聚合物，其經(jīng) 配置以使用激光燒蝕而被激活成銅(Cu)鍍敷沉積，其中所述在所述凹入襯墊區(qū)域中沉積 所述導(dǎo)電襯墊包含沉積由激光激活的Cu鍍敷沉積。在實(shí)例40中，實(shí)例1到39中任一者或一者以上的電介質(zhì)任選地包含環(huán)氧模塑化 合物(EMC)、聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、熱塑或交聯(lián)中的至少一者。在實(shí)例41中，一種系統(tǒng)或設(shè)備可包含或可任選地與實(shí)例1到40中任一者或一者 以上的任一部分或任何部分的組合相組合以包含用于執(zhí)行實(shí)例1到40的功能中的任一者 或一者以上的裝置，或包含指令的機(jī)器可讀媒體，所述指令在由機(jī)器執(zhí)行時(shí)致使所述機(jī)器 執(zhí)行實(shí)例1到40的功能中的任一者或一者以上。此概述既定提供本專利申請案的標(biāo)的物的概述。既定不提供本發(fā)明的排他性或詳 盡闡述。包含詳細(xì)描述以提供關(guān)于本專利申請案的其它信息。


在附圖中，相同標(biāo)號(hào)可在不同視圖中描述相似組件，所述附圖未必按比例繪制。具 有不同字母后綴的相同標(biāo)號(hào)可表示相似組件的不同例子。附圖大體上以實(shí)例方式而非以限 制方式說明本文獻(xiàn)中所論述的各種實(shí)施例。圖1到圖2大體上說明半導(dǎo)體連接器的實(shí)例。圖3大體上說明包含定位于半導(dǎo)體裸片上方和引線框上方的半導(dǎo)體連接器的系 統(tǒng)的實(shí)例。圖4大體上說明包含半導(dǎo)體封裝的系統(tǒng)的實(shí)例。圖5大體上說明包含據(jù)開晶片的系統(tǒng)的實(shí)例。圖6到圖9大體上說明形成半導(dǎo)體連接器的實(shí)例。圖10到圖15大體上說明形成半導(dǎo)體封裝的實(shí)例。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明人已尤其認(rèn)識(shí)到，半導(dǎo)體連接器可包含形成于經(jīng)配置以使用激光燒蝕來激活成導(dǎo)電鍍敷沉積的電介質(zhì)的凹入襯墊區(qū)域中所形成的導(dǎo)電襯墊。在某些實(shí)例中，凹入襯 墊區(qū)域可包含激光燒蝕的凹入襯墊區(qū)域(例如，所述凹入襯墊區(qū)域可使用電介質(zhì)表面的激 光燒蝕來形成)，且導(dǎo)電襯墊(例如，銅(Cu)襯墊或其它導(dǎo)電襯墊)可包含位于激光燒蝕的 凹入襯墊區(qū)域中的激光激活的導(dǎo)電鍍敷沉積(例如，激光激活的Cu鍍敷沉積或其它導(dǎo)電鍍 敷沉積)。在一實(shí)例中，所述導(dǎo)電襯墊可包含多個(gè)導(dǎo)電襯墊(例如，源極襯墊、柵極襯墊等)， 導(dǎo)電襯墊的形狀或設(shè)計(jì)可由激光(例如，圖形計(jì)算機(jī)輔助的激光燒蝕體機(jī)器或其它激光) 來控制或限制。因此，導(dǎo)電襯墊的形狀或設(shè)計(jì)可為靈活的，從而允許各種半導(dǎo)體連接器設(shè) 計(jì)。在一實(shí)例中，本文中所揭示的半導(dǎo)體連接器可提供與半導(dǎo)體裸片(例如，晶體管、 集成電路(IC)、功率MOSFET裝置、驅(qū)動(dòng)器IC等)的多個(gè)端子(例如，源極端子、柵極端子 等)的連接，且可提供對銅夾具接合的替代物。在某些實(shí)例中，本文中所揭示的半導(dǎo)體連接 器可包含晶片級(jí)連接器(例如，見圖5)且可經(jīng)配置以利用晶片環(huán)區(qū)域的空間(例如，使用 圓形晶片)并符合現(xiàn)有的晶片鋸切、裸片附接或裸片處置系統(tǒng)或方法(例如，提供容易的處 置、拾取、放置和對準(zhǔn))。在一實(shí)例中，本文中所揭示的半導(dǎo)體連接器可僅通過僅切割晶片材 料而不進(jìn)行導(dǎo)電鍍敷來在晶片據(jù)切系統(tǒng)中延長鋸條壽命，且另外可減少由于切割導(dǎo)電鍍敷 材料形成的尖銳毛刺的數(shù)目，尖銳毛刺可在組裝期間造成許多問題。另外，在某些實(shí)例中， 具有銅(Cu)導(dǎo)電襯墊的半導(dǎo)體連接器可提供比常規(guī)電線接合低的漏極到源極“接通”電阻 (RDSon)。在一實(shí)例中，本文中所揭示的半導(dǎo)體連接器可用于具有較小占據(jù)面積或較薄或較 輕重量的封裝中，且可提供比常規(guī)的基于引線框的夾具連接器好的連接對準(zhǔn)，且可應(yīng)用于 需要壓縮電路或小尺寸的便攜式(例如，超輕便式)產(chǎn)品。圖1到圖2大體上說明包含具有相對的第一和第二電介質(zhì)表面的電介質(zhì)的半導(dǎo)體 連接器的實(shí)例。在一實(shí)例中，所述電介質(zhì)可包含使用激光燒蝕來激活成導(dǎo)電鍍敷沉積(例如，Cu 鍍敷沉積)的聚合物或其它電介質(zhì)，例如熱塑、交聯(lián)、環(huán)氧模塑化合物(EMC)、聚對苯二甲酸 丁二酯(PBT)或一種或一種以上其它電介質(zhì)。在一實(shí)例中，電介質(zhì)105可至少部分包含導(dǎo)電 成分，例如混合到電介質(zhì)材料(例如，有機(jī)金屬合成物)中的一種或一種以上金屬化合物。 在某些實(shí)例中，電介質(zhì)可充分地還原為金屬化合物，或通過用激光(例如，CO2激光)照射來 以其它方式激活成導(dǎo)電鍍敷沉積(例如，Cu鍍敷沉積)。在其它實(shí)例中，電介質(zhì)可包含一種或一種以上其它材料(例如，包含不導(dǎo)電聚丙 烯腈纖維的聚合物矩陣材料)，所述材料在受到激光照射時(shí)可碳化、熱解或以其它方式分解 以形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，其可通過化學(xué)或電鍍增強(qiáng)而轉(zhuǎn)換為所要金屬化厚度。在某些實(shí)例中，電介質(zhì)可在沒有局部形成導(dǎo)電相的情況下使用激光來修改，例如 通過在電介質(zhì)材料上形成催化中心，或通過使用精細(xì)的陶瓷顆?；虼呋⒛殷w或可充當(dāng)用 于隨后金屬化工藝的晶種的其它填充劑。此外，在各種實(shí)例中，電介質(zhì)105可包含至少部分 半透明的模制化合物，從而允許看到半導(dǎo)體連接器的一個(gè)或一個(gè)以上其它特征或組件，從 而減少對用于激光燒蝕參考、放置或據(jù)切的添加的基準(zhǔn)標(biāo)記的需要。圖1大體上說明半導(dǎo)體連接器100，其包含位于電介質(zhì)105的第一電介質(zhì)表面上的第一導(dǎo)電襯墊110和第二導(dǎo)電襯墊115。在其它實(shí)例中，半導(dǎo)體連接器100可包含單個(gè)導(dǎo)電 襯墊或多個(gè)導(dǎo)電襯墊(例如，兩個(gè)或兩個(gè)以上)。在一實(shí)例中，一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電襯墊可 經(jīng)配置以將半導(dǎo)體裸片的至少一個(gè)觸點(diǎn)耦合到引線框的至少一個(gè)端子。在一實(shí)例中，電介質(zhì)105可包含位于第一電介質(zhì)表面中的一個(gè)或一個(gè)以上凹入襯 墊區(qū)域(例如，見圖7到圖8)，且一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電襯墊可經(jīng)配置以位于所述一個(gè)或一個(gè) 以上凹入襯墊區(qū)域中。在某些實(shí)例中，所述一個(gè)或一個(gè)以上凹入襯墊區(qū)域可包含激光燒蝕 的凹入襯墊區(qū)域(例如，所述凹入襯墊區(qū)域可使用第一電介質(zhì)表面的激光燒蝕來形成)，且 所述一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電襯墊可包含位于激光燒蝕的凹入襯墊區(qū)域中的激光激活的導(dǎo)電 鍍敷沉積(例如，激光激活的Cu鍍敷沉積或一個(gè)或一個(gè)以上其它鍍敷沉積)。在一實(shí)例中，第一導(dǎo)電襯墊110可在第一電介質(zhì)表面中的第一凹入襯墊區(qū)域中包 含第一形狀，且第二導(dǎo)電襯墊115可在第一電介質(zhì)表面中的第二凹入襯墊區(qū)域中包含第二 形狀。在一實(shí)例中，第一形狀可對應(yīng)于(例如，等同于或類似于)第二形狀。在其它實(shí)例中， 第一形狀可不同于第二形狀。在一實(shí)例中，第一導(dǎo)電襯墊110(例如，源極襯墊)可經(jīng)配置以將半導(dǎo)體裸片(例 如，晶體管)的第一觸點(diǎn)(例如，源極觸點(diǎn)等)耦合到引線框的第一端子(例如，源極端子)， 且第二導(dǎo)電襯墊115(例如，柵極襯墊)可經(jīng)配置以將半導(dǎo)體裸片的第二觸點(diǎn)(例如，柵極 觸點(diǎn))耦合到引線框的第二端子(例如，柵極端子)。在其它實(shí)例中，第一導(dǎo)電襯墊110、第二導(dǎo)電襯墊115或一個(gè)或一個(gè)以上其它導(dǎo)電 襯墊中的一者或一者以上可經(jīng)配置以將半導(dǎo)體裸片的一個(gè)或一個(gè)以上觸點(diǎn)耦合到引線框 的一個(gè)或一個(gè)以上端子(例如，半導(dǎo)體封裝的至少一個(gè)端子)。在一實(shí)例中，第一導(dǎo)電襯墊 110可包含多個(gè)導(dǎo)電襯墊以用于連接多個(gè)半導(dǎo)體裸片或多個(gè)引線框。圖2大體上說明半導(dǎo)體連接器200的實(shí)例，所述半導(dǎo)體連接器200包含位于電介 質(zhì)205的第二電介質(zhì)表面上的第一視覺標(biāo)記220和第二視覺標(biāo)記225。在其它實(shí)例中，半導(dǎo) 體連接器200可包含單個(gè)視覺標(biāo)記或多個(gè)視覺標(biāo)記(例如，兩個(gè)或兩個(gè)以上)。在一實(shí)例 中，一個(gè)或一個(gè)以上視覺標(biāo)記可經(jīng)配置以提供半導(dǎo)體連接器位置信息(例如，提供給用戶、 機(jī)器等)。在一實(shí)例中，電介質(zhì)205可包含位于第二電介質(zhì)表面中的一個(gè)或一個(gè)以上凹入視 覺標(biāo)記(例如，見圖7到圖8)，且一個(gè)或一個(gè)以上視覺標(biāo)記可經(jīng)配置以位于所述一個(gè)或一個(gè) 以上凹入視覺標(biāo)記區(qū)域中。在某些實(shí)例中，所述一個(gè)或一個(gè)以上凹入視覺標(biāo)記區(qū)域可包含 激光燒蝕的凹入視覺標(biāo)記區(qū)域(例如，所述凹入視覺標(biāo)記區(qū)域可使用第二電介質(zhì)表面的激 光燒蝕來形成)，且所述一個(gè)或一個(gè)以上視覺標(biāo)記可包含位于激光燒蝕的凹入視覺標(biāo)記區(qū) 域中的激光激活的鍍敷沉積(例如，激光激活的Cu鍍敷沉積或一個(gè)或一個(gè)以上其它鍍敷沉 積)。在一實(shí)例中，第一視覺標(biāo)記220可在第二電介質(zhì)表面中的第一凹入視覺標(biāo)記區(qū)域 中包含第一形狀，且第二視覺標(biāo)記225可在第二電介質(zhì)表面中的第二凹入視覺標(biāo)記區(qū)域中 包含第二形狀。在一實(shí)例中，第一形狀可對應(yīng)于(例如，等同于或類似于)第二形狀。在其 它實(shí)例中，第一形狀可不同于第二形狀(例如，以提供不同位置信息)。圖3大體上說明系統(tǒng)300的實(shí)例，所述系統(tǒng)300包含位于半導(dǎo)體裸片330上和引 線框上的半導(dǎo)體連接器301。在一實(shí)例中，半導(dǎo)體連接器301可包含電介質(zhì)305，以及位于電介質(zhì)305的第一電介質(zhì)表面上的第一導(dǎo)電襯墊310和第二導(dǎo)電襯墊315。在一實(shí)例中， 引線框可包含裸片附接襯墊(DAP) 335(例如，漏極端子)、具有源極端子345的源極引線柱 340，以及具有柵極端子355的柵極引線柱350。在一實(shí)例中，半導(dǎo)體連接器301可耦合到半導(dǎo)體裸片330，且耦合到柵極引線柱 340和源極引線柱350，且半導(dǎo)體裸片330可使用焊料360或一種或一種以上其它可熔金屬 或合金(例如導(dǎo)電焊料膏或環(huán)氧樹脂，其具有基于鉛(Pb)或無PB的材料)耦合到DAP335。 在一實(shí)例中，第一導(dǎo)電襯墊310可經(jīng)配置以將半導(dǎo)體裸片330的第一觸點(diǎn)(例如源極觸點(diǎn)) 耦合到源極引線柱340，且第二導(dǎo)電襯墊315可經(jīng)配置以將半導(dǎo)體裸片330的第二觸點(diǎn)(例 如柵極觸點(diǎn))耦合到柵極引線柱350。在其它實(shí)例中，可使用一個(gè)或一個(gè)以上其它半導(dǎo)體連 接器、半導(dǎo)體裸片或引線框的組合。圖4大體上說明包含半導(dǎo)體封裝475的系統(tǒng)400的實(shí)例，半導(dǎo)體封裝475囊封使 用半導(dǎo)體連接器401直接耦合到引線框的第一部分(包含DAP 435)且耦合到引線框的第 二部分(包含源極端子445和柵極端子45 的半導(dǎo)體裸片430。在其它實(shí)例中，可使用具 有一個(gè)或一個(gè)以上其它半導(dǎo)體連接器、半導(dǎo)體裸片或引線框的組合的一個(gè)或一個(gè)以上其它 半導(dǎo)體封裝。圖5大體上說明包含位于晶片環(huán)585的UV帶580上的鋸開晶片502的系統(tǒng)500 的實(shí)例。在圖5的實(shí)例中，鋸開晶片502包含多個(gè)鋸開晶片級(jí)半導(dǎo)體連接器(例如半導(dǎo)體 連接器501)，其各自包含第一和第二視覺標(biāo)記(例如第一視覺標(biāo)記520和第二視覺標(biāo)記 525)。在一實(shí)例中，UV帶580可輔助確保晶片502在引腳輔助的射出期間不斷裂。在一實(shí) 例中，半導(dǎo)體連接器501可鋸成特定大小，且可應(yīng)用于單個(gè)裸片或多個(gè)裸片，以及任何引線 端子配置(例如有引線、無引線等)的模制封裝(面板模制的單元、個(gè)別模制的單元等)。半導(dǎo)體連接器工藝實(shí)例圖6到圖9大體上說明形成半導(dǎo)體連接器的實(shí)例。圖6大體上說明工藝步驟600的實(shí)例，其包含提供晶片605。在一實(shí)例中，晶片605 可包含電介質(zhì)(例如電介質(zhì)105、205等)。在某些實(shí)例中，可使用以激光燒蝕激活的環(huán)氧模 塑化合物(EMC)或聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)作為基本材料(例如熱塑、交聯(lián)等)的模制 工藝來制備晶片605。圖7大體上說明包含工藝步驟700的實(shí)例，其包含使用激光頭715 (例如使用激光 燒蝕)將激光710施加到電介質(zhì)705的表面，以在電介質(zhì)705中提供至少一個(gè)凹入?yún)^(qū)域。在 圖7的實(shí)例中，所述至少一個(gè)凹入?yún)^(qū)域可包含凹入襯墊區(qū)域720。盡管圖7的實(shí)例說明凹入 區(qū)域的多個(gè)輪廓，但每一輪廓內(nèi)的整個(gè)區(qū)域可被移除或燒蝕。在某些實(shí)例中，電介質(zhì)705可包含完全電介質(zhì)材料，或具有金屬性或其它組成成 分的電介質(zhì)材料。在一實(shí)施例中，可使用激光燒蝕將電介質(zhì)705激活為導(dǎo)電鍍敷沉積。圖8大體上說明工藝步驟800的實(shí)例，其包含使用激光頭815將激光810施加到 電介質(zhì)805的表面，以在電介質(zhì)805中提供至少一個(gè)凹入?yún)^(qū)域。在圖8的實(shí)例中，所述至少 一個(gè)凹入?yún)^(qū)域可包含凹入視覺標(biāo)記區(qū)域825。盡管圖8的實(shí)例說明凹入?yún)^(qū)域的多個(gè)輪廓，但 每一輪廓內(nèi)的整個(gè)區(qū)域可被移除或燒蝕。在某些實(shí)例中，電介質(zhì)805可包含完全電介質(zhì)材料，或具有金屬性或其它組成成 分的電介質(zhì)材料。在一實(shí)施例中，可使用激光燒蝕將電介質(zhì)805激活為導(dǎo)電鍍敷沉積。
圖9大體上說明工藝步驟900的實(shí)例，其包含使用激光激活的導(dǎo)電鍍敷，在電介質(zhì) 905的表面中的至少一個(gè)凹入襯墊區(qū)域中形成至少一個(gè)導(dǎo)電襯墊(例如導(dǎo)電襯墊930)。在 某些實(shí)例中，導(dǎo)電鍍敷溶液可沉淀在使用激光燒蝕激活的區(qū)域(例如圖9中的虛線區(qū)域) 上。接著，可清洗并干燥導(dǎo)電鍍敷或電介質(zhì)的表面。在一實(shí)例中，導(dǎo)電鍍敷可包含Cu鍍敷、 拋光鍍敷或一種或一種以上其它導(dǎo)電鍍敷(例如，使用一種或一種以上其它無電或電鍍工 藝)。在某些實(shí)例中，導(dǎo)電鍍敷的頂部表面可包含純Cu，或可鍍有用以增強(qiáng)與半導(dǎo)體裸片或 引線框的連接強(qiáng)度的保護(hù)性涂層(例如Ni、NiPdAu、Ag或經(jīng)配置以保護(hù)Cu不被氧化的其它 保護(hù)性涂層)。在一實(shí)例中，電介質(zhì)905的激光燒蝕可釋放材料表面上的晶種，從而實(shí)現(xiàn)選擇性 的濕式化學(xué)還原金屬沉淀。在其它實(shí)例中，可使用利用激光燒蝕的一種或一種以上其它方 法來形成導(dǎo)電襯墊。在一實(shí)例中，可使用激光激活的導(dǎo)電鍍敷，在電介質(zhì)905的表面中的至少一個(gè)凹 入視覺標(biāo)記區(qū)域中形成至少一個(gè)視覺標(biāo)記。在一實(shí)例中，凹入?yún)^(qū)域、導(dǎo)電襯墊或視覺標(biāo)記中 的一者或一者以上的形狀可為用戶可配置的(例如依據(jù)特定的設(shè)計(jì)約束)。在一實(shí)例中， 形狀或圖案僅受激光的約束條件限制，從而不需要用于經(jīng)鍍敷表面的各種圖案的不同掩模 組。另外，可使用現(xiàn)有的與晶片有關(guān)的系統(tǒng)和方法來單個(gè)化(例如鋸開)、精選和放置經(jīng)拋 光的半導(dǎo)體連接器。在某些實(shí)例中，可排除工藝步驟600到900中的一者或一者以上，或可將一個(gè)或一 個(gè)以上其它工藝步驟或變化形式引入到上文所述的工藝步驟。半導(dǎo)體封裝工藝實(shí)例圖10到圖15大體上說明形成半導(dǎo)體封裝的實(shí)例。圖10大體上說明工藝步驟1000的實(shí)例，其包含使用焊料(例如裸片附接(D/A) 焊料)將半導(dǎo)體裸片1030附接到引線框的裸片附接襯墊(DAP) 1035。圖11大體上說明工藝步驟1100的實(shí)例，其包含將焊料1160分配在半導(dǎo)體裸片 1130上、源極引線柱1140上以及柵極引線柱1150上。圖12大體上說明工藝步驟1200的實(shí)例，其包含將半導(dǎo)體連接器1201附接到半導(dǎo) 體裸片且附接到引線框。在一實(shí)例中，半導(dǎo)體連接器1201可包含第一視覺標(biāo)記1220和第 二視覺標(biāo)記1225，其經(jīng)配置以提供連接器位置信息。在一實(shí)例中，半導(dǎo)體裸片的表面可與引 線框的表面共面。在其它實(shí)例中，半導(dǎo)體裸片或引線框中的一者或一者以上可包含較大的 梯階。因此，半導(dǎo)體連接器1201可為平面的或共面的。圖13大體上說明工藝步驟1300的實(shí)例，其包含模制半導(dǎo)體封裝1365，包含將半導(dǎo) 體裸片、半導(dǎo)體連接器和弓I線框囊封在電介質(zhì)中。圖14大體上說明工藝步驟1400的實(shí)例，其包含提供單個(gè)化的半導(dǎo)體封裝1470，包 含將經(jīng)模制的半導(dǎo)體封裝鋸開以暴露引線框的一個(gè)或一個(gè)以上端子(例如源極端子1445、 柵極端子1455或一個(gè)或一個(gè)以上其它端子)。在一實(shí)例中，半導(dǎo)體封裝1470可包含無引 線端子的板安裝外部端子、有引線端子、引線形成的端子或球狀端子。在一實(shí)施例中，本文 所揭示的半導(dǎo)體連接器可與標(biāo)準(zhǔn)的線接合組合，從而提供帶與吊鉤連接。另外，在某些實(shí)例 中，多個(gè)半導(dǎo)體連接器可包含于單個(gè)半導(dǎo)體封裝中，或單個(gè)半導(dǎo)體連接器可用于多個(gè)半導(dǎo) 體裸片。在其它實(shí)例中，一個(gè)半導(dǎo)體裸片上可使用本文所揭示的半導(dǎo)體連接器，且另一半導(dǎo)體裸片上可使用線接合。圖15大體上說明工藝步驟1500的實(shí)例，其包含對半導(dǎo)體封裝1570進(jìn)行標(biāo)記。在 某些實(shí)例中，在單個(gè)化之后，可對半導(dǎo)體封裝1570進(jìn)行測試或封裝(例如卷裝)。在某些實(shí)例中，可排除工藝步驟1000到1500中的一者或一者以上，或可將一個(gè)或 一個(gè)以上其它工藝步驟或變化形式引入到上文所述的工藝步驟。額外附灃以上詳細(xì)描述包含對附圖的參考，附圖形成詳細(xì)描述的一部分。圖式以說明的方 式展示其中可實(shí)踐本發(fā)明的特定實(shí)施例。這些實(shí)施例在本文中也被稱為“實(shí)例”。本文獻(xiàn)中 所涉及的所有出版物、專利和專利文獻(xiàn)均以全文引用的方式并入本文中，就像其以引用的 方式個(gè)別地并入本文中一樣。倘若本文獻(xiàn)與以引用的方式并入本文中的那些文獻(xiàn)之間存在 矛盾的用法，那么所并入的參考中的用法應(yīng)被視為對本文獻(xiàn)的用法的補(bǔ)充；對于不可調(diào)和 的矛盾，以本文獻(xiàn)中的用法為準(zhǔn)。在本文獻(xiàn)中，如專利文獻(xiàn)中常見的那樣，使用術(shù)語“一”來包括一個(gè)或多于一個(gè)，與 “至少一個(gè)”或“一個(gè)或一個(gè)以上”的任何其它例子或用法無關(guān)。在本文獻(xiàn)中，使用術(shù)語“或” 來指代非獨(dú)占的或，使得“A或B”包含“A但不是B”、“B但不是A”以及“A和B”，除非另有 指示。在所附權(quán)利要求書中，使用術(shù)語“包含”和“在其中”作為相應(yīng)術(shù)語“包括”和“其中” 的簡單英語均等物。而且，在所附權(quán)利要求書中，術(shù)語“包含”和“包括”是開放式的，即包含 除權(quán)利要求項(xiàng)中的此術(shù)語之后所列元素之外的元素的系統(tǒng)、裝置、物品或工藝仍被視為在 所述權(quán)利要求項(xiàng)的范圍內(nèi)。此外，在所附權(quán)利要求書中，術(shù)語“第一”、“第二”和“第三”僅 被用作標(biāo)簽，且無意對其目標(biāo)強(qiáng)加數(shù)字要求。在其它實(shí)例中，上文所描述的實(shí)例(或其一個(gè)或一個(gè)以上方面)可彼此組合使用。 舉例來說，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員在回顧以上描述內(nèi)容后即可使用其它實(shí)施例。提供說明書 摘要以遵照37 C.F.R. § 1.72(b)，以允許讀者快速地確定技術(shù)揭示內(nèi)容的本質(zhì)。說明書摘 要服從以下理解其不會(huì)被用于解譯或限制所附權(quán)利要求書的范圍或意義。而且，在以上具 體實(shí)施方式中，各種特征可分組在一起以將本發(fā)明連成一個(gè)整體。這不應(yīng)被解釋為希望未 主張的所揭示特征對任一權(quán)利要求項(xiàng)來說是必要的。相反，發(fā)明性標(biāo)的物可在于特定所揭 示實(shí)施例的少于所有的特征。因此，所附權(quán)利要求書特此并入具體實(shí)施方式
中，其中每一權(quán) 利要求項(xiàng)獨(dú)立地作為單獨(dú)的實(shí)施例。應(yīng)參考所附權(quán)利要求書以及所附權(quán)利要求書被賦予的 均等物的完整范圍來確定本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體連接器設(shè)備，其包括電介質(zhì)，其具有第一電介質(zhì)表面和與所述第一電介質(zhì)表面相對的第二電介質(zhì)表面，所 述電介質(zhì)經(jīng)配置以使用激光燒蝕而被激活成導(dǎo)電鍍敷沉積；以及位于所述第一電介質(zhì)表面中的凹入襯墊區(qū)域中的導(dǎo)電襯墊，所述導(dǎo)電襯墊經(jīng)配置以將 半導(dǎo)體裸片的至少一個(gè)觸點(diǎn)耦合到引線框的至少一個(gè)端子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體連接器設(shè)備，其中所述導(dǎo)電襯墊包含具有第一形狀的第一導(dǎo)電襯墊，其位于所述第一電介質(zhì)表面中的第一凹入襯墊區(qū)域中；具有第二形狀的第二導(dǎo)電襯墊，其位于所述第一電介質(zhì)表面中的第二凹入襯墊區(qū)域 中，所述第二形狀不同于所述第一形狀；且其中所述第一和第二導(dǎo)電襯墊經(jīng)配置以將所述半導(dǎo)體裸片的第一和第二觸點(diǎn)耦合到 所述引線框的相應(yīng)第一和第二端子。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體連接器設(shè)備，其中所述第一導(dǎo)電襯墊包含源極襯墊， 其經(jīng)配置以耦合到所述半導(dǎo)體裸片的源極觸點(diǎn)和所述引線框的源極端子；且其中所述第二導(dǎo)電襯墊包含柵極襯墊，其經(jīng)配置以耦合到所述半導(dǎo)體裸片的柵極觸點(diǎn) 和所述引線框的柵極端子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體連接器設(shè)備，其中所述凹入襯墊 區(qū)域包含使用所述第一電介質(zhì)表面的激光燒蝕產(chǎn)生的凹入；且其中所述導(dǎo)電襯墊包含在所述凹入襯墊區(qū)域中的由激光激活的導(dǎo)電鍍敷沉積。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體連接器設(shè)備，其中所述電介質(zhì)包含聚合物，其經(jīng)配置 以使用激光燒蝕而被激活成銅(Cu)鍍敷沉積；且其中所述導(dǎo)電襯墊包含由激光激活的Cu鍍敷沉積。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體連接器設(shè)備，其包含位于所述第二電介質(zhì)表面中的凹 入視覺標(biāo)記區(qū)域中的視覺標(biāo)記；且其中所述視覺標(biāo)記包含在所述凹入視覺標(biāo)記區(qū)域中的由激光激活的導(dǎo)電鍍敷沉積。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體連接器設(shè)備，其中所述電介質(zhì)包含聚合物，其經(jīng)配置 以使用激光燒蝕而被激活成銅(Cu)鍍敷沉積；且其中所述視覺標(biāo)記包含由激光激活的Cu鍍敷沉積。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體連接器設(shè)備，其中所述視覺標(biāo)記包含第一和第二視覺 標(biāo)記，其經(jīng)配置以提供半導(dǎo)體連接器位置信息。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體連接器設(shè)備，其中所述電介質(zhì)包含環(huán)氧模塑化合物 (EMC)、聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、熱塑或交聯(lián)中的至少一者。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體連接器設(shè)備，其中所述半導(dǎo)體連接器包含晶片級(jí)半 導(dǎo)體連接器，且其中所述晶片級(jí)半導(dǎo)體連接器是位于單個(gè)晶片上的多個(gè)晶片級(jí)半導(dǎo)體連接 器中的一者；且其中所述晶片級(jí)半導(dǎo)體連接器中的每一者包含一視覺標(biāo)記，其經(jīng)配置以相對于位于所 述單個(gè)晶片上的所述多個(gè)晶片級(jí)連接器提供用于所述晶片級(jí)半導(dǎo)體連接器的邊界。
11.一種半導(dǎo)體連接器系統(tǒng)，其包括半導(dǎo)體裸片，其具有多個(gè)電觸點(diǎn)；引線框，其具有多個(gè)端子；以及半導(dǎo)體連接器，其經(jīng)配置以將所述半導(dǎo)體裸片的所述多個(gè)電觸點(diǎn)中的至少一者耦合到 所述引線框的所述多個(gè)端子中的至少一者，所述半導(dǎo)體連接器包含電介質(zhì)，其具有第一電介質(zhì)表面和與所述第一電介質(zhì)表面相對的第二電介質(zhì)表面，所 述電介質(zhì)經(jīng)配置以使用激光燒蝕而被激活成導(dǎo)電鍍敷沉積；以及位于所述第一電介質(zhì)表面中的凹入襯墊區(qū)域中的導(dǎo)電襯墊，所述導(dǎo)電襯墊經(jīng)配置以將 所述半導(dǎo)體裸片的所述多個(gè)電觸點(diǎn)中的所述至少一者耦合到所述引線框的所述多個(gè)端子 中的所述至少一者。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體連接器系統(tǒng)，其中所述凹入襯墊區(qū)域包含使用所述 第一電介質(zhì)表面的激光燒蝕產(chǎn)生的凹入；且其中所述導(dǎo)電襯墊包含在所述凹入襯墊區(qū)域中的由激光激活的導(dǎo)電鍍敷沉積。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體連接器系統(tǒng)，其包含位于所述 第二電介質(zhì)表面中的凹入視覺標(biāo)記區(qū)域中的視覺標(biāo)記；且其中所述視覺標(biāo)記包含在所述凹入視覺標(biāo)記區(qū)域中的由激光激活的導(dǎo)電鍍敷沉積。
14.根據(jù)權(quán)利要求11到13中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體連接器系統(tǒng)，其中所述導(dǎo)電襯 墊包含具有第一形狀的第一導(dǎo)電襯墊，其位于所述第一電介質(zhì)表面中的第一凹入襯墊區(qū)域中；具有第二形狀的第二導(dǎo)電襯墊，其位于所述第一電介質(zhì)表面中的第二凹入襯墊區(qū)域 中，所述第二形狀不同于所述第一形狀；且其中所述第一和第二導(dǎo)電襯墊經(jīng)配置以將所述半導(dǎo)體裸片的第一和第二觸點(diǎn)耦合到 所述引線框的相應(yīng)第一和第二端子。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體連接器系統(tǒng)，其中所述半導(dǎo)體裸片包含源極觸點(diǎn)， 其中所述引線框包含源極端子，且其中所述第一導(dǎo)電襯墊包含源極襯墊，其經(jīng)配置以耦合 到所述源極觸點(diǎn)和所述源極端子；且其中所述半導(dǎo)體裸片包含柵極觸點(diǎn)，其中所述引線框包含柵極端子，且其中所述第二 導(dǎo)電襯墊包含柵極襯墊，其經(jīng)配置以耦合到所述柵極觸點(diǎn)和所述柵極端子。
16.一種形成半導(dǎo)體連接器的方法，所述半導(dǎo)體連接器經(jīng)配置以將半導(dǎo)體裸片的至少 一個(gè)觸點(diǎn)耦合到引線框的至少一個(gè)端子，所述方法包括在電介質(zhì)的第一電介質(zhì)表面中燒蝕出凹入襯墊區(qū)域；使用激光燒蝕將所述凹入襯墊區(qū)域激活成導(dǎo)電鍍敷沉積；以及在所述凹入襯墊區(qū)域中沉積導(dǎo)電襯墊。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的形成所述半導(dǎo)體連接器的方法，其中所述在所述第一電介 質(zhì)表面中燒蝕出所述凹入襯墊區(qū)域包含在所述第一電介質(zhì)中燒蝕出凹入源極襯墊區(qū)域，和 在所述第一電介質(zhì)表面中燒蝕出單獨(dú)的凹入柵極襯墊區(qū)域；其中所述使用激光燒蝕將所述凹入襯墊區(qū)域激活成導(dǎo)電鍍敷沉積包含使用激光燒蝕 激活所述凹入源極襯墊區(qū)域和所述單獨(dú)的凹入柵極襯墊區(qū)域；且其中所述在所述凹入襯墊區(qū)域中沉積所述導(dǎo)電襯墊包含在所述凹入源極襯墊區(qū)域中 沉積源極襯墊和在所述單獨(dú)的凹入柵極襯墊區(qū)域中沉積單獨(dú)的柵極襯墊。
18.根據(jù)權(quán)利要求16或17中任一權(quán)利要求所述的形成所述半導(dǎo)體連接器的方法，其包含在所述電介質(zhì)的第二電介質(zhì)表面中燒蝕出凹入視覺標(biāo)記區(qū)域，所述第二電介質(zhì)表面與 所述第一電介質(zhì)表面相對；使用激光燒蝕將所述凹入視覺標(biāo)記區(qū)域激活成導(dǎo)電鍍敷沉積；以及 在所述凹入視覺標(biāo)記區(qū)域中沉積視覺標(biāo)記，其中所述視覺標(biāo)記經(jīng)配置以提供半導(dǎo)體連 接器位置信息。
19.根據(jù)權(quán)利要求16到18中任一權(quán)利要求所述的形成所述半導(dǎo)體連接器的方法，其中 所述電介質(zhì)包含聚合物，其經(jīng)配置以使用激光燒蝕而被激活成銅(Cu)鍍敷沉積；且其中所述在所述凹入襯墊區(qū)域中沉積所述導(dǎo)電襯墊包含沉積由激光激活的Cu鍍敷沉積。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的形成所述半導(dǎo)體連接器的方法，其中所述電介質(zhì)包含環(huán)氧 模塑化合物(EMC)、聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、熱塑或交聯(lián)中的至少一者。
全文摘要
本文檔尤其論述一種半導(dǎo)體連接器，其包含位于電介質(zhì)的表面上的凹入襯墊區(qū)域中的導(dǎo)電襯墊，電介質(zhì)材料經(jīng)配置以使用激光燒蝕而被激活成導(dǎo)電鍍敷沉積。
文檔編號(hào)H01L21/50GK102097408SQ20101053607
公開日2011年6月15日 申請日期2010年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月28日
發(fā)明者喬切爾·P·戈麥斯 申請人:飛兆半導(dǎo)體公司