專利名稱：一種低三階交調(diào)同軸—微帶轉(zhuǎn)換裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及移動通信(GSM、CDMA)基站天線裝置，具體涉及一種低三階交調(diào)同軸一 微帶轉(zhuǎn)換裝置。
背景技術：
以空氣為介質(zhì)的微帶天線具有生產(chǎn)快捷、成本較低、性能良好等特點。在移動通 信系統(tǒng)中廣泛作為基站天線。這類天線主要由底板及導帶(合稱微帶傳輸線)、輻射體及同 軸一微帶轉(zhuǎn)換接頭等組成。工作時，高頻電流由同軸饋入通過微帶線耦合到輻射體上產(chǎn)生 一定形狀的電磁場，以滿足通信要求。三階交調(diào)(IM3=-107dBm)是這類天線的主要技術指 標之一，而IM3不達標是一個“老大難”問題。所謂“老”是多年沒有解決；所謂“大”是天 線用量巨大，對通信質(zhì)量影響大；所謂“難”是IM3產(chǎn)生機理不清楚，工作不少成效不大。為了解決天線IM3問題，發(fā)明人對其中的同軸一微帶轉(zhuǎn)換裝置進行了測試。現(xiàn)有的同軸一微帶轉(zhuǎn)換裝置由轉(zhuǎn)換接頭(包括同軸內(nèi)、外導體及法蘭盤)、底板、面 板和導帶連接組成，如圖1所示其中導帶和底板為2mm厚鋁板，面板由底板彎折而成，上有 一圓形沖孔，直徑等于同軸外導體內(nèi)徑。與同軸外導體連接的法蘭盤安裝在面板正面，通過 螺釘緊固，同軸內(nèi)導體穿過面板上的沖孔與導帶連接，通過螺母緊固。轉(zhuǎn)換接頭通常由黃銅 制作，內(nèi)導體鍍銀，外導體及法蘭盤鍍?nèi)辖?。面板上的圓形沖孔及面板未經(jīng)電鍍處理。 此時用專用測試設備測試的IM3平均約為_98dBm，性能較差。導致較高IM3的主要因素有一、沖孔周圍有毛刺；二、沖孔變形；三沖孔處與法蘭 連接不夠緊密，縫隙較大。因而當同軸外導體內(nèi)壁上的高頻電流通過這些毛刺和縫隙時產(chǎn) 生較高的IM3。為解決這個問題，可旋緊螺釘加大接觸壓力，或在轉(zhuǎn)換接頭的法蘭上加一凸起的 小環(huán)，但改善不明顯。也可采用電鍍?nèi)ッ袒蚣雍竦装鍦p小變形的方法，但此方法成本將明
顯增高。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術的不足，提供一種在不明顯提高成本 的前提下顯著降低三階交調(diào)的同軸一微帶轉(zhuǎn)換裝置。技術方案本發(fā)明所述的低三階交調(diào)同軸一微帶轉(zhuǎn)換裝置，如圖2所示，包括導 帶、底板、面板、同軸內(nèi)導體、同軸外導體和法蘭盤。所述面板上設置有圓形沖孔，所述同軸 內(nèi)導體穿過所述面板固定在所述導帶上，所述圓形沖孔的直徑略大于所述同軸外導體的外 徑，與所述同軸外導體連接的法蘭盤固定在所述面板的背面上。所述法蘭盤為較大的方形法蘭盤，為了減小微帶特性阻抗的變化，同時有利于與 同軸的匹配，并進一步減小IM3，所述法蘭盤的靠近所述底板的一邊設置有斜坡。所述導帶在斜坡處進行彎折以保持此處特性阻抗不變。所述同軸內(nèi)導體通過螺母固定在所述導帶上。
所述法蘭盤通過較粗的螺釘固定在所述面板的背面上。所述底板為2mm厚的鋁板，面板由底板彎折而成。本發(fā)明轉(zhuǎn)換接頭的法蘭盤安裝在面板的背面，在法蘭盤邊緣和面板之間形成一個 縫隙，其優(yōu)點有四個
(1)、縫隙處鋁板表面光滑無毛刺，法蘭盤同樣如此；
(2)、縫隙處鋁板不易變形，接觸縫隙較小；
(3)、縫隙較長，有利于高頻電流通過；
(4)、緊固螺釘壓力大，縫隙小。有益效果本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比，其有益效果是1、發(fā)明人通過改變法蘭盤與 面板的連接方式，從而改變同軸外導體內(nèi)壁的高頻電流路徑，高頻電流從法蘭盤表面經(jīng)邊 緣流入底板，不通過沖孔處的縫隙，因此產(chǎn)生的IM3可小到-IlSdBm ；2、本發(fā)明方形法蘭盤 的一邊有斜坡，可減小微帶特性阻抗的變化，有利于與同軸的匹配，也有利于減小IM3 ；3、 采用本發(fā)明裝置可大幅提高現(xiàn)有基站天線IM3性能，若再配合改善輻射體的IM3就能基本 解決微帶型基站天線IM3不達標的問題；4、本發(fā)明裝置成本低廉，性價比高；5、本發(fā)明的新 穎思路對其它頻段其它用途的(有IM3指標要求的)各類天線和器件也具有重要價值。


圖1為現(xiàn)有的同軸一微帶轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)示意圖2為本發(fā)明的低三階交調(diào)同軸一微帶轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3為方形法蘭盤結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖，通過一個最佳實施例，對本發(fā)明技術方案進行詳細說明，但是本發(fā) 明的保護范圍不局限于所述實施例。實施例一種低三階交調(diào)同軸一微帶轉(zhuǎn)換裝置，包括導帶1、底板2、面板3、同軸內(nèi) 導體4和同軸外導體5，所述底板2為2mm厚的鋁板，所述面板3由底板2彎折而成，所述 面板3上設置有圓形沖孔6，所述同軸內(nèi)導體4穿過所述面板3通過螺母固定在所述導帶1 上，所述圓形沖孔6的直徑略大于所述同軸外導體5的外徑，與所述同軸外導體5連接的法 蘭盤7通過螺釘固定在所述面板3的背面上；所述法蘭盤7為方形法蘭盤，其靠近所述底板 2的一邊設置有斜坡。下面通過對比測試進一步說明本發(fā)明裝置的性能。在導帶、鋁板材質(zhì)相同表面未 經(jīng)處理的條件下，工作頻段為900MHz。第一組采用現(xiàn)有同軸一微帶轉(zhuǎn)換裝置。第二組采用本發(fā)明同軸一微帶轉(zhuǎn)換裝置，但法蘭盤未設置斜坡。第三組本實施例所述的低三階交調(diào)同軸一微帶轉(zhuǎn)換裝置。檢測結(jié)果第一組裝置的IM3的測試平均值為-98dBm，第二組裝置的IM3的測試 平均值為_115dBm，第三組裝置的IM3的測試平均值為_118dBm。由此可見，本發(fā)明低三階交調(diào)同軸一微帶轉(zhuǎn)換裝置的IM3性能比現(xiàn)有技術有大幅提尚。
如上所述，盡管參照特定的優(yōu)選實施例已經(jīng)表示和表述了本發(fā)明，但其不得解釋 為對本發(fā)明自身的限制。在不脫離所附權利要求定義的本發(fā)明的精神和范圍前提下，可對 其在形式上和細節(jié)上作出各種變化。
權利要求
一種低三階交調(diào)同軸—微帶轉(zhuǎn)換裝置，包括導帶(1)、底板(2)、面板(3)、同軸內(nèi)導體(4)和同軸外導體(5)，所述面板(3)上設置有圓形沖孔(6)，所述同軸內(nèi)導體(4)穿過所述面板(3)固定在所述導帶(1)上，其特征在于所述圓形沖孔(6)的直徑略大于所述同軸外導體(5)的外徑，與所述同軸外導體(5)連接的法蘭盤(7)固定在所述面板(3)的背面(32)上。
2.根據(jù)權利要求1所述的低三階交調(diào)同軸一微帶轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于所述法蘭盤 (7)為方形法蘭盤。
3.根據(jù)權利要求2所述的低三階交調(diào)同軸一微帶轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于所述法蘭盤 (7)的靠近所述底板(2)的一邊設置有斜坡。
4.根據(jù)權利要求1所述的低三階交調(diào)同軸一微帶轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于所述同軸內(nèi) 導體(4)通過螺母固定在所述微帶(1)上。
5.根據(jù)權利要求1所述的低三階交調(diào)同軸一微帶轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于所述法蘭盤 (7)通過螺釘固定在所述面板(3)的背面上。
6.根據(jù)權利要求1所述的低三階交調(diào)同軸一微帶轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于所述底板和 所述面板為未經(jīng)表面電鍍處理的2mm厚的鋁板。
全文摘要
本發(fā)明公開一種低三階交調(diào)同軸—微帶轉(zhuǎn)換裝置，包括導帶(1)、底板(2)、面板(3)、同軸內(nèi)導體(4)和同軸外導體(5)，所述面板(3)上設置有圓形沖孔(6)，所述同軸內(nèi)導體(4)穿過所述面板(3)固定在所述導帶(1)上，其特征在于所述圓形沖孔(6)的直徑略大于所述同軸外導體(5)的外徑，與所述同軸外導體(5)連接的法蘭盤(7)固定在所述面板(3)的背面上。發(fā)明人通過改變轉(zhuǎn)換接頭法蘭盤與面板的連接方式，從而改變同軸外導體內(nèi)壁的高頻電流路徑，高頻電流從法蘭盤表面經(jīng)邊緣流入底板，不通過沖孔處的縫隙，因此產(chǎn)生的IM3較小，IM3＜-107dBm，可達-118dBm。
文檔編號H01Q13/08GK101976753SQ20101051153
公開日2011年2月16日 申請日期2010年10月19日 優(yōu)先權日2010年10月19日
發(fā)明者全愉, 盧洪光, 易晶瓏, 李圣君 申請人:江蘇捷士通科技股份有限公司