專利名稱：SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管；本發(fā)明還涉及一種SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管的制造方法。
背景技術(shù)：
在射頻應(yīng)用中，需要越來越高的器件特征頻率，RFCMOS雖然在先進(jìn)的工藝技術(shù)中可實(shí)現(xiàn)較高頻率，但還是難以完全滿足射頻要求，如很難實(shí)現(xiàn)40GHz以上的特征頻率，而且先進(jìn)工藝的研發(fā)成本也是非常高；化合物半導(dǎo)體可實(shí)現(xiàn)非常高的特征頻率器件，但由于材料成本高、尺寸小的缺點(diǎn)，加上大多數(shù)化合物半導(dǎo)體有毒，限制了其應(yīng)用。鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(SiGe HBT)則是超高頻器件的很好選擇，首先其利用鍺硅(SiGe)與硅(Si)的能帶差別，提高發(fā)射區(qū)的載流子注入效率，增大器件的電流放大倍數(shù)；其次利用SiGe基區(qū)的高摻雜，降低基區(qū)電阻，提高特征頻率；另外SiGe工藝基本與硅工藝相兼容，因此SiGe HBT已經(jīng)成為超高頻器件的主力軍?，F(xiàn)有SiGe HBT采用高摻雜的集電區(qū)埋層，以降低集電區(qū)電阻，另外采用深槽隔離降低集電區(qū)和襯底之間的寄生電容，改善HBT的頻率特性。該器件工藝成熟可靠，但主要缺點(diǎn)有1、集電區(qū)外延成本高；2、深槽隔離工藝復(fù)雜，而且成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管，能用作高速、高增益異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)電路中的輸出器件，能有效地縮小器件面積、降低器件的寄生電阻、提高器件的頻率特性；為此，本發(fā)明還提供一種SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管的制造方法。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管形成于P型硅襯底上的N型深阱中，有源區(qū)由淺槽場(chǎng)氧隔離即淺溝槽隔離(STI)，所述N型深阱由一 N型離子注入?yún)^(qū)組成，所述N型深阱的N型離子注入的工藝條件為注入雜質(zhì)為P、 注入能量為500kev 2000kev、劑量為lel2cnT2 5eHcm 2。所述寄生橫向型PNP三極管包括一基區(qū)，由形成于所述有源區(qū)中的N型離子注入?yún)^(qū)組成，所述基區(qū)的縱向深度大于所述淺槽場(chǎng)氧底部的深度，所述基區(qū)的底部在橫向上延伸進(jìn)入所述基區(qū)左右兩側(cè)的所述淺槽場(chǎng)氧的底部。所述基區(qū)的N型離子注入的工藝條件為注入雜質(zhì)為P、注入能量為 50kev 500kev、劑量為 5ellcm 2 5el3cm 20—集電區(qū)，由形成于所述基區(qū)左右兩側(cè)的所述淺槽場(chǎng)氧的底部的兩個(gè)P型贗埋層組成，兩個(gè)所述P型贗埋層各自位于所述基區(qū)左側(cè)或右側(cè)的所述淺槽場(chǎng)氧的底部且呈對(duì)稱結(jié)構(gòu)，各所述P型贗埋層為P型離子注入?yún)^(qū)，各所述P型贗埋層的寬度小于其頂部的所述淺槽場(chǎng)氧的寬度，各所述P型贗埋層都和其旁側(cè)的所述基區(qū)延伸進(jìn)入所述淺槽場(chǎng)氧的底部的部分相連接形成所述集電區(qū)和所述基區(qū)的接觸，通過在各所述P型贗埋層頂部的所述淺槽場(chǎng)氧中形成深孔接觸引出集電極。所述P型贗埋層的P型離子注入的工藝條件為注入能量小于15keV、注入劑量為IeHcnT2 lel6cnT2。二個(gè)N型贗埋層，各所述N型贗埋層各自位于所述基區(qū)左右兩側(cè)的所述淺槽場(chǎng)氧的底部且呈對(duì)稱結(jié)構(gòu)、且和所述基區(qū)左右兩側(cè)的所述P型贗埋層相隔一距離，各所述N型贗埋層為N型離子注入?yún)^(qū)，各所述N型贗埋層的寬度小于其頂部的所述淺槽場(chǎng)氧的寬度，各所述N型贗埋層通過所述N型深阱和所述基區(qū)形成通路并通過在各所述N型贗埋層頂部的所述淺槽場(chǎng)氧中做深孔接觸引出基極。所述N型贗埋層的N型離子注入的工藝條件為注入能量小于15keV、注入劑量為IeHcnT2 lel6cnT2。一發(fā)射區(qū)，由形成于所述有源區(qū)上的一 P型鍺硅外延層組成，所述發(fā)射區(qū)和所述基區(qū)形成接觸并通過形成于所述發(fā)射區(qū)頂部的金屬接觸引出發(fā)射極。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管的制造方法包括如下步驟步驟一、采用刻蝕工藝在P型硅襯底上進(jìn)行N型離子注入形成N型深阱，形成有源區(qū)和淺溝槽。所述N型深阱的N型離子注入的工藝條件為注入雜質(zhì)為P、注入能量為 500kev 2000kev、劑量為 lel2cnT2 5el4cnT2。步驟二、在所述有源區(qū)左右兩側(cè)的所述淺溝槽底部選定區(qū)域進(jìn)行P型離子注入形成兩個(gè)P型贗埋層，兩個(gè)所述P型贗埋層各自位于所述有源區(qū)左側(cè)或右側(cè)的所述淺溝槽的底部且呈對(duì)稱結(jié)構(gòu)，各所述P型贗埋層的寬度小于所述淺溝槽的寬度且所述有源區(qū)邊緣相隔一距離。形成各所述P型贗埋層的P型離子注入的工藝條件為注入能量小于15keV、注入劑量為IeHcm 2 lel6cnT2。步驟三、在所述有源區(qū)左右兩側(cè)的所述淺溝槽底部選定區(qū)域進(jìn)行N型離子注入形成兩個(gè)呈對(duì)稱結(jié)構(gòu)的N型贗埋層；各所述N型贗埋層各自位于所述有源區(qū)左右兩側(cè)的所述淺槽場(chǎng)氧的底部、且和所述有源區(qū)左右兩側(cè)的所述P型贗埋層相隔一距離，各所述N型贗埋層的寬度小于所述淺溝槽的寬度，各所述P型贗埋層位于靠近所述有源區(qū)的一端、各所述N 型贗埋層位于遠(yuǎn)離所述有源區(qū)的一端。所述N型贗埋層的N型離子注入的工藝條件為注入能量小于15keV、注入劑量為IeHcnT2 lel6cnT2。步驟四、在所述淺溝槽中填入氧化硅形成淺槽場(chǎng)氧。步驟五、在所述有源區(qū)中進(jìn)行N型離子注入形成基區(qū)，所述基區(qū)的縱向深度大于所述淺槽場(chǎng)氧底部的深度，所述基區(qū)的底部在橫向上延伸進(jìn)入所述基區(qū)左右兩側(cè)的所述淺槽場(chǎng)氧的底部。所述基區(qū)的N型離子注入的工藝條件為注入雜質(zhì)為P、注入能量為 50kev 500kev、劑量為 5ellcm 2 5el3cm 20步驟六、在所述P型硅襯底上形成一 P型鍺硅外延層并刻蝕所述有源區(qū)外部的所述P型鍺硅外延層，以保留于所述有源區(qū)上部的所述P型鍺硅外延層作為所述發(fā)射區(qū)。步驟七、在所述N型贗埋層頂部的所述淺槽場(chǎng)氧中形成深孔接觸引出基極；在所述P型贗埋層頂部的所述淺槽場(chǎng)氧中形成深孔接觸引出集電極；在所述發(fā)射區(qū)形成一金屬接觸引出發(fā)射極。本發(fā)明能用作高速、高增益HBT電路中的輸出器件，器件的最大電流增益能達(dá)到 20以上；本發(fā)明通過先進(jìn)的深孔接觸工藝與N型贗埋層、P型贗埋層直接接觸，來引出本器
5件的集電極和基極，器件的面積與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)相比有效的減小了 ；由于N型贗埋層、P型贗埋層是高濃度參雜，寄生的電阻也隨之減小，從而能提高器件的頻率特性；本發(fā)明較易實(shí)現(xiàn)器件的電流增益的調(diào)節(jié)，如即可以通過調(diào)節(jié)基區(qū)N型離子注入劑量來調(diào)節(jié)，也可以通過所述基區(qū)的底部延伸進(jìn)入所述淺槽場(chǎng)氧的底部的距離來調(diào)節(jié)，從而能夠得到大于20的較高的電流增益。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明圖1是本發(fā)明實(shí)施例SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管結(jié)構(gòu)示意圖；圖2 圖5是本發(fā)明實(shí)施例SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管的制造方法的各步驟中器件的結(jié)構(gòu)圖；圖6A是TCAD模擬的本發(fā)明實(shí)施例SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管輸入特性曲線；圖6B是TCAD模擬的本發(fā)明實(shí)施例SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管電流增益曲線。
具體實(shí)施例方式如圖1所示，是本發(fā)明實(shí)施例SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明實(shí)施例SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管形成于P型硅襯底IiWNS 深阱2中，有源區(qū)由淺槽場(chǎng)氧3隔離，所述N型深阱2由一 N型離子注入?yún)^(qū)組成，所述N型深阱2的N型離子注入的工藝條件為注入雜質(zhì)為P、注入能量為500kev 2000kev、劑量為lel2 cm—2 kl4cm 2。所述寄生橫向型PNP三極管包括一基區(qū)6，由形成于所述有源區(qū)中的N型離子注入?yún)^(qū)組成，所述基區(qū)6的縱向深度大于所述淺槽場(chǎng)氧3底部的深度，所述基區(qū)6的底部在橫向上延伸進(jìn)入所述基區(qū)6左右兩側(cè)的所述淺槽場(chǎng)氧3的底部。所述基區(qū)6的N型離子注入的工藝條件為注入雜質(zhì)為P、注入能量為 50kev 500kev、劑量為 5elIcnT2 5el3cnT2。一集電區(qū)，由形成于所述基區(qū)6左右兩側(cè)的所述淺槽場(chǎng)氧3的底部的兩個(gè)P型贗埋層4組成，兩個(gè)所述P型贗埋層4各自位于所述基區(qū)6左側(cè)或右側(cè)的所述淺槽場(chǎng)氧3的底部且呈對(duì)稱結(jié)構(gòu)，各所述P型贗埋層4為P型離子注入?yún)^(qū)，各所述P型贗埋層4的寬度小于其頂部的所述淺槽場(chǎng)氧3的寬度，各所述P型贗埋層4都和其旁側(cè)的所述基區(qū)6延伸進(jìn)入所述淺槽場(chǎng)氧3的底部的部分相連接形成所述集電區(qū)和所述基區(qū)6的接觸，通過在各所述P型贗埋層4頂部的所述淺槽場(chǎng)氧3中形成深孔接觸8引出集電極。所述P型贗埋層4 的P型離子注入的工藝條件為注入能量小于15keV、注入劑量為IeHcm 2 lel6cm_2。二個(gè)N型贗埋層5，各所述N型贗埋層5各自位于所述基區(qū)6左右兩側(cè)的所述淺槽場(chǎng)氧3的底部且呈對(duì)稱結(jié)構(gòu)、且和所述基區(qū)6左右兩側(cè)的所述P型贗埋層4相隔一距離，各所述N型贗埋層5為N型離子注入?yún)^(qū)，各所述N型贗埋層5的寬度小于其頂部的所述淺槽場(chǎng)氧3的寬度，各所述N型贗埋層5通過所述N型深阱2和所述基區(qū)6形成通路并通過在各所述N型贗埋層5頂部的所述淺槽場(chǎng)氧3中做深孔接觸8引出基極。所述N型贗埋層5 的N型離子注入的工藝條件為注入能量小于15keV、注入劑量為IeHcm2 lel6cm_2。
6
一發(fā)射區(qū)7，由形成于所述有源區(qū)上的一 P型鍺硅外延層組成，所述發(fā)射區(qū)7和所述基區(qū)6形成接觸并通過形成于所述發(fā)射區(qū)頂部的金屬接觸9引出發(fā)射極。金屬連線10 用于和各金屬接觸9、深孔接觸8連接，實(shí)現(xiàn)電路的互連。如圖2至圖5所示，是本發(fā)明實(shí)施例SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管的制造方法的各步驟中器件的結(jié)構(gòu)圖。本發(fā)明實(shí)施例SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管的制造方法包括如下步驟步驟一、如圖2所示，采用刻蝕工藝在P型硅襯底1上進(jìn)行N型離子注入形成N型深阱2，形成有源區(qū)和淺溝槽。所述N型深阱2的N型離子注入的工藝條件為注入雜質(zhì)為 P、注入能量為 500kev 2000kev、劑量為 lel2cnT2 kl4cnT2。步驟二、如圖3所示，在所述有源區(qū)左右兩側(cè)的所述淺溝槽底部選定區(qū)域進(jìn)行P型離子注入形成兩個(gè)P型贗埋層4，兩個(gè)所述P型贗埋層4各自位于所述有源區(qū)左側(cè)或右側(cè)的所述淺溝槽的底部且呈對(duì)稱結(jié)構(gòu)，各所述P型贗埋層4的寬度小于所述淺溝槽的寬度且所述有源區(qū)邊緣相隔一距離。形成各所述P型贗埋層4的P型離子注入的工藝條件為注入能量小于15keV、注入劑量為IeHcnT2 lel6cnT2。步驟三、如圖3所示，在所述有源區(qū)左右兩側(cè)的所述淺溝槽底部選定區(qū)域進(jìn)行N型離子注入形成兩個(gè)呈對(duì)稱結(jié)構(gòu)的N型贗埋層5 ；各所述N型贗埋層5各自位于所述有源區(qū)左右兩側(cè)的所述淺槽場(chǎng)氧的底部、且和所述有源區(qū)左右兩側(cè)的所述P型贗埋層4相隔一距離， 各所述N型贗埋層5的寬度小于所述淺溝槽的寬度，各所述P型贗埋層4位于靠近所述有源區(qū)的一端、各所述N型贗埋層5位于遠(yuǎn)離所述有源區(qū)的一端。所述N型贗埋層5的N型離子注入的工藝條件為注入能量小于15keV、注入劑量為IeHcm 2 lel6cm_2。步驟四、如圖3所示，在所述淺溝槽中填入氧化硅形成淺槽場(chǎng)氧3。步驟五、如圖4所示，在所述有源區(qū)中進(jìn)行N型離子注入形成基區(qū)6，所述基區(qū)6的縱向深度大于所述淺槽場(chǎng)氧3底部的深度，所述基區(qū)6的底部在橫向上延伸進(jìn)入所述基區(qū) 6左右兩側(cè)的所述淺槽場(chǎng)氧3的底部。所述基區(qū)6的N型離子注入的工藝條件為注入雜質(zhì)為P、注入能量為50kev 500kev、劑量為5ellcnT2 5el3cnT2。步驟六、如圖5所示，在所述P型硅襯底1上形成一 P型鍺硅外延層并刻蝕所述有源區(qū)外部的所述P型鍺硅外延層，以保留于所述有源區(qū)上部的所述P型鍺硅外延層作為所述發(fā)射區(qū)7。步驟七、如圖1所示，在所述N型贗埋層5頂部的所述淺槽場(chǎng)氧3中形成深孔接觸 8引出基極；在所述P型贗埋層4頂部的所述淺槽場(chǎng)氧3中形成深孔接觸8引出集電極；在所述發(fā)射區(qū)形成一金屬接觸9引出發(fā)射極。最后形成金屬連線10實(shí)現(xiàn)和各金屬接觸9、深孔接觸8連接并實(shí)現(xiàn)電路的互連。本發(fā)明實(shí)施例能用作高速、高增益HBT電路中的輸出器件，器件的最大電流增益能達(dá)到20以上。本發(fā)明實(shí)施例通過先進(jìn)的深孔接觸工藝與N型贗埋層、P型贗埋層直接接觸，來弓丨出本器件的集電極和基極，器件的面積與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)相比有效的減小了。由于N型贗埋層、P型贗埋層是高濃度參雜，寄生的電阻也隨之減小，從而能提高器件的頻率特性。如圖6A所示，是TCAD模擬的本發(fā)明實(shí)施例SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管輸入特性曲線；可以看出器件具有較小的基極和集電極的寄生電阻，從而能提高器件的頻率特性。 另外，本發(fā)明實(shí)施例較易實(shí)現(xiàn)器件的電流增益的調(diào)節(jié)，如即可以通過調(diào)節(jié)基區(qū)N型離子注入劑量來調(diào)節(jié)，也可以通過所述基區(qū)的底部延伸進(jìn)入所述淺槽場(chǎng)氧的底部的距離來調(diào)節(jié)， 從而能夠得到大于20的較高的電流增益。如圖6B所示，是TCAD模擬的本發(fā)明實(shí)施例SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管電流增益曲線。可以看出，本發(fā)明實(shí)施例器件的電流增益大于20 以上通過具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，但這些并非構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管，其特征在于所述寄生橫向型PNP 三極管形成于P型硅襯底上的N型深阱中，有源區(qū)由淺槽場(chǎng)氧隔離，包括一基區(qū)，由形成于所述有源區(qū)中的N型離子注入?yún)^(qū)組成，所述基區(qū)的縱向深度大于所述淺槽場(chǎng)氧底部的深度，所述基區(qū)的底部在橫向上延伸進(jìn)入所述基區(qū)左右兩側(cè)的所述淺槽場(chǎng)氧的底部；一集電區(qū)，由形成于所述基區(qū)左右兩側(cè)的所述淺槽場(chǎng)氧的底部的兩個(gè)P型贗埋層組成，兩個(gè)所述P型贗埋層各自位于所述基區(qū)左側(cè)或右側(cè)的所述淺槽場(chǎng)氧的底部且呈對(duì)稱結(jié)構(gòu)，各所述P型贗埋層為P型離子注入?yún)^(qū)，各所述P型贗埋層的寬度小于其頂部的所述淺槽場(chǎng)氧的寬度，各所述P型贗埋層都和其旁側(cè)的所述基區(qū)延伸進(jìn)入所述淺槽場(chǎng)氧的底部的部分相連接形成所述集電區(qū)和所述基區(qū)的接觸，通過在各所述P型贗埋層頂部的所述淺槽場(chǎng)氧中形成深孔接觸引出集電極；二個(gè)N型贗埋層，各所述N型贗埋層各自位于所述基區(qū)左右兩側(cè)的所述淺槽場(chǎng)氧的底部且呈對(duì)稱結(jié)構(gòu)、且和所述基區(qū)左右兩側(cè)的所述P型贗埋層相隔一距離，各所述N型贗埋層為N型離子注入?yún)^(qū)，各所述N型贗埋層的寬度小于其頂部的所述淺槽場(chǎng)氧的寬度，各所述N 型贗埋層通過所述N型深阱和所述基區(qū)形成通路并通過在各所述N型贗埋層頂部的所述淺槽場(chǎng)氧中做深孔接觸引出基極；一發(fā)射區(qū)，由形成于所述有源區(qū)上的一 P型鍺硅外延層組成，所述發(fā)射區(qū)和所述基區(qū)形成接觸并通過形成于所述發(fā)射區(qū)頂部的金屬接觸引出發(fā)射極。
2.如權(quán)利要求1所述的SiGeHBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管，其特征在于所述基區(qū)的N型離子注入的工藝條件為注入雜質(zhì)為P、注入能量為50kev 500kev、劑量為 5ellcm2 5el3cm2。
3.如權(quán)利要求1所述的SiGeHBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管，其特征在于所述 N型深阱由一 N型離子注入?yún)^(qū)組成，所述N型深阱的N型離子注入的工藝條件為注入雜質(zhì)為P、注入能量為500kev 2000kev、劑量為lel2cnT2 5eHcnT2。
4.如權(quán)利要求1所述的SiGeHBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管，其特征在于所述N型贗埋層的N型離子注入的工藝條件為注入能量小于15keV、注入劑量為IeHcm2 lel6cm20
5.如權(quán)利要求1所述的SiGeHBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管，其特征在于所述P型贗埋層的P型離子注入的工藝條件為注入能量小于15keV、注入劑量為IeHcm2 lel6cm20
6.一種SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管的制造方法，其特征在于，包括如下步驟步驟一、采用刻蝕工藝在P型硅襯底上進(jìn)行N型離子注入形成N型深阱，形成有源區(qū)和淺溝槽；步驟二、在所述有源區(qū)左右兩側(cè)的所述淺溝槽底部選定區(qū)域進(jìn)行P型離子注入形成兩個(gè)P型贗埋層，兩個(gè)所述P型贗埋層各自位于所述有源區(qū)左側(cè)或右側(cè)的所述淺溝槽的底部且呈對(duì)稱結(jié)構(gòu)，各所述P型贗埋層的寬度小于所述淺溝槽的寬度且所述有源區(qū)邊緣相隔一距離；步驟三、在所述有源區(qū)左右兩側(cè)的所述淺溝槽底部選定區(qū)域進(jìn)行N型離子注入形成兩個(gè)呈對(duì)稱結(jié)構(gòu)的N型贗埋層；各所述N型贗埋層各自位于所述有源區(qū)左右兩側(cè)的所述淺槽場(chǎng)氧的底部、且和所述有源區(qū)左右兩側(cè)的所述P型贗埋層相隔一距離，各所述N型贗埋層的寬度小于所述淺溝槽的寬度，各所述P型贗埋層位于靠近所述有源區(qū)的一端、各所述N型贗埋層位于遠(yuǎn)離所述有源區(qū)的一端；步驟四、在所述淺溝槽中填入氧化硅形成淺槽場(chǎng)氧；步驟五、在所述有源區(qū)中進(jìn)行N型離子注入形成基區(qū)，所述基區(qū)的縱向深度大于所述淺槽場(chǎng)氧底部的深度，所述基區(qū)的底部在橫向上延伸進(jìn)入所述基區(qū)左右兩側(cè)的所述淺槽場(chǎng)氧的底部；步驟六、在所述P型硅襯底上形成一 P型鍺硅外延層并刻蝕所述有源區(qū)外部的所述P 型鍺硅外延層，以保留于所述有源區(qū)上部的所述P型鍺硅外延層作為所述發(fā)射區(qū)；步驟七、在所述N型贗埋層頂部的所述淺槽場(chǎng)氧中形成深孔接觸引出基極；在所述P型贗埋層頂部的所述淺槽場(chǎng)氧中形成深孔接觸引出集電極；在所述發(fā)射區(qū)形成一金屬接觸引出發(fā)射極。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于步驟一中所述N型深阱的N型離子注入的工藝條件為注入雜質(zhì)為P、注入能量為500kev 2000kev、劑量為lel2cnT2 kl4cm 2。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于步驟二中形成各所述P型贗埋層的P型離子注入的工藝條件為注入能量小于15keV、注入劑量為IeHcm 2 lel6cm_2。
9.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于步驟三中所述N型贗埋層的N型離子注入的工藝條件為注入能量小于15keV、注入劑量為IeHcm 2 1θ16οιΓ2。
10.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于步驟五中所述基區(qū)的N型離子注入的工藝條件為注入雜質(zhì)為P、注入能量為50kev 500kev、劑量為5elIcnT2 kl3cm_2。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管，包括基區(qū)、集電區(qū)和發(fā)射區(qū)?；鶇^(qū)形成有源區(qū)中且基區(qū)底部延伸進(jìn)入淺槽場(chǎng)氧的底部；集電區(qū)由形成于基區(qū)左右兩側(cè)的淺槽場(chǎng)氧的底部的并和基區(qū)相連接的兩個(gè)P型贗埋層組成?；鶇^(qū)通過N型深阱和二個(gè)N型贗埋層相連通，N型贗埋層形成于淺槽場(chǎng)氧的底部并和P型贗埋層相隔一距離。通過深孔接觸和P型贗埋層、N型贗埋層相連接分別引出集電極和基極。發(fā)射區(qū)有形成于有源區(qū)上的P型鍺硅外延層組成。本發(fā)明公開了一種SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管的制造方法。本發(fā)明能用作高速、高增益HBT電路中的輸出器件，能有效縮小器件面積、提高器件的頻率特性。
文檔編號(hào)H01L29/737GK102386219SQ201010270109
公開日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2010年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月31日
發(fā)明者劉冬華, 錢文生 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司