專利名稱：靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種集成電路的布局結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種在焊墊(bonding pad)下的靜電放電(electrostatic discharge，ESD)保護(hù)電路的布局結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
于實際使用環(huán)境中，各種來源的靜電放電可能會沖擊電子產(chǎn)品。當(dāng)靜電放電發(fā)生時，此突如其來的靜電放電電流很可能會在瞬間將元件燒毀。為克服上述問題，一般須在電路中安排一些靜電放電保護(hù)機制，以有效導(dǎo)引靜電放電電流而避免元件燒毀。圖1說明具有靜電放電保護(hù)元件112、113的傳統(tǒng)集成電路100示意圖。對于集成電路100而言，靜電放電保護(hù)元件112、113會配置在焊墊111附近，以保護(hù)核心電路(Core Circuit) 130。當(dāng)焊墊111發(fā)生靜電放電時，靜電放電電流會經(jīng)過靜電放電保護(hù)元件112而被導(dǎo)引至電源線VDD (及/或經(jīng)過靜電放電保護(hù)元件113而被導(dǎo)引至電源線VSS)，以避免燒毀核心電路130。同時，電阻120可以提供足夠的阻抗，以阻止大量靜電放電電流流入核心電路130。圖2說明圖1所示靜電放電保護(hù)元件112、113與焊墊111的傳統(tǒng)布局結(jié)構(gòu)剖而示意圖。焊墊111配置于集成電路基板210上方。靜電放電保護(hù)元件112、113配置于集成電路基板210內(nèi)。在打線的工藝(wire bondingprocess)中，焊墊111會承受很大的垂直應(yīng)力。此垂直應(yīng)力有可能會使焊墊111形變及/或下陷，甚至是擊穿焊墊111與集成電路基板210之間的絕緣層。因此，對于傳統(tǒng)布局結(jié)構(gòu)而言，焊墊111下方是不可以配置任何元件、 電路、導(dǎo)線或摻雜區(qū)(doped region)，以避免與焊墊111發(fā)生錯誤性電性連接。有時候打線的垂直應(yīng)力太大，甚至?xí)购笁|111電性接觸到集成電路基板210，因而降低生產(chǎn)良率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，可提高靜電放電防護(hù)能力，縮減靜電放電防護(hù)電路的面積，甚至提高生產(chǎn)良率。本發(fā)明實施例提出一種靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，包括基體、絕緣層、焊墊、第一摻雜區(qū)、 以及導(dǎo)電孔?；w為第一導(dǎo)電型，而第一摻雜區(qū)為第二導(dǎo)電型。焊墊配置于基體上。絕緣層配置于基體與焊墊之間。第一摻雜區(qū)配置于基體中。于基體的垂直投影方向上，該焊墊的全部配置于該第一摻雜區(qū)中。導(dǎo)電孔配置于第一摻雜區(qū)與焊墊之間，并且貫穿該絕緣層。 焊墊通過該導(dǎo)電孔電性連接至第一摻雜區(qū)。在本發(fā)明的一實施例中，上述的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)還包括第二摻雜區(qū)。第二摻雜區(qū)為該第一導(dǎo)電型，配置于該基體中且于該第一摻雜區(qū)外。第二摻雜區(qū)電性連接至第一電源線?；谏鲜?，第一摻雜區(qū)與基體之間的P-N接面形成一個寄生二極管(也就是靜電放電保護(hù)元件)。本發(fā)明利用焊墊下方的空間，配置子與焊墊電性連接的第一摻雜區(qū)，因而縮減靜電放電防護(hù)電路的面積。由于大幅縮短焊墊與靜電放電保護(hù)元件之間的電性路徑距離，因此可提高靜電放電防護(hù)能力。再者，即使打線的垂直應(yīng)力太大而使焊墊接觸到集成電路基板的第一摻雜區(qū)，依然不影響此集成電路的功能，所以可以提高生產(chǎn)良率。


為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下，其中圖1說明具有靜電放電保護(hù)元件的傳統(tǒng)集成電路示意圖。圖2說明圖1所示靜電放電保護(hù)元件與焊墊的傳統(tǒng)布局結(jié)構(gòu)剖面示意圖。圖3是依照本發(fā)明實施例說明圖1所示靜電放電保護(hù)元件與焊墊的布局結(jié)構(gòu)俯視示意圖。圖4是依照本發(fā)明另一實施例說明圖3所示靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)沿剖面線A-A’的剖面示意圖。圖5是依據(jù)本發(fā)明實施例說明焊墊被用來做為電源焊墊時，靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的等效電路示意圖。圖6是依照本發(fā)明另一實施例說明圖1所示靜電放電保護(hù)元件與焊墊的布局結(jié)構(gòu)俯視示意圖。圖7是依照本發(fā)明實施例說明圖6所示靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)沿剖面線B-B’的剖面示意圖。圖8是依據(jù)本發(fā)明另一實施例說明焊墊被用來做為電源焊墊時，靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的等效電路示意圖。圖9是依照本發(fā)明另一實施例說明靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
具體實施例方式圖3是依照本發(fā)明實施例說明用以產(chǎn)生等效于已知技術(shù)圖1所示靜電放電保護(hù)元件112、113與焊墊111的布局結(jié)構(gòu)俯視示意圖。圖4是依照本發(fā)明實施例說明圖3所示靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)沿剖而線A-A’的剖面示意圖。請參照圖3與圖4，基體(bulk或body) 310 為第一導(dǎo)電型，在此假設(shè)第一導(dǎo)電型為N型摻雜導(dǎo)電型，而基體310為配置于集成電路基板 (substrate)410內(nèi)的N型摻雜阱(Niell)。集成電路基板410為第二導(dǎo)電型，在此假設(shè)第二導(dǎo)電型為P型摻雜導(dǎo)電型。第一摻雜區(qū)340為P型重?fù)诫s區(qū)(P+area)。第一摻雜區(qū)340配置于基體310中， 因此于第一摻雜區(qū)340與基體310之間的PN接面形成一個寄生二極管112’。此寄生二極管112’可以等效于圖1所示靜電放電保護(hù)元件112。焊墊111配置于基體310上。于基體310的垂直投影方向上，焊墊111的全部配置于第一摻雜區(qū)；340中。絕緣層420配置于基體310與焊墊111之間。多個導(dǎo)電孔332配置于第一摻雜區(qū)340與焊墊111之間，并且貫穿絕緣層420。焊墊111通過導(dǎo)電孔332電性連接至第一摻雜區(qū)340。需特別注意的是，本實施例所繪示的絕緣層420僅為示意。在某些實施例中，絕緣層420可以表示單一絕緣層。在其它實施例中，此絕緣層420代表了在基體 310與焊墊111之間的多層導(dǎo)電層與多層絕緣層。第二摻雜區(qū)321、322與323為N型重?fù)诫s區(qū)(N+area)。第二摻雜區(qū)321、322與323配置于基體310中且于第一摻雜區(qū)340外。第二摻雜區(qū)321、322與323經(jīng)由導(dǎo)電孔(例如 331與333)與導(dǎo)電線370電性連接至第一電源線VDD。第二摻雜區(qū)321、322與323環(huán)繞于第一摻雜區(qū)340周圍。需特別注意的是，本實施例所繪示的第二摻雜區(qū)321、322與323僅為一種實現(xiàn)范例。其它實施例中，第二摻雜區(qū)321、322與323可以是形成U形且環(huán)繞于第一摻雜區(qū)340周圍的單一個N型重?fù)诫s區(qū)。或者，第二摻雜區(qū)321、322與323可以是形成環(huán)狀且環(huán)繞于第一摻雜區(qū)340周圍的單一個N型重?fù)诫s區(qū)。當(dāng)靜電放電事件發(fā)生在焊墊111時，正脈沖靜電放電電流可以經(jīng)由導(dǎo)電孔332、第一摻雜區(qū)340、基體310、第二摻雜區(qū)321-323、導(dǎo)電線370而被導(dǎo)引至第一電源線VDD。第三摻雜區(qū)360為N型重?fù)诫s區(qū)。第三摻雜區(qū)360配置于集成電路基板410中且于基體310外，因此于第三摻雜區(qū)360與集成電路基板410之間的PN接面形成另一個寄生二極管113’。此寄生二極管113’可以等效于圖1所示靜電放電保護(hù)元件113。第三摻雜區(qū)360經(jīng)由導(dǎo)電孔、導(dǎo)電線電性連接至焊墊111。第四摻雜區(qū)350為P型重?fù)诫s區(qū)。第四摻雜區(qū)350配置于集成電路基板410中， 并且配置于基體310與第三摻雜區(qū)360外。于本實施例中，形成環(huán)狀的第四摻雜區(qū)350環(huán)繞于第三摻雜區(qū)360周圍。第四摻雜區(qū)350經(jīng)由導(dǎo)電孔、導(dǎo)電線380電性連接至第二電源線 VSS。當(dāng)靜電放電事件發(fā)生在焊墊111時，負(fù)脈沖靜電放電電壓可以從第二電源線VSS、 導(dǎo)電線380、第四摻雜區(qū)350、集成電路基板410、第三摻雜區(qū)360汲取靜電放電電流。應(yīng)用本實施例者可以視其設(shè)計需求而更改上述的教示內(nèi)容。例如，若要以N型集成電路基板實現(xiàn)上述集成電路基板410，則基體310可以是P型摻雜阱，第一摻雜區(qū)340與第四摻雜區(qū)350可以是N型重?fù)诫s區(qū)，而第二摻雜區(qū)321-323與第三摻雜區(qū)360可以是P 型重?fù)诫s區(qū)。在此實施例中，第二摻雜區(qū)321、322與323經(jīng)由導(dǎo)電孔(例如331與333)與導(dǎo)電線370電性連接至電源線VSS，而第四摻雜區(qū)350經(jīng)由導(dǎo)電孔、導(dǎo)電線380電性連接至電源線VDD。當(dāng)正脈沖靜電放電事件發(fā)生在焊墊111時，靜電放電電流可以經(jīng)由第三摻雜區(qū)360、集成電路基板410、第四摻雜區(qū)350、導(dǎo)電線380而被導(dǎo)引至電源線VDD。當(dāng)負(fù)脈沖靜電放電事件發(fā)生在焊墊111時，靜電放電電子流可以從導(dǎo)電孔332、第一摻雜區(qū)340、基體 310、第二摻雜區(qū)321-323、導(dǎo)電線370而被導(dǎo)引至電源線VSS。若焊墊111被用來做為集成電路的電源焊墊(power pad)，則圖3與圖4中導(dǎo)電線380、第四摻雜區(qū)350、第三摻雜區(qū)360可以被省略。在此應(yīng)用例下，圖3與圖4中的焊墊 111電性連接至集成電路內(nèi)的第二電源線VSS。圖5是依據(jù)本發(fā)明另一實施例說明焊墊111 被用來做為電源焊墊時，靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的等效電路示意圖。請參照圖4與圖5，當(dāng)焊墊 111電性連接至第二電源線VSS，且導(dǎo)電線380、第四摻雜區(qū)350、第三摻雜區(qū)360被省略時， 于第一摻雜區(qū)340與基體310之間的PN接面可以等效于圖5所示于第一電源線VDD與第二電源線VSS之間的靜電放電保護(hù)元件112。圖6是依照本發(fā)明另一實施例說明圖1所示靜電放電保護(hù)元件112、113與焊墊 111的布局結(jié)構(gòu)俯視示意圖。圖7是依照本發(fā)明實施例說明圖6所示靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)沿剖面線B-B’的剖面示意圖。圖6與圖7的大部分內(nèi)容可以參照圖3與圖4的相關(guān)說明。 與圖3、4所示實施例的不同處在于，圖6與圖7所示實施例中，第一導(dǎo)電型為P型摻雜導(dǎo)電型，而第二導(dǎo)電型為N型摻雜導(dǎo)電型。另外，圖3與圖4實施例中所述第一電源線與第二電源線分別是電源線VDD與電源線VSS，而圖6與圖7所示實施例中第一電源線與第二電源線分別是電源線VSS與電源線VDD。請參照圖6與圖7，寄生二極管113’的基體為P型集成電路基板410，而寄生二極管112’的基體為配置于集成電路基板410內(nèi)的N型摻雜阱610。第一摻雜區(qū)640為N型重?fù)诫s區(qū)(N+area)。第一摻雜區(qū)640配置于集成電路基板410中，因此于第一摻雜區(qū)640與集成電路基板410之間的PN接而形成一個寄生二極管 113’。此寄生二極管113’可以等效于圖1所示靜電放電保護(hù)元件113。于集成電路基板410的垂直投影方向上，焊墊111的全部配置于第一摻雜區(qū)640 中。焊墊111通過導(dǎo)電孔332電性連接至第一摻雜區(qū)640。第二摻雜區(qū)621、622與623為 P型重?fù)诫s區(qū)(P+area)。第二摻雜區(qū)621、622與623配置于集成電路基板410中且于第一摻雜區(qū)640外。第二摻雜區(qū)621、622與623經(jīng)由導(dǎo)電孔(例如331與333)與導(dǎo)電線370 電性連接至電源線VSS。第二摻雜區(qū)621、622與623環(huán)繞于第一摻雜區(qū)640周圍。于其它實施例中，第二摻雜區(qū)621、622與623可以是形成U形且環(huán)繞于第一摻雜區(qū)640周圍的單一個P型重?fù)诫s區(qū)?；蛘?，第二摻雜區(qū)621、622與623可以是形成環(huán)狀且環(huán)繞于第一摻雜區(qū)640周圍的單一個P型重?fù)诫s區(qū)。N型摻雜阱610配置于集成電路基板410中且于第一摻雜區(qū)640外。第三摻雜區(qū) 660為P型重?fù)诫s區(qū)，配置于N型摻雜阱610中，因此于第三摻雜區(qū)660與N型摻雜阱610 之間的PN接面形成另一個寄生二極管112’。此寄生二極管112’可以等效于圖1所示靜電放電保護(hù)元件112。第三摻雜區(qū)660電性連接至焊墊111。第四摻雜區(qū)650為N型重?fù)诫s區(qū)，配置于N型摻雜阱610中且于第三摻雜區(qū)660外。于本實施例中，形成環(huán)狀的第四摻雜區(qū)650環(huán)繞于第三摻雜區(qū)660周圍。第四摻雜區(qū)650經(jīng)由導(dǎo)電線380電性連接至電源線 VDD。當(dāng)正脈沖靜電放電事件發(fā)生在焊墊111時，靜電放電電流可以經(jīng)由第三摻雜區(qū) 660、N型摻雜阱610、第四摻雜區(qū)650、導(dǎo)電線380而被導(dǎo)引至電源線VDD。當(dāng)負(fù)脈沖靜電放電事件發(fā)生在焊墊111時，靜電放電電子流可以從導(dǎo)電孔332、第一摻雜區(qū)640、集成電路基板410、第二摻雜區(qū)621-623、導(dǎo)電線370而被導(dǎo)引至電源線VSS。應(yīng)用本實施例者可以視其設(shè)計需求而更改上述圖6、圖7所揭示內(nèi)容。例如，若要以N型集成電路基板實現(xiàn)上述圖6、圖7的集成電路基板410，則摻雜阱610可以是P型摻雜阱，第一摻雜區(qū)640與第四摻雜區(qū)650可以是P型重?fù)诫s區(qū)，而第二摻雜區(qū)621-623與第三摻雜區(qū)660可以是N型重?fù)诫s區(qū)。在此實施例中，第二摻雜區(qū)621-623經(jīng)由導(dǎo)電孔(例如331與333)與導(dǎo)電線370電性連接至電源線VDD，而第四摻雜區(qū)650經(jīng)由導(dǎo)電孔、導(dǎo)電線 380電性連接至電源線VSS。當(dāng)正脈沖靜電放電事件發(fā)生在焊墊111時，靜電放電電流可以經(jīng)由導(dǎo)電孔332、第一摻雜區(qū)640、集成電路基板410、第二摻雜區(qū)621-623、導(dǎo)電線370而被導(dǎo)引至電源線VDD。當(dāng)負(fù)脈沖靜電放電事件發(fā)生在焊墊111時，靜電放電電子流可以從第三摻雜區(qū)660、摻雜阱610、第四摻雜區(qū)650、導(dǎo)電線380而被導(dǎo)引至電源線VSS。若焊墊111被用來做為集成電路的電源焊墊，則圖6與圖7中導(dǎo)電線380、N型摻雜阱610、第四摻雜區(qū)650、第三摻雜區(qū)660可以被省略。在此應(yīng)用例下，圖6與圖7中的焊墊111電性連接至集成電路內(nèi)的電源線VDD。圖8是依據(jù)本發(fā)明另一實施例說明焊墊111 被用來做為電源焊墊時，靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的等效電路示意圖。請參照圖7與圖8，當(dāng)焊墊111電性連接至第二電源線VDD，且導(dǎo)電線380、N型摻雜阱610、第四摻雜區(qū)650、第三摻雜區(qū)660被省略時，于第一摻雜區(qū)640與集成電路基板410之間的PN接面可以等效于圖8所示于電源線VDD與電源線VSS之間的靜電放電保護(hù)元件113。圖9是依照本發(fā)明另一實施例說明靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖9的大部分內(nèi)容可以參照圖7的相關(guān)說明。與圖7所示實施例的不同處在于，圖9所示實施例包括深阱910與基體920。深阱910為N型深阱(DEEP-NWELL)，而基體920為P型摻雜阱。深阱910配置于集成電路基板410內(nèi)?；w920配置于深阱910內(nèi)。請參照圖9，第一摻雜區(qū)640、第二摻雜區(qū)621、622與623配置于基體920中。因此，于第一摻雜區(qū)640與基體920之間的PN接面形成一個寄生二極管113’。此寄生二極管 113’可以等效于圖1所示靜電放電保護(hù)元件113。第三摻雜區(qū)660與第四摻雜區(qū)650配置于深阱910中且于基體920外。因此，于第三摻雜區(qū)660與深阱910之間的PN接面形成另一個寄生二極管112’。此寄生二極管112’可以等效于圖1所示靜電放電保護(hù)元件112。應(yīng)用本實施例者可以視其設(shè)計需求而更改上述圖9的教示內(nèi)容。例如，若要以N型集成電路基板實現(xiàn)上述圖9的集成電路基板410，則深阱910可以是P型深阱 (DEEP-PWELL)，基體920可以是N型摻雜阱，第一摻雜區(qū)640與第四摻雜區(qū)650可以是P型重?fù)诫s區(qū)，而第二摻雜區(qū)621-623與第三摻雜區(qū)660可以是N型重?fù)诫s區(qū)。在此實施例中， 第二摻雜區(qū)621-623經(jīng)由導(dǎo)電孔(例如331與333)與導(dǎo)電線370電性連接至電源線VDD， 而第四摻雜區(qū)650經(jīng)由導(dǎo)電孔、導(dǎo)電線380電性連接至電源線VSS。當(dāng)正脈沖靜電放電事件發(fā)生在焊墊111時，靜電放電電流可以經(jīng)由導(dǎo)電孔332、第一摻雜區(qū)640、基體920、第二摻雜區(qū)621-623、導(dǎo)電線370而被導(dǎo)引至電源線VDD。當(dāng)負(fù)脈沖靜電放電事件發(fā)生在焊墊111 時，靜電放電電子流可以從第三摻雜區(qū)660、深阱910、第四摻雜區(qū)650、導(dǎo)電線380而被導(dǎo)引至電源線VSS。綜上所述，上述諸實施例利用焊墊111下方的空間，配置了與焊墊111電性連接的第一摻雜區(qū)340 (或640)，并利用第一摻雜區(qū)340 (或640)與基體310 (或基板410、或基體 920)之間的P-N接面形成一個靜電放電保護(hù)元件，因而縮減靜電放電防護(hù)電路的面積。再者，由于將第一摻雜區(qū)340(或640)配置在焊墊111下方，因此大幅縮短焊墊111與靜電放電保護(hù)元件之間的電性路徑距離，進(jìn)而提高靜電放電防護(hù)能力。另外，即使焊墊111的打線垂直應(yīng)力太大而使焊墊111接觸到集成電路基板410的第一摻雜區(qū)340 (或640)，依然不影響此集成電路的功能，所以可以提高生產(chǎn)良率。雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求范圍所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 一基體，其為一第一導(dǎo)電型；一焊墊，配置于該基體上；一絕緣層，配置于該基體與該焊墊之間；一第一摻雜區(qū)，其為一第二導(dǎo)電型，配置于該基體中，其中于該基體的垂直投影方向上，該焊墊的全部配置于該第一摻雜區(qū)中；以及一導(dǎo)電孔，配置于該第一摻雜區(qū)與該焊墊之間并且貫穿該絕緣層，其中該焊墊通過該導(dǎo)電孔電性連接至該第一摻雜區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中當(dāng)該第二導(dǎo)電型為P型時，該第一導(dǎo)電型為N型。
3.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中當(dāng)該第二導(dǎo)電型為N型時，該第一導(dǎo)電型為P型。
4.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一第二摻雜區(qū)，其為該第一導(dǎo)電型，配置于該基體中且于該第一摻雜區(qū)外，其中該第二摻雜區(qū)電性連接至一第一電源線。
5.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該基體為一集成電路基板。
6.如權(quán)利要求5所述的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括 一第一阱，其為該第二導(dǎo)電型，配置于該基體中且于該第一摻雜區(qū)外；一第三摻雜區(qū)，其為該第一導(dǎo)電型，配置于該第一阱中，其中該第三摻雜區(qū)電性連接至該焊墊；以及一第四摻雜區(qū)，其為該第二導(dǎo)電型，配置于該第一阱中且于該第三摻雜區(qū)外，其中該第四摻雜區(qū)電性連接至一第二電源線。
7.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該基體為配置于一集成電路基板內(nèi)的一阱，該集成電路基板為該第二導(dǎo)電型。
8.如權(quán)利要求7所述的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一第三摻雜區(qū)，其為該第一導(dǎo)電型，配置于該集成電路基板中且于該基體外，其中該第三摻雜區(qū)電性連接至該焊墊；以及一第四摻雜區(qū)，其為該第二導(dǎo)電型，配置于該集成電路基板中且于該基體與該第三摻雜區(qū)外，其中該第四摻雜區(qū)電性連接至一第二電源線。
9.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括 一深阱，其為該第二導(dǎo)電型，配置于一集成電路基板內(nèi)；其中該基體配置于該深阱內(nèi)。
全文摘要
一種靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，包括焊墊、基體、絕緣層、第一摻雜區(qū)、以及導(dǎo)電孔?；w為第一導(dǎo)電型，而第一摻雜區(qū)為第二導(dǎo)電型。焊墊配置于基體上。絕緣層配置于基體與焊墊之間。第一摻雜區(qū)配置于基體中。于基體的垂直投影方向上，該焊墊的全部配置于該第一摻雜區(qū)中。導(dǎo)電孔配置于第一摻雜區(qū)與焊墊之間。焊墊通過該導(dǎo)電孔電性連接至第一摻雜區(qū)。
文檔編號H01L27/02GK102386181SQ201010267840
公開日2012年3月21日 申請日期2010年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月27日
發(fā)明者容光宇 申請人:碩頡科技股份有限公司