專利名稱：薄膜沉積設(shè)備和制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本教導(dǎo)涉及一種薄膜沉積設(shè)備和利用該薄膜沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的 方法。
背景技術(shù)：
由于有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有的視角大、對(duì)比度特性優(yōu)良、響應(yīng)速度快，因此有機(jī)發(fā) 光顯示裝置作為下一代顯示裝置已備受矚目。通常，有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有堆疊的結(jié)構(gòu)，堆 疊的結(jié)構(gòu)包括陽(yáng)極、陰極、設(shè)置在陽(yáng)極和陰極之間的發(fā)射層。當(dāng)從陽(yáng)極和陰極分別注入的空 穴和電子在發(fā)射層中復(fù)合時(shí)，發(fā)射光以產(chǎn)生圖像。然而，以這樣的結(jié)構(gòu)難以實(shí)現(xiàn)高發(fā)光效 率，因此選擇性地將包括電子注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層、空穴注入層等的中間層設(shè) 置在發(fā)射層和電極之間。此外，難以在諸如上述的中間層和發(fā)射層的有機(jī)薄膜中形成精細(xì)圖案，且紅光發(fā) 射效率、綠光發(fā)射效率、藍(lán)光發(fā)射效率在不同的層中變化。由于這些原因，難以利用傳統(tǒng)的 薄膜沉積設(shè)備來(lái)圖案化大尺寸的目標(biāo)(target)，諸如5G或更大的母玻璃。因此，難以制造 具有滿意的驅(qū)動(dòng)電壓、電流密度、亮度、色純度、發(fā)射效率、壽命特性的大的有機(jī)發(fā)光顯示裝 置。因此，存在對(duì)于這方面進(jìn)行改進(jìn)的需要。有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括中間層，中間層包括設(shè)置在第一電極和第二電極之間的發(fā) 射層?？梢岳酶鞣N方法來(lái)形成電極和中間層，所述方法之一是沉積方法。當(dāng)利用沉積方法 來(lái)制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置時(shí)，將圖案與將要形成的薄膜的圖案相同的精細(xì)金屬掩模(FMM) 設(shè)置為與基底緊密接觸。在FMM上方沉積薄膜材料，以形成具有期望的圖案的薄膜。

發(fā)明內(nèi)容
本教導(dǎo)提供一種可以容易地制造的薄膜沉積設(shè)備，該薄膜沉積設(shè)備可以簡(jiǎn)單地大 規(guī)模地制造大基底，該薄膜沉積設(shè)備提高了生產(chǎn)率和沉積效率，該薄膜沉積設(shè)備允許沉積 材料被再利用。本教導(dǎo)還提供一種利用該薄膜沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。根據(jù)本教導(dǎo)的一方面，提供了一種薄膜沉積設(shè)備，該薄膜沉積設(shè)備用于在基底上 形成薄膜，所述設(shè)備包括多個(gè)薄膜沉積組件，每個(gè)薄膜沉積組件包括沉積源，排放沉積材 料；沉積源噴嘴單元，設(shè)置在沉積源上，并包括沿第一方向布置的多個(gè)沉積源噴嘴；圖案化 縫隙片，設(shè)置為面對(duì)沉積源噴嘴單元，并包括沿第一方向布置的多個(gè)圖案化縫隙；障礙板組 件，設(shè)置在沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間，并包括將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙 片之間的空間劃分為多個(gè)子沉積空間的多個(gè)障礙板。薄膜沉積設(shè)備與基底分開預(yù)定的距 離，薄膜沉積設(shè)備和基底可相對(duì)于彼此移動(dòng)。根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，沉積源可以分別包含不同的沉積材料。
根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，沉積材料可以同時(shí)沉積在基底上。根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，薄膜沉積組件的數(shù)量可以為至少三個(gè)，分別包含在沉積源 中的沉積材料可以形成紅發(fā)射層、綠發(fā)射層、藍(lán)發(fā)射層。根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，沉積材料可以在基底和薄膜沉積設(shè)備中的一者相對(duì)于另一 者移動(dòng)的同時(shí)連續(xù)地沉積在基底上。根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，薄膜沉積設(shè)備和基底中的至少一個(gè)可以是可沿與基底的表 面平行的平面相對(duì)于彼此移動(dòng)的。根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，圖案化縫隙片可以小于基底。根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，障礙板組件可以將排放的沉積材料引導(dǎo)到圖案化縫隙片。根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，沉積源的沉積溫度可以是可被單獨(dú)地控制的。根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，每個(gè)薄膜沉積組件的多個(gè)圖案化縫隙可以相對(duì)于其他的薄 膜沉積組件的圖案化縫隙偏移預(yù)定的距離。根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，多個(gè)圖案化縫隙片可以一體化地形成為單個(gè)的圖案化縫隙 片。根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，單個(gè)的圖案化縫隙片可以包括成行的圖案化縫隙，每行的 圖案化縫隙相對(duì)于其他行的圖案化縫隙偏移預(yù)定的距離。根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，每個(gè)薄膜沉積組件的圖案化縫隙可以具有不同的長(zhǎng)度。根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，可以根據(jù)圖案化縫隙的長(zhǎng)度來(lái)控制沉積在基底上的沉積材 料的量。根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，每個(gè)障礙板可以沿與第一方向基本垂直的第二方向延伸， 以劃分沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間。根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，障礙板可以按相等的間距分開。根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，每個(gè)障礙板組件可以包括第一障礙板組件，包括多個(gè)第一 障礙板；第二障礙板組件，包括多個(gè)第二障礙板。根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，每個(gè)第一障礙板和每個(gè)第二障礙板可以沿與第一方向基本 垂直的第二方向延伸，以劃分沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間。根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，可以成對(duì)地布置第一障礙板和第二障礙板。根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，每對(duì)第一障礙板和第二障礙板可以布置在基本上同一平面 上。根據(jù)本教導(dǎo)的另一方面，提供了一種利用薄膜沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的 方法，薄膜沉積設(shè)備用于在基底上形成薄膜，所述方法包括如下步驟將基底布置為與薄膜 沉積設(shè)備分開預(yù)定的距離；在薄膜沉積設(shè)備和基底中的一者相對(duì)于另一者移動(dòng)的同時(shí)，將 從薄膜沉積設(shè)備排放的沉積材料沉積到基底上。薄膜沉積設(shè)備包括薄膜沉積組件，薄膜沉 積組件包括沉積源，排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，設(shè)置在沉積源上，并包括沿第一方 向布置的多個(gè)沉積源噴嘴；圖案化縫隙片，設(shè)置為面對(duì)沉積源噴嘴單元，并包括沿第一方向 布置的多個(gè)圖案化縫隙；障礙板組件，設(shè)置在沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間，并包括 將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間劃分為多個(gè)子沉積空間的多個(gè)障礙板。根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，在基底上沉積沉積材料的步驟包括在基底和薄膜沉積設(shè)備 中的一者相對(duì)于另一者移動(dòng)的同時(shí)在基底上連續(xù)地沉積排放的沉積材料。
根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，薄膜沉積設(shè)備可以包括分別排放不同的沉積材料的多個(gè)薄 膜沉積組件。根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，在基底上沉積沉積材料的步驟包括在基底上同時(shí)沉積不同 的沉積材料。根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，在基底上沉積沉積材料的步驟包括在基底上形成紅發(fā)射 層、綠發(fā)射層、藍(lán)發(fā)射層。根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，在基底上沉積沉積材料的步驟還可以包括將沉積材料加熱 到不同的溫度。根據(jù)本教導(dǎo)的多方面，在基底上沉積沉積材料的步驟還可以包括從薄膜沉積組件 排放不同量的沉積材料。本教導(dǎo)的另外的方面和/或優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中進(jìn)行一定程度地闡述，并且在 一定程度上通過(guò)描述而變得明顯，或者可以通過(guò)實(shí)施本教導(dǎo)來(lái)獲知。


通過(guò)下面結(jié)合附圖對(duì)示例性實(shí)施例的描述，本教導(dǎo)的這些和/或其他方面和優(yōu)點(diǎn) 將變得明顯并更易于理解，在附圖中圖1是根據(jù)本教導(dǎo)示例性實(shí)施例的通過(guò)利用薄膜沉積設(shè)備制造的有機(jī)發(fā)光顯示 裝置的平面圖；圖2是圖1中示出的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的子像素的剖視圖；圖3是根據(jù)本教導(dǎo)示例性實(shí)施例的薄膜沉積組件的示意性透視圖；圖4是圖3中示出的薄膜沉積組件的示意性剖視圖；圖5是圖3中示出的薄膜沉積組件的示意性俯視圖；圖6A是用于描述根據(jù)本教導(dǎo)示例性實(shí)施例的圖3的薄膜沉積組件中沉積材料的 沉積的示意圖；圖6B示出根據(jù)本教導(dǎo)示例性實(shí)施例的當(dāng)如圖6A中所示沉積空間通過(guò)障礙板劃分 時(shí)沉積在基底上的薄膜的陰影區(qū)域(shadow zone)；圖6C示出當(dāng)沉積空間沒有被劃分時(shí)沉積在基底上的薄膜的陰影區(qū)域；圖7是根據(jù)本教導(dǎo)示例性實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備的示意性透視圖；圖8是根據(jù)本教導(dǎo)另一示例性實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備的示意性透視圖；圖9是根據(jù)本教導(dǎo)另一示例性實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備的示意性透視圖；圖10是根據(jù)本教導(dǎo)另一示例性實(shí)施例的薄膜沉積組件的示意性透視圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將對(duì)本教導(dǎo)的示例性實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，在附圖中示出了它們的示例，其 中，相同的標(biāo)號(hào)始終表示相同的元件。下面通過(guò)參照附圖對(duì)示例性實(shí)施例進(jìn)行描述，以說(shuō)明 本教導(dǎo)的各方面。圖1是根據(jù)本教導(dǎo)示例性實(shí)施例的利用薄膜沉積設(shè)備制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置 的平面圖。參照?qǐng)D1，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括像素區(qū)域30和設(shè)置在像素區(qū)域30的邊緣處的 電路區(qū)域40。像素區(qū)域30包括多個(gè)像素，每個(gè)像素包括發(fā)射光以顯示圖像的發(fā)射單元。
發(fā)射單元可以包括多個(gè)子像素，每個(gè)子像素包括有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)。在全色 彩有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，按各種圖案來(lái)布置紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)子像素，例如，按線、馬賽 克(mosaic)或格子圖案來(lái)布置紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)子像素，以構(gòu)成像素。根據(jù)一些方面， 有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括單色平板顯示裝置。電路區(qū)域40控制例如輸入到像素區(qū)域30的圖像信號(hào)。至少一個(gè)薄膜晶體管(TFT) 可以安裝在像素區(qū)域30和電路區(qū)域40中的每個(gè)區(qū)域中。安裝在像素區(qū)域30中的至少一個(gè)TFT可以包括像素TFT，諸如根據(jù)柵極線信號(hào) 而將數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸?shù)?LED以控制0LED的操作的開關(guān)TFT ；驅(qū)動(dòng)TFT，通過(guò)根據(jù)數(shù)據(jù)信號(hào)提 供電流來(lái)驅(qū)動(dòng)0LED。安裝在電路區(qū)域40中的至少一個(gè)TFT可以包括電路TFT以實(shí)現(xiàn)預(yù)定 的電路。TFT的數(shù)量和布置可以根據(jù)顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法的特征而改變。圖2是根據(jù)本教導(dǎo)的示例性實(shí)施例的圖1中示出的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的子像素的 剖視圖。參照?qǐng)D2，緩沖層51形成在基底50上?；?0可以由玻璃或塑料形成。TFT和 0LED形成在緩沖層51上。具有預(yù)定圖案的有源層52形成在緩沖層51上。柵極絕緣層53形成在有源層52 上，柵電極54形成在柵極絕緣層53的預(yù)定的區(qū)域中。柵電極54連接到施加TFT 0N/0FF 信號(hào)的柵極線(未示出)。層間絕緣層55形成在柵電極54上。源/漏電極56和57形成 為分別通過(guò)接觸孔接觸有源層52的源/漏區(qū)域52b和52c。柵極區(qū)域52a設(shè)置在源/漏區(qū) 域52b和52c之間。鈍化層58由Si02、SiNx等形成在源/漏電極56和57上。由諸如丙烯 ?；牧?acryl)、聚酰亞胺(polyimide)、苯并環(huán)丁烯(BCB，benzocyclobutene)等的有機(jī) 材料形成的平坦化層59形成在鈍化層58上。用作0LED的陽(yáng)極的像素電極61形成在平坦化層59上，由有機(jī)材料形成的像素限 定層60形成為覆蓋像素電極61。開口形成在像素限定層60中，有機(jī)層62形成在像素限 定層60的表面上并在通過(guò)所述開口暴露的像素電極61的表面上。有機(jī)層62包括發(fā)射層。 本發(fā)明不限于上述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的結(jié)構(gòu)，這是因?yàn)榭梢詰?yīng)用有機(jī)發(fā)光顯示裝置的各 種結(jié)構(gòu)。0LED通過(guò)根據(jù)電流流動(dòng)而發(fā)射紅光、綠光、藍(lán)光來(lái)顯示圖像。0LED包括像素電極 61，連接到TFT的漏電極57 ；相對(duì)電極63，形成為覆蓋整個(gè)子像素；有機(jī)層62，設(shè)置在像素 電極61和相對(duì)電極63之間。正電壓施加到像素電極61，負(fù)電壓施加到相對(duì)電極63。像素電極61和相對(duì)電極63因有機(jī)層62而彼此絕緣，并將它們各自的電壓施加 到有機(jī)層62，以引發(fā)有機(jī)層62中的發(fā)光。有機(jī)層62可以是低分子量有機(jī)層或高分子量有 機(jī)層。當(dāng)將低分子量有機(jī)層用作有機(jī)層62時(shí)，有機(jī)層62可以包括從由空穴注入層(HIL)、 空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等組成的組選擇 的一層或多層?？捎玫挠袡C(jī)材料的示例包括銅酞菁(CuPc，copper phthalocyanine)、N， N' -二(萘-1-基)-N，N' - 二苯基-聯(lián)苯胺(NPB，N，N' -di (naphthalene-l-yl) -N, N ' -diphenyl-benzidine)、三-8_ 輕基喹啉招(Alq3, tris-8-hydroxyquinoline aluminum)等。低分子量有機(jī)層可以通過(guò)真空沉積形成。當(dāng)將高分子量有機(jī)層用作有機(jī)層62時(shí)，有機(jī)層62可以具有包括HTL 和EML的結(jié)構(gòu)。在這樣的情況下，HTL可以由聚(乙撐二氧噻吩)(PED0T， poly(ethylenedioxythiophene))形成，EML 可以由聚苯撐乙烯撐(PPV,polyphenylenevinylene)或聚芴(polyfiuorene)形成。HTL 和 EML 可以通過(guò)絲網(wǎng)印刷 (screen printing)、噴墨印刷(inkjet printing)等形成。有機(jī)層62不限于上述有機(jī)層， 且可以以各種其他的方式來(lái)實(shí)施。像素電極61用作陽(yáng)極，相對(duì)電極63用作陰極?？蛇x擇地，像素電極61可以用作 陰極，相對(duì)電極63可以用作陽(yáng)極。像素電極61可以為透明電極或反射電極。這樣的透明 電極可以由氧化銦錫(IT0)、氧化銦鋅(IZ0)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(ln203)形成。這樣的 反射電極可以包括由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(A1)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、 銥(Ir)、鉻(Cr)或它們的混合物形成的反射層和形成在反射層上的IT0、IZ0、Zn0或ln203 的層。相對(duì)電極63可以形成為透明電極或反射電極。當(dāng)相對(duì)電極63形成為透明電極時(shí)， 相對(duì)電極63用作陰極。為此，可以通過(guò)在有機(jī)層62的表面上沉積諸如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟 化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(A1)、銀(Ag)、鎂(Mg)或它們的混合物的功 函數(shù)低的金屬，并由諸如ITO、IZO、ZnO、ln203等的透明電極形成材料在其上形成輔助電極 層或匯流電極線，來(lái)形成這樣的透明電極。當(dāng)相對(duì)電極63形成為反射電極時(shí)，可以通過(guò)在 有機(jī)層62的整個(gè)表面上沉積Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它們的混合物來(lái)形成反 射層。在上述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中，可以利用將在下面描述的薄膜沉積組件100(見圖 4)來(lái)形成包括發(fā)射層的有機(jī)層62。在下文中，將詳細(xì)描述根據(jù)本教導(dǎo)示例性實(shí)施例的薄膜 沉積設(shè)備和利用該薄膜沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。圖3是根據(jù)本教導(dǎo)示例性實(shí)施例的薄膜沉積組件100的示意性透視圖，圖4是薄 膜沉積組件100的示意性側(cè)視圖，圖5是薄膜沉積組件100的示意性俯視圖。參照?qǐng)D3、圖 4、圖5，薄膜沉積組件100包括沉積源110、沉積源噴嘴單元120、障礙板組件130、圖案化縫 隙片150。雖然為了方便說(shuō)明而沒有在圖3、圖4、圖5中示出，但是薄膜沉積組件100的所有 組件可以設(shè)置在室(chamber)內(nèi)。將室保持在適當(dāng)?shù)恼婵?，以有助于沉積材料的沉積。具體地講，為了沉積沉積材料115，與在利用精細(xì)金屬掩模(FMM)的沉積方法中應(yīng) 用的相似，通常應(yīng)用高真空狀態(tài)。沉積材料115從沉積源110發(fā)射，并通過(guò)沉積源噴嘴單元 120和圖案化縫隙片150排放到基底400上，以形成期望的圖案。另外，障礙板131和圖案 化縫隙片150的溫度應(yīng)低于沉積源110的溫度。就此，障礙板131和圖案化縫隙片150的 溫度可以為大約100°C或更低。這是因?yàn)楫?dāng)沒有充分地降低障礙板131的溫度時(shí)，與障礙板 131碰撞的沉積材料115可能會(huì)再次蒸發(fā)(re-vaporize)。另外，當(dāng)充分地降低了圖案化縫 隙片150的溫度時(shí)，圖案化縫隙片150的熱膨脹可以最小化。障礙板組件130面對(duì)具有較 高溫度的沉積源110。另外，障礙板組件130的靠近沉積源110的一部分的溫度可以達(dá)到大 約167°C的最大溫度。因此，如果需要，則可以進(jìn)一步包括局部冷卻設(shè)備。為此，障礙板組件 130可以包括冷卻構(gòu)件(未示出)。構(gòu)成將沉積有沉積材料115的目標(biāo)的基底400設(shè)置在室中?；?00可以為用于 平板顯示器的任意合適的基底。諸如用于制造多個(gè)平板顯示器的母玻璃的大基底可以用作 基底400?？梢栽诨?00和薄膜沉積組件100中的一者相對(duì)于另一者移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積。具體地講，在傳統(tǒng)的FMM沉積方法中，F(xiàn)MM的尺寸必須等于基底的尺寸。因此，隨著基 底變得更大，必須增加FMM的尺寸。然而，因?yàn)樵诰_排列圖案方面存在困難，所以制造大 FMM或延展FMM存在問(wèn)題。為了克服這樣的問(wèn)題和/或其他問(wèn)題，在薄膜沉積組件100中，可以在薄膜沉積組 件100和基底400中的一者相對(duì)于另一者移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積。具體地講，可以在設(shè)置為 面對(duì)薄膜沉積組件100的基底400沿Y軸方向移動(dòng)的同時(shí)連續(xù)地執(zhí)行沉積。換句話說(shuō)，在 基底400沿圖3中的箭頭A的方向移動(dòng)，且薄膜沉積組件100固定的同時(shí)，以掃描的方式來(lái) 執(zhí)行沉積。雖然基底400被示出為在執(zhí)行沉積時(shí)沿圖3中的Y軸方向移動(dòng)，但是本教導(dǎo)不 限于此。具體地講，可以在薄膜沉積組件100沿Y軸方向移動(dòng)，且基底400固定的同時(shí)執(zhí)行 沉積。因此，在薄膜沉積組件100中，圖案化縫隙片150可以明顯小于在傳統(tǒng)的沉積方法 中使用的FMM。換句話說(shuō)，在薄膜沉積組件100中，在基底400沿Y軸方向移動(dòng)的同時(shí)，連續(xù) 地，即，以掃描的方式執(zhí)行沉積。因此，圖案化縫隙片150的沿X軸方向和Y軸方向的長(zhǎng)度 可以明顯小于基底400的沿X軸方向和Y軸方向的長(zhǎng)度。如上所述，因?yàn)閳D案化縫隙片150可以明顯小于傳統(tǒng)的FMM，所以制造圖案化縫隙 片150相對(duì)更容易。換句話說(shuō)，與使用更大的FMM的傳統(tǒng)的沉積方法相比，在包括蝕刻和后 續(xù)的其他工藝(諸如精確延展、焊接、移動(dòng)、清潔工藝)的所有的工藝中，使用小于在傳統(tǒng)的 沉積方法中使用的FMM的圖案化縫隙片150更加方便。這樣更有利于形成相對(duì)大的顯示裝置。為了在薄膜沉積組件100和基底400中的一者相對(duì)于另一者移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉 積，薄膜沉積組件100和基底400可以彼此分開預(yù)定的距離。這將在下面進(jìn)行詳細(xì)描述。沉積源110包含并加熱沉積材料115。沉積源110和基底400設(shè)置在室的相對(duì)側(cè)。 沉積材料115通過(guò)沉積源110而蒸發(fā)，然后沉積在基底400上。具體地講，沉積源110包括坩堝111，填充有沉積材料115 ；加熱器112，加熱坩堝 111以蒸發(fā)沉積材料115。蒸發(fā)的沉積材料115離開坩堝111并通過(guò)沉積源噴嘴單元120。沉積源噴嘴單元120設(shè)置為面對(duì)基底400。沉積源噴嘴單元120包括沿X軸方向 按相等的間距布置的多個(gè)沉積源噴嘴121。蒸發(fā)的沉積材料115穿過(guò)沉積源噴嘴121，然后 朝向基底400運(yùn)動(dòng)。障礙板組件130設(shè)置在沉積源噴嘴單元120的一側(cè)。障礙板組件130包括多個(gè)障 礙板131和覆蓋障礙板131的側(cè)部的障礙板框架132。多個(gè)障礙板131可以沿X軸方向按 相等的間隔布置在平行的平面中。具體地講，每個(gè)障礙板131可以布置為平行于圖3中的 YZ平面，S卩，可以布置為垂直于X軸方向。多個(gè)障礙板131將沉積源噴嘴單元120和圖案化 縫隙片150之間的空間劃分為多個(gè)子沉積空間S(見圖5)。子沉積空間S分別對(duì)應(yīng)于沉積 源噴嘴121。障礙板131可以分別設(shè)置在相鄰的沉積源噴嘴121之間。換句話說(shuō)，每個(gè)沉積源 噴嘴121可以設(shè)置在兩個(gè)相鄰的障礙板131之間。沉積源噴嘴121可以分別位于相鄰的障 礙板131之間的中點(diǎn)處。因?yàn)檎系K板131形成多個(gè)子沉積空間S，所以通過(guò)每個(gè)沉積源噴 嘴121排放的沉積材料115沒有與相鄰的沉積材料115混合，并穿過(guò)圖案化縫隙片150中 的圖案化縫隙151，從而沉積在基底400上。換句話說(shuō)，障礙板131防止沉積材料115沿X軸方向過(guò)分地流動(dòng)。如上所述，沉積材料115受迫朝圖案化縫隙片150直行，從而與沒有安裝障礙板的 情況下相比，可在基底400上形成更小的陰影區(qū)域。因此，薄膜沉積組件100和基底400可 以彼此分開，如將在下面詳細(xì)描述的。設(shè)置在障礙板131的相對(duì)側(cè)上的障礙板框架132保持障礙板131的位置，并引導(dǎo) 通過(guò)沉積源噴嘴121排放的沉積材料115。障礙板框架132防止沉積材料115沿Y軸方向 過(guò)分地流動(dòng)。雖然沉積源噴嘴單元120和障礙板組件130被示出為彼此分開，但是本教導(dǎo)不限 于此。為了防止熱從沉積源110傳導(dǎo)到障礙板組件130，沉積源噴嘴單元120和障礙板組件 130可以彼此分開。可選擇地，熱絕緣體可以設(shè)置在沉積源噴嘴單元120和障礙板組件130 之間，使得這些元件在它們之間存在熱絕緣體的情況下彼此結(jié)合。障礙板組件130可以是可從薄膜沉積組件100拆分開的。傳統(tǒng)的FMM沉積方法具 有低沉積效率。這里，沉積效率是指沉積在基底上的沉積材料的量與從沉積源蒸發(fā)的沉積 材料的量的比。傳統(tǒng)的FMM沉積方法具有大約32%的沉積效率。此外，在傳統(tǒng)的FMM沉積 方法中，剩余了附著于沉積設(shè)備而沒有沉積在基底上的大約68 %的有機(jī)沉積材料，使再利 用沉積材料復(fù)雜化。為了克服這些和/或其他問(wèn)題，在薄膜沉積組件100中，通過(guò)障礙板組件130來(lái)圍 繞沉積空間，使得沒有沉積在基底400上的沉積材料115大部分沉積在障礙板組件130內(nèi)。 因此，當(dāng)大量沉積材料115處于障礙板組件130中時(shí)，可以將障礙板組件130從薄膜沉積組 件100拆分開，然后置于單獨(dú)的沉積材料回收設(shè)備中以回收沉積材料115。因薄膜沉積組件 100的結(jié)構(gòu)，提高了沉積材料115的再利用率，從而增加了沉積效率，降低了制造成本。圖案化縫隙片150和框架155設(shè)置在沉積源110和基底400之間，圖案化縫隙片 150結(jié)合在框架155中?？蚣?55可以具有與窗口框架(window frame)類似的格子形狀 (lattice shape)。圖案化縫隙片150包括沿X軸方向布置的多個(gè)圖案化縫隙151。沉積材 料115穿過(guò)沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片150，并朝向基底400運(yùn)動(dòng)?？梢酝ㄟ^(guò)作為 在制造FMM(具體地講，條紋式FMM)的傳統(tǒng)方法中使用的方法相同的方法的蝕刻來(lái)制造圖 案化縫隙片150。在薄膜沉積組件100中，圖案化縫隙151的總數(shù)可以多于沉積源噴嘴121的總數(shù)。 另外，可以有數(shù)量比沉積源噴嘴121的數(shù)量多的圖案化縫隙151設(shè)置在兩個(gè)相鄰的障礙板 131之間。換句話說(shuō)，至少一個(gè)沉積源噴嘴121可以設(shè)置在每對(duì)相鄰的障礙板131之間。同 時(shí)，多個(gè)圖案化縫隙151可以設(shè)置在每對(duì)相鄰的障礙板131之間。沉積源噴嘴單元120和 圖案化縫隙片150之間的空間被障礙板131劃分為與沉積源噴嘴121分別對(duì)應(yīng)的子沉積空 間S。因此，從每個(gè)沉積源噴嘴121排放的沉積材料115穿過(guò)設(shè)置在與沉積源噴嘴121對(duì)應(yīng) 的子沉積空間S中的圖案化縫隙151，然后沉積在基底400上。另外，障礙板組件130和圖案化縫隙片150可以彼此分開?？蛇x擇地，障礙板組件 130和圖案化縫隙片150可以通過(guò)連接構(gòu)件135來(lái)連接。障礙板組件130的溫度可以因被 沉積源110加熱而升高到100°C或更高。為了防止障礙板組件130的熱傳導(dǎo)到圖案化縫隙 片150，可以將障礙板組件130和圖案化縫隙片150彼此分開預(yù)定的距離。
如上所述，薄膜沉積組件100在相對(duì)于基底400移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積。為了移動(dòng) 薄膜沉積組件100，將圖案化縫隙片150與基底400分開。另外，當(dāng)將圖案化縫隙片150與 基底400彼此分開時(shí)，為了防止在基底400上形成相對(duì)大的陰影區(qū)域，將障礙板131布置在 沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片150之間，以使沉積材料115沿直向運(yùn)動(dòng)。因此，顯著 地減小了形成在基底400上的陰影區(qū)域的尺寸。在利用FMM的傳統(tǒng)的沉積方法中，利用與基底緊密接觸的FMM來(lái)執(zhí)行沉積，以防止 在基底上形成陰影區(qū)域。然而，緊密接觸可造成缺陷。另外，在傳統(tǒng)的沉積方法中，因?yàn)檠?模不能相對(duì)于基底移動(dòng)，所以掩模的尺寸必須與基底的尺寸相同。因此，傳統(tǒng)上使用大掩模 來(lái)形成大顯示裝置。然而，不易于制造這樣的大掩模。為了克服這樣的和/或其他的問(wèn)題，在薄膜沉積組件100中，圖案化縫隙片150與 基底400分開。通過(guò)安裝障礙板131可以有助于此，以減小形成在基底400上的陰影區(qū)域 的尺寸。如上所述，根據(jù)本教導(dǎo)，掩模小于基底，在掩模相對(duì)于基底移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積。 因此，可以容易地制造掩模。另外，可以防止在傳統(tǒng)的沉積方法中出現(xiàn)的因基底和FMM之間 的接觸而導(dǎo)致的缺陷。此外，因?yàn)椴恍枰c基底緊密接觸地使用FMM，所以可以提高制造速度。圖6A是示出根據(jù)本教導(dǎo)示例性實(shí)施例的薄膜沉積組件100中的沉積材料115的 沉積的示意圖。圖6B示出當(dāng)通過(guò)障礙板131劃分沉積空間時(shí)沉積在基底400上的薄膜的 陰影區(qū)域。圖6C示出當(dāng)沒有劃分沉積空間時(shí)沉積在基底400上的薄膜的陰影區(qū)域。參照?qǐng)D6A，在沉積源110中蒸發(fā)的沉積材料115排放穿過(guò)沉積源噴嘴單元120和 圖案化縫隙片150而沉積在基底400上。因?yàn)檎系K板131將沉積源噴嘴單元120和圖案化 縫隙片150之間的空間劃分為多個(gè)子沉積空間S，所以相鄰的沉積源噴嘴121的沉積材料 115沒有混合。當(dāng)障礙板組件130劃分沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片150之間的空間時(shí)， 如圖6A和圖6B中所示，形成在基底400上的陰影區(qū)域的寬度可以利用下面的式1來(lái)確定。式1SHi = s X ds/h在式1中，s表示圖案化縫隙片150和基底400之間的距離，ds表示每個(gè)沉積源噴 嘴121的寬度，h表示沉積源110和圖案化縫隙片150之間的距離。當(dāng)沒有通過(guò)障礙板131劃分沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片150之間的空間 時(shí)，如圖6C中所示，與圖6B的情況相比，沉積材料115通過(guò)圖案化縫隙片150以更寬范圍 的角度排放。這是因?yàn)閺牟煌某练e源噴嘴121排放的沉積材料115可以穿過(guò)同一圖案化 縫隙151。因此，形成在基底400上的陰影區(qū)域的寬度SH2遠(yuǎn)大于當(dāng)通過(guò)障礙板131劃分沉 積空間時(shí)的寬度。形成在基底400上的陰影區(qū)域的寬度SH2利用式2來(lái)確定。式2SH2 = s X 2d/h在式2中，s表示圖案化縫隙片150和基底400之間的距離，d表示相鄰的障礙板 131之間的間距，相鄰的障礙板131之間的間距基本等于相鄰的沉積源噴嘴121之間的間距，h表示沉積源110和圖案化縫隙片150之間的距離。參照式1和式2，每個(gè)沉積源噴嘴121的寬度ds是相鄰的障礙板131之間的間距 d的幾十分之一。因此，當(dāng)障礙板131劃分沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片150之間 的空間時(shí)，陰影區(qū)域可以具有更小的寬度。可以通過(guò)如下幾種方式來(lái)減小形成在基底400 上的陰影區(qū)域的寬度SH2 (1)減小相鄰的障礙板131之間的間距d，(2)減小圖案化縫隙片 150和基底400之間的距離s，和/或(3)通過(guò)增加沉積源110和圖案化縫隙片150之間的 距離h。如上所述，可以通過(guò)安裝障礙板131來(lái)減小形成在基底400上的陰影區(qū)域。因此， 圖案化縫隙片150可以與基底400分開。圖7是根據(jù)本教導(dǎo)示例性實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備700的示意性透視圖。參照?qǐng)D7， 薄膜沉積設(shè)備700包括多個(gè)薄膜沉積組件，每個(gè)薄膜沉積組件具有圖3至圖5中示出的薄 膜沉積組件100的結(jié)構(gòu)。換句話說(shuō)，薄膜沉積設(shè)備700包括同時(shí)排放用于形成紅(R)發(fā)射 層、綠(G)發(fā)射層、藍(lán)(B)發(fā)射層的沉積材料的多沉積源。具體地講，薄膜沉積設(shè)備700包括第一薄膜沉積組件100、第二薄膜沉積組件200、 第三薄膜沉積組件300。第一薄膜沉積組件100、第二薄膜沉積組件200、第三薄膜沉積組 件300中的每個(gè)薄膜沉積組件的結(jié)構(gòu)與薄膜沉積組件100的結(jié)構(gòu)相同。因此，將不重復(fù)它 們的詳細(xì)描述。薄膜沉積組件100、200、300可以分別包含不同的沉積材料。第一薄膜沉積組件 100可以包含用于形成R發(fā)射層的沉積材料，第二薄膜沉積組件200可以包含用于形成G發(fā) 射層的沉積材料，第三薄膜沉積組件300可以包含用于形成B發(fā)射層的沉積材料。在制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的傳統(tǒng)方法中，單獨(dú)的室和掩模用于形成每種色彩發(fā)射 層。然而，薄膜沉積設(shè)備700可以同時(shí)形成R發(fā)射層、G發(fā)射層、B發(fā)射層。因此，薄膜沉積 設(shè)備700制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置所用的時(shí)間顯著地減少。另外，可以利用更少的室來(lái)制造 有機(jī)發(fā)光顯示裝置，從而也可以顯著地減少設(shè)備成本。雖然沒有示出，但是第一薄膜沉積組件100的圖案化縫隙片150、第二薄膜沉積組 件200的圖案化縫隙片250、第三薄膜沉積組件300的圖案化縫隙片350可以彼此偏移恒 定的距離，使得基底400上的與圖案化縫隙片150、250、350對(duì)應(yīng)的沉積區(qū)域不疊置。換句 話說(shuō)，當(dāng)薄膜沉積組件100、200、300用于形成R發(fā)射層、G發(fā)射層、B發(fā)射層時(shí)，薄膜沉積組 件100的圖案化縫隙151、薄膜沉積組件200的圖案化縫隙251、薄膜沉積組件300的圖案 化縫隙351彼此不對(duì)齊，以在基底400的不同的區(qū)域中形成R發(fā)射層、G發(fā)射層、B發(fā)射層。此外，沉積材料可以具有不同的沉積溫度。因此，第一薄膜沉積組件100、第二薄膜 沉積組件200、第三薄膜沉積組件300的沉積源的溫度可以不同。雖然薄膜沉積設(shè)備700包括三個(gè)薄膜沉積組件，但是本教導(dǎo)不限于此。換句話說(shuō)， 根據(jù)另一示例性實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備可以包括多個(gè)薄膜沉積組件，每個(gè)薄膜沉積組件包 含不同的沉積材料。例如，薄膜沉積設(shè)備可以包括分別包含用于R發(fā)射層、G發(fā)射層、B發(fā)射 層、R發(fā)射層的輔助層(R’)、G發(fā)射層的輔助層(G’ )的材料的五個(gè)薄膜沉積組件。如上所述，可以利用多個(gè)薄膜沉積組件同時(shí)形成多個(gè)薄膜。因此，提高了生產(chǎn)率和 沉積效率。此外，簡(jiǎn)化了整個(gè)制造工藝，降低了制造成本?？梢岳镁哂猩鲜鼋Y(jié)構(gòu)的薄膜沉積設(shè)備來(lái)形成有機(jī)層(指圖2中的有機(jī)層62)。根據(jù)本教導(dǎo)的示例性實(shí)施例，制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法可以包括將基底400與薄膜 沉積設(shè)備分開，在薄膜沉積設(shè)備700和基底400中的一者相對(duì)于另一者移動(dòng)的同時(shí)沉積沉 積材料。例如，薄膜沉積設(shè)備700或基底400能夠沿與基底的表面平行的平面移動(dòng)。具體地講，將基底400與薄膜沉積設(shè)備分開預(yù)定的距離。如上所述，薄膜沉積設(shè)備 可以包括圖案化縫隙片150、250、350，圖案化縫隙片150、250、350中的每個(gè)圖案化縫隙片 小于基底400。因此，可以在薄膜沉積設(shè)備和基底400中的一者相對(duì)于另一者移動(dòng)的同時(shí)執(zhí) 行沉積。換句話說(shuō)，可以在基底400沿Y軸方向移動(dòng)的同時(shí)連續(xù)地執(zhí)行沉積。換句話說(shuō)，在 基底400沿圖7中的箭頭B的方向移動(dòng)的同時(shí)以掃描的方式執(zhí)行沉積。另外，薄膜沉積設(shè) 備和基底400彼此分開，以使薄膜沉積設(shè)備和基底400中的一者相對(duì)于另一者移動(dòng)。為此， 將基底400設(shè)置在與薄膜沉積設(shè)備分開的室(未示出)中。然后，在薄膜沉積設(shè)備或基底400移動(dòng)的同時(shí)，在基底400上沉積從薄膜沉積設(shè)備 排放的沉積材料。雖然圖7示出了基底400沿Y軸方向移動(dòng)，而薄膜沉積設(shè)備固定，但是本 教導(dǎo)不限于此。例如，基底400可以固定，且薄膜沉積設(shè)備可以相對(duì)于基底400移動(dòng)。薄膜沉積設(shè)備可以包括多沉積源。因此，可以同時(shí)形成多個(gè)有機(jī)層。換句話說(shuō)，薄 膜沉積設(shè)備可以包括多個(gè)薄膜沉積組件，從而可以利用單個(gè)多沉積源同時(shí)形成R發(fā)射層、G 發(fā)射層、B發(fā)射層。因此，制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置所用的時(shí)間顯著減少，設(shè)備成本也顯著降 低，這是因?yàn)槭褂昧溯^少的室。圖8是根據(jù)本教導(dǎo)另一示例性實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備800的示意性透視圖。薄膜 沉積設(shè)備800與薄膜沉積設(shè)備700類似，所以僅詳細(xì)描述它們之間的區(qū)別。參照?qǐng)D8，薄膜沉積設(shè)備800包括一體化的圖案化縫隙片150’。具體地講，第一 薄膜沉積組件100、第二薄膜沉積組件200、第三薄膜沉積組件300共用單個(gè)圖案化縫隙片 150’。另外，圖案化縫隙片150’包括在與第一薄膜沉積組件100對(duì)應(yīng)的區(qū)域中形成的圖案 化縫隙151’、在與第二薄膜沉積組件200對(duì)應(yīng)的區(qū)域中形成的圖案化縫隙251’、在與第三 薄膜沉積組件300對(duì)應(yīng)的區(qū)域中形成的圖案化縫隙351’。圖案化縫隙151，、251，、351，相對(duì)于彼此偏移恒定距離，使得基底400上的與圖 案化縫隙151，、251，、351，對(duì)應(yīng)的沉積區(qū)域不疊置。換句話說(shuō)，薄膜沉積組件100、200、300 用于在基底400上的不同區(qū)域中形成R發(fā)射層、G發(fā)射層、B發(fā)射層，這是因?yàn)閳D案化縫隙 151，、251，、351，沒有相對(duì)于Y軸方向彼此對(duì)齊。因上述結(jié)構(gòu)，可以通過(guò)單個(gè)對(duì)準(zhǔn)工藝精確 且適當(dāng)?shù)夭贾帽∧こ练e組件100、200、300和圖案化縫隙片150’。圖9是根據(jù)本教導(dǎo)另一示例性實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備900的示意性透視圖。薄膜 沉積設(shè)備900與薄膜沉積設(shè)備700類似，所以僅詳細(xì)描述它們之間的區(qū)別。參照?qǐng)D9，薄膜 沉積設(shè)備900包括分別具有長(zhǎng)度不同的圖案化縫隙151”、251”、351”的圖案化縫隙片150”、 250”、350”。因此，薄膜沉積設(shè)備900可以用于制造具有厚度不同的有機(jī)層的有機(jī)發(fā)光顯示裝 置。例如，R子像素中的有機(jī)層可以具有大約1600入至大約2200A的厚度。G子像素層中 的有機(jī)層可以具有大約1000A至大約1200A的厚度。B子像素層中的有機(jī)層可以具有大約 100A至大約500A的厚度。如果有機(jī)層的厚度在上面限定的范圍之外，則有機(jī)層可能不具 有足以在發(fā)射層中引發(fā)共振效應(yīng)的空穴注入能力和空穴傳輸能力。因此，色純度劣化，發(fā)射 效率降低。另外，如果有機(jī)層的厚度大于上面限定的上限，則驅(qū)動(dòng)電壓可能增加。
因此，在利用薄膜沉積設(shè)備900制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，發(fā)射層可以具有不 同的厚度。為此，可以分別控制薄膜沉積組件100、200、300的溫度。然而，溫度可以受控的 程度會(huì)是有限的。因此，在薄膜沉積設(shè)備900中，圖案化縫隙151”、251”、351”具有不同的 長(zhǎng)度。因此，由薄膜沉積設(shè)備900制造的發(fā)射層可具有不同的厚度。如上所述，R子像素、G子像素、B子像素中的有機(jī)層可以具有不同的厚度。因此， 形成R發(fā)射層的第一薄膜沉積組件100沉積的量應(yīng)是最大的，形成B發(fā)射層的第三薄膜沉 積組件300沉積的量應(yīng)是最小的。為了改變單獨(dú)的薄膜沉積組件的沉積的量，形成R發(fā)射層 的第一薄膜沉積組件100的圖案化縫隙151”的長(zhǎng)度可以是最大的，形成G發(fā)射層的第二薄 膜沉積組件200的圖案化縫隙251”的長(zhǎng)度可以小于圖案化縫隙151”的長(zhǎng)度，形成B發(fā)射 層的第三薄膜沉積組件300的圖案化縫隙351”的長(zhǎng)度可以小于圖案化縫隙251”的長(zhǎng)度。通過(guò)如上所述地改變圖案化縫隙的長(zhǎng)度，可以控制穿過(guò)圖案化縫隙片朝向基底 400的沉積材料的量。因此，發(fā)射層可以形成為具有不同的厚度。圖10是根據(jù)本教導(dǎo)另一示例性實(shí)施例的薄膜沉積組件500的示意性透視圖。參 照?qǐng)D10，薄膜沉積組件500包括沉積源510、沉積源噴嘴單元520、第一障礙板組件530、第 二障礙板組件540、圖案化縫隙片550、基底400。雖然為了方便說(shuō)明而沒有在圖10中示出， 但是薄膜沉積組件500的所有組件可以設(shè)置在保持適當(dāng)程度的真空的室內(nèi)，以允許沉積材 料沿直向運(yùn)動(dòng)。構(gòu)成將沉積有沉積材料515的目標(biāo)的基底400設(shè)置在室中。包含并加熱沉積材料 515的沉積源510設(shè)置在室的與基底400相對(duì)的一側(cè)。沉積源510可以包括坩堝511和加 熱器512。沉積源噴嘴單元520設(shè)置在沉積源510的面對(duì)基底400的一側(cè)。沉積源噴嘴單元 520包括沿X軸方向布置(分開)的多個(gè)沉積源噴嘴521。第一障礙板組件530設(shè)置在沉積源噴嘴單元520的一側(cè)。第一障礙板組件530包 括多個(gè)第一障礙板531和覆蓋第一障礙板531的側(cè)部的第一障礙板框架532。第二障礙板組件540設(shè)置在第一障礙板組件530的一側(cè)。第二障礙板組件540包 括多個(gè)第二障礙板541和覆蓋第二障礙板541的側(cè)部的第二障礙板框架542。圖案化縫隙片550和容納圖案化縫隙片550的框架555設(shè)置在沉積源510和基底 400之間?？蚣?55可以按與窗口框架類似的格子形狀形成。圖案化縫隙片550包括沿X 軸方向布置的多個(gè)圖案化縫隙551。與圖3中示出的僅包括障礙板組件130的薄膜沉積組件100不同，薄膜沉積組件 500包括兩個(gè)單獨(dú)的障礙板組件，即，第一障礙板組件530和第二障礙板組件540。多個(gè)第 一障礙板531可以沿X軸方向按相等的間距布置為彼此平行。另外，每個(gè)第一障礙板531 可以形成為沿圖10中的YZ平面延伸，S卩，垂直于X軸方向延伸。多個(gè)第二障礙板541可以沿X軸方向按相等的間距布置為彼此平行并分開。另外， 每個(gè)第二障礙板541可以形成為沿圖10中的YZ平面延伸，即，垂直于X軸方向延伸。多個(gè)第一障礙板531和多個(gè)第二障礙板541劃分沉積源噴嘴單元520和圖案化縫 隙片550之間的空間。在薄膜沉積組件500中，子沉積空間分別與沉積材料515排放所通 過(guò)的沉積源噴嘴521對(duì)應(yīng)。第二障礙板541可以設(shè)置為與第一障礙板531分別對(duì)應(yīng)。換句話說(shuō)，第二障礙板541可以與第一障礙板531平行。每對(duì)對(duì)應(yīng)的第一障礙板531和第二障礙板541可以位于 同一平面上。如上所述，因?yàn)榈谝徽系K板531和第二障礙板541劃分沉積源噴嘴單元520 和圖案化縫隙片550之間的空間，所以通過(guò)相鄰的沉積源噴嘴521排放的沉積材料515在 通過(guò)圖案化縫隙551沉積在基底400上之前沒有混合。換句話說(shuō)，第一障礙板531和第二 障礙板541防止沉積材料515沿X軸方向運(yùn)動(dòng)。雖然第一障礙板531和第二障礙板541分別示出為具有沿X軸方向的相同的厚 度，但是本教導(dǎo)不限于此。換句話說(shuō)，應(yīng)與圖案化縫隙片550精確對(duì)準(zhǔn)的第二障礙板541可 以相對(duì)薄，而不需要與圖案化縫隙片550精確對(duì)準(zhǔn)的第一障礙板531可以相對(duì)厚。這樣更 加易于制造薄膜沉積組件。雖然沒有示出，但是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備可以包括多個(gè) 薄膜沉積組件500。換句話說(shuō)，薄膜沉積設(shè)備可以包括同時(shí)排放用于形成R發(fā)射層、G發(fā)射 層、B發(fā)射層的沉積材料的多沉積源。在基底400沿圖10中的箭頭C的方向移動(dòng)的同時(shí)， 以掃描的方式來(lái)執(zhí)行沉積。因?yàn)橐呀?jīng)在前面的實(shí)施例中詳細(xì)地描述了多個(gè)薄膜沉積組件， 所以在此將不提供它們的詳細(xì)描述。根據(jù)本發(fā)明教導(dǎo)的各方面，薄膜沉積設(shè)備和利用所述薄膜沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光 顯示裝置的方法可以簡(jiǎn)單地應(yīng)用于制造大量的大基底。另外，可以容易地制造薄膜沉積設(shè) 備和有機(jī)發(fā)光顯示裝置，可以提高生產(chǎn)率和沉積效率，并可以允許沉積材料被再利用。雖然已經(jīng)示出并描述了本教導(dǎo)的一些示例性實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理 解，在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下，可以在這些示例性實(shí)施例中進(jìn)行改變，本發(fā)明 的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
權(quán)利要求
1.一種薄膜沉積設(shè)備，該薄膜沉積設(shè)備用于在基底上形成薄膜，所述設(shè)備包括多個(gè)薄 膜沉積組件，每個(gè)薄膜沉積組件包括沉積源，排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，設(shè)置在沉積源上，并包括沿第一方向分開的多個(gè)沉積源噴嘴； 圖案化縫隙片，設(shè)置為面對(duì)沉積源噴嘴單元，并包括沿第一方向分開的多個(gè)圖案化縫隙；障礙板組件，設(shè)置在沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間，并包括將沉積源噴嘴單元 和圖案化縫隙片之間的空間劃分為多個(gè)子沉積空間的多個(gè)第一障礙板，其中，薄膜沉積設(shè)備和基底分開，薄膜沉積設(shè)備和基底中的一者相對(duì)于另一者是能夠 移動(dòng)的。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜沉積設(shè)備，其中，沉積源分別包含不同的沉積材料。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜沉積設(shè)備，其中，沉積材料從多個(gè)沉積源同時(shí)排放并沉積在基底上。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜沉積設(shè)備，其中，所述設(shè)備包括三個(gè)薄膜沉積組件，包含在 三個(gè)沉積源中的沉積材料分別形成紅發(fā)射層、綠發(fā)射層、藍(lán)發(fā)射層。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜沉積設(shè)備，其中，多個(gè)薄膜沉積組件在薄膜沉積設(shè)備和基 底中的一者相對(duì)于另一者移動(dòng)的同時(shí)將它們各自的沉積材料連續(xù)地沉積在基底上。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜沉積設(shè)備，其中，所述薄膜沉積設(shè)備或基底能夠沿與基底 的表面平行的平面移動(dòng)。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜沉積設(shè)備，其中，圖案化縫隙片小于基底。
8.如權(quán)利要求1所述的薄膜沉積設(shè)備，其中，障礙板組件將排放的沉積材料引導(dǎo)到圖 案化縫隙片。
9.如權(quán)利要求1所述的薄膜沉積設(shè)備，其中，多個(gè)沉積源的溫度能夠被單獨(dú)地控制。
10.如權(quán)利要求1所述的薄膜沉積設(shè)備，其中，每個(gè)薄膜沉積組件的多個(gè)圖案化縫隙相 對(duì)于彼此沿第一方向偏移。
11.如權(quán)利要求1所述的薄膜沉積設(shè)備，其中，多個(gè)圖案化縫隙片一體化地形成在單個(gè) 的圖案化縫隙片中。
12.如權(quán)利要求11所述的薄膜沉積設(shè)備，其中，所述單個(gè)的圖案化縫隙片包括按分別 與每個(gè)薄膜沉積組件對(duì)應(yīng)的行設(shè)置的圖案化縫隙，每行的圖案化縫隙沿第一方向彼此偏 移。
13.如權(quán)利要求1所述的薄膜沉積設(shè)備，其中，每個(gè)薄膜沉積組件的圖案化縫隙具有不 同的長(zhǎng)度。
14.如權(quán)利要求13所述的薄膜沉積設(shè)備，其中，根據(jù)圖案化縫隙的長(zhǎng)度來(lái)控制沉積在 基底上的沉積材料的量。
15.如權(quán)利要求1所述的薄膜沉積設(shè)備，其中，每個(gè)第一障礙板在沉積源噴嘴單元和圖 案化縫隙片之間沿與第一方向垂直的第二方向平行延伸。
16.如權(quán)利要求1所述的薄膜沉積設(shè)備，其中，所述多個(gè)第一障礙板按等間距分開。
17.如權(quán)利要求1所述的薄膜沉積設(shè)備，其中，每個(gè)薄膜沉積組件還包括設(shè)置在所述障 礙板組件和圖案化縫隙片之間的另一障礙板組件，所述另一障礙板組件包括多個(gè)第二障礙板。
18.如權(quán)利要求17所述的薄膜沉積設(shè)備，其中，第一障礙板和第二障礙板中的每個(gè)障 礙板在沿與第一方向垂直的第二方向延伸的平行平面中延伸。
19.如權(quán)利要求17所述的薄膜沉積設(shè)備，其中，成對(duì)的第一障礙板和第二障礙板共面。
20.如權(quán)利要求17所述的薄膜沉積設(shè)備，其中，第一障礙板沿第一方向厚于第二障礙板。
21.一種利用薄膜沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，薄膜沉積設(shè)備用于在基底 上形成薄膜，所述方法包括如下步驟將基底與薄膜沉積設(shè)備分開；在薄膜沉積設(shè)備和基底中的一者相對(duì)于另一者移動(dòng)的同時(shí)，將從薄膜沉積設(shè)備排放的 沉積材料沉積到基底上，其中，薄膜沉積設(shè)備包括薄膜沉積組件，薄膜沉積組件包括 沉積源，排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，設(shè)置在沉積源上，并包括沿第一方向分開的多個(gè)沉積源噴嘴； 圖案化縫隙片，設(shè)置為面對(duì)沉積源噴嘴單元，并包括沿第一方向分開的多個(gè)圖案化縫隙；障礙板組件，設(shè)置在沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間，并包括將沉積源噴嘴單元 和圖案化縫隙片之間的空間劃分為多個(gè)子沉積空間的多個(gè)障礙板。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中，在基底上沉積沉積材料的步驟包括在基底或薄 膜沉積設(shè)備移動(dòng)的同時(shí)在基底上連續(xù)地沉積排放的沉積材料。
23.如權(quán)利要求21所述的方法，其中，薄膜沉積設(shè)備包括分別排放不同的沉積材料的 多個(gè)薄膜沉積組件。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，在基底上沉積沉積材料的步驟包括在基底上同 時(shí)沉積不同的沉積材料。
25.如權(quán)利要求24所述的方法，其中，在基底上沉積沉積材料的步驟包括在基底上同 時(shí)形成紅發(fā)射層、綠發(fā)射層、藍(lán)發(fā)射層。
26.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，在基底上沉積沉積材料的步驟還包括將沉積材 料加熱到不同的溫度。
27.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，在基底上沉積沉積材料的步驟還包括沉積來(lái)自 每個(gè)薄膜沉積組件的不同量的沉積材料。
全文摘要
本發(fā)明提供一種薄膜沉積設(shè)備和利用該薄膜沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。薄膜沉積設(shè)備包括多個(gè)薄膜沉積組件，每個(gè)薄膜沉積組件包括沉積源，排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，設(shè)置在沉積源的一側(cè)，并包括多個(gè)沉積源噴嘴；圖案化縫隙片，設(shè)置為面對(duì)沉積源噴嘴單元，并包括沿第一方向布置的多個(gè)圖案化縫隙；障礙板組件，設(shè)置在沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間。障礙板組件包括將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間劃分為多個(gè)子沉積空間的多個(gè)障礙板。
文檔編號(hào)H01L51/50GK101997090SQ201010248429
公開日2011年3月30日 申請(qǐng)日期2010年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月5日
發(fā)明者吳枝淑, 崔镕燮, 康熙哲, 曹昌睦, 李潤(rùn)美, 金鐘憲 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社