專利名稱：電子器件、有機(jī)發(fā)光器件以及多層保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子器件。
背景技術(shù)：
電子器件包括用于保護(hù)電子器件不受外部物理和化學(xué)影響的各種保護(hù)單元。隨著這些電子器件面積的增加，嘗試著改善、修正或改變保護(hù)單元，從而解決由電 子器件面積增加引起的問題或者滿足消費者的各種需求。但是，這些嘗試不能解決問題或者滿足這些需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面是提供一種電子器件，其包括由提岸層限定的像素和設(shè)置在像素 上且具有至少一個有機(jī)層的多層保護(hù)膜。在一個方面，電子器件包括基板，位于基板上且由提岸層限定的像素，以及設(shè)置在 像素上且由包括至少一個有機(jī)層的多層構(gòu)成的多層保護(hù)膜，其中構(gòu)成多層保護(hù)膜的多層中 的第一有機(jī)層的厚度滿足T > kXHXW，這里T表示第一有機(jī)層的厚度，H表示提岸層的高 度，k是依據(jù)第一有機(jī)層的可流動性和粘度而變化的常數(shù)。


將參考以下附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實施方式，其中相似數(shù)字表示相似元件。圖1是電子器件的截面圖；圖2是當(dāng)圖1中示出的電子器件對應(yīng)于有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)實施 方式時，圖1的區(qū)域A的放大截面圖；圖3是圖2的區(qū)域B的放大截面圖；圖4是當(dāng)圖1中示出的電子器件對應(yīng)于AMOLED時圖1的區(qū)域A的平面圖；圖5A和5B示出了根據(jù)圖2中示出的AMOLED的多層保護(hù)膜中每一層的厚度以及 有機(jī)發(fā)光層面積的可見性；圖6A，6B和6C示出了圖2中示出的有機(jī)發(fā)光器件的可見性，其在表2的條件(a)， (b)和(c)下確認(rèn)；圖7A示出了在表2的條件(a)，(b)和(c)下在特定方向上掃描象素以測量多層 保護(hù)膜厚度的工藝；圖7B是示出當(dāng)根據(jù)圖7A中所示工藝測量多層保護(hù)膜厚度時獲得的結(jié)果的圖；圖7C是示出通過在表2的條件(a)，(b)和(c)下觀察圖2中示出的AMOLED的提 岸層和有機(jī)發(fā)光層的厚度變化所獲得結(jié)果的圖8是當(dāng)圖1中示出的電子器件對應(yīng)于AMOLED的另一實施方式時圖1的區(qū)域A 的放大截面圖；圖9是圖8中示出的區(qū)域C的放大平面圖；圖10，11和12是電子器件的另一實施方式的二極管和多層保護(hù)膜的截面圖；圖13和14是有機(jī)發(fā)光器件的另一實施方式的截面圖。
具體實施例方式以下，將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實施方式。圖1是電子器件100的實施方式的截面圖。參考圖1，電子器件100包括基板110，像素120，和多層保護(hù)膜130。電子器件100可以是顯示器件，發(fā)光器件，半導(dǎo)體器件，電池等。顯示器件可以是 有機(jī)電子器件，諸如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，有機(jī)太陽能電池，有機(jī)光接收(OPC)鼓，有機(jī) 晶體管(有機(jī)TFT)，光電二極管，有機(jī)激光器，激光二極管等。發(fā)光器件可以是無機(jī)電子器 件，諸如發(fā)光二極管(LED)。電池可以是諸如硅太陽能電池等太陽能電池，使用諸如化合物半導(dǎo)體(CIGS， CdTe, GaAs等)等無機(jī)材料的無機(jī)太陽能電池，以及具有一部分有機(jī)材料或者整個都是有 機(jī)材料的有機(jī)太陽能電池。而且，電池可以是一次電池和二次電池，諸如固體電解質(zhì)電池， 空氣電池，可逆式電池，伽伐尼電池，光化學(xué)電池，鉛蓄電池，蓄電池，濃差電池，錳干電池， 汞電池，燃料電池，層疊式干電池，重銘酸電池，鋰聚合物電池等?；?0用于形成像素120且可具有高機(jī)械強(qiáng)度或尺寸穩(wěn)定性。基板110的材料 可包括玻璃板，金屬板，陶瓷板和塑料板(由聚碳酸酯樹脂，丙烯酸樹脂，聚氯乙烯，聚酰亞 胺樹脂，聚酯樹脂，環(huán)氧樹脂，硅樹脂或氟樹脂制成)。但是，基板110的材料不限于此?；?板110可以是柔性的。柔性基板110可用于柔性電子器件。像素120位于基板110上。像素120可具有根據(jù)電子器件100的類型的結(jié)構(gòu)和配 置。例如，當(dāng)電子器件100是顯示器件時，像素120可是發(fā)光元件，而當(dāng)電子器件100是太 陽能電池時，像素120可是光接收元件。多層保護(hù)膜130覆蓋像素120，并包括疊置的至少一個有機(jī)層、以及無機(jī)層和吸濕 層中的至少一個。多層保護(hù)膜130可以按照有機(jī)層和無機(jī)層交替疊置的方式形成。作為電子器件100的一個實例，將說明有機(jī)發(fā)光器件。但是，本發(fā)明原理不限于 此，且可用于任何電子器件，諸如LED、有機(jī)太陽能電池和二次電池。用于有機(jī)發(fā)光顯示器的有機(jī)發(fā)光器件是自發(fā)射器件，其具有在設(shè)置于基板上的兩 個電極之間形成的發(fā)射層。根據(jù)有機(jī)發(fā)光顯示器發(fā)光的方向，有機(jī)發(fā)光顯示器可分成頂發(fā) 射型，底發(fā)射型和雙側(cè)發(fā)射型。而且，根據(jù)有機(jī)發(fā)光顯示器的驅(qū)動方法，有機(jī)發(fā)光顯示器可 分成無源矩陣型和有源矩陣型。有源矩陣型有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)包括開關(guān)晶體管，驅(qū)動晶體管，電容器，陽 極，有機(jī)發(fā)射層和陰極。作為電子器件100的一個實例，現(xiàn)在將參考圖2和3說明用于有機(jī)發(fā)光器件的 AMOLED 200。圖2是圖1的區(qū)域A的放大截面圖，其示出了一部分AMOLED 200，圖3是圖2的區(qū)域B的放大截面圖，圖4是圖1的區(qū)域A的平面圖。參考圖2、3和4，AMOLED 200包括基板210，像素220和多層保護(hù)膜230。像素220 包括晶體管220a和OLED 220b。形成在基板210上的晶體管220a包括緩沖層221，柵極222，第一絕緣層223，有源 層224，源極22 ，漏極225b，和第二絕緣層226。緩沖層221可設(shè)置在基板110上。可形成緩沖層221以保護(hù)薄膜晶體管，將通過 隨后的工藝由從基板210放電出的雜質(zhì)諸如堿性離子來形成該薄膜晶體管。緩沖層221可 使用氧化硅(SiO2),氮化硅(SiNx)等。柵極222可設(shè)置在緩沖層221上。柵極222可由選自包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、 Nd和Cu或者這些材料的合金構(gòu)成的組中的一種形成。而且，柵極222可是由選自包括Mo、 Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu或者這些材料的合金構(gòu)成的組中選出的一種形成的多層。此夕卜， 柵極222可以是Mo/Al-Nd或Mo/Al的雙層。第一絕緣層223可設(shè)置在柵極222上。第一絕緣層223可由氧化硅(SiOx)、氮化 硅(SiNx)、或氧化硅和氮化硅的多層形成。但是，第一絕緣層223的材料不限于此。有源層2M可位于第一絕緣層223上。有源層2M可包括非晶硅或多晶硅。有源 層2M可包括溝道區(qū)(未示出)，源極區(qū)(未示出)和漏極區(qū)(未示出)，且源極區(qū)和漏極 區(qū)可摻雜有P型或N型雜質(zhì)。而且，有源層2M可包括用于降低接觸電阻的歐姆接觸層。源極22 和漏極225b可形成在有源層2M上。源極22 和漏極22 可以單層或多層的形式形成。當(dāng)源極22 和漏極22 形 成為單層時，源極22 和漏極225b可由選自包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu或者這 些材料的合金的組的一種形成。當(dāng)源極22 和漏極2 形成為多層時，源極22 和漏極 225b可以是Mo/Al-Nd的雙層或者是Mo/Al/Mo或Mo/Al_Nd/Mo的三層。第二絕緣層2 可以位于源極22 和漏極22 上。盡管第二絕緣層2 是氧化 硅(SiOx)層，氮化硅(SiNx)層，或者是SiOj^n SiNx的多層，但是第二絕緣層2 不限于此。 第二絕緣層2 可以是鈍化層。作為形成在基板210上的晶體管220a的一個實例，說明了底柵型晶體管?，F(xiàn)在將說明位于晶體管220a上的OLED 220b。OLED 220b包括第一電極227，第二 電極2 和有機(jī)發(fā)射層228。第一電極227可設(shè)置在第二絕緣層2 上。第一電極227可被選為陽極，并可由 透明的氧化銦錫(ITO)或者氧化銦鋅(IZO)制成。但是，第一電極227不限于這些材料。提岸層(bank layer) 229a可設(shè)置在第一電極227上。提岸層229a可包括有機(jī)材 料，諸如苯并環(huán)丁烯(BCB)樹脂，丙烯酸樹脂，或聚酰亞胺樹脂。提岸層229a具有設(shè)置在第 一電極227上的開口。提岸層229a具有特定高度H。提岸層229a的開口具有對應(yīng)于像素220尺寸的特定面積W。提岸層229a的該開 口的面積W限定了有機(jī)發(fā)射層228的面積。有機(jī)發(fā)射層2 可設(shè)置在提岸層229a的開口中。有機(jī)發(fā)射層2 可位于提岸層 229a的開口中的第一電極227上。在此，在形成有機(jī)發(fā)射層2 的工藝期間，一部分有機(jī)發(fā) 射層2 可形成在除了提岸層229a的開口之外的提岸層229a上。
有機(jī)發(fā)射層2 根據(jù)像素220可發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光中的一種。第二電極2 可設(shè)置在有機(jī)發(fā)射層2 上。第二電極2 可被選為陰極，并可由 諸如Al、Ca或Mg等金屬或者諸如ITO或者IZO等透明材料形成。多層保護(hù)膜230位于像素220上以覆蓋像素220。以第一、第二、第三和第四無機(jī)層231、233、2；35和237以及第一、第二和第三有 機(jī)層232、234和236交替層疊的方式形成多層保護(hù)膜230。由于難以使用片狀吸氣裝置 (getter)去除從外部滲入到有機(jī)發(fā)光器件中的氧和濕氣，因此為了實現(xiàn)大面積柔性有機(jī)發(fā) 光器件，形成多層保護(hù)膜230以使用多層薄膜實現(xiàn)鈍化。第一、第二、第三和第四無機(jī)層231、233、235 和 237 可由 Al2O3, SiNx, SiO2, SiOx, SiON, SiOxNy和SiC形成。但是，第一、第二、第三和第四無機(jī)層231、233、235和237的材料 不限于此。當(dāng)?shù)谝?、第二、第三和第四無機(jī)層231、233、235和237由SiNx形成時，可通過控 制SiNx層形成工藝期間的吐氣體流速，來改變應(yīng)力特性。第一、第二、第三和第四無機(jī)層231、233、235和237可由相同材料或不同材料形 成。第一、第二和第三有機(jī)層232、234和236可由任何可沉積材料形成。第一、第二和 第三有機(jī)層232、234和236可由選自包括苯并環(huán)丁烯(BCB)或丙烯樹脂、聚酰亞胺以及聚 環(huán)丙烷2，6_萘(PTN)構(gòu)成的組的一種材料形成。但是，第一、第二和第三有機(jī)層232、234 和236的材料不限于此。第一、第二和第三有機(jī)層232、234和236可由相同或不同材料形 成。第一、第二和第三有機(jī)層232、234和236可具有致密分子結(jié)構(gòu)，以使得第一、第二和第 三有機(jī)層232、234和236具有較少或不具有針孔。本發(fā)明人證實，提岸層229a的高度，提岸層229a的開口或者有機(jī)發(fā)射層228的 面積(由于該開口的面積等于有機(jī)發(fā)射層的面積，因此下文中稱作開口面積)，多層保護(hù)膜 230的整體厚度，無機(jī)層231、233、235和237和有機(jī)層232、234和236的材料，以及無機(jī)層 231、233、235和237和有機(jī)層232、234和236的厚度已通過實驗和研究緊密聯(lián)系起來。現(xiàn) 在將說明根據(jù)該聯(lián)系的像素220和多層保護(hù)膜230的結(jié)構(gòu)。圖5A和5B示出了根據(jù)圖2中示出的OLED的多層保護(hù)膜中每一層的厚度以及有 機(jī)發(fā)射層的面積的可見性。圖5A和5B示出了像素220的可見性，這是在表1的條件下證實的。[表1]條件圖5A圖5B堤岸層堤岸層的厚度16000A16000A有機(jī)發(fā)射層 的面積有機(jī)發(fā)射層的面積0.185x0.185 mm3x3 mm多層保護(hù)膜 中每層的厚 度第一無機(jī)層的厚度ιοοοΑIOOOA第一有機(jī)層的厚度5000A5000A第二無機(jī)層的厚度ιοοοΑιοοοΑ第二有機(jī)層的厚度5000A5000A第三無機(jī)層的厚度ΙΟΟΟΑιοοοΑ第三有機(jī)層的厚度5000A5000A第四無機(jī)層的厚度ΙΟΟΟΑIOOOA從圖5A和5B可以確認(rèn)，在有機(jī)發(fā)射層228的邊緣處產(chǎn)生圖像框(picuture frame)形式的不均勻部分。這引起圖像框效應(yīng)。圖像框效應(yīng)通過顯微鏡觀測到，且當(dāng)OLED 開啟時變得明顯。而且，R，G和B像素具有不同的可見性，因此圖像框效應(yīng)根據(jù)R，G和B像 素而變化。已證實圖像框效應(yīng)是否由多層保護(hù)膜230的整體厚度和/或無機(jī)層和有機(jī)層的厚 度引起。[表 2]
條件(a)(b)(c)堤岸層提岸層的 厚度1600A1600 A1600A有機(jī)發(fā)有機(jī)發(fā)射0.185x0.185 mm0.185x0.185 mm0.185x0.185 mm射層的層的面積面積多層保第一無機(jī)1000A1000 A1000 A護(hù)膜中層的厚度每層的第一有機(jī)5000A16000A5000 A厚度層的厚度第二無機(jī)1000A1000 AX層的厚度 在表2條件下確認(rèn)的像素220的可見性于圖6A，6B和6C中示出。
8
在特定方向上掃描像素，如圖7A中所示，以在表2的條件下測量多層保護(hù)膜230 的厚度。圖7B示出了多層保護(hù)膜230的被測厚度。在圖7B中，曲線A示出了第一有機(jī)層 228具有5000A厚度的情況，曲線B示出了第一有機(jī)層2 具有16000A厚度的情況，曲線 C示出了多層保護(hù)膜230相對較厚的情況。參考圖6C和7B，盡管隨著多層保護(hù)層230的厚度增加，多層保護(hù)膜的表面平坦化， 這可通過圖7B的曲線C確認(rèn)，但是仍會產(chǎn)生圖像框效應(yīng)，如圖6C中所示。參考圖6A和6B，當(dāng)?shù)谝挥袡C(jī)層2 的厚度從5000A增加到16000A,同時無機(jī)層 具有1000A的相同厚度時，不產(chǎn)生圖像框效應(yīng)。而且，可通過圖7B的曲線A和B確認(rèn)，在 表2的條件(b)下而非表2的條件(c)下，多層保護(hù)膜230的表面平坦化。從前述結(jié)果可知，圖像框效應(yīng)的程度取決于最初沉積的第一有機(jī)層232的厚度而 非多層保護(hù)膜230的整體厚度。在表2的條件(a)、(b)和(c)下觀測到提岸層229a和多層保護(hù)膜230的厚度變 化。在圖7C中，曲線31_REF，31_5K和31_16K表示與圖7Β中的曲線C，A禾Π B對應(yīng)的條件 下的像素。參考圖7C，當(dāng)多層保護(hù)膜230的第一有機(jī)層232沒有平坦化提岸層229a的臺階 部分時，產(chǎn)生圖像框效應(yīng)。特別是，圖7C的曲線31_漲示出了，由于第一有機(jī)層232較薄從 而導(dǎo)致圖像框形式的不均勻部分，因此第一有機(jī)層232擴(kuò)展到提岸層229a的臺階部分底部 的可能性較低。相反，圖7C的曲線31_16K示出了，由于第一有機(jī)層232足夠厚且由此不產(chǎn) 生圖像框形式的不均勻部分，因此第一有機(jī)層232擴(kuò)展到提岸層229a臺階部分的底部。當(dāng)僅提岸層229a的高度和第一有機(jī)層的厚度變化，同時其他條件與表1和2中的 條件相同時，對是否產(chǎn)生圖像框效應(yīng)進(jìn)行了確認(rèn)。確認(rèn)結(jié)果在表3中示出。在此，有機(jī)發(fā)射 層228的面積是0. 185X0. 185mm2。在表3中，0表示產(chǎn)生圖像框效應(yīng)，X表示不產(chǎn)生圖像框 效應(yīng)。[表 3]
權(quán)利要求
1.一種電子器件，包括基板；位于所述基板上且通過提岸層限定的像素；和被設(shè)置在所述像素上且由包括至少一個有機(jī)層的多層構(gòu)成的多層保護(hù)膜；其中，構(gòu)成所述多層保護(hù)膜的多層中的第一有機(jī)層的厚度滿足T > kXHXW，其中T表 示所述第一有機(jī)層的厚度，H表示所述提岸層的高度，k是依據(jù)所述第一有機(jī)層的流動性或 粘度而不同的常數(shù)。
2.如權(quán)利要求1的電子器件，其中在所述第一有機(jī)層下方設(shè)置層，所述常數(shù)HiSk= k (fx, tm)，其中fx表示根據(jù)所述第一有機(jī)層的流動性和粘度的變量，tm表示設(shè)置在所述第 一有機(jī)層下方的所述層的厚度。
3.如權(quán)利要求1的電子器件，其中所述電子器件是有機(jī)電子器件。
4.如權(quán)利要求1的電子器件，其中所述有機(jī)電子器件是有機(jī)發(fā)光二極管、有機(jī)太陽能 電池、有機(jī)光接收鼓、有機(jī)晶體管、有機(jī)薄膜晶體管、光電二極管、有機(jī)激光器和激光二極管 中的一種。
5.如權(quán)利要求1的電子器件，其中所述有機(jī)電子器件是有機(jī)發(fā)光二極管，所述像素包 括兩個電極和設(shè)置在這兩個電極之間的有機(jī)發(fā)射層。
6.如權(quán)利要求1的電子器件，其中所述第一有機(jī)層由單體形成。
7.如權(quán)利要求2的電子器件，其中位于所述第一有機(jī)層下方的所述層是無機(jī)層，該無 機(jī)層由從A1203、SiNx, SiO2, SiNx, SiON, SiOxNy和SiC所構(gòu)成的組中選出的一種或多種形成。
8.一種有機(jī)發(fā)光器件，其包括基板；設(shè)置在所述基板上的兩個電極；在所述兩個電極中的一個之上形成、且具有開口的提岸層；有機(jī)發(fā)射層，其形成在所述提岸層的開口中且位于所述兩個電極之間；和多層保護(hù)膜，其位于所述兩個電極中的另一個和所述提岸層之上，且由包括至少一個 有機(jī)層的多層構(gòu)成，其中構(gòu)成所述多層保護(hù)膜的多層的第一有機(jī)層滿ST>H-h，其中T表示所述第一有機(jī) 層的厚度，h表示在所述第一有機(jī)層下方設(shè)置的層的厚度，且如果在所述第一有機(jī)層下方?jīng)] 有形成層，則h對應(yīng)于0。
9.如權(quán)利要求8的有機(jī)發(fā)光器件，還包括晶體管，所述兩個電極中的一個電連接到該 晶體管的漏極。
10.如權(quán)利要求8的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述第一有機(jī)層由從苯并環(huán)丁烯(BCB)、丙烯、 和聚環(huán)丙烷2，6_萘(PTN)所構(gòu)成的組中選出的一種或多種形成。
11.如權(quán)利要求8的有機(jī)發(fā)光器件，還包括設(shè)置在所述第一有機(jī)層下方的吸濕層，該吸 濕層由從Li、Ca、Mg、Ba、Sr、Y和Cs所構(gòu)成的組中選出的一種或多種形成。
12.—種有機(jī)發(fā)光器件，其包括基板；位于所述基板上的晶體管；位于所述基板上的兩個電極，這兩個電極中的一個電連接到所述晶體管的漏極；在所述兩個電極中的一個之上形成、并具有開口的提岸層； 有機(jī)發(fā)射層，其形成在所述提岸層的開口中并位于所述兩個電極之間；和 多層保護(hù)膜，被設(shè)置在所述兩個電極中的另一個和所述提岸層之上且由包括至少一個 有機(jī)層的多層構(gòu)成，所述多層中的第一有機(jī)層的厚度等于或大于所述提岸層的高度。
13.如權(quán)利要求12的有機(jī)發(fā)光器件，其中當(dāng)所述開口或有機(jī)發(fā)射層較寬時，所述第一 有機(jī)層的厚度大于所述提岸層。
14.如權(quán)利要求12的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述第一有機(jī)層在所述提岸層上基本上是平 坦的。
15.一種有機(jī)發(fā)光器件，包括 基板；位于所述基板上的晶體管；位于所述基板上的兩個電極，這兩個電極中的一個電連接到所述晶體管的漏極； 在所述兩個電極中的一個之上形成、且具有開口的提岸層； 有機(jī)發(fā)射層，其形成在所述提岸層的開口中，且位于所述兩個電極之間；和 多層保護(hù)膜，其被設(shè)置在所述兩個電極中的另一個和所述提岸層之上且由包括至少一 個有機(jī)層的多層構(gòu)成，構(gòu)成所述多層保護(hù)膜的多層中的第一有機(jī)層的厚度與所述提岸層的 高度相關(guān)，其不會產(chǎn)生圖像框效應(yīng)。
16.如權(quán)利要求15的有機(jī)發(fā)光器件，其中當(dāng)所述開口或所述有機(jī)發(fā)射層較寬時，所述 第一有機(jī)層的厚度大于所述提岸層。
17.如權(quán)利要求15的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述第一有機(jī)層在提岸層上基本上是平坦的。
18.一種多層保護(hù)膜，其包括有機(jī)層，其位于由提岸層限定的像素上，且厚度滿足T >kXHXW，其中T表示所述有機(jī) 層的厚度，H表示所述提岸層的高度，k滿足k = k(fx，tm)，其中fx表示依據(jù)所述有機(jī)層的 流動性和粘度的變量，tm表示在有機(jī)層下方形成的無機(jī)層的厚度； 設(shè)置在所述有機(jī)層的下方的無機(jī)層；和 設(shè)置在所述有機(jī)層之上的至少一層。
19.如權(quán)利要求18的多層保護(hù)膜，其中所述有機(jī)層由單體形成。
20.如權(quán)利要求18的多層保護(hù)膜，其中所述有機(jī)層由從BCB、丙烯和PTN所構(gòu)成的組中 選出的一種或多種形成。
21.如權(quán)利要求18的多層保護(hù)膜，其中所述無機(jī)層由從A1203、SiNx,SiO2, SiNx, SiON, SiOxNy和SiC所構(gòu)成的組中選出的一種或多種形成。
22.如權(quán)利要求18的多層保護(hù)膜，還包括位于所述有機(jī)層下方的吸濕層，該吸濕層由 從Li、Ca、Mg、Ba、Sr、Y和Cs所構(gòu)成的組中選出的一種或多種形成。
全文摘要
提供了一種電子器件、有機(jī)發(fā)光器件和多層保護(hù)結(jié)構(gòu)。所述電子器件包括基板，位于該基板上且通過堤岸層限定的像素，以及位于該像素上且由包括至少一個有機(jī)層的多層構(gòu)成的多層保護(hù)膜。形成該多層保護(hù)膜的多層的第一有機(jī)層的厚度滿足T≥k×H×W，這里T表示第一有機(jī)層的厚度，H表示堤岸層的高度，k是依據(jù)第一有機(jī)層的流動性和粘度而不同的常數(shù)。
文檔編號H01L51/42GK102117891SQ20101021995
公開日2011年7月6日 申請日期2010年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月30日
發(fā)明者全愛暻, 李在允, 李鐘均 申請人:樂金顯示有限公司