專利名稱：線路基板工藝及線路基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種線路基板及其工藝，且特別是涉及一種接墊及導(dǎo)電塊一體成形的 線路基板及其工藝。
背景技術(shù)：
目前在半導(dǎo)體封裝技術(shù)中，線路基板(circuit substrate)是經(jīng)常使用的構(gòu)裝元 件之一。線路基板主要由多層圖案化線路層(patterned conductivelayer)及多層介電層 (dielectric layer)交替疊合而成，而兩線路層之間可透過導(dǎo)電孔(conductive via)而彼 此電性連接。隨著線路基板的線路密度的提高，如何有效利用有限的空間來進(jìn)行線路的配 置成為日趨重要的課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種線路基板工藝，其包括下列步驟。提供一基礎(chǔ)層、一圖案化導(dǎo)電 層、一介電層及一覆蓋層，其中圖案化導(dǎo)電層配置在基礎(chǔ)層上且具有一內(nèi)部接墊，而介電層 配置在基礎(chǔ)層上且覆蓋圖案化導(dǎo)電層，覆蓋層配置在介電層上。通過干式蝕刻移除部分覆 蓋層，以形成一第一開口。移除第一開口所暴露出的部分介電層，以形成一介電開口，其中 介電開口暴露出部分的內(nèi)部接墊。形成一圖案化掩模在覆蓋層上，其中圖案化掩模具有一 第二開口，且第二開口暴露出部分的內(nèi)部接墊。形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括一導(dǎo)電 塊、一外部接墊及一余料層，導(dǎo)電塊填充介電開口，外部接墊填充第一開口，余料層填充第 二開口，而導(dǎo)電塊、外部接墊及余料層一體成形。移除圖案化掩模、余料層及覆蓋層。本發(fā)明還提出一種線路基板，其包括一基礎(chǔ)層、一圖案化導(dǎo)電層、一介電層及一導(dǎo) 電塊。圖案化導(dǎo)電層配置于基礎(chǔ)層上且具有一內(nèi)部接墊。介電層配置在基礎(chǔ)層上且覆蓋圖 案化導(dǎo)電層。導(dǎo)電塊貫穿介電層且與介電層實(shí)質(zhì)上齊平，并連接內(nèi)部接墊。本發(fā)明采用干式蝕刻在覆蓋層上形成開口，在工藝速度上不僅較快，且也利于后 續(xù)外部接墊的形成。另外，本發(fā)明利用覆蓋層可以有效控制外部接墊的高度。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳 細(xì)說明如下。


圖IA至圖II以剖面繪示本發(fā)明一實(shí)施例的一種線路基板工藝。圖2為圖II的內(nèi)部接墊及導(dǎo)電塊的立體圖。圖3以剖面繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的一種線路基板工藝的最后步驟。圖4為圖3的內(nèi)部接墊及導(dǎo)電塊的立體圖。圖5A至圖5B以剖面繪示出本發(fā)明另一實(shí)施例的一種線路基板工藝的最后兩個步
馬聚ο圖6以剖面繪示出本發(fā)明另一實(shí)施例的一種線路基板工藝的最后步驟。
圖7以剖面繪示出本發(fā)明另一實(shí)施例的一種線路基板工藝的最后步驟。圖8以剖面繪示出本發(fā)明另一實(shí)施例的一種線路基板工藝的最后步驟。附圖標(biāo)記說明110:基礎(chǔ)層120:圖案化導(dǎo)電層122:內(nèi)部接墊124:內(nèi)部導(dǎo)線130:介電層132:介電開口140:導(dǎo)電結(jié)構(gòu)140a:導(dǎo)電種子層142:導(dǎo)電塊144 外部接墊146 余料層150 覆蓋層152:第一開口160:圖案化掩模層162:第二開口170:表面保護(hù)層
具體實(shí)施例方式圖IA至圖II以剖面繪示本發(fā)明一實(shí)施例的一種線路基板工藝。請參考圖1A，首 先，提供一基礎(chǔ)層110、一圖案化導(dǎo)電層120、一介電層130及一覆蓋層150。基礎(chǔ)層110可 以是芯片上的線路層、芯片載板上的線路層或印刷電路板上的線路層。圖案化導(dǎo)電層120 配置在基礎(chǔ)層110上且具有一內(nèi)部接墊122。介電層130配置在基礎(chǔ)層110上且覆蓋圖案 化導(dǎo)電層120，覆蓋層150配置在介電層130上。覆蓋層150的材料例如是有機(jī)材料等非金 屬材料、或是作為阻障(Barrier)之用的金屬材料。特別是，在一實(shí)施例中，所選用的覆蓋 層150的材料具有可從介電層130上剝除的性質(zhì)。在本實(shí)施例中，介電層130可由樹脂所制成，并可將介電層130與配置于介電層 130上的覆蓋層150疊合(laminate)至基礎(chǔ)層110及圖案化導(dǎo)電層120，使得介電層130 位于基礎(chǔ)層110與覆蓋層150之間并覆蓋圖案化導(dǎo)電層120。換言之，在本實(shí)施例中，可以 提供包含介電層130與覆蓋層150的雙層結(jié)構(gòu)，并以疊合(laminate)的方式形成于具有圖 案化導(dǎo)電層120的基礎(chǔ)層110上。以工藝而言，提供包含介電層130與覆蓋層150的雙層 結(jié)構(gòu)有助于工藝的簡化。在另一實(shí)施例中，可于具有圖案化導(dǎo)電層120的基礎(chǔ)層110上依 序形成介電層130與覆蓋層150。請參考圖1B，接著，通過干式蝕刻(dry etching)移除部分覆蓋層150，以形成一第一開口 152。在本實(shí)施例中，若覆蓋層150的材料是非金屬材料，則移除部分覆蓋層 150的步驟所采用的干式蝕刻可以是激光蝕刻(Iaseretching)或等離子體蝕刻(plasma etching)。在另一實(shí)施例中，若覆蓋層150的材料是金屬材料，則無法進(jìn)行激光蝕刻，而需采用光刻、蝕刻等圖案化工藝形成第一開口 152。特別是，相較于圖案化工藝，使用干式蝕刻 (特別是激光蝕刻)形成第一開口 152，可以減少工藝的時間。請再參考圖1B，接著，移除第一開口 152所暴露出的部分介電層130，以形成一介 電開口 132，其中介電開口 132暴露出部分的內(nèi)部接墊122。在本實(shí)施例中，若覆蓋層150的材料是非金屬材料，則可通過干式蝕刻移除第一 開口 152所暴露出的部分介電層130。此外，移除部分介電層130的步驟所采用的干式蝕刻 例如是激光蝕刻或等離子體蝕刻。
請參考圖1C，在形成介電開口 132之后，形成一導(dǎo)電種子層140a在介電開口 132 的內(nèi)壁、第一開口 152的內(nèi)壁及覆蓋層150上。導(dǎo)電種子層140a的材料例如是銅。請參考圖1D，接著，形成一圖案化掩模160在位于覆蓋層150上的部分導(dǎo)電種子層 140a上，其中圖案化掩模160具有一第二開口 162，且第二開口 162暴露出第一開口 152、介 電開口 132以及部分的內(nèi)部接墊122。請參考圖1E，接著，以導(dǎo)電種子層140a為電流路徑通過電鍍形成一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)140。 導(dǎo)電結(jié)構(gòu)140的材料例如是銅。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)140包括一導(dǎo)電塊142、一外部接墊144及一余料 層146，其中導(dǎo)電塊142填充介電開口 132并覆蓋部分的內(nèi)部接墊122，外部接墊144填充 第一開口 152，余料層146填充第二開口 162。由于導(dǎo)電塊142、外部接墊144及余料層146 通過電鍍工藝而形成，故具有一體成形的結(jié)構(gòu)。請參考圖1F，接著，移除圖案化掩模160。請參考圖1G，接著，移除余料層146及位于覆蓋層150上的部分導(dǎo)電種子層140a。 在本實(shí)施例中，可通過研磨(polish)或蝕刻來移除余料層146及位于覆蓋層150上的部分 導(dǎo)電種子層140a。請參考圖1H，接著，移除覆蓋層150。在本實(shí)施例中，可通過在弱化覆蓋層150與 介電層130之間的結(jié)合以后，從介電層130上剝除覆蓋層150。值得一提的是，在移除覆蓋 層150后，外部接墊144將暴露出來，則可作為與芯片或是封裝體等電子元件連接的橋梁。 此外，由此步驟可知，外部接墊144的高度與覆蓋層150有關(guān)，亦即可以覆蓋層150的厚度 來控制外部接墊144的高度。請參考圖II，在一實(shí)施例中，還可繼續(xù)形成一表面保護(hù)層170于外部接墊146及 部分導(dǎo)電種子層140a上。表面保護(hù)層170的材料例如是鎳/金(Ni/Au)、鎳/鈀/金(Ni/ Pd/Au)、鎳/錫(Ni/Sn)、鈀(Pd)、金(Au)或其合金，或者表面保護(hù)層170為一有機(jī)保護(hù)層 (OSP)。圖2為圖II的內(nèi)部接墊及導(dǎo)電塊的立體圖。請參考圖II及圖2，內(nèi)部接墊122的 外徑大于導(dǎo)電塊142的外徑。此外，圖案化導(dǎo)電層120亦具有一內(nèi)部導(dǎo)線124，而內(nèi)部接墊 122為內(nèi)部導(dǎo)線124所延伸出來的一末段，而且內(nèi)部接墊122的外徑大于內(nèi)部導(dǎo)線124的線 寬。在本實(shí)施例中，內(nèi)部導(dǎo)線124可作為信號線、接地線和電源線等。圖3以剖面繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的一種線路基板工藝的最后步驟，而圖4為圖3 的內(nèi)部接墊及導(dǎo)電塊的立體圖。請參考圖3及圖4，本實(shí)施例類似于圖IA II的實(shí)施例， 但是內(nèi)部接墊122的外徑小于導(dǎo)電塊142的外徑，使得導(dǎo)電塊142包覆內(nèi)部接墊122。此 夕卜，圖案化導(dǎo)電層120亦具有一內(nèi)部導(dǎo)線124，而內(nèi)部接墊122為內(nèi)部導(dǎo)線124所延伸出來 的一末段，而且內(nèi)部接墊122的外徑實(shí)質(zhì)上等于內(nèi)部導(dǎo)線124的線寬。
圖5A至圖5B以剖面繪示出本發(fā)明另一實(shí)施例的一種線路基板工藝的最后兩個步 驟。請參考圖5A，本實(shí)施例包括圖IA至圖IH的步驟，接著還移除外部接墊144及部分導(dǎo)電 種子層140a，使得導(dǎo)電塊142與介電層130實(shí)質(zhì)上齊平，并經(jīng)由導(dǎo)電種子層140a連接部分 的內(nèi)部接墊122。請參考圖5B，最后，可形成一表面保護(hù)層170于導(dǎo)電塊142及部分導(dǎo)電種 子層140a上。圖6以剖面繪示出本發(fā)明另一實(shí)施例的一種線路基板工藝的最后步驟。請參考圖6，本實(shí)施例類似于圖5B的實(shí)施例，但是內(nèi)部接墊122的外徑小于導(dǎo)電塊142的外徑，使得 導(dǎo)電塊142形成后包覆內(nèi)部接墊122。這樣的情況亦披露于圖4中。圖7以剖面繪示出本發(fā)明另一實(shí)施例的一種線路基板工藝的最后步驟。請參考圖 7，不同于圖II的實(shí)施例，通過增加圖IB的第一開口 152的內(nèi)徑，使得后來經(jīng)過圖IC至圖 IE所形成的外部接墊144的外徑大于導(dǎo)電塊142的外徑。圖8以剖面繪示出本發(fā)明另一實(shí)施例的一種線路基板工藝的最后步驟。請參考圖 8，不同于圖7的實(shí)施例，內(nèi)部接墊122的外徑小于導(dǎo)電塊142的外徑，使得導(dǎo)電塊142包覆 內(nèi)部接墊122。這樣的情況亦披露于圖4中。綜上所述，本發(fā)明采用干式蝕刻在覆蓋層上形成開口，在工藝速度上不僅較快，且 也利于后續(xù)外部接墊的形成。另外，本發(fā)明利用覆蓋層可以有效控制外部接墊的高度。此 夕卜，本發(fā)明還將導(dǎo)電塊與外部接墊一體成形，以避免以往采用多次圖案化工藝而使外部接 墊相對于導(dǎo)電塊的對位偏移的問題。另外，本發(fā)明還亦可通過嵌入介電層的導(dǎo)電塊取代外 部接墊來形成線路基板的電極。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域 中普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的 保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種線路基板工藝，包括提供一基礎(chǔ)層、一圖案化導(dǎo)電層、一介電層及一覆蓋層，其中該圖案化導(dǎo)電層配置在該基礎(chǔ)層上且具有一內(nèi)部接墊，而該介電層配置在該基礎(chǔ)層上且覆蓋該圖案化導(dǎo)電層，該覆蓋層配置在該介電層上；通過干式蝕刻移除部分該覆蓋層，以形成一第一開口；移除該第一開口所暴露出的部分該介電層，以形成一介電開口，其中該介電開口暴露出部分的該內(nèi)部接墊；形成一圖案化掩模在該覆蓋層上，其中該圖案化掩模具有一第二開口，且該第二開口暴露出部分的該內(nèi)部接墊；形成一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括一導(dǎo)電塊、一外部接墊及一余料層，該導(dǎo)電塊填充該介電開口，該外部接墊填充該第一開口，該余料層填充該第二開口，而該導(dǎo)電塊、該外部接墊及該余料層一體成形；以及移除該圖案化掩模、該余料層及該覆蓋層。
2.如權(quán)利要求1所述的線路基板工藝，其中該覆蓋層的材料為非金屬材料，移除部分 該覆蓋層的步驟所采用的干式蝕刻包括激光蝕刻或等離子體蝕刻。
3.如權(quán)利要求1所述的線路基板工藝，其中移除部分該介電層的步驟包括通過干式蝕 刻移除該第一開口所暴露出的部分該介電層。
4.如權(quán)利要求3所述的線路基板工藝，其中該覆蓋層的材料為非金屬材料，移除部分 該介電層的步驟所采用的干式蝕刻包括激光蝕刻或等離子體蝕刻。
5.如權(quán)利要求1所述的線路基板工藝，其中提供該基礎(chǔ)層、該圖案化導(dǎo)電層、該介電層 及該覆蓋層的步驟包括提供包含該介電層與該覆蓋層的一雙層結(jié)構(gòu)； 提供具有該圖案化導(dǎo)電層的該基礎(chǔ)層；以及以疊合的方式將該雙層結(jié)構(gòu)形成于具有該圖案化導(dǎo)電層的該基礎(chǔ)層上。
6.如權(quán)利要求1所述的線路基板工藝，還包括在形成該圖案化掩模層的步驟之前，形成一導(dǎo)電種子層在該內(nèi)部接墊、該介電開口的 內(nèi)壁、該第一開口的內(nèi)壁及該覆蓋層上，其中在形成該圖案化掩模的步驟之中，該圖案化掩 模形成在位于該覆蓋層上的部分該導(dǎo)電種子層上，并且在形成該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟之中，以 該導(dǎo)電種子層為電流路徑通過電鍍形成該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；以及在移除該圖案化掩模的步驟之后，移除位與該覆蓋層上的部分該導(dǎo)電種子層。
7.如權(quán)利要求1所述的線路基板工藝，其中移除該覆蓋層的步驟包括 弱化該覆蓋層與該介電層之間的結(jié)合；以及從該介電層上剝除該覆蓋層。
8.如權(quán)利要求1所述的線路基板工藝，其中該外部接墊的高度由該覆蓋層的厚度所控制。
9.如權(quán)利要求1所述的線路基板工藝，還包括 在移除該余料層之后，移除該外部接墊。
10.如權(quán)利要求9所述的線路基板工藝，還包括在移除該外部接墊之后，形成一表面保護(hù)層在該導(dǎo)電塊上。
11.一種線路基板，包括一基礎(chǔ)層；一圖案化導(dǎo)電層，配置于該基礎(chǔ)層上且具有一內(nèi)部接墊；一介電層，配置在該基礎(chǔ)層上且覆蓋該圖案化導(dǎo)電層；以及一導(dǎo)電塊，貫穿該介電層且與該介電層實(shí)質(zhì)上齊平，并連接該內(nèi)部接墊。
12.如權(quán)利要求11所述的線路基板，還包括 一表面保護(hù)層，配置在該導(dǎo)電塊上。
13.如權(quán)利要求11所述的線路基板，其中該內(nèi)部接墊的外徑大于該導(dǎo)電塊的外徑，使 得該內(nèi)部接墊與該導(dǎo)電塊在剖面上形成一個“倒T”字形的輪廓。
14.如權(quán)利要求11所述的線路基板，其中該內(nèi)部接墊的外徑小于該導(dǎo)電塊的外徑，使 得該導(dǎo)電塊包覆該內(nèi)部接墊。
15.如權(quán)利要求11所述的線路基板，其中該圖案化導(dǎo)電層還具有一內(nèi)部導(dǎo)線，而該內(nèi) 部導(dǎo)線的一末段構(gòu)成該內(nèi)部接墊。
全文摘要
一種線路基板工藝及線路基板。該線路基板工藝包括如下步驟。提供一圖案化導(dǎo)電層配置在一基礎(chǔ)層上且具有一內(nèi)部接墊，一介電層配置在基礎(chǔ)層上且覆蓋圖案化導(dǎo)電層，而一覆蓋層配置在介電層上。通過干式蝕刻移除部分覆蓋層，以形成一第一開口。移除第一開口所暴露出的部分介電層，以形成一介電開口，其中介電開口暴露出部分的內(nèi)部接墊。形成一圖案化掩模在覆蓋層上，其中圖案化掩模具有一第二開口，且第二開口暴露出部分的內(nèi)部接墊。形成一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括一導(dǎo)電塊、一外部接墊及一余料層，導(dǎo)電塊填充介電開口，外部接墊填充第一開口，余料層填充第二開口。最后移除圖案化掩模、余料層及覆蓋層。
文檔編號H01L21/48GK101847586SQ201010184470
公開日2010年9月29日 申請日期2010年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月19日
發(fā)明者宮振越, 陳偉政 申請人:威盛電子股份有限公司