專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光組件的結(jié)構(gòu)，特別是關(guān)于具反射結(jié)構(gòu)之半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體發(fā)光組件(semiconductor light emitting device)之技術(shù)日益進步，越來越多產(chǎn)品的發(fā)光源均采用發(fā)光二極管(light emitting diode，LED)、有機發(fā)光二極管(organic light emitting diode, 0LED)或雷射二極管(laser diode, LD)。半導(dǎo)體發(fā)光組件相較于傳統(tǒng)燈泡其特點包含較長的壽命、較低的能量消耗、較低的熱能產(chǎn)生、較少的紅外光光譜產(chǎn)生、以及組件尺寸較小(compact)。然而，現(xiàn)今半導(dǎo)體發(fā)光組件常需藉由封裝結(jié)構(gòu)形成表面黏著組件(surface mounted device, SMD)，但封裝結(jié)構(gòu)中的基板往往是具有吸光的特性，例如印刷電路板(printedcircuit board, PCB)、陶瓷基板(ceramic substrate)或塑料(plastic)材質(zhì)的基板等等，且上述結(jié)構(gòu)之反射效果不佳，會吸收光線進而影響半導(dǎo)體發(fā)光組件的出光效益。因此，如何有效的增加半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)的出光效益，是目前尚需一項新的技術(shù)來解決上述的問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種可有效提升發(fā)光效率的半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供一半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)，包含一基板、一導(dǎo)線架、至少一半導(dǎo)體發(fā)光組件以及復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)。上述基板具有一第一面以及一第二面，并且上述導(dǎo)線架系設(shè)置于前述之第一面上，其中導(dǎo)線架具有一承載部以及至少一連結(jié)部。另外，上述至少一半導(dǎo)體發(fā)光組件系設(shè)置于導(dǎo)線架之承載部，且電性連結(jié)于導(dǎo)線架之至少一連結(jié)部，其中半導(dǎo)體發(fā)光組件系用來發(fā)出至少一第一波長之光線。其特征在于上述復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)系設(shè)置于前述基板及導(dǎo)線架上，并且其彼此之間具有一距離相同之間距以及該納米反射結(jié)構(gòu)間之間隙有一深度，其中該深度以及該間距的比值大于或等于2。上述復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)彼此之間的間距的范圍約為90至130 納米(nm)，或者小于可見光波長的1/2。因此，藉由本發(fā)明提供之半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)，能有效的提高半導(dǎo)體發(fā)光組件之發(fā)光效率，使得本發(fā)明所提供之半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)更適合運用于背光模塊或照明的模塊。下面參照附圖，結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進一步的描述。


圖IA顯示本發(fā)明第一實施例的剖面示意圖；圖IB顯示本發(fā)明第一實施例的俯視示意圖；圖2A至圖2C顯示本發(fā)明之復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)13a 13c的剖面示意圖3A至圖3F顯示本發(fā)明之復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)13d
圖4A顯示本發(fā)明第二二實施例的剖面示意圖4B顯示本發(fā)明第二二實施例的俯視示意圖5顯示本發(fā)明第三實施例的俯視示意圖；以及
圖6顯示本發(fā)明第四實施例的俯視示意圖。
主要元件符號說明
半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu) 1、2、3、4
基板10
導(dǎo)線架11
半導(dǎo)體發(fā)光組件12、12a 12c
復(fù)數(shù)個奈米反射結(jié)構(gòu)13、13a 13m
覆蓋層14
波長轉(zhuǎn)換單元15
金屬導(dǎo)線16a、16b
第一面101
第二面102
承載部IllUllaUllb
連結(jié)部112、112a 112c
間隙深度H0 > H” H2
間距ppp Γ0、r1、r2
13i的剖面示意具體實施例方式本發(fā)明在此所探討的方向為一種半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)。為了能徹底地了解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳盡的步驟及其組成。顯然地，本發(fā)明的施行并未限定于半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)之技藝者所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。另一方面，眾所周知的組成或步驟并未描述于細(xì)節(jié)中，以避免造成本發(fā)明不必要之限制。本發(fā)明的較佳實施例會詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述之外，本發(fā)明還可以廣泛地施行在其它的實施例中，且本發(fā)明的范圍不受限定，其以之后的專利范圍為準(zhǔn)。下文將配合圖標(biāo)與范例，詳細(xì)說明本發(fā)明提供之各個較佳實施例及技術(shù)內(nèi)容。請參照圖IA以及圖1B，本發(fā)明第一實施例提供一半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)1，包含一基板10、一導(dǎo)線架11、一半導(dǎo)體發(fā)光組件12以及復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu) (nanometer-reflective structures) 13。上述基板 10 具有一第一面 101 以及一第二面 102，分別形成于基板10的相對兩側(cè)，而基板10的材質(zhì)可以為下列至少一材質(zhì)所構(gòu)成塑料 (plastic)、聚合物(polymer)、陶瓷(ceramic)、硅(silicon)、金屬(metal)或其組合。導(dǎo)線架11系形成于基板10之第一面101上，且導(dǎo)線架11具有一承載部111以及一連結(jié)部112，其中承載部111與連結(jié)部112彼此電性絕緣，而導(dǎo)線架11的材質(zhì)包含金屬銅 (Cu)或其它導(dǎo)電金屬。導(dǎo)線架11的形狀并不局限于圖IB之俯視示意圖，亦可以為其它任意之形狀所構(gòu)成。半導(dǎo)體發(fā)光組件12系設(shè)置于導(dǎo)線架11之承載部111，并且藉由金屬導(dǎo)線16a及16b分別地電性連結(jié)于導(dǎo)線架11之連結(jié)部112及承載部111。然而，半導(dǎo)體發(fā)光組件12亦可以藉由覆晶(flip-chip)的方式電性連結(jié)于導(dǎo)線架11之連結(jié)部112及承載部111(未顯示于圖形)。再者，本發(fā)明之半導(dǎo)體發(fā)光組件12系用以發(fā)出至少一第一波長之光線，于本發(fā)明的較佳實施例中，半導(dǎo)體發(fā)光組件12可以為III-V族化合物半導(dǎo)體芯片或II-VI族化合物半導(dǎo)體芯片，并且可發(fā)出可見或不可見的光束，例如紫外(UV)光、藍(lán)光、綠光或同時可發(fā)出多波長的半導(dǎo)體發(fā)光組件。本發(fā)明所提供之半導(dǎo)體發(fā)光組件12并不只局限于發(fā)光二極管晶粒，亦可以為雷射二極管或有機發(fā)光二極管。復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)13分別形成于基板10之第一面101以及導(dǎo)線架11上，其材質(zhì)可以為鋁(Al)或鈦(Ti)，系利用電子束微影(E-beam)蝕刻技術(shù)或光微影蝕刻技術(shù)形成， 其中復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)13具有復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)13a形成于基板10之第一面101、復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)Hb形成于導(dǎo)線架11之承載部111以及復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)13c形成于導(dǎo)線架11之連結(jié)部112。請參照圖2A至圖2C之剖面示意圖，復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)13a系形成于基板10上，其中相鄰兩個納米反射結(jié)構(gòu)13a彼此之間的間距為Ptl，而相鄰兩個納米反射結(jié)構(gòu)13a具有一相對深度氏。另外，復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)1 系形成于承載部111上， 其中相鄰兩個納米反射結(jié)構(gòu)Hb彼此之間的間距為P1，而相鄰兩個納米反射結(jié)構(gòu)1 具有一相對深度氏。再者，復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)13c系形成于連結(jié)部112上，其中相鄰兩個納米反射結(jié)構(gòu)13b彼此之間的間距為P2，而相鄰兩個納米反射結(jié)構(gòu)13b具有一相對深度H2。于本發(fā)明一較佳的實施例中，上述復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)13a、13b以及13c，其彼此之間之間距 PpP1以及P2系小于可見光波長的1/2，尤其范圍大約為90 130納米(nm)為本發(fā)明較佳的實施例范圍。此外，于本發(fā)明較佳的實施例中，上述相鄰兩個納米反射結(jié)構(gòu)13a的相對深度Htl與間距Ptl之比值、上述相鄰兩個納米反射結(jié)構(gòu)1 的相對深度H1與間距P1之比值以及相鄰兩個納米反射結(jié)構(gòu)13c的相對深度H2與間距P2之比值皆大于或等于2，即HcZPtl ^ 2、 H1ZiP1彡2以及H2/P2彡2。納米反射結(jié)構(gòu)包含了次波長光柵(subwave length grating)，系基于晶圓的納米級加工技術(shù)之應(yīng)用。由于次波長光柵的實體結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)小于光波長，其高精密度表面結(jié)構(gòu)與光相互間的實體作用能夠促成光處理功能的重新排列。與現(xiàn)有技術(shù)相較，這種排列方式能夠產(chǎn)生更高的密度、更佳的性能和更高的整合度，因而根本上改變光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計方法。藉由上述納米反射結(jié)構(gòu)，使本發(fā)明半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)1具有較佳的發(fā)光效率以及光萃取效益。請參照圖3A至圖3F之剖面示意圖，本發(fā)明同時提供不同結(jié)構(gòu)之納米反射結(jié)構(gòu) 13d 13i，前述納米反射結(jié)構(gòu)13a 13c之剖面結(jié)構(gòu)，除矩形結(jié)構(gòu)之外(請參照圖2A至圖 2C之剖面示意圖)，依序亦可以為下列至少一種形狀或其組合梯形、倒梯形、橢圓形、半圓形、金字塔形或倒金字塔型。納米反射結(jié)構(gòu)13的形狀并不局限于圖3A至圖3F之剖面示意圖，亦可以為其它任意之規(guī)則或不規(guī)則之剖面形狀所構(gòu)成。請參照圖4A之剖面示意圖以及圖4A之俯視示意圖，本發(fā)明第二實施例提供一半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)2，包含一基板10、一導(dǎo)線架11、一半導(dǎo)體發(fā)光組件12以及復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)13?；?0具有一第一面101以及一第二面102，分別形成于基板10的相對兩側(cè)，而基板10的材質(zhì)如前述說明，故在此不再贅述。而上述一導(dǎo)線架11系形成于上述基板10之第一面101上，且導(dǎo)線架11具有一承載部111、一第一連結(jié)部11 以及一第二連結(jié)部112b，其中承載部111、第一及第二連結(jié)部112a、112b彼此之間電性絕緣，而導(dǎo)線架11的材質(zhì)如前述說明，故在此不再贅述。導(dǎo)線架11的形狀并不局限于圖4A之俯視示意圖，亦可以為其它任意之形狀所構(gòu)成。半導(dǎo)體發(fā)光組件12系設(shè)置于導(dǎo)線架11之承載部111，并且藉由金屬導(dǎo)線16a及 16b分別地電性連結(jié)于導(dǎo)線架11之第二連結(jié)部112b及第一連結(jié)部112a。然而，于半導(dǎo)體發(fā)光組件12亦可以藉由覆晶的方式電性連結(jié)于第二連結(jié)部112b及第一連結(jié)部112a(未顯示于圖形)。半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)1與半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)2彼此之間的差異，在于半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)2之導(dǎo)線架11系熱電分離的結(jié)構(gòu)，其半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu) 2之半導(dǎo)體發(fā)光組件12的熱能系藉由承載部111作為主要的熱傳導(dǎo)路徑，藉此以增加半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)2之散熱效率。復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)13系分別形成于基板10之第一面101以及導(dǎo)線架11上，系利用電子束微影蝕刻技術(shù)或光微影蝕刻技術(shù)形成，其中復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)13具有復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)13a形成于基板10之第一面101、復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)1 形成于導(dǎo)線架 11之承載部111、復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)13c形成于導(dǎo)線架11之第一連結(jié)部11 以及復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)13j形成于導(dǎo)線架11之第二連結(jié)部112b上。然而，于本發(fā)明較佳實施例中，上述復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)13a 13c、13j之結(jié)構(gòu)與前述相同，故在此不再贅述。請參照圖5之俯視示意圖，本發(fā)明第三實施例提供一高功率半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)3，包含一基板10、一導(dǎo)線架11、一第一半導(dǎo)體發(fā)光組件12a、一第二半導(dǎo)體發(fā)光組件 12b以及復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)13?；?0具有一第一面101以及一第二面102(未顯示于圖中)，分別形成于基板10的相對兩側(cè)，而基板10的材質(zhì)如前述說明，故在此不再贅述。而導(dǎo)線架11系形成于上述基板10之第一面101上，且導(dǎo)線架11具有一承載部111、一第一連結(jié)部11 以及一第二連結(jié)部112b，其中承載部111、第一及第二連結(jié)部112a、112b彼此之間電性絕緣，并且導(dǎo)線架11的材質(zhì)如前述說明，故在此不再贅述。上述導(dǎo)線架11的形狀并不局限于圖5之俯視示意圖，亦可以為其它任意之形狀所構(gòu)成。第一半導(dǎo)體發(fā)光組件1 及第二半導(dǎo)體發(fā)光組件12b系設(shè)置于導(dǎo)線架11之承載部111，并且藉由金屬導(dǎo)線分別地電性連結(jié)于導(dǎo)線架11之承載部111以及第二連結(jié)部112b 與第一連結(jié)部11加。然而，半導(dǎo)體發(fā)光組件1 及12b亦可以藉由覆晶的方式(未顯示于圖形)分別電性連結(jié)承載部111與第二連結(jié)部112b，以及承載部111與第一連結(jié)部112a。 半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)3為多晶粒的封裝結(jié)構(gòu)，其中第一半導(dǎo)體發(fā)光組件1 及第二半導(dǎo)體發(fā)光組件12b分別可發(fā)出彼此之間波長相同或不相同之光束，系用來增加半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)3之光強度或混光之功效。復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)13系分別形成于基板10之第一面101以及導(dǎo)線架11上，系利用電子束微影蝕刻技術(shù)或光微影蝕刻技術(shù)形成，其中復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)13具有復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)13a形成于基板10之第一面101、復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)1 形成于導(dǎo)線架 11之承載部111、復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)13c形成于導(dǎo)線架11之第一連結(jié)部11 以及復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)13j形成于導(dǎo)線架11之第二連結(jié)部112b上。然而，于本發(fā)明較佳實施例中，上述復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)13a 13c、13 j之結(jié)構(gòu)與前述相同，故在此不再贅述。請參照圖6之俯視示意圖，本發(fā)明第四實施例提供一高功率半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)4，其部份組件與上述高功率半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)3相同，故不再贅述。然而，高功率半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)4更包含一第三半導(dǎo)體發(fā)光組件12c設(shè)置于導(dǎo)線架11之一第
6二承載部Illb上，可藉由金屬導(dǎo)線或覆晶(未顯示于圖中)的方式電性連結(jié)于導(dǎo)線架11 之第三連結(jié)部112c。另外，高功率半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)4更包含復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu) 13k、1 !分別形成于第三連結(jié)部112c及第二承載部Illb上，其結(jié)構(gòu)及功效與前述相同，故在此不再贅述。高功率半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)4系具有三個半導(dǎo)體發(fā)光組件12a、12b及 12c，其分別可發(fā)出彼此之間波長相同或不相同之光束，系用來增加半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)4之光強度或混光之功效。再者，于本發(fā)明不同的實施例中，亦可以為三個以上之復(fù)數(shù)個半導(dǎo)體發(fā)光組件，其分別可發(fā)出彼此之間波長相同或不相同之光束，其結(jié)構(gòu)則不再贅述。上述各實施例中，可另包含一覆蓋層14，包覆半導(dǎo)體發(fā)光組件12及部分前述導(dǎo)線架11，其中覆蓋層14的材質(zhì)包含二氧化硅(SiO2)、環(huán)氧樹脂(印oxy)或其它任一可透光之材料。于本發(fā)明較佳實施例中，上述之覆蓋層14另包含擴散顆粒(未顯示于圖中)摻雜于其中，藉此可增加光線于覆蓋層14之中的散射。然而，覆蓋層14系藉由轉(zhuǎn)注成型(transfer molding)或射出成型(injection molding)形成基板10之第一面101上。再者，為了使半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)1能可同時產(chǎn)生多波段的，覆蓋層14可另包含至少一波長轉(zhuǎn)換單元15，其中波長轉(zhuǎn)換單元15受到前述第一波長之光線激發(fā)后，會發(fā)出不同于第一波長的第二波長之光線，并且與第一波長的光線混光后形成多波段的混光。并且，前述波長轉(zhuǎn)換單元 15可以為釔鋁石榴石(YAG)、鋱鋁石榴石(TAG)、硅酸鹽、氮化物、氮氧化物、磷化物、硫化物或其組合。于本發(fā)明的一較佳實施例中，半導(dǎo)體發(fā)光組件12可發(fā)出藍(lán)色光，而波長轉(zhuǎn)換單元15受到一部份的半導(dǎo)體發(fā)光組件12之光線照射并激發(fā)形成黃光發(fā)出，藉由上述藍(lán)色與黃色波段的光線混合之后，使得本發(fā)明提供之半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)1可發(fā)出白光波段之光束。從本發(fā)明之手段與具有的功效中，可以得到本發(fā)明具有諸多的優(yōu)點。首先，本發(fā)明利用復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)形成于半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)之基板以及導(dǎo)線架上，可以達(dá)到增加光反射效率及光萃取，同時使半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)能更有效地均勻混光。另外，將復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)形成于導(dǎo)線架及基板上，不但可增加半導(dǎo)體發(fā)光組件之光反射效率、 光萃取以及有效地均勻混光之外，亦可以增加封裝結(jié)構(gòu)之散熱效率，原因是復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)形成于導(dǎo)線架上亦可以增加導(dǎo)線架與外部接觸的表面積，進而增加導(dǎo)線架的導(dǎo)熱效^ ο顯然地，依照上面實施例中的描述，本發(fā)明可能有許多的修正與差異。因此需要在其附加的權(quán)利要求項之范圍內(nèi)加以理解，除了上述詳細(xì)的描述外，本發(fā)明還可以廣泛地在其它的實施例中施行。上述僅為本發(fā)明之較佳實施例而已，并非用以限定本發(fā)明之申請專利范圍；凡其它未脫離本發(fā)明所揭示之精神下所完成的等效改變或修飾，均應(yīng)包含在下述申請專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)，包含一基板、一導(dǎo)線架及至少一用于發(fā)出至少一種波長光線的半導(dǎo)體發(fā)光組件，該基板具有一第一面及一第二面；該導(dǎo)線架設(shè)置于該基板的第一面上；其特征在于該基板之第一面以及該導(dǎo)線架上形成有復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述導(dǎo)線架具有一承載部以及至少一連結(jié)部，所述半導(dǎo)體發(fā)光組件設(shè)置于該承載部并且電性連結(jié)于該至少一連結(jié)部，并且所述納米反射結(jié)構(gòu)形成于所述承載部以及所述連接部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基板對應(yīng)所述半導(dǎo)體發(fā)光組件設(shè)有一貫通第一面及一第二面的通孔，該通孔容置一導(dǎo)熱體，該半導(dǎo)體發(fā)光組件位于該導(dǎo)熱體第一面上，并且所述導(dǎo)熱體的第一面上形成有復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)彼此之間具有一距離相同之間距，并且該間距系小于可見光波長的1/2。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述間距為90至 130納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述相鄰兩個納米反射結(jié)構(gòu)間之間隙具有一相對深度，并且該相對深度與該間距的比值大于或等于2。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)為下列至少一種形狀或其組合梯形、倒梯形、橢圓形、半圓形、矩形、金字塔形、倒金字塔型或其它不規(guī)則等形狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)的折射率大于該基板以及該導(dǎo)線架的折射率。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)，更包含一覆蓋層，形成于該基板之第一面上，其特征在于所述覆蓋層覆蓋該半導(dǎo)體發(fā)光組件以及一部份的該導(dǎo)線架。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)，更包含至少一波長轉(zhuǎn)換單元摻雜于該覆蓋層中。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)之基板及導(dǎo)線架設(shè)置復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)，以增加反射效果。此外，上述復(fù)數(shù)個納米反射結(jié)構(gòu)彼此間的間距(P)系小于可見光波長的1/2，并且相鄰兩個納米反射結(jié)構(gòu)間具有一相對深度(H)，于本發(fā)明較佳的實施例中，上述相對深度與間距的比值系大于或等于2。
文檔編號H01L33/60GK102194961SQ20101011790
公開日2011年9月21日 申請日期2010年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月4日
發(fā)明者簡克偉 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司