專利名稱：光矩陣器件的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種光矩陣器件的制造方法，其具有如下構(gòu)造將用作為電視機或個人計算機的監(jiān)視器使用的薄型圖像顯示裝置、或用于醫(yī)療領域或產(chǎn)業(yè)領域等的放射線攝像裝置所具有的放射線檢測器等顯示元件或受光元件所形成像素排列成二維矩陣狀的構(gòu)造。
背景技術：
現(xiàn)在，將具有由薄膜晶體管(TFT)等形成的有源元件和電容器的、與光有關的元件排列成二維矩陣狀的光矩陣器件正在被廣泛應用。作為有關光的元件，可舉出受光元件和顯示元件。另外，將該光矩陣器件分類時，可分為用受光元件構(gòu)成的器件和用顯示元件構(gòu)成的器件。作為用受光元件構(gòu)成的器件，有光攝像傳感器及醫(yī)療領域或產(chǎn)業(yè)領域等中所使用的放射線攝像傳感器等。作為用顯示元件構(gòu)成的器件，有具備調(diào)節(jié)透射光的強度的元件的液晶型及、具備發(fā)光元件的EL型等、作為電視機或個人計算機的監(jiān)視器使用的圖像顯示器。在此，光是指紅外線、可見光線、紫外線、放射線(X射線)、Y射線等。近年來，作為這樣制作的光矩陣器件所具備的有源矩陣基板的配線等的形成方法，積極地研究了采用噴墨法的方法。不僅限于有源矩陣基板的柵極線或數(shù)據(jù)線等配線，通過噴墨法也可以形成柵極溝道等半導體膜。與現(xiàn)有光刻法不同，可以局部性地印刷形成，由于不需要掩膜，因此非常有用。根據(jù)這種理由，可期待作為制作大面積的有源矩陣基板的技術。根據(jù)噴墨印刷技術，通過印刷涂布含有半導體、絕緣體、或?qū)щ娦晕⒘Ｗ拥囊旱?(墨汁)，可以形成半導體膜、絕緣體膜或?qū)Ь€。從噴嘴射出的液滴使半導體、絕緣體、或?qū)щ娦晕⒘Ｗ拥娜我环N向有機溶劑中溶解或分散，保持溶液或膠質(zhì)狀態(tài)。而且在印刷涂布了該液滴后通過進行加熱處理使有機溶劑揮發(fā)掉，形成半導體膜、絕緣體膜、或?qū)Ь€(配線)。例如，專利文獻1中公開有通過噴墨法形成底柵型薄膜晶體管的薄膜晶體管的制造方法。專利文獻1 (日本)特開2004-349583號但是，用噴墨法形成的薄膜晶體管與在真空中用濺射法等形成的相比，柵極OFF 時的漏電流值、0N/0FF電流比、遷移等特性變差。薄膜晶體管的這些特性在很大程度上受薄膜晶體管的半導體膜和柵極絕緣膜的界面的連接狀態(tài)所左右。這些界面由于有機污染或氧化污染等稍有污染，其特性往往就會變差。也就是說，用噴墨法只能在大氣中印刷形成薄膜晶體管，而不能在真空中進行印刷形成。由此，通過噴墨法所形成薄膜晶體管相比于在真空中形成的薄膜晶體管，特性必然會差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這種事情而設立的，目的在于提供一種光矩陣器件的制造方法，盡管是大面積的基板，薄膜晶體管的特性也很好。為了實現(xiàn)這種目的，本發(fā)明設定為如下的構(gòu)成。
即，本發(fā)明的光矩陣器件的制造方法，是將具備薄膜晶體管的有關光的元件在基板上排列成二維矩陣狀而構(gòu)成的光矩陣器件的制造方法，其特征為，具備在轉(zhuǎn)印模上，在真空中層疊半導體膜的半導體膜形成步驟；在層疊有所述半導體膜的所述轉(zhuǎn)印模上，在真空中連續(xù)地層疊柵極絕緣膜的柵極絕緣膜形成步驟；向在所述基板上預先形成的第一配線上轉(zhuǎn)印所述柵極絕緣膜及所述半導體膜的轉(zhuǎn)印步驟。根據(jù)本發(fā)明的光矩陣器件的制造方法，由于是在真空中連續(xù)地制成最影響薄膜晶體管的特性的半導體膜和柵極絕緣膜，半導體膜和柵極絕緣膜的界面不會受到污染。此外， 雖然半導體膜和柵極絕緣膜是在真空中形成，但對于配線來說也可以在真空中形成。這樣， 因為是在預先形成的配線上，轉(zhuǎn)印在真空中形成的半導體膜和柵極絕緣膜，即使基板為大面積，也能夠有效地形成薄膜晶體管的配線、半導體膜及柵極絕緣膜，可以制造薄膜晶體管的特性良好的光矩陣器件。另外，通過噴墨法形成配線時，通過壓印法在形成有配線的基板上的絕緣膜上形成配線圖案的槽，從而，通過噴墨法射出的液滴沿著槽的圖案伸長。由此雖然是噴墨法，但由于能夠防止液滴的滲出，所以也能夠高精度地形成配線。此外，由于是在轉(zhuǎn)印有柵極絕緣膜及半導體膜的配線上形成絕緣膜，再在該絕緣膜上形成在該絕緣膜的面上形成的別的配線所用的圖案的槽，因此能夠高精度地進行配線的形成。另外，雖然轉(zhuǎn)印模的粘接力小時，也可以在轉(zhuǎn)印模直接層疊半導體膜，但轉(zhuǎn)印模的粘接力強、不能將被層疊的半導體膜剝離的情況下，也可以在轉(zhuǎn)印模上預先形成剝離層。作為在轉(zhuǎn)印模上預先形成的剝離層，只要采用通過加熱或紫外線照射，粘度會減少的剝離層， 就可以通過對剝離層實施加熱或紫外線照射，將柵極絕緣膜及半導體膜有效地轉(zhuǎn)印在配線上。進而，如果第一絕緣膜是有機物，則可在常溫下簡單地進行涂布形成。另外，通過在轉(zhuǎn)印模上先形成柵極絕緣膜，其后形成半導體膜，可以在基板側(cè)形成半導體膜。另外，如果半導體膜是氧化物半導體，則可形成特性優(yōu)良的薄膜晶體管。因為柵極絕緣膜是在真空中形成，所以優(yōu)選柵極絕緣膜為無機物。此外，柵極絕緣膜及半導體膜的轉(zhuǎn)印即使不能在基板整體上全部進行轉(zhuǎn)印，也可以將基板分為小區(qū)域而反復幾次進行轉(zhuǎn)印。另外，利用上述光矩陣器件的制造方法，能夠制造薄膜晶體管的特性穩(wěn)定的光檢測器、放射線檢測器、或圖像顯示裝置。另外，本發(fā)明另一方面的光矩陣器件的制造方法，其為將具備薄膜晶體管的有關光的元件在基板上排列成二維矩陣狀而構(gòu)成的光矩陣器件的制造方法，其特征為，具備在轉(zhuǎn)印模上，在真空中層疊柵極絕緣膜的柵極絕緣膜形成步驟；在層疊有所述柵極絕緣膜的所述轉(zhuǎn)印模上，在真空中連續(xù)地層疊半導體膜的半導體膜形成步驟；向薄膜上轉(zhuǎn)印所述柵極絕緣膜及所述半導體膜的第一轉(zhuǎn)印步驟；向在所述基板上預先形成的第一配線上轉(zhuǎn)印已被轉(zhuǎn)印在所述薄膜上的所述柵極絕緣膜及所述半導體膜的第二轉(zhuǎn)印步驟。根據(jù)本發(fā)明的另一光矩陣器件的制造方法，由于是在真空中連續(xù)地制造最影響薄膜晶體管的特性的柵極絕緣膜和半導體膜，柵極絕緣膜和半導體膜的界面不會被污染。此外，雖然柵極絕緣膜和半導體膜在真空中形成，但對于配線來說，也可以不在真空中形成。 這樣，因為是在預先形成的配線上轉(zhuǎn)印在真空中形成的柵極絕緣膜和半導體膜，所以，即使基板為大面積，也能夠有效地形成薄膜晶體管的配線、半導體膜及柵極絕緣膜，能夠制造薄膜晶體管的特性也良好的光矩陣器件。再者，由于具備向薄膜上轉(zhuǎn)印被層疊在轉(zhuǎn)印模上的柵極絕緣膜及半導體膜的第一轉(zhuǎn)印步驟、和向預先形成于基板上的第一配線上轉(zhuǎn)印被轉(zhuǎn)印在薄膜上的柵極絕緣膜及半導體膜的第二轉(zhuǎn)印步驟，所以可以防止柵極絕緣膜及半導體膜的轉(zhuǎn)印泄漏的發(fā)生，提高轉(zhuǎn)印成品率。另外，薄膜的粘度通過加熱或紫外線照射會降低，通過加熱或紫外線照射使薄膜的粘度降低而實施第二轉(zhuǎn)印步驟，所以，能夠從薄膜向第一配線上恰當?shù)剞D(zhuǎn)印柵極絕緣膜及半導體膜。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的光矩陣器件的制造方法，可以提供盡管是大面積的有源矩陣基板， 但薄膜晶體管的特性也良好的光矩陣器件的制造方法。


圖1是表示實施例1的平板型X射線檢測器(FPD)的制造工序的流程的流程圖。圖2是表示實施例1的FPD的制造工序的縱剖面圖。圖3是表示實施例1的FPD的制造工序的縱剖面圖。圖4是表示實施例1的FPD的制造工序的概略立體圖。圖5是表示實施例1的FPD的制造工序的縱剖面圖。圖6是在實施例1的FPD的制造工序中使用的轉(zhuǎn)印模的概略立體圖。圖7是表示實施例1的FPD的制造工序的縱剖面圖。圖8是表示實施例1的FPD的制造工序的縱剖面圖。圖9是表示實施例1的FPD的制造工序的縱剖面圖。圖10是表示實施例1的FPD的制造工序的縱剖面圖。圖11是表示實施例1的FPD的制造工序的正視圖。圖12是表示實施例1的FPD的制造工序的縱剖面圖。圖13是表示實施例1的FPD的制造工序的正視圖。圖14是表示實施例1的FPD的制造工序的縱剖面圖。圖15是表示實施例1的FPD的制造工序的縱剖面圖。圖16是表示實施例1的FPD的制造工序的正視圖。圖17是表示實施例1的FPD的制造工序的縱剖面圖。圖18是表示實施例1的FPD的制造工序的縱剖面圖。圖19是表示實施例1的FPD的制造工序的縱剖面圖。圖20是表示實施例1的FPD的制造工序的縱剖面圖。圖21是表示實施例1的FPD的制造工序的縱剖面圖。圖22是表示實施例1的FPD的制造工序的縱剖面圖。圖23是表示實施例1的FPD具備的有源矩陣基板及周邊電路的構(gòu)成的電路圖。圖M是表示具備利用實施例2的方法制作的有源矩陣基板的圖像顯示裝置的概略立體圖。
圖25是表示實施例3的平板型X射線檢測器(FPD)的制造工序的流程的流程圖。圖沈是表示實施例3的FPD的制造工序的縱剖面圖。圖27是表示實施例3的FPD的制造工序的縱剖面圖。圖28是表示實施例3的FPD的制造工序的縱剖面圖。圖四是表示實施例3的FPD的制造工序的縱剖面圖。圖30是表示實施例3的FPD的制造工序的縱剖面圖。圖31是表示實施例3的FPD的制造工序的縱剖面圖。圖32是表示實施例3的FPD的制造工序的縱剖面圖。圖33是表示本發(fā)明的變形實施的FPD的制造工序的縱剖面圖。圖34是表示本發(fā)明的變形實施的FPD的制造工序的縱剖面圖。符號說明1…基板2…絕緣膜3…柵極線4…接地線5…轉(zhuǎn)印模6…轉(zhuǎn)印模7…剝離層8…半導體膜9…柵極絕緣膜10…絕緣膜11…數(shù)據(jù)線12…電容電極15…薄膜晶體管(TFT)27…平板型X射線檢測器(FPD)50…粘接膜52…薄膜DU…X射線檢測元件
具體實施例方式實施例1<平板型X射線檢測器制造方法>下面，參照附圖對作為本發(fā)明的光矩陣器件之一例的平板型X射線檢測器(以下稱為FPD)的制造方法進行說明。圖1是表示形成實施例1的FPD的制造工序的流程的流程圖，圖2 圖22是表示實施例1的FPD的制造工序的圖。圖12是圖11的A-A向視剖面圖，圖14是圖13的A-A 向視剖面圖，圖17是圖16的A-A向視剖面圖。作為實施例1中的FPD的制造工序，大致有兩個工序。參照圖1，一個是在基板上形成有源矩陣基板及放射線轉(zhuǎn)換層等的工序(步驟SOl S03及步驟S21 S29)，另一個是形成薄膜晶體管(以下稱為TFT)的半導體膜及柵極絕緣膜的工序(步驟Sll S13)。(步驟S01)絕緣膜形成如圖2所示，在基板1的表面上形成絕緣膜2?；?可以是玻璃、合成樹脂、金屬等中的任一種。為合成樹脂的場合，作為例子可舉出聚(酰)亞胺(f 'J ^ ^ κ )、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)(水。,J工手> > f 7夕l· 一卜)、PES (聚醚砜(水° 'J工一歹A 7 ；ι才、 >)、PET(聚對苯二甲酸乙酯(^彡工f > >〒> 7夕 >一卜))等，但優(yōu)選耐熱性優(yōu)良的聚(酰)亞胺。采用不銹鋼等金屬的場合，基板1也可以作為后面要說明的接地線兼用。如果基板1和絕緣膜2是合成樹脂等有機物，就能夠制造柔性的基板。由此具有就算是將基板弄掉也不會破裂的優(yōu)點。另外，如果基板是柔性的，就能夠進行用連續(xù)式微納米壓印技術的批量生產(chǎn)。如果絕緣膜2為有機物，則易于在常溫下進行涂布形成。絕緣膜2優(yōu)選有機類的材料且具有熱塑性或用光可進行固化的材料，可舉出聚 (酰)亞胺、丙烯酸樹脂、UV固化樹脂等。在基板1的表面上一樣地形成該絕緣膜2。絕緣膜2相當于本發(fā)明中的第一絕緣膜，步驟SOl相當于本發(fā)明中的第一絕緣膜形成步驟。(步驟絕緣膜圖案形成如圖3所示，在形成于基板1上的軟化狀態(tài)的絕緣膜2上，將預先形成有通過后面的工序形成的柵極線3和接地線4的圖案的轉(zhuǎn)印模5，按壓在絕緣膜2上。此時，如果絕緣膜2為熱塑性，預先將絕緣膜2進行加熱并保持在軟化狀態(tài)再按壓轉(zhuǎn)印模5。該轉(zhuǎn)印模 5的圖案被轉(zhuǎn)印在絕緣膜2上后，將絕緣膜2冷卻使絕緣膜2固化，將轉(zhuǎn)印模5從絕緣膜2 脫模。由此，如圖4所示，在絕緣膜2上形成將在后面的工序中形成的柵極線3及接地線4 的圖案即槽。另外，如果絕緣膜2為紫外線硬化性，則在將轉(zhuǎn)印模5按壓在軟化狀態(tài)的絕緣膜2上后，向絕緣膜2照射紫外線。通過該紫外線的照射，絕緣膜2固化，形成絕緣膜2的圖案。轉(zhuǎn)印模5可以采用例如用Si (硅)、Ni (鎳)、PDMS(Polydimethylsiloxane)等形成的薄膜。轉(zhuǎn)印模5的圖案形成可以通過EB曝光或光刻法形成。步驟S02相當于本發(fā)明中的第一圖案形成步驟。(步驟S03)柵極線·接地線形成在經(jīng)過圖案形成后的絕緣膜2上，通過噴墨法形成柵極線3及接地線4。在絕緣膜 2上，因為在形成有柵極線3及接地線4的圖案上形成有槽，所以由噴墨法射出金屬墨汁如形成有槽的圖案那樣伸長。柵極線3相當于本發(fā)明中的第一配線，步驟S03相當于本發(fā)明中的第一配線形成步驟。接著，對在與上述步驟SOl S03不同的工序中形成的半導體膜及柵極絕緣膜的形成進行說明。為了在通過上述步驟S03形成的柵極線3上形成柵極絕緣膜及半導體膜 (柵極溝道)，使用應用了壓印(4>卜)法的轉(zhuǎn)印法對它們進行轉(zhuǎn)印。(步驟Sll)剝離層形成如圖6及圖7所示，在預先形成有半導體膜(柵極溝道)的圖案的規(guī)定位置，在形成有凹凸的形狀的轉(zhuǎn)印模6的整個表面上，涂布剝離層7而形成。剝離層7優(yōu)選例如加熱到 80°C左右時粘接性下降的樹脂、或被照射紫外線時粘接性下降的樹脂等。作為加熱到80°C 左右時粘接性下降的樹脂，可舉出積水化學工業(yè)株式會社制的自剝離糊料(臨時固定用粘接劑)、或株式會社泰斯科(f 7 二)公司制的UV固化型熱熔臨時粘接材料A-1579。另外， 根據(jù)情況，也可以是通過氟等離子處理等薄膜涂敷單分子層的剝離層。該剝離層7的凹凸的節(jié)距為TFT的半導體膜(柵極溝道)的節(jié)距間隔。轉(zhuǎn)印模6可以采用例如用Si、Si02 (氧化硅)、SiC(碳化硅)、Ni、PDMS等形成的轉(zhuǎn)印模。(步驟S12)半導體膜形成如圖8所示，在形成有剝離層7的轉(zhuǎn)印模6上，在真空中形成半導體膜8。真空度優(yōu)選約IPa以下?；蛘?，也可以在抽真空至約0. IPa以下之后，通過另外供應Ar (氬)、 O2(氧)、隊(氮)等氣體，達到約IPa以下的負壓氣氛氣。作為形成方法可舉出濺射法、等離子體蒸鍍法、或離子鍍膜法等。作為半導體膜8的材料，可舉出鎵銦共摻雜氧化鋅(力‘U々A · 4 > ” , A酸化亜鉛))、ΖηΟ(氧化鋅)等的氧化物半導體、或CdS(硫化鎘)等硫系玻璃。另外，除此之外，可以是Si、A-Si(非晶硅)、poly-Si(縮聚硅)，或者，也可以是由并五苯(《>々*>)等有機物構(gòu)成的有機半導體膜。當采用作為無機物半導體膜的氧化物半導體膜時，移動度高，與有機半導體膜相比，經(jīng)時穩(wěn)定性好。另外，在圖8中， 在轉(zhuǎn)印模6的凸部的面上經(jīng)由剝離層7形成的半導體膜8的寬度Pl為1 20 μ m左右，層疊有剝離層7的轉(zhuǎn)印模6的凹凸的節(jié)距P2，因為和以后形成的有源矩陣基板17的單像素的節(jié)距為同程度，所以，其為50 200 μ m程度。步驟S12相當于本發(fā)明中的半導體膜形成步馬聚ο(步驟S13)柵極絕緣膜如圖9所示，在形成有半導體膜8的轉(zhuǎn)印模6上，在真空中形成柵極絕緣膜9。真空度優(yōu)選大約為IPa以下?；蛘咭部梢栽诔檎婵罩链蠹s0. 1 以下之后，通過另外供應Ar、 02、N2等氣體，達到大約IPa以下負壓氣氛氣。作為形成方法可舉出濺射法、等離子體蒸鍍法法、或離子鍍膜法等。作為柵極絕緣膜9的材料，可舉出Si02、SiNx(氮化硅)、(氧化鋯)、IO3(酸化銥)、Al2O3(氧化鋁)、T^2(氧化鈦)等無機氧化物。另外，作為柵極絕緣膜材料也可以采用強電解質(zhì)薄膜。此外，也可以是聚(酰)亞胺、丙烯酸、PVP(聚乙烯基吡咯烷酮)等有機物。步驟S13相當于本發(fā)明中的柵極絕緣膜形成步驟。(步驟S2I)轉(zhuǎn)印接著，如圖10所示將層疊有半導體膜8及柵極絕緣膜9的轉(zhuǎn)印模6按壓在柵極線 3的上面，使剝離層7剝離，從而轉(zhuǎn)印半導體膜8及柵極絕緣膜9。由此，如圖11及圖12所示，在柵極線3上形成柵極絕緣膜9，再在其上形成半導體膜8。剝離層7的剝離可以通過加熱的方法，也可以通過紫外線照射，也可以通過超聲波的振動，也可以通過這些方法的組合來實現(xiàn)。例如如果是當加熱到80°C以上時粘接性下降的剝離層7，則可以通過將轉(zhuǎn)印模 6加熱到80°C以上，使剝離層7的粘接性下降，并且通過對轉(zhuǎn)印模6附加超聲波的振動，將半導體膜8及柵極絕緣膜9從轉(zhuǎn)印模6剝離。步驟S21相當于本發(fā)明中的轉(zhuǎn)印步驟。(步驟S2》絕緣膜形成接著，如圖13及圖14所示，在接地線4及絕緣膜2上形成絕緣膜10。因為在半導體膜8的上部面上，在后面的工序中要連接數(shù)據(jù)線及電容電極，所以不層疊絕緣膜10。絕緣膜10也優(yōu)選有機類的材料且為熱塑性或利用光進行固化的材料，可舉出聚(酰)亞胺、丙烯酸樹脂、UV硬化樹脂等。絕緣膜10相當于本發(fā)明中的第二絕緣膜，步驟S22相當于本發(fā)明中的第二絕緣膜形成步驟。(步驟S2!3)絕緣膜圖案形成接著，如圖15所示，在軟化狀態(tài)的絕緣膜10上，將預先形成有通過后面的工序形成的數(shù)據(jù)線11和電容電極12的圖案的轉(zhuǎn)印模13，按壓在絕緣膜2上。絕緣膜10的圖案形成方法因為和步驟S02是一樣的，所以省略其說明。由此，在絕緣膜10上形成作為在后面的工序形成的數(shù)據(jù)線11及電容電極12的圖案的槽。步驟S23相當于本發(fā)明中的第二圖案形成步驟。(步驟S24)數(shù)據(jù)線·電容電極形成如圖16及圖17所示，在絕緣膜10上夾著半導體膜8形成電容電極12及數(shù)據(jù)線 11。電容電極12按照夾著絕緣膜10而與接地線4相面對的方式層疊形成。再者，用與半導體膜8相面對的柵極線3的一部分、數(shù)據(jù)線11的半導體膜8側(cè)的部分、半導體膜8、電容電極12的半導體膜8側(cè)的部分、介于柵極線3/數(shù)據(jù)線11 ·半導體膜8 ·電容電極12間的絕緣膜9構(gòu)成TFT15。另外，用電容電極12、接地線4、介于電容電極12/接地線4間的絕緣膜10構(gòu)成電容器16。由此構(gòu)成具備基板1、電容電極12、電容器16、TFT15、半導體膜8、數(shù)據(jù)線11、柵極線3、接地線4、絕緣膜2、柵極絕緣膜9、及絕緣膜10的有源矩陣基板17。數(shù)據(jù)線11相當于本發(fā)明中的第二配線，步驟SM相當于本發(fā)明中的第二配線形成步驟。(步驟S2Q絕緣膜形成如圖18所示，在數(shù)據(jù)線11、電容電極12、半導體膜8、及絕緣膜10上層疊形成絕緣膜18。為了和之后層疊的像素電極19進行連接，在電容電極12上存在未層疊形成絕緣膜 18的部分，將電容電極12的周圍用絕緣膜18層疊形成。絕緣膜18也可以作為TFT15的鈍化(/^ χ— >)膜起作用。(步驟S26)像素電極形成如圖19所示，在電容電極12及絕緣膜18上層疊像素電極19。由此，像素電極19 和電容電極12電連接。(步驟S27)絕緣膜形成如圖20所示，在像素電極19及絕緣膜18上層疊絕緣膜20。為了向像素電極19 收集由之后進行層疊的X射線轉(zhuǎn)換層21生成的載流子，在應與X射線轉(zhuǎn)換層21直接接觸的像素電極19的大部分不層疊形成絕緣膜20，而是僅將像素電極19的周圍用絕緣膜20層疊形成。即，按照使像素電極19的大部分開口的方式層疊形成絕緣膜20。(步驟S28)X射線轉(zhuǎn)換層形成如圖21所示，在像素電極19及絕緣膜20上層疊形成X射線轉(zhuǎn)換層21。實施例1 的情況，作為受光元件的X射線轉(zhuǎn)換層21層疊非晶硒(ale)，所以使用蒸鍍法?？梢愿鶕?jù) X射線轉(zhuǎn)換層21使用了什么樣的半導體而改變層疊方法。(步驟S29)電壓施加電極形成如圖22所示，在X射線轉(zhuǎn)換層21上層疊形成電壓施加電極22。之后，如圖23所示，通過連接柵極驅(qū)動電路對、電荷-電壓轉(zhuǎn)換器組25及多路轉(zhuǎn)換器(7 > +>々寸)26 等周邊電路，結(jié)束FPD27的一系列制造。這些FPD27的絕緣膜2、10、18、20的形成方法，如果是局部性的形成，則優(yōu)選噴墨法，在基板整體上一樣地形成的情況下，優(yōu)選旋涂法。除此以外，也可以通過凸版印刷法、凹版(7，e 7 )印刷法、苯胺(7 > y )印刷法等來形成。半導體膜8及柵極絕緣膜9的轉(zhuǎn)印方法可以是對基板1整體統(tǒng)一進行轉(zhuǎn)印的方法，也可以分成小區(qū)域進行反復轉(zhuǎn)印。另外，向絕緣膜2及絕緣膜10的圖案形成同樣可以是對基板1整體統(tǒng)一進行圖案形成的方法，也可以分成小區(qū)域反復進行圖案形成?！雌桨逍蚗射線檢測器〉如以上操作而制造的FPD27，如圖22及圖23所示，在入射X射線的X射線檢測部 SCdf χ射線檢測元件DU沿XY方向排列成二維矩陣狀。X射線檢測元件DU與被入射的X 射線發(fā)生感應，向每一個像素輸出電荷信號。再者，為方便說明，在圖23中，X射線檢測元件DU設定為3 X 3像素量的二維矩陣構(gòu)成，但在實際的X射線檢測部SC，X射線檢測元件DU 設定為例如與4096X4096像素量程度、且與FPD27的像素數(shù)一致的矩陣構(gòu)成。X射線檢測元件DU相當于本發(fā)明中的有關光的元件。另外，X射線檢測元件DU如圖22所示，在施加有偏置電壓的電壓施加電極22的下層，形成有通過X射線的入射而生成載流子(電子 空穴對)的X射線轉(zhuǎn)換層21。而且，在 X射線轉(zhuǎn)換層21的下層形成針對每個像素收集載流子的像素電極19，并且形成有有源矩陣基板17，所述有源矩陣基板17具備儲備由被收集在像素電極19上的載流子產(chǎn)生的電荷的電容器16、與電容器16電連接的TFT15、向TFT15傳送開關作用的信號的柵極線3、通過 TFT15將儲備將電容器16中所儲備的電荷作為X射線檢測信號讀出的數(shù)據(jù)線11、支撐它們的基板1。通過該有源矩陣基板17能夠根據(jù)在X射線轉(zhuǎn)換層21生成的載流子，針對每一個像素讀出X射線檢測信號。這樣，在各X射線檢測元件DU中都具備X射線轉(zhuǎn)換層21、像素電極19、電容器16和TFT15。X射線轉(zhuǎn)換層21由X射線感應型半導體構(gòu)成，例如用非晶質(zhì)的非晶硒(a-Se)膜形成。另外，成為向X射線轉(zhuǎn)換層21入射X射線時，直接生成與該X射線的能量成比例的規(guī)定個數(shù)的載流子的構(gòu)成(直接轉(zhuǎn)換型)。該ale膜尤其能夠容易地實現(xiàn)檢測區(qū)域的大面積化。作為X射線轉(zhuǎn)換層21，除上述以外，還可以是其它半導體膜，例如CdTe(碲化鎘)等多晶半導體膜。這樣，本實施例的FPD27成為作為X射線檢測像素的大量的檢測元件DU沿X、Y方向排列成的二維陣列構(gòu)成的平板型X射線傳感器，所以，每個各檢測元件DU都能夠進行局部性的X射線檢測，可以進行X射線強度的二維分布測定。本實施例的FPD27的X射線檢測動作如下。S卩，在對被檢體照射X射線進行X射線攝像的情況下，透過被檢體的放射線像被投影到a-k膜上，在a-k膜內(nèi)產(chǎn)生與像的濃淡成比例的載流子。產(chǎn)生的載流子通過生成偏置電壓的電場被收集到像素電極19上，相應于生成的載流子的數(shù)，電容器16中被感應起電荷并以規(guī)定時間被存儲。其后，根據(jù)從柵極驅(qū)動電路M通過柵極線3傳送的柵極電壓，TFT15 發(fā)揮轉(zhuǎn)換作用，電容器16中儲備的電荷經(jīng)由TFT15通過數(shù)據(jù)線11用電荷-電壓轉(zhuǎn)換器組 25轉(zhuǎn)換為電壓信號，由多路轉(zhuǎn)換器沈作為X射線檢測信號依次向外部被讀出。上述的FPD27中的形成數(shù)據(jù)線11、柵極線3、接地線4、像素電極19、電容電極12 及電壓印加電極22的導電體，可以是用將Ag、Au、Cu等金屬制成糊狀的金屬墨汁形成的導電體，也可以通過印刷以涂敷了 ITO墨汁、聚苯乙烯磺酸(f」；^ f ^ > ；^ > * >酸)的聚乙烯二氧噻吩(水。丨J工f > >夕才矢* f才7工> )(PED0T/PSS)等為代表的高導電性的有機物墨汁來形成。另外，也可以是ITO和Au薄膜等的構(gòu)成。上述的實施例1中，雖然X射線轉(zhuǎn)換層21是由X射線生成載流子的轉(zhuǎn)換層，但不限于X射線，也可以使用與 射線等放射線發(fā)生感應的放射線轉(zhuǎn)換層或與光發(fā)生感應的光
11轉(zhuǎn)換層。另外，也可以代替光轉(zhuǎn)換層而使用光電二極管。這樣一來，雖然是相同的構(gòu)造，但可以制造放射線檢測器及光檢測器。根據(jù)如上述構(gòu)成的光矩陣器件的制造方法，因為是在真空中連續(xù)制造半導體膜8 和柵極絕緣膜9，半導體膜8和柵極絕緣膜9的界面不會引起有機污染或氧化污染等污染。 由此，可以減少半導體膜8和柵極絕緣膜9的界面的陷阱(trap)，所以與通過噴墨法形成的TFT相比，TFT15的柵極OFF時的漏電流值、0N/0FF電流比、運動性等特性得以提高。另外，通過用應用了壓印法的方法轉(zhuǎn)印在真空中形成的半導體膜8及柵極絕緣膜9，能夠?qū)⑦@些膜簡單地轉(zhuǎn)印在柵極線3上。壓印法中，雖然通常是通過將轉(zhuǎn)印模按壓在抗蝕劑膜上，在抗蝕劑層上凹凸逆轉(zhuǎn)地轉(zhuǎn)印轉(zhuǎn)印模的形狀，但本申請中，是在轉(zhuǎn)印模5上在真空中層疊由半導體膜8及柵極絕緣膜9構(gòu)成的兩個功能膜，將這些功能膜在通常的大氣環(huán)境中轉(zhuǎn)印在柵極線3上的規(guī)定的位置。由此，就算是小面積的轉(zhuǎn)印模5，也可以在真空腔內(nèi)將半導體膜8及柵極絕緣膜9 一個一個地層疊在轉(zhuǎn)印模5，并依次轉(zhuǎn)印在柵極線3上的規(guī)定的位置。也就是說，就算是基板1 為大面積，因為轉(zhuǎn)印模5比基板1小，所以也能夠?qū)崿F(xiàn)將真空腔的小型化。另外，因為是通過壓印法在形成有柵極線3、接地線4、數(shù)據(jù)線11等配線及電容電極12的絕緣膜上，作為槽形成各配線及電極的形成圖案，易于通過噴墨法形成各配線及電極。也就是說，通過噴墨法射出的液滴沿著絕緣膜上所形成的槽的圖案伸長，所以雖然是噴墨法也可以形成線寬及位置精度正確的圖案。實施例2接著，參照圖M對本發(fā)明的實施例2進行說明。圖M是作為圖像顯示裝置之一例具備有源矩陣基板的顯示器(有機EL顯示器)的局部剖切立體圖。本發(fā)明的方法還優(yōu)選應用于圖像顯示裝置的制造。作為圖像顯示裝置可列舉薄型的電致發(fā)光顯示器或液晶顯示器等。就圖像顯示裝置而言，也優(yōu)選具備在有源矩陣基板上形成的像素電路，且適用于這種器件的圖像顯示裝置。如圖M所示，具備有源矩陣基板的有機EL顯示器30具備基板31、與多個在基板31上配置成矩陣狀的TFT電路32和像素電極33連接并依次層疊在基板31上的有機EL 層34、透明電極35及保護薄膜36、與各TFT電路32和源極驅(qū)動電路37連接的多根源極電極線39、與各TFT電路32和柵極驅(qū)動電路38連接的多根柵極電極線40。在此，有機EL層 34由層壓電子輸送層、發(fā)光層、空穴輸送層等各層而構(gòu)成。在該有機EL顯示器30中，因為TFT電路32內(nèi)的柵極絕緣膜及半導體膜也是通過前述的實施例1的光矩陣器件的制造方法所形成，所以TFT電路32的特性不會劣化。由此， 可以制作雖然是大面積但響應性也很快的圖像顯示裝置。另外，上述的圖像顯示裝置為使用了有機EL等顯示元件的顯示器，但不限于此， 也可以是具備液晶顯示元件的液晶型顯示器。為液晶型顯示器的情況下，用濾色板將像素著色成RGB。此外，如果采用透明的配線及透明的基板，有提高光的透射效率的優(yōu)點。另外， 也可以是具備其它顯示元件的顯示器。實施例3接著，參照圖25 圖32對本發(fā)明的實施例3進行說明。圖25是表示實施例3的 FPD的制造工序流程的流程圖，圖沈 圖32是表示FPD的制造工序的圖。
實施例3中，改變了實施例1中的從轉(zhuǎn)印模向基板的轉(zhuǎn)印。即，實施例3的特征在于，將轉(zhuǎn)印模上形成的半導體膜及絕緣膜暫時轉(zhuǎn)印到薄膜上后再向基板上進行轉(zhuǎn)印。另外， 實施例3的另一特征在于，在形成于基板上的柵極線上的轉(zhuǎn)印有半導體膜及絕緣膜的區(qū)域形成粘接膜。下面記載和實施例1不同的光矩陣器件的制造方法，其以外的光矩陣器件的制造方法和實施例1的制造方法是一樣的。(步驟S04)粘接膜形成如圖25及圖沈所示，在實施例1的步驟SOl 03工序之后，在柵極線3上的形成有柵極絕緣膜9及半導體膜8的位置上，形成粘接膜50。使用噴墨打印機或分配器局部性地涂布粘接膜50。也可以代替局部性地進行涂布，而在絕緣膜2、柵極線3及接地線4上的整面進行旋涂，形成粘接膜50。粘接膜50為粘接性的絕緣體。粘接膜50優(yōu)選聚(酰)亞胺或丙烯酸系的樹脂。 粘接膜優(yōu)選加熱固化性的粘接膜、或通過UV照射進行固化的粘接膜。接著，對在和步驟SOl S04不同的工序中形成的半導體膜及柵極絕緣膜的形成進行說明。實施例3中，和實施例1不同，因為是從轉(zhuǎn)印模6通過薄膜向基板1進行轉(zhuǎn)印， 所以向轉(zhuǎn)印模6層疊半導體膜及柵極絕緣膜的順序相反。步驟Sll的剝離層形成和實施例 1是一樣的。(步驟SM)柵極絕緣膜形成如圖27所示，在形成有剝離層7的轉(zhuǎn)印模6上，在真空中形成柵極絕緣膜9。形成方法和實施例1是一樣的。(步驟S16)半導體膜形成如圖27所示，在形成有柵極絕緣膜9的轉(zhuǎn)印模6上，在真空中連續(xù)地不破壞真空地形成半導體膜8。形成方法和實施例1是一樣的。(步驟S17)薄膜轉(zhuǎn)印如圖27所示，在大氣環(huán)境中向半導體膜8上一樣地粘貼薄膜52。薄薄膜52雖然具有粘接性，但具有通過加熱或UV照射失掉粘接性的性質(zhì)。剝離層7被加熱時則失掉粘接性的情況下，優(yōu)選為，薄膜52通過UV照射失掉粘接性。另外，在剝離層7通過UV照射失掉粘接性的情況下，優(yōu)選為薄膜52被加熱時則失掉粘接性。另外，在剝離層7及薄膜52都是通過加熱失掉粘接性的情況下，優(yōu)選為剝離層7比薄膜52在更低溫下失掉粘接性。作為被加熱時粘接性下降的薄膜，可舉出日東電工株式會社制的熱剝離膜(REVALPHA)。另外，作為通過UV照射粘接性下降的膜，可舉出株式會社東洋-阿道特庫(卜一 3 — τ·々)制的UV剝離型切割帶。用輥等一樣地粘貼在半導體膜8上的薄膜52通過加熱或UV照射，維持薄膜52的粘接性并使剝離層7的粘接性下降，用輥53 —邊卷取一邊將半導體膜8及柵極絕緣膜9轉(zhuǎn)印在薄膜52上。轉(zhuǎn)印模6和輥53彼此進行相對移動，剝離層7的粘接性下降，所以，伴隨輥53的旋轉(zhuǎn)，依靠薄膜52的粘接性，半導體膜8及柵極絕緣膜9從轉(zhuǎn)印模6分離。另外， 半導體膜8及柵極絕緣膜9從轉(zhuǎn)印模6上的端部慢慢地被轉(zhuǎn)印到薄膜52上，所以，在轉(zhuǎn)印模6上不會產(chǎn)生轉(zhuǎn)印殘余。如圖四所示，半導體膜8及柵極絕緣膜9被轉(zhuǎn)印到薄膜52上。 步驟S17相當于本發(fā)明中的第一轉(zhuǎn)印步驟。(步驟S20)基板轉(zhuǎn)印
接著，如圖30所示，按照在基板1的粘接膜50上形成柵極絕緣膜9的方式對薄膜 52進行按壓?？梢杂幂伆磯罕∧?2，也可以通過平板擠壓進行按壓。另外，為了使薄膜52 的粘接性下降而進行加熱或UV照射。通過加熱使薄膜52的粘接性下降的情況下，優(yōu)選為， 粘接膜50通過加熱而固化。另外，通過UV照射使薄膜52的粘接性下降的情況下，優(yōu)選為粘接膜5通過UV照射而固化。由此，可同時進行使薄膜52的粘接性下降、和粘接膜50的固化。柵極絕緣膜9可以在粘接膜50上層疊，柵極絕緣膜9也可以被埋入粘接膜50的內(nèi)部，柵極絕緣膜9也可以被直接層疊在柵極線3上。粘接膜50也可以作為柵極絕緣膜發(fā)揮作用。通過粘接膜50在柵極線3上形成柵極絕緣膜9及半導體膜8后，將薄膜52從半導體膜8剝離。如圖31所示，基板1和輥M彼此進行相對移動，同時，薄膜52 —邊被卷取到輥M上一邊從基板1的端部剝離。由于輥M的表面具有粘接性，或粘貼有粘接性的帶， 由此能夠?qū)⒈∧?2卷到輥M上。薄膜52通過加熱或UV照射粘接性下降，粘接膜50固化而將柵極絕緣膜9固定，所以，薄膜52自半導體膜8被剝離。薄膜52自半導體膜8慢慢地被剝離，所以，薄膜52上不會殘余半導體膜8。步驟S20相當于本發(fā)明中的第二轉(zhuǎn)印步驟。步驟S20以后，和實施例1同樣地，如圖32實施步驟S22 步驟S29，形成X射線檢測部。在實施例1的有源矩陣基板17中，在柵極線3和柵極絕緣膜9之間形成有粘接膜 50，為實施例3中的有源矩陣基板17b。根據(jù)實施例3的光矩陣器件的制造方法，因為是在真空中連續(xù)地制作柵極絕緣膜 9和半導體膜8，所以柵極絕緣膜9和半導體膜8的界面不會引起有機污染或氧化污染等污染。由此，能夠減小柵極絕緣膜9和半導體膜8的界面的陷阱，與通過噴墨法形成的TFT相比，TFT15的柵極OFF時的漏電流值、ON/OFF電流比、運動性等特性得以提高。另外，實施例3中，在轉(zhuǎn)印模5上，在真空中層疊由半導體膜8及柵極絕緣膜9構(gòu)成的兩個功能膜，將這些功能膜在通常的大氣環(huán)境中轉(zhuǎn)印到薄膜52上，再從薄膜52轉(zhuǎn)印在柵極線3上。也就是說，半導體膜8和柵極絕緣膜9在真空中形成，而對于配線來說，也可以不在真空中形成。另外，就算是小面積的轉(zhuǎn)印模5，也可以在真空腔內(nèi)將半導體膜8及柵極絕緣膜9 一個一個地層疊在轉(zhuǎn)印模5上，依次轉(zhuǎn)印到薄膜52上，再轉(zhuǎn)印到柵極線3上的預先設定的位置。也就是說，就算是基板1為大面積，因為轉(zhuǎn)印模5比基板1小，所以也能夠?qū)崿F(xiàn)真空腔的小型化。另外，實施例3的光矩陣器件的制造方法，還優(yōu)選適用于實施例2的圖像顯示裝置的制造。這樣，因為是在預先形成的柵極線3上，轉(zhuǎn)印在真空中形成的半導體膜8和柵極絕緣膜9，所以，就算是基板1為大面積，也能夠有效地形成膜晶體管15的配線、半導體膜8及柵極絕緣膜9，能夠制造薄膜晶體管15的特性良好的FPD27。此外，由于具備將轉(zhuǎn)印模6上層疊的柵極絕緣膜9及半導體膜8轉(zhuǎn)印在薄膜52上的第一轉(zhuǎn)印步驟、和將被轉(zhuǎn)印在薄膜52上的柵極絕緣膜9及半導體膜8轉(zhuǎn)印在預先形成于基板1上的柵極線3上的第二轉(zhuǎn)印步驟，因此可以防止柵極絕緣膜9及半導體膜8的轉(zhuǎn)印遺漏(漏的發(fā)生，提高轉(zhuǎn)印成品率。另外，薄膜52通過加熱或紫外線照射粘度減小，第二轉(zhuǎn)印步驟實施的是通過加熱或紫外線照射使薄膜52的粘度減小，所以，從薄膜52向柵極線3上轉(zhuǎn)印時，柵極絕緣膜9及半導體膜8不會殘留在薄膜52。本發(fā)明并不限于上述實施方式，可以如下進行變形實施。(1)在上述的實施例1中，半導體膜8及柵極絕緣膜9的轉(zhuǎn)印使用了剝離層7，但如圖25所示，也可以在絕緣膜2上形成粘接性比剝離層7高的絕緣性的粘接膜51。作為粘接膜51的例子，可舉出軟化了的聚(酰)亞胺。即，在絕緣膜2、柵極線3、及接地線4的面上一樣地形成聚(酰)亞胺的粘接膜51，在轉(zhuǎn)印半導體膜8及柵極絕緣膜9時，通過加熱使粘接膜51軟化，通過對剝離層7進行加熱使剝離層7的粘接性下降。由此，因為粘接膜51 的粘度比剝離層7大，所以，柵極絕緣膜9被層疊在粘接膜51上，而半導體層8可容易地從剝離層7進行剝離。(2)在上述的實施例中，在轉(zhuǎn)印模6上一邊形成剝離層7 —邊形成半導體膜8及柵極絕緣膜9，但當轉(zhuǎn)印模6的表面能量小的場合，因為轉(zhuǎn)印模6的表面的粘接力很弱，即使形成剝離層7，也可以僅施加超聲波等振動進行轉(zhuǎn)印。(3)在上述的實施例中，柵極線3及接地線4的形成在由轉(zhuǎn)印模5形成了圖案的絕緣膜2上，通過噴墨法來形成，但不限于此，也可以利用連續(xù)式微納米壓印技術的轉(zhuǎn)印模在絕緣膜2上形成圖案，再通過Ni (鎳)電鍍形成柵極線3及接地線4。(4)在上述的實施例中，為具備底柵型的TFT的光矩陣器件，但如圖沈所示，也可以是具備頂柵型的TFT的光矩陣器件。為頂柵型的TFT的場合，在轉(zhuǎn)印模6上層疊半導體膜64及柵極絕緣膜65的順序和上述的實施例不同，在轉(zhuǎn)印模6上形成剝離層7后，先在轉(zhuǎn)印模6上在真空中形成柵極絕緣膜65，再在層疊有柵極絕緣膜65的轉(zhuǎn)印模6上，在真空中形成半導體膜64。接著，向經(jīng)由絕緣膜61層疊在基板1上的數(shù)據(jù)線62及電容電極63的一部分上，轉(zhuǎn)印柵極絕緣膜65及半導體膜(柵極溝道)64。然后，在柵極絕緣膜65上形成柵極線66。這樣，數(shù)據(jù)線62相當于本發(fā)明中的第一配線，電容電極63相當于本發(fā)明中的電極。另外，絕緣膜67在接地線4和電容電極63之間形成，在電容電極63的面上形成有像素電極69。在柵極線66的面上形成的絕緣膜68作為TFT的鈍化膜發(fā)揮作用。這些光矩陣器件的形成方法及材質(zhì)，和上述的實施例是一樣的，所以省略其說明。
權利要求
1.一種光矩陣器件的制造方法，將具備薄膜晶體管的有關光的元件在基板上排列成二維矩陣狀而構(gòu)成所述光矩陣器件，其特征在于，具備半導體膜形成步驟，其中在轉(zhuǎn)印模上，在真空中層疊半導體膜； 柵極絕緣膜形成步驟，其中在層疊有所述半導體膜的所述轉(zhuǎn)印模上，在真空中連續(xù)地層疊柵極絕緣膜；以及轉(zhuǎn)印步驟，其中向在所述基板上預先形成的第一配線上轉(zhuǎn)印所述柵極絕緣膜及所述半導體膜。
2.如權利要求1所述的光矩陣器件的制造方法，其特征在于， 具備第一絕緣膜形成步驟，其中在所述基板上形成第一絕緣膜；第一圖案形成步驟，其中通過壓印法在所述第一絕緣膜上形成所述第一配線的圖案的槽；以及第一配線形成步驟，其中在被形成為圖案的所述第一絕緣膜的槽中通過噴墨法形成所述第一配線，在所述第一配線上轉(zhuǎn)印所述柵極絕緣膜及所述半導體膜。
3.如權利要求2所述的光矩陣器件的制造方法，其特征在于， 具備第二絕緣膜形成步驟，其中在被轉(zhuǎn)印在所述第一配線上的所述柵極絕緣膜及所述半導體膜的周圍形成第二絕緣膜；第二圖案形成步驟，其中通過壓印法在所述第二絕緣膜上形成第二配線的圖案的槽;以及第二配線形成步驟，其中在被形成為圖案的所述第二絕緣膜的槽中通過噴墨法形成所述第二配線。
4.如權利要求1 3中任一項所述的光矩陣器件的制造方法，其特征在于， 在所述轉(zhuǎn)印模上形成所述半導體膜之前，在所述轉(zhuǎn)印模上預先形成有剝離層。
5.如權利要求4所述的光矩陣器件的制造方法，其特征在于， 所述剝離層通過加熱或紫外線照射其粘度降低。
6.如權利要求1 5中任一項所述的光矩陣器件的制造方法，其特征在于， 所述第一絕緣膜為有機物。
7.一種光矩陣器件的制造方法，將具備薄膜晶體管的有關光的元件在基板上排列成二維矩陣狀而構(gòu)成所述光矩陣器件，其特征在于，具備柵極絕緣膜形成步驟，其中在轉(zhuǎn)印模上在真空中層疊柵極絕緣膜； 半導體膜形成步驟，其中在層疊有所述柵極絕緣膜的所述轉(zhuǎn)印模上在真空中層疊半導體膜；以及轉(zhuǎn)印步驟，其中向在所述基板上預先形成的第一配線及電極上轉(zhuǎn)印所述柵極絕緣膜及所述半導體膜。
8.如權利要求1 7中任一項所述的光矩陣器件的制造方法，其特征在于，所述半導體膜為氧化物半導體膜。
9.如權利要求1 8中任一項所述的光矩陣器件的制造方法，其特征在于， 所述柵極絕緣膜為無機物。
10.如權利要求1 9中任一項所述的光矩陣器件的制造方法，其特征在于， 反復進行所述轉(zhuǎn)印步驟。
11.如權利要求1 10中任一項所述的光矩陣器件的制造方法，其特征在于， 所述光矩陣器件為光檢測器。
12.如權利要求11所述的光矩陣器件的制造方法，其特征在于， 所述光矩陣器件為放射線檢測器。
13.如權利要求1 10中任一項所述的光矩陣器件的制造方法，其特征在于， 所述光矩陣器件為圖像顯示裝置。
14.一種光矩陣器件的制造方法，將具備薄膜晶體管的有關光的元件在基板上排列成二維矩陣狀而構(gòu)成所述光矩陣器件，其特征在于，具備柵極絕緣膜形成步驟，其中在轉(zhuǎn)印模上在真空中層疊柵極絕緣膜； 半導體膜形成步驟，其中在層疊有所述柵極絕緣膜的所述轉(zhuǎn)印模上，在真空中連續(xù)地層疊半導體膜；第一轉(zhuǎn)印步驟，其中將所述柵極絕緣膜及所述半導體膜轉(zhuǎn)印在薄膜上；以及第二轉(zhuǎn)印步驟，其中將被轉(zhuǎn)印在所述薄膜上的所述柵極絕緣膜及所述半導體膜，轉(zhuǎn)印在預先在所述基板上形成的第一配線上。
15.如權利要求14所述的光矩陣器件的制造方法，其特征在于，所述薄膜的粘度因加熱或紫外線照射而降低，所述第二轉(zhuǎn)印步驟中通過加熱或紫外線照射使所述薄膜的粘度降低。
16.如權利要求14 15中任一項所述的光矩陣器件的制造方法，其特征在于， 所述半導體膜是氧化物半導體膜。
17.如權利要求14 16中任一項所述的光矩陣器件的制造方法，其特征在于， 所述光矩陣器件是放射線檢測器。
全文摘要
本發(fā)明公開一種光矩陣器件的制造方法，由于是在真空中形成最影響薄膜晶體管的特性的半導體膜和柵極絕緣膜(S12、S13)，因此半導體膜和柵極絕緣膜的界面不會被污染。另外，雖然半導體膜和柵極絕緣膜在真空中形成，但對于配線來說，可以不在真空中形成(S03)。這樣，因為是在預先形成的配線上轉(zhuǎn)印在真空中形成的半導體膜和柵極絕緣膜(S21)，所以，即使基板為大面積，也能夠高效地形成薄膜晶體管的配線、半導體膜及柵極絕緣膜。
文檔編號H01L21/336GK102257617SQ200980150770
公開日2011年11月23日 申請日期2009年10月29日 優(yōu)先權日2008年12月18日
發(fā)明者足立晉 申請人:株式會社島津制作所