專利名稱：：組合型晶片區(qū)域壓力控制和等離子體限定組件的制作方法組合型晶片區(qū)域壓力控制和等離子體限定組件
背景技術(shù)：
：在等離子體處理系統(tǒng)中，等離子體處理系統(tǒng)長時(shí)間用于處理襯底(例如晶片)。在典型的等離子體處理室中，點(diǎn)燃并限定等離子體在等離子體限定區(qū)域內(nèi)，該區(qū)域通常由該室上部和下部結(jié)構(gòu)以及環(huán)繞該等離子體限定區(qū)域的結(jié)構(gòu)來限定。為了便于襯底的插入和移除，也為了便于廢氣從等離子體處理室排出，許多室使用一組可移動(dòng)限定環(huán)來環(huán)狀限定等離子體?？梢苿?dòng)限定環(huán)可以向上提升，例如，用來方便襯底插入和移除。一般而言，可移動(dòng)限定環(huán)中相鄰環(huán)之間的間隔設(shè)置為可以讓廢氣通過該間隔排出，同時(shí)對(duì)等離子體膨脹形成屏障(例如，通過使間隔小于等離子體鞘)。用這種方式，可以在實(shí)際上約束等離子體，而又讓廢氣的排出通過該組可移動(dòng)限定環(huán)得以實(shí)現(xiàn)。為了便于討論，圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)電容性耦合等離子體處理室100的局部簡圖。圖中示出用于在處理過程中支撐襯底(圖中未標(biāo)出)的下電極102。下電極102通常由射頻電源(圖中未標(biāo)出)供電以生成并維持等離子體104。出于過程控制的目的，可取的是把等離子體104限定在通常由下電極102、上電極106(其可接地或者由同一或另一射頻電源供電)限定的等離子體限定區(qū)域內(nèi)，并由一組限定環(huán)110(包括環(huán)llOa-d)環(huán)繞。如前所述，限定環(huán)110之間的間隔允許廢氣從該室被泵抽出，同時(shí)保持等離子體被限定在前述等離子體限定區(qū)域內(nèi)。限定環(huán)110可用合適的材料制成，例如石英。在圖1的實(shí)施例中，也示出了圍繞下電極102的環(huán)形接地電極112。環(huán)形接地電極112可能是無槽的或者可能是有槽的，為從圖1實(shí)施例中所示的室排出廢氣提供附加流道。一般而言，環(huán)形接地電極112由導(dǎo)電材料如鋁構(gòu)成，并且通過絕緣體(圖中未標(biāo)出)與下電極102電絕緣。接地電極112的接地通過將接地電極112耦合到射頻接地完成，通常由硬螺栓栓住接地電極112或者經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)的帶片將它連接到設(shè)置在下電極112下面的導(dǎo)電下接地延伸(conductivelowergroundextension)。為防止環(huán)形接地電極112的金屬材料暴露于腐蝕性等離子體以及可能污染等離子體工藝，環(huán)形接地電極112的表面可能用合適的材料例如石英涂覆。在有該組限定環(huán)110的情況下，環(huán)形接地電極112(以及覆蓋其上的石英層)中的槽設(shè)置為可以讓廢氣排出，同時(shí)防止等離子體膨脹超出等離子體限定區(qū)域。在等離子體處理室中使用限定環(huán)110和環(huán)形接地電極112二者是公知的并將在此作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。一般而言，限定環(huán)110是電浮的，即沒有直接耦合到直流接地或射頻接地。由于現(xiàn)有技術(shù)中限定環(huán)110趨向于離射頻接地有一些距離，所以沒有可觀的射頻電流流經(jīng)該組限定環(huán)。由于限定環(huán)110是電浮的且沒有可觀的射頻電流流經(jīng)限定環(huán)110，所以低電壓“浮”鞘在等離子體處理過程中形成于限定環(huán)110的表面。由于鞘電位決定著從等離子體加速的離子的能量，所以低鞘電位導(dǎo)致了限定環(huán)表面上離子轟擊的低能量水平。因此，膜移除過程比如濺射和離子增強(qiáng)蝕刻(例如那些在原位等離子體清潔過程中發(fā)生的)在限定環(huán)表面相對(duì)是無效率的。而且，由于低的離子轟擊能量，處理后的限定環(huán)表面留下了更多數(shù)量的沉積。相比之下，該室經(jīng)受著更高的離子轟擊能量的其他區(qū)域在膜移除過程中會(huì)有更高的膜移除率，并且在襯底處理過程中會(huì)有更低水平的膜沉積。最終結(jié)果是限定環(huán)在襯底處理過程中趨向于以更高的速率(相對(duì)于經(jīng)受著更高的離子轟擊能量的室區(qū)域)累積殘留物，而且這些殘留物在等離子體原位室清潔過程中趨向于移除得更慢(相對(duì)于經(jīng)受著更高的離子轟擊能量的室區(qū)域)。這些因素需要更頻密的和/或更長的原位室清潔周期(例如無晶片自動(dòng)清洗或者WAC周期)以保持限定環(huán)在令人滿意的條件，并甚至可能在某些情況下要求完全停止處理，使得限定環(huán)能夠被移除并清潔和/或更換。由此，襯底吞吐量不利地降低，導(dǎo)致較低的生產(chǎn)率和較高的購置等離子體處理工具的成本。在某些室中，廢氣導(dǎo)率(即廢氣從該室中排出的速率)的控制對(duì)控制晶片區(qū)域壓力(WAP)來說，即處理過程中襯底上的壓力，是重要的控制鈕。高的廢氣導(dǎo)率趨向于導(dǎo)致低的晶片區(qū)域壓力，反之亦然。鑒于晶片區(qū)域壓力是許多處理應(yīng)用中要控制的關(guān)鍵工藝參數(shù)，工藝工程師們不斷尋求著用于控制晶片區(qū)域壓力的改進(jìn)方法和裝置。本發(fā)明的實(shí)施方式尋求解決一個(gè)或多個(gè)的殘留物問題，這些問題與現(xiàn)有技術(shù)等離子體限定裝置、等離子體不受限定問題、以及與通過廢氣導(dǎo)率控制來更高效地控制晶片區(qū)域壓力的需要相關(guān)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明在實(shí)施方式中涉及在襯底的等離子體處理過程中限定等離子體以及至少部分地調(diào)節(jié)等離子體處理室中的壓力而配置的組合型壓力控制/等離子體限定組件。該組件包括其中有多個(gè)穿孔且被配置為于伸出(deploy)時(shí)包圍等離子體的可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)。該組件還包括可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)，設(shè)置在可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)外面，使得可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)在等離子體處理過程中設(shè)置于等離子體與可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)之間，可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)可隨可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)而伸出和縮回(beingemployableandretractable)以便于處理襯底，可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)相對(duì)于可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)獨(dú)立地移動(dòng)以通過阻塞至少部分多個(gè)穿孔來調(diào)節(jié)壓力。上述概要只涉及在此記載的本發(fā)明的許多實(shí)施方式中的一種，目的不在于限制本發(fā)明載于此處權(quán)利要求書中的范圍。本發(fā)明的這些以及其他特征會(huì)在下面的本發(fā)明詳述中結(jié)合附圖作更為詳細(xì)的描述。本發(fā)明通過附圖以示例而非限定的方式來說明，在這些附圖中，同樣的參考數(shù)字指的是類似的元件，其中圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)電容性耦合等離子體處理室的局部簡圖。圖2所示為，按照本發(fā)明的實(shí)施方式，包括了組合型晶片區(qū)域壓力控制/等離子體限定組件的等離子體處理室的局部簡圖。圖3所示為包括了用于縮短射頻電流接地路徑的底部射頻接點(diǎn)的備選或附加實(shí)施方式。圖4所示為包括了擴(kuò)大的室外圍的備選或附加實(shí)施方式。圖5所示為，按照本發(fā)明的實(shí)施方式，組合型晶片區(qū)域壓力控制/等離子體限定組6件的詳細(xì)信息，該組件包括晶片區(qū)域壓力控制結(jié)構(gòu)、可移動(dòng)的等離子體限定結(jié)構(gòu)、以及用于升高/降低組合型晶片區(qū)域壓力控制/等離子體限定組件的活塞。具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參照附圖所示的本發(fā)明的一些實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作詳細(xì)的描述。在下面的描述中，許多具體細(xì)節(jié)的闡述是為了徹底理解本發(fā)明。然而，本發(fā)明可能在沒有某些或者全部這些具體細(xì)節(jié)的情況下得以實(shí)現(xiàn)，這對(duì)一個(gè)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是明顯的。在其他的例子中，為了不引起本發(fā)明不必要的晦澀難懂，并沒有詳細(xì)地描述公知的工藝步驟和/或結(jié)構(gòu)。一般而言，本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式涉及用于在等離子體處理室中處理襯底同時(shí)減少面向等離子體的限定環(huán)和/或結(jié)構(gòu)上的殘留物累積的改進(jìn)方法和裝置。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，該改進(jìn)也有助于保持等離子體被限定在等離子體限定區(qū)域內(nèi)，即減少在前述等離子體限定區(qū)域外面的外部環(huán)形區(qū)域中發(fā)生等離子體不受限定事件的可能性。在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，為了影響晶片區(qū)域壓力的控制，該改進(jìn)也包括了高效地、以簡單而又強(qiáng)勁的方式控制廢氣導(dǎo)率的裝置。在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，提供了組合型晶片區(qū)域壓力控制/等離子體限定組件。組合型晶片區(qū)域壓力控制/等離子體限定組件至少包括可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)既可工藝兼容，也能很好地耦合到射頻接地。在實(shí)施方式中，可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)包括可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)(其可能由石英、摻雜碳化硅或另一類似的合適材料制成)以及耦合到可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)背部的對(duì)接地提供射頻電流路徑的可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。也就是說，可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)的一側(cè)面向等離子體，另一側(cè)則耦合到通過可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)與等離子體屏蔽的可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。實(shí)際上，在可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)和可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間可以有小的間隔以容納熱膨脹。溝槽、肩、緊固件、間隔件、以及其他公知的機(jī)械耦合技術(shù)可用于實(shí)現(xiàn)在可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)和可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間留下前述熱膨脹間隔的同時(shí)又將二者耦合起來，這些技術(shù)的細(xì)節(jié)與本發(fā)明不相關(guān)。包含可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)和附著的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)作為單一部件(singleunit)在襯底插入和移除過程中上下移動(dòng)。如稍后在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中所討論的，可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)以孔或槽的形式進(jìn)行穿孔，并且在下面的(伸出的)位置時(shí)停靠在硬止件上并且產(chǎn)生射頻接點(diǎn)。在實(shí)施方式中，等離子體面向結(jié)構(gòu)表現(xiàn)為圓柱形石英內(nèi)套筒，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)則表現(xiàn)為設(shè)置在圓柱形石英內(nèi)套筒外面并與其耦合的圓柱形陽極氧化鋁外套筒。在實(shí)施方式中，等離子體面向結(jié)構(gòu)表現(xiàn)為摻雜碳化硅圓筒，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)則表現(xiàn)為設(shè)置在摻雜碳化硅圓筒上方并與其耦合的環(huán)形陽極氧化鋁裝置。本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易理解，可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)的功能主要是提供抗蝕或等離子體工藝兼容結(jié)構(gòu)，而可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的功能主要是提供到射頻接地的低阻抗路徑。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，這兩個(gè)功能都通過導(dǎo)電結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具有設(shè)置于或沉積于可移動(dòng)導(dǎo)電支撐結(jié)構(gòu)上的抗蝕和/或工藝兼容層或涂層。在等離子體處理過程中，可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)提供從等離子體到射頻接地的低阻抗路徑。組合型晶片區(qū)域壓力控制/等離子體限定組件進(jìn)一步包括一個(gè)或多個(gè)的耦合到可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為射頻電流提供從上電極或上組件到射頻接地的低阻抗路徑的撓性導(dǎo)電帶片，該導(dǎo)電帶片通常是連接到射頻接地的室壁或者另一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。在實(shí)施方式中，當(dāng)可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)在襯底處理過程中位于伸出位置時(shí)，可能提供一個(gè)或多個(gè)的附加底部射頻接點(diǎn)以縮短射頻電流接地路徑。如稍后即將說明的，當(dāng)?shù)入x子體存在時(shí)，射頻電流路徑的縮短有助于減少等離子體限定區(qū)域外面環(huán)形外部區(qū)域中的電容耦合和電感耦合，從而減少在這個(gè)環(huán)形外部區(qū)域中不慎點(diǎn)燃和/或維持不受限定的等離子體的可能性。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)被穿孔以讓廢氣通過穿孔排出，并且設(shè)置穿孔以在物理上防止等離子體膨脹超出等離子體限定區(qū)域?？梢苿?dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)被配置為在其伸出的位置停靠于硬止件之上。在實(shí)施方式中，硬止件表現(xiàn)為環(huán)形接地電極或接地延伸。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)在伸出的位置也與環(huán)形接地電極或接地延伸射頻接觸。組合型晶片區(qū)域壓力控制/等離子體限定組件進(jìn)一步包括可移動(dòng)晶片區(qū)域壓力控制結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)設(shè)置于可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)的外面(即離襯底中心的距離更遠(yuǎn))?？赡苡煞菍?dǎo)電抗蝕材料制成的沒有被穿孔的可移動(dòng)晶片區(qū)域壓力控制結(jié)構(gòu)可相對(duì)于伸出的可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)獨(dú)立地上升或下降，以控制廢氣通過可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)中的穿孔從該室排出的速率，從而控制晶片區(qū)域壓力。參照下面的附圖及討論，可更好地理解本發(fā)明實(shí)施方式的特征和優(yōu)勢(shì)。圖2所示為，按照本發(fā)明的實(shí)施方式，包括了組合型晶片區(qū)域壓力控制/等離子體限定組件200的等離子體處理室的局部簡圖。應(yīng)當(dāng)注意的是，此處所示的附圖并不是按比例的，而且出于討論目的，為了突出本發(fā)明更相關(guān)的特征，一些細(xì)節(jié)已被簡化。組合型晶片區(qū)域壓力控制/等離子體限定組件200包括可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)202，可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)202包括可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)204和可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)206。在某些情況下，可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)204和可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)206二者都通過導(dǎo)電部件實(shí)現(xiàn)，該導(dǎo)電部件用抗蝕的、與等離子體工藝兼容的面向等離子體的涂料涂覆。在圖2的實(shí)施例中，雖然可以使用與等離子體工藝兼容的任何其他材料，但可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)204由圓柱形石英套筒20和水平石英環(huán)204b實(shí)現(xiàn)。圓柱形石英套筒20在處理過程中面向等離子體，而水平石英環(huán)204b則保護(hù)可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)206使之在等離子體處理過程中和/或廢氣排放過程中不暴露于等離子體。在圖2的實(shí)施例中，可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)206通過支撐圓柱形石英環(huán)20的圓柱形陽極氧化鋁套筒實(shí)現(xiàn)。雖然使用了陽極氧化鋁，但也可以使用任何合適的導(dǎo)電材料?？梢苿?dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)206為射頻電流提供低阻抗路徑，該射頻電流橫穿圓柱形石英環(huán)20的薄材料。一個(gè)或多個(gè)的撓性導(dǎo)電帶片212將可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)206耦合到接地室部件，例如，如圖2的實(shí)施例中所示的該室的頂板或者某些其他接地室部件。在實(shí)施方式中，多個(gè)導(dǎo)電帶片可設(shè)置在圓柱形陽極氧化鋁套筒的圓周附近，為返回的射頻電流提供多個(gè)接地路徑以及圓柱形對(duì)稱。如前所述，在某些情況下可取的是在可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)204和可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)206之間提供熱膨脹間隔。為了便于襯底插入和移出該室，可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)202(包括可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)204和可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)206二者)可按需要上下移動(dòng)。用于在上/下方向?qū)?現(xiàn)直線移動(dòng)的具體裝置可以是現(xiàn)有技術(shù)中已記載的任何類型的換能器和/或傳動(dòng)裝置，包括機(jī)電的、氣動(dòng)的，等等。撓性導(dǎo)電帶片212彎曲(flex)以容納可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)202的移動(dòng)，同時(shí)保持理想的接地低阻抗路徑。撓性導(dǎo)電帶片212在兩側(cè)用抗蝕涂料或套筒覆蓋，以保護(hù)其免受殘留的可進(jìn)入等離子體限定區(qū)域外面的環(huán)形外部區(qū)域220的離子或基團(tuán)所引起的磨損。在等離子體處理過程中，可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)202下降到如圖2所示的伸出位置。在該伸出位置，可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)?？坑谟仓辜绛h(huán)形接地電極232之上。廢氣可通過形成于可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)202中的穿孔(例如穿孔230)排出。這些穿孔可采用任何形狀，并且設(shè)置為可以讓廢氣排出，同時(shí)對(duì)等離子體膨脹形成屏障以防止等離子體限定區(qū)域222外面的環(huán)形外部區(qū)域220中等離子體不受限定事件的發(fā)生。穿孔在實(shí)施方式中可能是槽，可能是垂直導(dǎo)向的、也可能是水平導(dǎo)向的、亦或二者兼有。雖然圖2的實(shí)施例中所示的槽是水平的，但它們有可能是垂直的槽，以提供短而直接的穿過可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)202接地的射頻電流路徑。此外，如現(xiàn)有技術(shù)所述，槽可以(但并不要求)設(shè)置于環(huán)形接地電極232中，以提供額外的廢氣傳導(dǎo)，同時(shí)保持等離子體的限定。由于存在低阻抗射頻電流接地路徑，等離子體面向結(jié)構(gòu)204的表面所形成的等離子體鞘電壓會(huì)高于圖1的情況，在圖1中，限定環(huán)是電浮的。更高的等離子體鞘電壓導(dǎo)致更高的離子轟擊能量，從而在處理過程中減少等離子體面向結(jié)構(gòu)204上的殘留物累積，并且在等離子體清潔過程中增加殘留物的移除。此外，更高的離子轟擊能量還使可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)202的面向等離子體的表面升溫，而且有助于處理過程中殘留物累積的減少以及等離子體清潔過程中殘留物移除的增加。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)206的存在也有助于減少環(huán)形外部區(qū)域220中不期望的不受限定等離子體事件(unwantedunconfinementplasmaevent)的發(fā)生?；仡^參照?qǐng)D1,由于石英限定環(huán)110是電浮的，所以利用從等離子體發(fā)出并終接于限定環(huán)110外面的接地室表面138的場力線建立電容場。舉例來說，這些場力線標(biāo)示為場力線140a-d。電容場在等離子體限定區(qū)域144外面的環(huán)形外部區(qū)域142中的存在增加了等離子體被不慎點(diǎn)燃和/或保持在這個(gè)環(huán)形外部區(qū)域142中(即不受限定的等離子體活動(dòng))的可能性。然而，在圖2的實(shí)施方式中，從等離子體發(fā)出的大部分場力線終接于可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)206(標(biāo)示為場力線214a-c)。雖然某些場力線可橫穿可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)204和可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)202下面的間隔214而終接于其他接地部件，但場力線2Ha-c不再橫穿環(huán)形外部區(qū)域220的事實(shí)大大減少和/或消除了環(huán)形外部區(qū)域220中存在的電容場。通過大大減少和/或消除環(huán)形外部區(qū)域220中存在的電容場，在環(huán)形外部區(qū)域220中形成和/或保持不受限定的等離子體是不太可能的。圖2中也顯示了可移動(dòng)晶片區(qū)域壓力控制結(jié)構(gòu)沈0，其表現(xiàn)為非穿孔結(jié)構(gòu)，當(dāng)可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)202伸出抵靠前述的硬止件時(shí)，該可移動(dòng)晶片區(qū)域壓力控制結(jié)構(gòu)沈0相對(duì)于可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)202獨(dú)立地上升和/或下降。隨著晶片區(qū)域壓力控制結(jié)構(gòu)260的下降，可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)202的更多穿孔(和/或穿孔開口的更大的橫截面積)被阻塞，或者被至少部分阻塞。隨著可用于排放廢氣的穿孔變少，晶片區(qū)域壓力升高。相反地，隨著晶片區(qū)域壓力控制結(jié)構(gòu)260的上升，可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)202的更少穿孔(和/或穿孔開口的更小的橫截面積)被阻塞，或者被部分阻塞。隨著可用于排放廢氣的穿孔變多，晶片區(qū)域壓力降低。在一種及以上的實(shí)施方式中，晶片區(qū)域壓力控制結(jié)構(gòu)260的位置可通過促動(dòng)器控制，該促動(dòng)器移動(dòng)晶片區(qū)域壓力控制結(jié)構(gòu)沈0以響應(yīng)將晶片區(qū)域中檢測到或推衍出的壓力(通過合適的傳感器檢測/推衍)與壓力設(shè)定點(diǎn)進(jìn)行比較的壓力反饋裝置。圖3所示為按照本發(fā)明的實(shí)施方式的備選或附加實(shí)施方式，其包括用于縮短射頻電流接地路徑的可選的底部射頻接點(diǎn)，從而縮小環(huán)形外部區(qū)域220中的接地電流感應(yīng)場，以進(jìn)一步減少不受限定等離子體形成的可能性。回頭參照?qǐng)D1，來自等離子體的射頻電流沿箭頭150所示的低阻抗路徑而行。這個(gè)射頻電流沿著與環(huán)形外部區(qū)域142相鄰的室壁流動(dòng)并形成感應(yīng)場，該感應(yīng)場激勵(lì)環(huán)形外部區(qū)域142中不受限定等離子體的形成。在圖3中，在可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)206的底部提供可中斷(breakable)射頻接點(diǎn)30加。還有另一個(gè)相對(duì)應(yīng)的可中斷射頻接點(diǎn)302b，該接點(diǎn)302b耦合到射頻接地。為了保證良好的射頻接觸，可用彈簧或其他彈性裝置在可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)伸出且在期望射頻連接時(shí)將兩個(gè)射頻接點(diǎn)30和302b推到一起。在實(shí)施方式中，可把射頻接點(diǎn)30和302b中的一個(gè)或者每一個(gè)至少部分地安裝在孔或凹陷里，并把彈簧或彈性裝置設(shè)置在位于這種凹陷或孔底部的射頻接點(diǎn)的下面，以將射頻接點(diǎn)推向其對(duì)接部件(counterpart)，從而在包括了可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)206的可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)處于伸出位置時(shí)保證良好的射頻連接性。為了清楚地說明，圖3中只是顯示了處于部分伸出位置時(shí)的可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)，射頻接點(diǎn)相互間尚無實(shí)體接觸。在圖3的實(shí)施例中，對(duì)應(yīng)的可中斷射頻接點(diǎn)302b耦合到環(huán)形接地電極304的導(dǎo)電材料。盡管可以使用與等離子體工藝兼容并對(duì)經(jīng)受反復(fù)接觸和中斷接觸(r印eatedcontactmaking-and-breaking)充分耐用的任何其他導(dǎo)電材料，但在實(shí)施方式中，可中斷射頻接點(diǎn)使用了碳化硅。為進(jìn)一步增強(qiáng)耐用性，可設(shè)計(jì)可中斷射頻接點(diǎn)302，使其埋在周圍的電極中，從而使得當(dāng)接觸關(guān)閉時(shí)，沒有離子或自由基可以向30和302b上的接點(diǎn)區(qū)域前進(jìn)，因?yàn)樗鼈儠?huì)被物理屏蔽。在等離子體處理過程中，可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)在下面的或伸出的位置伸出，可中斷射頻接點(diǎn)30和302b接合在一起，以讓射頻電流在面向等離子體區(qū)域222的表面上按箭頭320的方向流動(dòng)。注意，圖3中的射頻電流在射頻接地的途中橫穿可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)206和射頻接點(diǎn)30h/302b。雖然大部分射頻電流通過圖3中的等離子體兼容薄涂層/結(jié)構(gòu)204從等離子體直接耦合到了可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)206，但從等離子體而來的某些射頻電流可能耦合到上電極/上組件從而經(jīng)由帶片212、可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)206、以及射頻接點(diǎn)30h/302b回到接地。無論如何，這與圖1中的情形形成了鮮明的對(duì)比，在圖1中，射頻電流沿著與環(huán)形外部區(qū)域142相鄰的室表面流動(dòng)(參見圖1中的箭頭150)。由于圖3中的射頻電流并不是沿著與環(huán)形外部區(qū)域220相鄰的室表面流動(dòng)，而是在內(nèi)部的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)206面向等離子體的表面流動(dòng)，所以在這個(gè)外部環(huán)形區(qū)域220中不形成感應(yīng)場，該感應(yīng)場促進(jìn)不期望的不受限定等離子體(unwantedunconfinementplasma)的形成或保持。在圖3的實(shí)施例中，晶片區(qū)域壓力控制裝置基本上以與結(jié)合圖2所討論的方式相同的方式運(yùn)行。在一種及以上的實(shí)施方式中，等離子體的外圍(限定為在可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)之內(nèi)但在直接覆在襯底之上的區(qū)域之外的環(huán)形區(qū)域)可擴(kuò)大以允許改進(jìn)的廢氣傳導(dǎo)和/或更大范圍的廢氣傳導(dǎo)控制。參照?qǐng)D4，室外圍402可擴(kuò)大以便有比上電極和下電極之間的間隔尺寸406更大的垂直尺寸404。有了這種擴(kuò)大，組合型晶片區(qū)域壓力控制/等離子體限定組件可具有更大的Y尺寸和/或更多的穿孔和/或更長的槽，以在更大的范圍和粒度上執(zhí)行晶片區(qū)域壓力控制。擴(kuò)大后的室外圍對(duì)改進(jìn)等離子體室的晶片區(qū)域壓力控制特別有用，該等離子體室在上電極和下電極之間具有小間隔。在實(shí)施方式中，把晶片區(qū)域壓力控制結(jié)構(gòu)耦合到活塞，該活塞與用于升高/降低可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)的活塞相同。雖然圖5的實(shí)施方式是優(yōu)選的實(shí)施方式，但也可以采用其他使可移動(dòng)晶片區(qū)域壓力控制結(jié)構(gòu)獨(dú)立于可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)降低/升高以控制廢氣排放率(以及晶片區(qū)域壓力或WAP)的方法。參照?qǐng)D5，所示可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)502處于完全伸出的位置，下端504停靠于接地硬止件506上。槽(其可以具有任何形狀并設(shè)置為任何方向，包括垂直的)設(shè)置于圓柱形可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)502中以便于廢氣經(jīng)由擴(kuò)大后的等離子體外圍510從等離子體限定區(qū)域508中排出。可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)502的上端522具有通孔524，以讓活塞軸5在向下、向上移動(dòng)從而伸出或縮回可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)502時(shí)自由地滑動(dòng)或穿過通孔524?；钊S5耦合到所示的停止件(stop)530。應(yīng)當(dāng)注意的是，停止件530的直徑需大于通孔524的直徑。但是，為了滑動(dòng)，活塞軸526的直徑需小于通孔524的直徑。將可移動(dòng)晶片區(qū)域壓力控制結(jié)構(gòu)540耦合到或懸掛于停止件530。當(dāng)活塞軸5和停止件530從當(dāng)前完全伸出、完全阻塞的狀況向上移動(dòng)時(shí)，可移動(dòng)晶片區(qū)域壓力控制結(jié)構(gòu)540借由活塞軸526/停止件530獨(dú)立于可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)502向上移動(dòng)直到停止件530的肩542碰到可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)502的上端522的下表面。此時(shí)，較大尺寸的停止件530(相對(duì)于通孔524)讓肩542隨著活塞軸5和停止件530的繼續(xù)向上移動(dòng)而向上推進(jìn)可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)502的上端522的下表面。由此，可移動(dòng)晶片區(qū)域壓力控制結(jié)構(gòu)540和可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)502二者均縮回以便讓襯底插入和移除。為伸出可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)以及控制可移動(dòng)晶片區(qū)域壓力控制結(jié)構(gòu)的位置，活塞軸5和停止件530從完全收起(上)位置向下移動(dòng)。當(dāng)活塞軸5和停止件530向下移動(dòng)時(shí)，騎在停止件530上的可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)502向下移動(dòng)直到下端504碰到硬止件506。此時(shí)，可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)502停止其向下的移動(dòng)。當(dāng)活塞軸5和停止件530進(jìn)一步向下移動(dòng)時(shí)，晶片區(qū)域壓力控制結(jié)構(gòu)540獨(dú)立于可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)502的位置而下降，以控制之前所討論的廢氣排放率。由上文可知，本發(fā)明的實(shí)施方式有助于減少處理過程中等離子體限定結(jié)構(gòu)表面上的殘留物形成，也有助于改進(jìn)原位等離子體清潔過程中的殘留物移除。用于終接從等離子體發(fā)出的電容場線的可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的存在也使得不期望的不受限定等離子體不太可能被電容場點(diǎn)燃和/或保持在外部環(huán)形區(qū)域內(nèi)。可中斷射頻接點(diǎn)的使用創(chuàng)造了更短的接地射頻電流路徑，該路徑繞過與該室外部環(huán)形區(qū)域相鄰的室壁表面，也明顯減少和/或消除了不期望的不受限定等離子體被該室外部環(huán)形區(qū)域中的感應(yīng)場點(diǎn)燃和/或保持的可能性。晶片區(qū)域壓力控制通過晶片區(qū)域壓力控制裝置有效地實(shí)現(xiàn)，該裝置阻塞的等離子體限定結(jié)構(gòu)中的穿孔數(shù)量可變，取決于晶片區(qū)域壓力控制裝置相對(duì)于可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)位置的位置。由于室在上電極和下電極之間具有小間隔，所以擴(kuò)大后的等離子體外圍有助于改進(jìn)晶片區(qū)域壓力控制的粒度并增強(qiáng)總體的氣體傳導(dǎo)。這些改進(jìn)有助于改善晶片吞吐量以及過程控制，從而導(dǎo)致較低的購置成本并提高產(chǎn)量。雖然已經(jīng)用若干實(shí)施方式描述了本發(fā)明，但存在落在本發(fā)明范圍之內(nèi)的替代、變換、以及等同方式。還應(yīng)當(dāng)注意的是，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的方法和裝置有許多可替代的方式。舉例來說，盡管實(shí)施例中所討論的環(huán)形接地電極具有槽或通道以改善廢氣排放，但也可能利用沒有任何排氣孔或排氣槽(例如沒有任何用于廢氣傳導(dǎo)的槽或孔的簡單的下接地延伸)的接地電極來實(shí)施本發(fā)明。雖然在此提供了各種實(shí)施例，但意圖在于這些實(shí)施例是說明本發(fā)明而不是限制本發(fā)明。此外，本發(fā)明的實(shí)施方式可用于其他應(yīng)用。而且，在此為方便而提供的標(biāo)題和概要不應(yīng)當(dāng)用于推斷權(quán)利要求的范圍。進(jìn)一步，摘要是以高度簡略的形式寫就，并且為方便而在此提供，因此不應(yīng)當(dāng)用于推斷或限制權(quán)利要求書中所表達(dá)的整體發(fā)明。還應(yīng)當(dāng)注意的是，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的方法和裝置有許多可替代的方式。如果在此使用了術(shù)語“組”，這樣的術(shù)語用意是取其常規(guī)理解上的數(shù)學(xué)意義，以覆蓋0、1或者多于1個(gè)。因此意圖可能是將隨后附上的權(quán)利要求書理解為包括落在本發(fā)明確實(shí)的精神和范圍之內(nèi)的所有這樣的替代、變換、以及等同方式。權(quán)利要求1.組合型壓力控制/等離子體限定組件，其被配置用于在襯底的等離子體處理過程中限定等離子體以及至少部分地調(diào)整等離子體處理室中的壓力，包含可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)，其中具有多個(gè)穿孔并被配置為于伸出時(shí)包圍所述等離子體；以及可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)，其設(shè)置在所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)外面，使得所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)在所述等離子體處理過程中設(shè)置于所述等離子體與所述可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)之間，所述可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)可隨所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)而伸出和縮回以便于處理所述襯底，所述可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)相對(duì)于所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)獨(dú)立地移動(dòng)以通過阻塞至少部分所述多個(gè)穿孔來調(diào)節(jié)所述壓力。2.如權(quán)利要求1所述的組合型壓力控制/等離子體限定組件，其中所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)表現(xiàn)為一般的圓柱形結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)穿孔表現(xiàn)為沿所述圓柱形結(jié)構(gòu)的軸設(shè)置的多個(gè)槽。3.如權(quán)利要求1所述的組合型壓力控制/等離子體限定組件，其中所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)和所述可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)共用一組公共活塞，以便于移動(dòng)所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)和所述可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)。4.如權(quán)利要求1所述的組合型壓力控制/等離子體限定組件，其中所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)包括可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)，其被配置為包圍所述等離子體；以及可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其被設(shè)置在所述可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)的外面并被配置為作為單一部件隨所述可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)而伸出和縮回以便于處理所述襯底，所述可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在所述等離子體處理過程中射頻接地，其中所述可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)在所述等離子體處理過程中設(shè)置于所述等離子體和所述可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間，使得來自所述等離子體的射頻電流在所述等離子體處理過程中通過所述可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)流至所述可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。5.如權(quán)利要求4所述的組合型壓力控制/等離子體限定組件，其中所述可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)為圓柱形結(jié)構(gòu)并且由抗所述等離子體蝕刻的材料制成。6.如權(quán)利要求4所述的組合型壓力控制/等離子體限定組件，其中所述可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)由石英制成。7.如權(quán)利要求4所述的組合型壓力控制/等離子體限定組件，其中所述可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)由摻雜碳化硅制成。8.如權(quán)利要求4所述的組合型壓力控制/等離子體限定組件，其中所述可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)被配置為在所述等離子體處理過程中屏蔽所述可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)使之不暴露于所述等離子體。9.如權(quán)利要求4所述的組合型壓力控制/等離子體限定組件，其進(jìn)一步包含可中斷射頻接點(diǎn)，該射頻接點(diǎn)的設(shè)置使得在伸出所述可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)時(shí)穿過所述可中斷射頻接點(diǎn)形成接地路徑。10.具有等離子體處理室的等離子體處理系統(tǒng)，其包含可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)，其中具有多個(gè)穿孔并被配置為于伸出時(shí)包圍所述等離子體，其中所述等離子體產(chǎn)生于在所述等離子體處理室中等離子體處理襯底的過程中；可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)，其設(shè)置在所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)外面，使得所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)在所述等離子體處理過程中設(shè)置于所述等離子體與所述可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)之間，所述可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)可隨所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)而伸出和縮回以便于處理所述襯底，所述可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)相對(duì)于所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)獨(dú)立地移動(dòng)以在所述等離子體處理過程中通過阻塞至少部分所述多個(gè)穿孔來至少部分地調(diào)節(jié)所述等離子體處理室中的壓力；以及一組導(dǎo)電帶片，其耦合到所述可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中所述一組導(dǎo)電帶片在所述可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)伸出和縮回同時(shí)為所述射頻電流提供接地低阻抗路徑時(shí)容納所述可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的移動(dòng)。11.如權(quán)利要求10所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)表現(xiàn)為一般的圓柱形結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)穿孔表現(xiàn)為沿所述圓柱形結(jié)構(gòu)的軸設(shè)置的多個(gè)槽。12.如權(quán)利要求10所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)和所述可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)共用一組公共活塞，以便于移動(dòng)所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)和所述可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)。13.如權(quán)利要求10所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)包括可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)，其被配置為包圍所述等離子體；以及可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其被設(shè)置在所述可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)的外面并被配置為作為單一部件隨所述可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)而伸出和縮回以便于處理所述襯底，所述可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在所述等離子體處理過程中射頻接地，其中所述可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)在所述等離子體處理過程中設(shè)置于所述等離子體和所述可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間，使得來自所述等離子體的射頻電流在所述等離子體處理過程中通過所述可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)流至所述可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。14.如權(quán)利要求13所述的等離子體處理系統(tǒng)，其進(jìn)一步包含可中斷射頻接點(diǎn)，該射頻接點(diǎn)的設(shè)置使得在伸出所述可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)時(shí)穿過所述可中斷射頻接點(diǎn)形成到所述接地的所述低阻抗路徑。15.如權(quán)利要求10所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述等離子體處理室包括擴(kuò)大的等離子體外圍區(qū)域，其中所述擴(kuò)大的等離子體外圍區(qū)域形成于所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)之內(nèi)，并且具有比上電極和下電極之間的間隔距離更大的垂直距離，其中所述擴(kuò)大的等離子體外圍區(qū)域使所述可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)在調(diào)節(jié)從所述等離子體處理室釋放的所述壓力時(shí)具有更大的范圍。16.一種用于制造具有等離子體處理室的等離子體處理系統(tǒng)的方法，其包含提供其中有多個(gè)穿孔并被配置為于伸出時(shí)包圍所述等離子體的可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)，其中所述等離子體產(chǎn)生于在所述等離子體處理室中等離子體處理襯底的過程中；在所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)的外面設(shè)置可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)，使得所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)在所述等離子體處理過程中設(shè)置于所述等離子體與所述可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)之間，所述可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)可隨所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)而伸出和縮回以便于處理所述襯底，所述可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)相對(duì)于所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)獨(dú)立地移動(dòng)以在所述等離子體處理過程中通過阻塞至少部分所述多個(gè)穿孔來至少部分地調(diào)節(jié)所述等離子體處理室中的壓力；以及耦合一組導(dǎo)電帶片到所述可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中所述一組導(dǎo)電帶片在所述可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)伸出和縮回同時(shí)為所述射頻電流提供接地低阻抗路徑時(shí)容納所述可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的移動(dòng)。17.如權(quán)利要求16所述的方法，其進(jìn)一步包括提供一組由所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)和所述可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)共用的公共活塞，其中所述一組公共活塞被配置為便于移動(dòng)所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)和所述可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)。18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)包括可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)，其被配置為包圍所述等離子體；以及可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其被設(shè)置在所述可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)的外面并被配置為作為單一部件隨所述可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)而伸出和縮回以便于處理所述襯底，所述可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在所述等離子體處理過程中射頻接地，其中所述可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)在所述等離子體處理過程中設(shè)置于所述等離子體和所述可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間，使得來自所述等離子體的射頻電流在所述等離子體處理過程中通過所述可移動(dòng)等離子體面向結(jié)構(gòu)流至所述可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。19.如權(quán)利要求18所述的方法，其進(jìn)一步包括于所述可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述接地之間設(shè)置可中斷射頻接點(diǎn)，使得在伸出所述可移動(dòng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)時(shí)穿過所述可中斷射頻接點(diǎn)形成到所述接地的所述低阻抗路徑。20.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)表現(xiàn)為一般的圓柱形結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)穿孔表現(xiàn)為沿所述圓柱形結(jié)構(gòu)的軸設(shè)置的多個(gè)槽。全文摘要提供了在襯底的等離子體處理過程中限定等離子體以及為至少部分地調(diào)節(jié)等離子體處理室中的壓力而配置的組合型壓力控制/等離子體限定組件。該組件包括其中有多個(gè)穿孔且被配置為于伸出時(shí)包圍等離子體的可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)。該組件還包括可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)，設(shè)置在可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)外面，使得可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)在等離子體處理過程中設(shè)置于等離子體與可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)之間，可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)可隨可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)而伸出和縮回以便于處理襯底，可移動(dòng)壓力控制結(jié)構(gòu)相對(duì)于可移動(dòng)等離子體限定結(jié)構(gòu)獨(dú)立地移動(dòng)以通過阻塞至少部分多個(gè)穿孔來調(diào)節(jié)壓力。文檔編號(hào)H01L21/3065GK102257884SQ200980150482公開日2011年11月23日申請(qǐng)日期2009年12月16日優(yōu)先權(quán)日2008年12月19日發(fā)明者安德里亞斯·費(fèi)舍爾,阿基拉·輿石申請(qǐng)人:朗姆研究公司