專利名稱：耐高溫半柔同軸射頻電纜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電纜，特別涉及一種用于通訊、電子等領(lǐng)域系統(tǒng)的微波、射頻 設(shè)備和移動(dòng)基站的高頻連接線用的耐高溫半柔同軸射頻電纜。
背景技術(shù)：
隨著通訊、電子領(lǐng)域的飛速發(fā)展，特別是通訊“3G”的建設(shè)，對(duì)信號(hào)傳輸用的半柔同 軸射頻電纜的的需求量增大，電纜向柔軟化、衰減小、駐波低等發(fā)展方向。一般的半柔同軸 射頻電纜用鍍錫銅線編織屏蔽層再浸錫作為外導(dǎo)體，此類電纜的彎曲性能差，加工工序繁 瑣，生產(chǎn)效率低，成本高。
發(fā)明內(nèi)容鑒于現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實(shí)用新型提供了一種采用縱包鋁箔麥拉帶和銅絲或 鍍錫銅絲編織屏蔽層構(gòu)成外導(dǎo)體材料的耐高溫半柔同軸射頻電纜。本實(shí)用新型為實(shí)現(xiàn)上述目的，所采用的技術(shù)方案是一種耐高溫半柔同軸射頻電 纜，包括在內(nèi)導(dǎo)體外依次設(shè)有的絕緣層、外導(dǎo)體及護(hù)套，其特征在于所述的外導(dǎo)體為縱包 鋁箔麥拉帶和銅絲或鍍錫銅絲編織屏蔽層雙層結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的有益效果是1、生產(chǎn)工序簡(jiǎn)單、生產(chǎn)效率高、生產(chǎn)成本低外導(dǎo)體僅 有一道工序即可完成，無(wú)需浸錫生產(chǎn)工序。2、彎曲性能好采用了鋁箔麥拉帶替代原浸錫 層，提高了產(chǎn)品的彎曲性能。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖并作為摘要附圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，耐高溫半柔同軸射頻電纜，包括在內(nèi)導(dǎo)體1外依次設(shè)有的絕緣層2、 外導(dǎo)體3及護(hù)套4，外導(dǎo)體3為縱包鋁箔麥拉帶3-1和銅絲或鍍錫銅絲編織屏蔽層3-2雙 層結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型可以通過(guò)以下工藝過(guò)程制造得到用PTFE高溫?cái)D出機(jī)在內(nèi)導(dǎo)體外擠出 PTFE絕緣層，構(gòu)成內(nèi)導(dǎo)體1和絕緣層2，用編織機(jī)縱包鋁箔麥拉帶3-1同時(shí)用銅絲或鍍錫銅 絲編織屏蔽層3-2構(gòu)成外導(dǎo)體3，在外導(dǎo)體3外擠出聚四氟乙烯等材料做為護(hù)套4。
權(quán)利要求一種耐高溫半柔同軸射頻電纜，包括在內(nèi)導(dǎo)體(1)外依次設(shè)有的絕緣層(2)、外導(dǎo)體(3)及護(hù)套(4)，其特征在于所述的外導(dǎo)體(3)為縱包鋁箔麥拉帶(3-1)和銅絲或鍍錫銅絲編織屏蔽層(3-2)層結(jié)構(gòu)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種用于通訊、電子等領(lǐng)域系統(tǒng)的微波、射頻設(shè)備和移動(dòng)基站的高頻連接線用的耐高溫半柔同軸射頻電纜，包括在內(nèi)導(dǎo)體外依次設(shè)有的絕緣層、外導(dǎo)體及護(hù)套，外導(dǎo)體為縱包鋁箔麥拉帶和銅絲或鍍錫銅絲編織屏蔽層雙層結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的有益效果是1、生產(chǎn)工序簡(jiǎn)單、生產(chǎn)效率高、生產(chǎn)成本低外導(dǎo)體僅有一道工序即可完成，無(wú)需浸錫生產(chǎn)工序。2、彎曲性能好采用了鋁箔麥拉帶替代原浸錫層，提高了產(chǎn)品的彎曲性能。
文檔編號(hào)H01P3/06GK201623247SQ20092025208
公開(kāi)日2010年11月3日 申請(qǐng)日期2009年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月29日
發(fā)明者張巖, 張明月, 徐文廣, 王國(guó)強(qiáng), 賈超 申請(qǐng)人:天津億鑫通科技股份有限公司