專利名稱：無水跡基片清洗干燥裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種無水跡基片清洗干燥裝置，具體地說，涉及在對用于生
產(chǎn)半導(dǎo)體晶片的圓形硅基片，用于生產(chǎn)計算機磁記錄存儲器(HDD)介質(zhì)的玻璃、 陶瓷和鋁質(zhì)圓形基片，用于生產(chǎn)光學(xué)記錄存儲器光盤(CD)、數(shù)字通用光盤(DVD) 塑料圓形基片，用于生產(chǎn)光學(xué)器件的玻璃圓形基片的拋光、清洗裝置中，無水 跡清洗干燥基片的裝置。
背景技術(shù)：
圓形硅基片，玻璃、陶瓷、塑料和鋁質(zhì)圓形基片廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、計算機、 信息工業(yè)、及民用產(chǎn)品中。在基片的生產(chǎn)過程中，必需對基片反復(fù)進行碾磨、 化學(xué)機械拋光(CMP， Chemical mechanical polishing),通過使用去離子水(DIW) 或化學(xué)品的濕法清洗工藝，去除殘留在表面的化學(xué)物質(zhì)、小顆粒和其它雜質(zhì)， 降低基片的表面粗糙度，提高基片的表面光潔性，從而提高產(chǎn)品的成品率。
在現(xiàn)有的基片拋光、清洗裝置中，基片由基片傳遞組件和基片升降組件垂直 放置于基片清洗容器中，清洗液體供給組件提供基片清洗容器清洗液體，對基 片清洗容器中的基片進行清洗。在完成基片清洗步驟后，基片由基片傳遞組件 和基片升降組件傳送至基片干燥容器，對基片進行干燥步驟。
現(xiàn)有的一種基片清洗干燥裝置，其基片干燥容器安裝在基片清洗容器上方， 組合成一整體的基片清洗干燥裝置。在基片從基片清洗容器提升出來時，基片 干燥容器供給經(jīng)加熱的氮氣對基片進行干燥。由于基片放置在基片支撐架上， 位于基片與基片支撐架接觸處的清潔液體無法在基片提升時排出，在干燥過程時接觸處的清潔液體在基片表面上形成水跡?，F(xiàn)有的另一種基片清洗干燥裝置， 其基片氣體干燥室安裝在基片清洗容器上方，在基片傳遞組件傳送基片時打開 與關(guān)閉。在基片從基片清洗容器提升出來時，基片氣體干燥室供給室溫的異丙
醇(IPA)氣體，對基片進行干燥。在干燥過程中，基片放置在基片支撐架上， 位于基片與基片支撐架接觸處的清潔液體無法在基片提升時排出，在基片表面 上形成水跡。由于干燥過程在室溫下進行，基片的相對濕度也無法滿足工藝要 求。因而降低了設(shè)備的清洗干燥效果，從而影響了設(shè)備的生產(chǎn)效率和基片的成 品率。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實用新型提供一種無水跡基片清洗干燥裝置， 用于在基片的拋光、清洗裝置中，對基片進行無水跡清洗干燥。用于本實用新 型的基片可以是圓形硅基片，磁記錄介質(zhì)基片，以及具有相似形狀結(jié)構(gòu)的其他 圓形盤狀基片。
本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是
一種無水跡基片清洗干燥裝置，其特征是其包括基片清洗容器，用于清洗 基片；基片氣體干燥室，用于基片從基片清洗容器中提升時供給室溫干燥氣體； 基片干燥容器，用于供給高溫干燥氣體對基片進行高溫氣體干燥；以及基片傳 遞組件，用于將基片從基片清洗容器傳送至基片干燥容器；其中，基片氣體干 燥室布置在基片清洗容器的上方，基片清洗容器與基片干燥容器并行排列，基 片傳遞組件布置在基片清洗容器與基片干燥容器的一側(cè)。
本實用新型無水跡基片清洗干燥裝置采用在基片清洗容器中室溫干燥氣 體干燥和在基片干燥容器中高溫干燥氣體干燥的二步干燥法。在完成基片清洗容器的室溫干燥氣體的干燥后，基片傳遞組件將基片從基片清洗容器的基片支 撐架上取出，由于室溫干燥氣體干燥后基片表面上的水跡未干，在重力的作用 下，水跡沿基片邊緣流向基片底部(六點鐘處)?；瑐鬟f組件將基片傳送至基 片干燥容器，在其基片支撐架的底部支撐塊上部形成刀尖狀，當(dāng)基片放入基片 支撐架時，底部支撐塊上部的刀尖狀與基片底部的水跡接觸，水跡沿刀尖面流 下，因而減小或消除了基片底部的水跡。同時由于基片干燥容器采用高溫干燥 氣體的干燥，基片干燥后，基片的相對濕度能滿足工藝的要求。
前述的無水跡基片清洗干燥裝置，其中基片從基片清洗容器中緩慢提升至 基片氣體干燥室。
前述的無水跡基片清洗干燥裝置，其中用于基片氣體干燥室的室溫干燥氣體
是室溫異丙醇(IPA)氣體。
前述的無水跡基片清洗干燥裝置，其中用于基片干燥容器的高溫干燥氣體是 高溫干燥清潔空氣(CAD)或氮氣(N2)。
前述的無水跡基片清洗干燥裝置，其中用于基片干燥容器的基片支撐架的底 部支撐塊上部成刀尖狀。
前述的無水跡基片清洗干燥裝置，其中基片傳遞組件的基片取放組件布置在 基片上方，打開和關(guān)閉基片取放組件從基片支撐架上取放基片。
本實用新型的有益效果是，采用在基片清洗容器中室溫干燥氣體干燥和在 基片干燥容器中高溫干燥氣體干燥的二步干燥法，基片的相對濕度滿足工藝要 求；在基片傳遞組件傳送基片過程中，利用基片干燥容器的基片支撐架的底部 支撐塊上部的刀尖狀，有效地減小或消除了基片底部的水跡；從而提高了設(shè)備 的生產(chǎn)效率和基片的成品率。以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。


圖1是本實用新型無水跡基片清洗干燥裝置實施例的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本實用新型無水跡基片清洗干燥裝置實施例的正面構(gòu)造示意圖。 圖3是本實用新型無水跡基片清洗干燥裝置實施例的基片傳遞組件立體結(jié)構(gòu) 示意圖。
圖4是本實用新型無水跡基片清洗干燥裝置實施例的基片水跡流向示意圖。 圖5是本實用新型無水跡基片清洗干燥裝置實施例的基片干燥容器的基片及
基片支撐架立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6是本實用新型無水跡基片清洗干燥裝置實施例的基片干燥容器的基片及
基片支撐架正面構(gòu)造示意圖。
具體實施方式
本實用新型無水跡基片清洗干燥裝置，用于在基片的拋光、清洗裝置中， 對基片進行無水跡清洗干燥。其中所涉及的基片，包括用于生產(chǎn)半導(dǎo)體晶片的 圓形硅基片，用于生產(chǎn)計算機磁記錄存儲器介質(zhì)的玻璃、陶瓷和鋁質(zhì)圓形基片， 用于生產(chǎn)光學(xué)記錄存儲器光盤、數(shù)字通用光盤的塑料圓形基片，及用于生產(chǎn)光學(xué) 器件的玻璃圓形基片。為方便說明，在下面實施例中所提及的"基片"是表示 上述各種基片，用101表示。
圖1是本實用新型無水跡基片清洗干燥裝置實施例的立體結(jié)構(gòu)示意圖。在 圖l所示實施例中，無水跡基片清洗干燥裝置由基片清洗容器103，基片氣體干 燥室105，基片干燥容器104及基片傳遞組件115安裝在裝置支撐架102構(gòu)成。 基片清洗容器103與基片干燥容器104并行布置在裝置支撐架102上?；瑲怏w干燥室105布置在基片清洗容器的103上方，在基片傳遞組件115傳送基片 101時打開與關(guān)閉。在基片干燥容器104上安裝一干燥容器蓋106，在基片傳遞 組件115傳送基片101進出基片干燥容器104時打開與關(guān)閉。基片傳遞組件115 布置在基片清洗容器與基片干燥容器的一側(cè)，由傳動組件107驅(qū)動。
圖2是本實用新型無水跡基片清洗干燥裝置實施例的正面構(gòu)造示意圖。如 圖2所示，其清洗干燥過程是-
基片氣體干燥室105沿方向131打開，基片101與基片清洗容器103的基 片支撐架由基片傳遞組件115和基片升降組件垂直放置于基片清洗容器103中， 而后基片氣體干燥室105關(guān)閉，基片101在基片清洗容器103進行清洗。在完 成清洗過程后，基片101與基片支撐架由基片升降組件(圖中未示出)從基片 清洗容器103沿方向133提升出清洗液體，同時，基片氣體干燥室105中的干 燥氣體供給組件108供給室溫干燥氣體，在基片101達到基片氣體干燥室105 后停留一些時間，完成基片101進行室溫干燥氣體干燥。
在完成清洗和室溫干燥氣體干燥后，基片氣體干燥室105沿方向131打開， 基片101與基片支撐架由基片升降組件提升至基片傳遞組件115?；瑐鬟f組件 115從基片支撐架上取出基片101,沿方向130將基片101送至基片干燥容器104 上方。干燥容器蓋106沿方向132打開，再由基片升降組件(圖中未示出)將 基片101放置在基片氣體干燥室105的基片支撐架上。而后基片101與基片支 撐架由基片升降組件傳送至基片干燥容器104中，干燥容器蓋106關(guān)閉?；?干燥容器104的干燥氣體供給組件109供給高溫干燥氣體，對基片101進行高 溫干燥氣體干燥?；?01的高溫干燥能滿足工藝對基片101的相對濕度要求。
在完成高溫干燥氣體干燥后，干燥容器蓋106沿方向132打開，基片升降 組件將基片101與基片支撐架沿方向134從基片干燥容器104中傳送至基片傳遞組件115，再由基片傳遞組件115將基片101從基片支撐架上取出傳送出清洗 干燥裝置，完成基片101的清洗干燥過程。
在本實用新型無水跡基片清洗干燥裝置的實施例中，基片IOI由基片升降 組件從基片清洗容器103中緩慢提升至基片氣體干燥室105;基片氣體干燥室 105中的干燥氣體供給組件108供給的室溫干燥氣體是室溫異丙醇(IPA)氣體； 基片干燥容器104的干燥氣體供給組件109供給高溫干燥氣體是高溫干燥清潔. 空氣(CAD)或氮氣(N2)。
圖3是本實用新型無水跡基片清洗干燥裝置實施例的基片傳遞組件立體結(jié)構(gòu) 示意圖。如圖3所示，基片傳遞組件115由基片取放組件118、 119，支撐軸116、 117，及驅(qū)動組件120構(gòu)成。驅(qū)動組件120驅(qū)動支撐軸116、 117沿方向135轉(zhuǎn) 動，基片取放組件118、 119安裝在支撐軸116、 117上。在取放基片101時， 驅(qū)動組件120驅(qū)動支撐軸116、 117轉(zhuǎn)動，打開基片取放組件118、 119，基片升 降組件提升基片101片與基片支撐架至基片取放組件118、 119。而后驅(qū)動組件 120驅(qū)動支撐軸116、 117轉(zhuǎn)動，關(guān)閉基片取放組件118、 119，基片升降組件與 基片支撐架下降，將基片101從基片支撐架取出。將基片101放入基片支撐架 的過程相似。
基片傳遞組件115布置在基片清洗容器103與基片干燥容器104的一側(cè)， 由傳動組件107驅(qū)動，完成將基片101從在基片清洗容器103傳送至基片干燥 容器104，而后傳遞出清洗干燥裝置的過程。
圖4是本實用新型無水跡基片清洗干燥裝置實施例的基片水跡流向示意圖。 由于基片101放置在基片支撐架上，在基片清洗容器103中完成清洗干燥后， 由于清洗液體的表面張力，基片101表面上的水跡125、 126存在于基片101與 基片支撐架接觸處，如圖4所示。本實用新型無水跡基片清洗干燥裝置采用在基片清洗容器103中室溫干燥氣體干燥和在基片干燥容器104中高溫干燥氣體 干燥二步干燥法，在基片傳遞組件115將基片101從基片清洗容器103的基片 支撐架上取出，由于室溫干燥氣體干燥后基片101表面上的水跡125、 126未干， 在重力的作用下，水跡126依方向136、 137沿基片101邊緣流向基片IOI底部 (六點鐘處)，與水跡125結(jié)合。
圖5是本實用新型無水跡基片清洗干燥裝置實施例的基片干燥容器的基片及 基片支撐架立體結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，基片支撐架由二個外支撐塊127、 一 個底部支撐塊128及二個側(cè)支撐塊129構(gòu)成，底部支撐塊128上部成刀尖狀。 基片101由外支撐塊128上的切槽與底部支撐塊128定位和支撐在基片支撐架 上。
圖6是本實用新型無水跡基片清洗干燥裝置實施例的基片干燥容器的基片 及基片支持架正面構(gòu)造示意圖。如圖6所示，在基片傳遞組件115將基片101 傳遞至基片干燥容器104處，基片101表面上的水跡集中在基片101的底部(六 點鐘處)，基片干燥容器104的基片升降組件提升基片支撐架至基片101處，當(dāng) 基片101放入基片支撐架時，底部支撐塊128上部的刀尖狀與基片101底部的 水跡接觸，水跡沿刀尖面流下，因而減小或消除了基片101底部的水跡。
以上所述，僅是本實用新型的較佳實施例，并未對本實用新型做任何形式上的 限制。凡是依據(jù)本實用新型的技術(shù)方案對上述實施例所作的任何簡單修改、變 異及修飾，均仍屬于本實用新型技術(shù)方案的范圍。
權(quán)利要求1.一種無水跡基片清洗干燥裝置，其特征是，其包括基片清洗容器，用于清洗基片；基片氣體干燥室，用于基片從基片清洗容器中提升時供給室溫干燥氣體；基片干燥容器，用于供給高溫干燥氣體對基片進行高溫氣體干燥；以及基片傳遞組件，用于將基片從基片清洗容器傳送至基片干燥容器；其中，基片氣體干燥室布置在基片清洗容器的上方，基片清洗容器與基片干燥容器并行排列，基片傳遞組件布置在基片清洗容器與基片干燥容器的一側(cè)。
2. 如權(quán)利要求1所述的無水跡基片清洗干燥裝置，其特征是基片從所述的基片清洗容器中緩慢提升至所述的基片氣體干燥室。
3. 如權(quán)利要求1所述的無水跡基片清洗干燥裝置，其特征是用于所述的基片氣體干燥室的室溫干燥氣體是室溫異丙醇(IPA)氣體。
4. 如權(quán)利要求1所述的無水跡基片清洗干燥裝置，其特征是用于所述的基片干燥容器的高溫干燥氣體是高溫干燥清潔空氣(CAD)或氮氣(N2)。
5. 如權(quán)利要求1所述的無水跡基片清洗干燥裝置，其特征是用于所述的基片干燥容器的基片支撐架的底部支撐塊上部成刀尖狀。
6.如權(quán)利要求l所述的無水跡基片清洗干燥裝置，其特征是所述的基片傳遞組件的基片取放組件布置在基片上方，打開和關(guān)閉基片取放組件從基片支撐架上取放基片。
專利摘要一種無水跡基片清洗干燥裝置，基片清洗容器和基片氣體干燥室用于清洗基片和對基片進行室溫干燥氣體干燥，基片干燥容器用于對基片進行高溫干燥氣體干燥，基片傳遞組件用于將基片從基片清洗容器傳送至基片干燥容器。采用室溫干燥氣體和高溫干燥氣體的二步干燥法，能夠滿足工藝對基片相對濕度的要求；利用基片支撐架的底部支撐塊上部的刀尖狀，有效地減小或消除了基片底部的水跡；從而提高設(shè)備的生產(chǎn)效率和基片的成品率。
文檔編號H01L21/683GK201387879SQ200920126840
公開日2010年1月20日 申請日期2009年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月30日
發(fā)明者謝鮮武 申請人:謝鮮武