專利名稱：一種射頻正交耦合功率分配合成器的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種射頻正交耦合功率分配合成器，特別涉及一種印刷電路板 (PCB)耦合帶狀線射頻正交功率分配合成器。
背景技術：
射頻正交耦合器是射頻功率合成與分配的一種方式，印刷電路板(PCB)耦合帶狀 線是這種方式的一種具體結構。常用的耦合帶狀線結構如附圖l和附圖2所示，附圖1為 側(cè)邊耦合帶狀線的截面圖，附圖2為寬邊耦合帶狀線的截面圖。這兩種耦合器均由接地板 1、耦合帶狀線2組成，上下接地板1之間是相對介電常數(shù)為e r的介質(zhì)，B為上下接地板1 之間的高度，W為耦合帶狀線2的寬度，S為耦合帶狀線2之間的距離，T為耦合帶狀線的厚 度。作為功率合成或分配器件，耦合帶狀線2之間需要處于緊耦合狀態(tài)，側(cè)邊耦合帶狀線要 達到緊耦合，必須減小S到難以實現(xiàn)的程度，因此對射頻功率的合成或分配通常采用寬邊 耦合帶狀線。 實際應用的印刷電路板(PCB)寬邊耦合器如附圖3所示，由3塊印刷電路板(PCB) 構成，上板4與下板6為單層PCB，只有接地銅層7，中間耦合板5為雙層PCB，帶狀線8對稱 地印制在耦合板5的兩側(cè)。該種結構不利于散熱，射頻功率會受到結構的限制。

發(fā)明內(nèi)容為解決現(xiàn)有技術存在的問題，本實用新型的目的提供一種射頻正交耦合功率分配 合成器。 為實現(xiàn)上述目的，本實用新型通過以下技術方案實現(xiàn) —種射頻正交耦合功率分配合成器，由水平耦合板和垂直耦合板組成，水平耦合
板的上層設有兩條間隔的微帶，下層是接地銅層；垂直耦合板兩側(cè)為耦合銅層，分別焊接在
水平耦合板的兩個微帶上。所述的垂直耦合板10的長度為四分之一波長。 與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的優(yōu)點是由于微帶和耦合銅層裸露于空氣中，有利
于散熱，在同等尺寸的情況下，可以通過更大的射頻功率。

圖1是側(cè)邊耦合帶狀線的截面圖。
圖2是寬邊耦合帶狀線的截面圖。 圖3是印刷電路板(PCB)寬邊耦合器。 圖4是本實用新型的結構圖。 圖5是本實用新型的截面圖。
具體實施方式見圖4、圖5，射頻正交耦合功率分配合成器，其結構由水平耦合板9和垂直耦合板IO組成。水平耦合板9的上層制成兩條相鄰的微帶11，下層是接地銅層13。垂直耦合板 10兩側(cè)為耦合銅層12，焊接在微帶11上。垂直耦合板10的長度為四分之一波長。 本實施例設定工作的中心頻率為650MHz，耦合度為-3dB。就是說，輸入信號施加 于端口 l，在端口 2和端口 3輸出互為正交的，輸出功率為輸入功率一半的兩路信號。各端 口的特性阻抗均為50歐姆；端口 4為隔離端口。 本實施例的水平耦合板9和垂直耦合板10均為介電常數(shù)為3. 0的聚四氟乙烯板 材。水平耦合板9的基板厚度H1為2mm，微帶11寬度W為3. 3mm，長度為76mm，兩條微帶 11間距S為0. 5mm。垂直耦合板10的基板厚度H2為lmm，高度H為3. 2mm，長度為74mm。
權利要求一種射頻正交耦合功率分配合成器，其特征在于，該裝置由水平耦合板和垂直耦合板組成，水平耦合板的上層設有兩條間隔的微帶，下層是接地銅層；垂直耦合板兩側(cè)為耦合銅層，分別焊接在水平耦合板的兩個微帶上。
2. 根據(jù)權利要求1所述的一種射頻正交耦合功率分配合成器，其特征在于，所述的垂直耦合板10的長度為四分之一波長。
專利摘要本實用新型涉及一種射頻正交耦合功率分配合成器，特別涉及一種印刷電路板(PCB)耦合帶狀線射頻正交耦合功率分配合成器，由水平耦合板和垂直耦合板組成，水平耦合板的上層設有兩條間隔的微帶，下層是接地銅層；垂直耦合板兩側(cè)為耦合銅層，分別焊接在水平耦合板的兩個微帶上。所述的垂直耦合板10的長度為四分之一波長。與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的優(yōu)點是由于微帶和耦合銅層裸露于空氣中，有利于散熱，在同等尺寸的情況下，可以通過更大的射頻功率。
文檔編號H01P5/12GK201450090SQ20092001644
公開日2010年5月5日 申請日期2009年8月20日 優(yōu)先權日2009年8月20日
發(fā)明者唐曉平, 姚禮松, 張寶明, 李克海, 李維成, 王衛(wèi)東, 英虹, 賈曉鵬, 趙振宏 申請人:鞍山市嘉惠廣播電子技術有限公司