專(zhuān)利名稱(chēng)：發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，尤其是指一種支架全完埋入于膠 座中，并在支架設(shè)置增強(qiáng)部增強(qiáng)膠座以及支架之間的結(jié)合力，且在膠座的下 表面形成電性連接部的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，由于發(fā)光二才及管(Light Emitting Diode, LED )具有耗電量低、 元件壽命長(zhǎng)、無(wú)須暖燈時(shí)間及反應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，加上其體積小、耐震動(dòng)、 適合量產(chǎn)，因此發(fā)光二極管已普遍使用于信息、通信及消費(fèi)性電子產(chǎn)品的指 示燈與顯示裝置上，如移動(dòng)電話(huà)及個(gè)人H字助理(Personal Digital Assistant， PDA)屏幕背光源、各種戶(hù)外顯示器、交通號(hào)志燈及車(chē)燈等。
通常發(fā)光二極管晶片是通過(guò)表面粘貼技術(shù)(Surface Mount Device, SMD ) 或是覆晶接合技術(shù)(flip chip bonding )固接于具有凹陷部的膠座內(nèi)的支架上， 如圖1所示，圖1為現(xiàn)有之發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)側(cè)視剖面圖。
在具有凹陷部52的膠座51中，埋入設(shè)置有至少兩個(gè)支架53,支架53 的一端即是分別暴露在膠座51的凹陷部52內(nèi)，另一端則是分別延伸出膠座 51的兩側(cè)，即可形成外部電性連4妄部54,并且將外部電性連4妄部54進(jìn)行彎 折，并使得外部電性連接部54貼合于膠座51，以便于與其他電子裝置(圖 式中未繪示)電性連接。
接著，再通過(guò)表面粘貼技術(shù)將發(fā)光二極管晶片55固接于暴露在膠座51 的凹陷部52內(nèi)的支架53其中之一的端部，以及通過(guò)打線接合技術(shù)或是覆晶 接合技術(shù)使發(fā)光二極管晶片55可以通過(guò)導(dǎo)線與另一支架53形成電性連接， 最后，再在膠座51的凹陷部52上形成封裝膠體56,封裝膠體56即可以覆 蓋于凹陷部52上，即可以形成現(xiàn)有的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。
4在外部電性連接部54進(jìn)行彎折且貼合于膠座51時(shí)，由于膠座51為熱 塑性樹(shù)脂所形成，當(dāng)受到外力所擠壓時(shí)，將無(wú)法承受擠壓時(shí)的外力，因此會(huì) 造成膠座51受外力擠壓的部分造成形變，甚至?xí)斐赡z座51破損，進(jìn)而導(dǎo) 致外部電性連接部54定位的錯(cuò)誤。
綜上所述，可知現(xiàn)有技術(shù)中長(zhǎng)期以來(lái)一直存在發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的支架在 彎折電性連接部時(shí)，造成膠座結(jié)構(gòu)受損并導(dǎo)致電性連接部定位錯(cuò)誤的問(wèn)題， 因此有必要提出改進(jìn)的技術(shù)手段，來(lái)解決此一問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容
有鑒于現(xiàn)有技術(shù)存在發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的支架在彎折電性連接部時(shí)，造成 膠座結(jié)構(gòu)受損并導(dǎo)致電性連接部定位錯(cuò)誤的問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種發(fā)光 二極管結(jié)構(gòu)，其中
本實(shí)用新型所提供的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其第一實(shí)施例包含有膠座以及 至少兩個(gè)支架。
其中，自膠座的上表面凹設(shè)第一凹陷部，且自膠座的下表面凹設(shè)至少一 第二凹陷部；至少兩個(gè)支架分別設(shè)置至少一增強(qiáng)部，且支架分別用于提供發(fā) 光二極管晶片形成電性連接，支架是完全埋于膠座內(nèi)，而增強(qiáng)部與膠座形成 固接，且支架固接發(fā)光二極管晶片的部分暴露于第一凹陷部，支架暴露在第 二凹陷部以形成電性連4妄部。
本實(shí)用新型所提供的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其第二實(shí)施例包含有膠座、散 熱支架以及至少兩個(gè)支架。
其中，自膠座的上表面凹設(shè)第一凹陷部，且自膠座的下表面凹設(shè)至少一 第二凹陷部；散熱支架設(shè)置至少一增強(qiáng)部，且散熱支架用于固接發(fā)光二極管 晶片，散熱支架是完全埋于膠座內(nèi)，而散熱支架的增強(qiáng)部與膠座形成固接， 且散熱支架固接發(fā)光二極管晶片的部分暴露于第一凹陷部；至少兩個(gè)支架分 別設(shè)置至少一增強(qiáng)部，支架是完全埋于膠座內(nèi)，而支架的增強(qiáng)部與膠座形成 固接，支架暴露于第一凹陷部的部分與發(fā)光二極管晶片形成電性連接，支架 暴露于第二凹陷部以形成電性連接部。
5本實(shí)用新型所提供的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)如上，與現(xiàn)有技術(shù)之間的差異在于 本實(shí)用新型將支架完全埋入于膠座中，并在支架設(shè)置增強(qiáng)部增強(qiáng)膠座以及支 架之間的結(jié)合力，并且支架分別暴露在膠座的第一凹陷部以及第二凹陷部， 借以在膠座的下表面形成電性連接部，并不需要對(duì)支架進(jìn)行彎折，可以避免 支架彎折時(shí)所產(chǎn)生膠座結(jié)構(gòu)受損并導(dǎo)致電性連接部定位錯(cuò)誤的問(wèn)題。
通過(guò)上述的技術(shù)手段，本實(shí)用新型可以達(dá)到避免支架彎折導(dǎo)致膠座受損 并正確定位電性連4妄部的#支術(shù)功效。


圖1為現(xiàn)有的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)側(cè)視剖面圖2為本實(shí)用新型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的俯視示意圖3A為本實(shí)用新型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的支架側(cè)視示意圖3B至圖3D為本實(shí)用新型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的增強(qiáng)部實(shí)施 例側(cè)視放大示意圖4A為本實(shí)用新型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的側(cè)視第一剖面示意
圖4B為本實(shí)用新型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的側(cè)視第二剖面示意
圖5A至圖5C為本實(shí)用新型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的第二凹陷部 設(shè)置位置仰視示意圖6為本實(shí)用新型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的俯-阮示意圖7A至圖7B為本實(shí)用新型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的第二凹陷部 設(shè)置位置仰視示意圖8A為本實(shí)用新型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)第三實(shí)施例的俯視示意圖8B為本實(shí)用新型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)第三實(shí)施例的仰視示意圖。
具體實(shí)施方式
以下將配合圖式及實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，借此對(duì)本 實(shí)用新型如何應(yīng)用技術(shù)手段來(lái)解決技術(shù)問(wèn)題并達(dá)到技術(shù)功效的實(shí)現(xiàn)過(guò)程能 充分理解并據(jù)以實(shí)施。
以下將說(shuō)明本實(shí)用新型所提供的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的第 一 實(shí)施例，第 一 實(shí) 施例為發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)中發(fā)光二極管晶片以電熱 一體的形式制成，并請(qǐng)參照
圖2所示，圖2為本實(shí)用新型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的俯視示意圖；發(fā) 光二極管結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例包含有至少兩個(gè)支架10以及"交座20。
其中支架10是以導(dǎo)電及導(dǎo)熱性良好的金屬材質(zhì)并且通過(guò)沖壓 (stamping)方式制成具有至少一增強(qiáng)部11的支架10，并且支架IO是與發(fā) 光二極管晶片(圖中未繪示)形成電性連接，請(qǐng)參考圖3A所示，圖3A為 本實(shí)用新型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的支架側(cè)視示意圖；如圖所示，在支 架10的兩側(cè)分別沖壓凸起的半圓形增強(qiáng)部11,圖式所呈現(xiàn)的結(jié)果僅為舉例 說(shuō)明，并不以此局限本實(shí)用新型的應(yīng)用范疇。
除此之外，請(qǐng)參照?qǐng)D3B、圖3C以及圖3D所示，圖3B至圖3D為本實(shí) 用新型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)第 一實(shí)施例的增強(qiáng)部實(shí)施例側(cè)視放大示意圖；支架 10所沖壓形成凸起設(shè)置的增強(qiáng)部11，除了為凸起半圓形形狀(如圖3B所 示)之外，更可以沖壓形成倒凹形形狀(如圖3C所示)或是沖壓形成倒V 形形狀(如圖3D所示)。
值得注意的是，支架10所沖壓形成的增強(qiáng)部11亦可沖壓形成凹陷設(shè)置， 即將上述的圖3B、圖3C以及圖3D旋轉(zhuǎn)180度，即支架10呈現(xiàn)出沖壓形 成凹陷設(shè)置的增強(qiáng)部11，可以分別形成凹陷半圓形形狀、凹形形狀或是V 形形狀。
上述的導(dǎo)電及導(dǎo)熱性良好的金屬材質(zhì)可以是銅、鐵或其他導(dǎo)電性佳的金 屬板或合金板。也就是說(shuō)，支架10的材質(zhì)可以是銅、鐵或其他導(dǎo)電及導(dǎo)熱 性佳的金屬或合金。
請(qǐng)?jiān)俅螀⒄請(qǐng)D2所示，以埋入射出(insert molding)的方式將支架10 完全埋入于膠座20內(nèi)并形成膠座20,并且自膠座20的上表面21凹設(shè)有第 一凹陷部22,而支架10與發(fā)光二極管晶片12形成電性連接的部分即暴露 第一凹陷部22，由于支架10完全埋入于月交座20內(nèi)，因此，支架10所設(shè)置的增強(qiáng)部11亦被埋入于膠座20內(nèi)，并且由于增強(qiáng)部11是凸設(shè)或凹設(shè)于 支架IO，即會(huì)與膠座20形成固接，可以增強(qiáng)膠座20以及支架IO之間的結(jié) 合，膠座20以及支架IO之間的結(jié)合可以參照?qǐng)D4A所示，圖4A為本實(shí)用 新型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)第 一實(shí)施例的側(cè)視第 一剖面示意圖。
上述膠座20的材質(zhì)則可以是聚鄰苯二曱酰胺(polyphthalamide ， PPA ) 或其他常用來(lái)作為發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的膠座20的熱塑性樹(shù)脂材質(zhì)。
請(qǐng)參照?qǐng)D4B所示，圖4B為本實(shí)用新型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的 側(cè)視第二剖面示意圖；除了在月交座20的上表面21凹設(shè)有第一凹陷部22之 外，在膠座20的下表面23凹設(shè)有至少一第二凹陷部24，膠座20的下表面 23是背對(duì)于膠座20的上表面21,第二凹陷部24所設(shè)置的位置與支架IO(請(qǐng) 參考圖l所示)相對(duì)應(yīng)，而使得支架10亦會(huì)暴露于第二凹陷部24，而支架 IO對(duì)應(yīng)暴露于第二凹陷部24的部分即形成電性連接部13，電性連接部13 即可以與其他電子裝置(圖式中未繪示)形成電性連接并且固接于其他電子
裝置上，或是通過(guò)電性連接部13提供發(fā)光二極管晶片12(請(qǐng)參考圖1所示) 所需要的電性極性。
值得注意的是，請(qǐng)參照?qǐng)D5A至圖5C所示，圖5A至圖5C為本實(shí)用新 型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)第 一實(shí)施例的第二凹陷部設(shè)置位置仰視示意圖；在膠座 20的下表面23凹設(shè)有至少一第二凹陷部24，第二凹陷部24是分別設(shè)置于 下表面23相對(duì)應(yīng)的兩側(cè)，如圖5A以及圖5B所示，除此之外，第二凹陷部 24亦可分別設(shè)置于下表面23相同的側(cè)邊如圖5C所示，上述圖5A、圖5B 以及圖5C僅為舉例說(shuō)明，并不以此局限本實(shí)用新型的應(yīng)用范疇。
并且更可以在膠座20的下表面23凹設(shè)有至少一第三凹陷部25,第三 凹陷部25是對(duì)應(yīng)于配置有發(fā)光二極管晶片12(請(qǐng)參照?qǐng)Dl所示)的支架10 所設(shè)置，是用于將支架IO所吸收發(fā)光二極管晶片12產(chǎn)生的熱能通過(guò)第三凹 陷部25與外界空氣接觸，以自然對(duì)流的方式將發(fā)光二極管晶片12產(chǎn)生的熱 能加以散逸。
請(qǐng)?jiān)俅螀⒖紙D2所示，通過(guò)表面粘貼技術(shù)(Surface Mount Device, SMD ) 將發(fā)光二極管晶片12固接于暴露在膠座20的第一凹陷部22內(nèi)支架10其中 之一，再以打線接合技術(shù)(wire bonding)或是覆晶接合技術(shù)(flip chipbonding)將固接于支架10其中之一上的發(fā)光二極管晶片12電性連接于另 一支架10上。
除此之外，更可于膠座20的第一凹陷部22上形成封裝膠體30,封裝 膠體30即可以覆蓋于第一凹陷部22內(nèi)的發(fā)光二極管晶片12，即可以對(duì)發(fā) 光二極管晶片11進(jìn)行保護(hù)。
上述的封裝膠體30例如是以點(diǎn)膠(dispensing)的方式形成(在此僅為 舉例說(shuō)明，并不以此局限本實(shí)用新型的應(yīng)用范疇)，且封裝膠體30中可摻 有螢光粉(圖式中未繪示)，因此當(dāng)發(fā)光二極管晶片12所發(fā)出的光線照射 到螢光粉而使其激發(fā)出另一種顏色的可見(jiàn)光時(shí)，發(fā)光二極管晶片12所發(fā)出 的光線即可與螢光粉所激發(fā)出來(lái)的光線混合而產(chǎn)生混光效果。
接著，以下將說(shuō)明本實(shí)用新型所提供的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例， 第二實(shí)施例為發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)中發(fā)光二極管晶片采用電熱分離的型式制成， 并請(qǐng)參照?qǐng)D6所示，圖6為本實(shí)用新型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的俯視示 意圖；發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例包含有至少兩個(gè)支架10、散熱支架 40、膠座20以及封裝膠體30。
第二實(shí)施例與第一實(shí)施例的差別在于增加了散熱支架40,散熱支架40 是用于固接發(fā)光二極管晶片42,而支架IO是分別與發(fā)光二極管晶片42形 成電性連接，即發(fā)光二極管晶片42所產(chǎn)生的熱能會(huì)被散熱支架40吸收，而 支架IO僅提供發(fā)光二極管晶片42所需要的電性極性，即為電熱分離制成本 實(shí)用新型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。
其中，支架10與第一實(shí)施例中的支架相同，在此不再進(jìn)行贅述，而散 熱支架40設(shè)置至少一增強(qiáng)部41,散熱支架40所設(shè)置的增強(qiáng)部41亦與第一 實(shí)施例中支架IO所設(shè)置的增強(qiáng)部11具有相同功效，因此，在此亦不再進(jìn)行 贅述。
以埋入射出方式將支架10以及散熱支架40完全埋入于月交座20內(nèi)并形 成膠座20，自膠座20的上表面21凹設(shè)有第一凹陷部22,散熱支架40固接 發(fā)光二極管晶片42的部分是暴露于第一凹陷部22，并且支架10與發(fā)光二 極管晶片42分別形成電性連接的部分亦暴露于第一凹陷部22，并且支架10 所設(shè)置的增強(qiáng)部11以及散熱支架40所設(shè)置的增強(qiáng)部41與膠座20形成固接，可以增強(qiáng)膠座20、支架10以及散熱支架40之間的結(jié)合。
請(qǐng)參考圖7A以及圖7B所示，圖7A以及圖7B為本實(shí)用新型發(fā)光二極 管結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的第二凹陷部設(shè)置位置仰視示意圖；除了在膠座20的上
表面21凹設(shè)有第一凹陷部22之外，在膠座20的下表面23凹設(shè)有至少一第 二凹陷部24，而支架10對(duì)應(yīng)暴露于第二凹陷部24的部分即形成電性連接 部13，第二凹陷部24以及電性連接部13是與第一實(shí)施例中相同，并且第 二凹陷部2所設(shè)置的位置在第一實(shí)施例中已說(shuō)明，在此不再進(jìn)行贅述。
并且更可以在膠座20的下表面23凹設(shè)有至少一第三凹陷部25,第三 凹陷部25是對(duì)應(yīng)于配置有發(fā)光二極管晶片42 (請(qǐng)參照?qǐng)D6所示)的散熱支 架40所設(shè)置，是用于將散熱支架40所吸收發(fā)光二極管晶片42產(chǎn)生的熱能 通過(guò)第三凹陷部25與外界空氣接觸，以自然對(duì)流的方式將發(fā)光二極管晶片 42產(chǎn)生的熱能加以散逸。
請(qǐng)?jiān)俅螀⒄請(qǐng)D6所示，發(fā)光二極管晶片42的固接方式以及與支架IO形 成電性連接方式，以及形成封裝膠體30的方式已于第一實(shí)施例中說(shuō)明，在 此不再進(jìn)行贅述，將封裝膠體30覆蓋在第一凹陷部22內(nèi)的發(fā)光二極管晶片 12上，即為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。
最后，請(qǐng)參照?qǐng)D8A以及圖8B所示，圖8A為本實(shí)用新型發(fā)光二極管結(jié) 構(gòu)第三實(shí)施例的俯視示意圖，圖8B為本實(shí)用新型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)第三實(shí)施 例的仰視示意圖。
在第一實(shí)施例以及第二實(shí)施例中的支架10 (請(qǐng)參考圖2所示)以及散 熱支架40 (請(qǐng)參考圖6所示)的配置方式，呈現(xiàn)出上下水平的配置支架10 以及散熱支架40，即為在支架20之間配置有散熱支架40,但除了以水平方 式配置支架10以及散熱支架40之外，更可以將支架10配置于散熱支架40 的同一側(cè)，其配置方式請(qǐng)參照?qǐng)D8A以及圖8B所示，上述配置方式僅為舉 例說(shuō)明，并不以此局限本實(shí)用新型的應(yīng)用范疇。
綜上所述，可知本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)之間的差異在于本實(shí)用新型將支 架完全埋入于膠座中，并于支架設(shè)置增強(qiáng)部使得膠座以及支架之間的結(jié)合， 并且支架分別暴露于膠座之第一凹陷部以及第二凹陷部，借以于膠座的下表 面形成電性連接部，并不需要對(duì)支架進(jìn)行彎折，可以避免支架彎折時(shí)所產(chǎn)生膠座結(jié)構(gòu)受損并導(dǎo)致電性連接部定位錯(cuò)誤的問(wèn)題。
通過(guò)此一技術(shù)手段可以來(lái)解決現(xiàn)有技術(shù)所存在發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的支架 在彎折電性連接部時(shí)，造成膠座結(jié)構(gòu)受損并導(dǎo)致電性連接部定位錯(cuò)誤的問(wèn) 題，進(jìn)而達(dá)到避免支架彎折導(dǎo)致膠座受損并正確定位電性連接部的技術(shù)功效。
雖然本實(shí)用新型所公開(kāi)的實(shí)施方式如上，惟所述的內(nèi)容并非用于直接限 定本實(shí)用新型之專(zhuān)利保護(hù)范圍。本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型所揭露 之精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作些許之更動(dòng)。本實(shí) 用新型之專(zhuān)利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書(shū)所界定的為準(zhǔn)。
1權(quán)利要求1、一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含一膠座，自該膠座的一上表面凹設(shè)一第一凹陷部，且自該膠座的一下表面凹設(shè)至少一第二凹陷部；及至少兩個(gè)支架，該些支架分別設(shè)置至少一增強(qiáng)部，且該些支架分別用于提供一發(fā)光二極管晶片形成電性連接，該些支架是完全埋于所述膠座內(nèi)，而該些增強(qiáng)部與該膠座形成固接，且該些支架固接該發(fā)光二極管晶片的部分暴露于該第一凹陷部，該些支架暴露于該些第二凹陷部以形成電性連接部。
2、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述增強(qiáng)部 是凸設(shè)或凹設(shè)于所述支架。
3、 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述增強(qiáng)部 選自V形形狀、凹形形狀或半圓形形狀中任一的形狀。
4、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二凹 陷部是設(shè)置于該下表面的相同側(cè)。
5、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二凹 陷部是設(shè)置于該下表面的相對(duì)應(yīng)的兩側(cè)。
6、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述膠座的 所述下表面更凹設(shè)至少一第三凹陷部。
7、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述發(fā)光二 極管結(jié)構(gòu)更包含一封裝膠體，配置于所述膠座上且覆蓋于所述第一凹陷部。
8、 一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含一膠座，自該膠座的一上表面凹設(shè)一第一凹陷部，且自該膠座的一下表 面凹設(shè)至少 一 第二凹陷部；一散熱支架，該散熱支架設(shè)置至少一增強(qiáng)部，且該散熱支架用于固接一 發(fā)光二極管晶片，該散熱支架是完全埋于該膠座內(nèi)，而該散熱支架的該些增強(qiáng)部與所述膠座形成固接，且該散熱支架固接該發(fā)光二極管晶片的部分暴露于所述第一凹陷部；及至少兩個(gè)支架，該些支架分別設(shè)置至少一增強(qiáng)部，該些支架是完全埋于 該膠座內(nèi)，而該些支架的該些增強(qiáng)部與所述膠座形成固接，該些支架暴露于 所述第一凹陷部的部分與所述發(fā)光二極管晶片形成電性連接，該些支架暴露 于所述第二凹陷部以形成電性連接部。
9、 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些增強(qiáng)部 是凸設(shè)或凹設(shè)于該些支架及該散熱支架。
10、 如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述增強(qiáng)部 選自V形形狀、凹形形狀或半圓形形狀中任一的形狀。
11、 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二凹 陷部是設(shè)置于該下表面的相同側(cè)。
12、 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二凹 陷部是設(shè)置于該下表面的相對(duì)應(yīng)的兩側(cè)。
13、 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述膠座的 所述下表面更凹設(shè)至少一第三凹陷部，該些第三凹陷部是對(duì)應(yīng)于所述散熱支 架。
14、 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述發(fā)光二 極管結(jié)構(gòu)更包含一封裝膠體，配置于所述膠座上且覆蓋于所述第 一 凹陷部。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其將支架完全埋入于膠座中，并在支架設(shè)置增強(qiáng)部增強(qiáng)膠座以及支架之間的結(jié)合力，且在膠座的下表面形成電性連接部，避免對(duì)支架進(jìn)行彎折，借此可以達(dá)到避免支架彎折導(dǎo)致膠座受損并正確定位電性連接部的技術(shù)功效。
文檔編號(hào)H01L33/00GK201421846SQ200920006490
公開(kāi)日2010年3月10日 申請(qǐng)日期2009年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月26日
發(fā)明者林士杰, 陳詠杰, 陳立敏 申請(qǐng)人:一詮精密工業(yè)股份有限公司