專利名稱：包括多指狀晶體管的esd保護電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示例性實施例涉及用于在半導(dǎo)體電路中使用的靜電放電(ESD)保護電 路，更具體地，涉及能夠防止在ESD保護電路中使用的多指狀晶體管的故障的電路結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
當(dāng)半導(dǎo)體集成電路(IC)接觸到帶電的人體或機器時，該人體或機器中所帶的靜 電可能通過半導(dǎo)體IC的外部管腳和輸入/輸出墊而向內(nèi)部半導(dǎo)體電路放電。此時，具有高 能量的瞬時電流可能導(dǎo)致內(nèi)部半導(dǎo)體電路的嚴(yán)重損壞。在一些情況下，由于接觸到機器，半 導(dǎo)體電路內(nèi)部所帶的靜電可能流過機器并導(dǎo)致對機器的損壞。 為了保護內(nèi)部半導(dǎo)體電路不受這種損壞，大多數(shù)半導(dǎo)體IC具有ESD保護電路，該 ESD保護電路耦合在輸入/輸出墊和內(nèi)部半導(dǎo)體電路之間。
圖1示出了包括多指狀晶體管的典型的ESD保護電路。 參考圖1，傳統(tǒng)的ESD保護電路包括輸入/輸出墊100，電壓墊102，電壓線104，對 應(yīng)于多個漏極的多個第一指狀圖案H0、112、114和116，對應(yīng)于多個源極的多個第二指狀 圖案120、122、124、126和128，以及多個柵極電極130、 131、 132、 133、 134、 135、 136和137。
在圖1的傳統(tǒng)的多指狀晶體管中，對應(yīng)于漏極的第一指狀圖案110、112、114和116 以及對應(yīng)于源極的第二指狀圖案120、 122、 124、 126和128被平行地交替布置。
柵極電極130、 131、 132、 133、 134、 135、 136和137分別被布置在第一指狀圖案110、 H2、114和116與第二指狀圖案120、122、124、126和128之間。 漏極經(jīng)由第一指狀圖案110、112、114和116而耦合到輸入/輸出墊100，該第一指 狀圖案H0、112、114和116耦合至多個第一接觸圖案(圖1中示出為在每個第一指狀圖案 110、112、114和116中的多個小正方形)。源極經(jīng)由多個第二接觸圖案(圖1中示出為在 每個第二指狀圖案120、 122、 124、 126和128中的多個小正方形)而通過通路耦合至特定的 電壓線104，該通路包括第二指狀圖案120、 122、 124、 126和128以及電壓墊102。柵極電極 130、131、132、133、134、135、136和137經(jīng)由源極和電壓墊102而耦合至電壓線104。
當(dāng)正靜電被施加到輸入/輸出墊100時，從對應(yīng)于漏極的第一指狀圖案110經(jīng)由 對應(yīng)于源極的第二指狀圖案120至電壓線104形成ESD通路R1。從對應(yīng)于漏極的第一指狀 圖案116經(jīng)由對應(yīng)于源極的第二指狀圖案126至電壓線104形成ESD通路R4。
雖然圖1中僅示出了兩個ESD通路R1和R4，但是可以根據(jù)指狀圖案的數(shù)量而形成 更多的ESD通路。 在多指狀晶體管中，通過輸入/輸出墊IOO和電壓線104之間的相應(yīng)的指狀圖案 來形成ESD通路。由于在設(shè)計步驟中已經(jīng)確定了指狀圖案可以無故障地耐受的正常電流(IT2)，因此當(dāng)大于正常電流(IT2)的ESD電流被傳送通過指狀圖案時，多指狀晶體管可能 發(fā)生故障。 ESD通路R1是最短的ESD通路，這是因為該ESD通路R1最接近于電壓線104。這 樣，ESD通路Rl具有最低的電阻。另一方面，ESD通路R4是最長的ESD通路，因為該ESD通 路R4離電壓線104最遠。因此，ESD通路R4具有最高的電阻。 因此，大部分ESD電流被傳送通過具有最低的電阻的ESD通路Rl而不是通過具有
最高的電阻的ESD通路R4。由此，不同量的ESD電流被傳送通過相應(yīng)的ESD通路。換句話
說，在所述ESD通路之中，最大量的ESD電流被傳送通過ESD通路Rl 。 如果過多量的ESD電流被傳送通過ESD通路R1，并且該ESD電流比正常電流(IT2)
更大，則形成ESD通路Rl的指狀圖案的接觸圖案可能被熔化，從而導(dǎo)致多指狀晶體管的故障。 即使該故障發(fā)生在任一指狀圖案中，也不能再使用整個ESD保護電路。因此，如上 所述，如果該故障是由特定指狀圖案的接觸圖案的熔化而導(dǎo)致的，則整個多指狀晶體管不 能作為ESD保護電路來正常工作。 用于防止這種故障的方法之一是增大多指狀晶體管的單位指狀圖案的尺寸，以增 大各指狀圖案能夠耐受的傳送的ESD電流量。但是在這種情況下，多指狀晶體管的布局面 積增大，這在制造高度集成的半導(dǎo)體器件方面得到關(guān)注。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實施例涉及ESD保護電路，該ESD保護電路被配置用于在多指狀 晶體管中通過為指狀圖案設(shè)置不同數(shù)量的接觸圖案以使該指狀圖案可以具有相同的通路 電阻來經(jīng)由指狀圖案傳送均勻的ESD電流。 根據(jù)本發(fā)明的實施例，靜電放電(ESD)保護電路包括多指狀晶體管，該多指狀晶 體管包括平行地交替布置的多個漏極和多個源極以及布置在漏極和源極之間的多個柵極 電極，其中漏極經(jīng)由多個第一指狀圖案而電耦合至輸入/輸出墊，該多個第一指狀圖案與 多個第一接觸圖案相耦合，源極經(jīng)由包括多個第二指狀圖案的通路而電耦合至特定的電壓 線，其中該多個第二指狀圖案耦合至多個第二接觸圖案，并且對應(yīng)于漏極的第一接觸圖案 的數(shù)量隨著至電壓線的距離變短而逐漸減少。 根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，靜電放電(ESD)保護電路包括多指狀晶體管，該多 指狀晶體管包括平行地交替布置的多個漏極和多個源極以及布置在漏極和源極之間的多 個柵極電極，其中漏極通過多個第一指狀圖案電耦合至輸入/輸出墊，該多個第一指狀圖 案與多個第一接觸圖案相耦合，源極通過包括多個第二指狀圖案的通路電耦合至特定電壓 線，其中多個第二指狀圖案耦合至多個第二接觸圖案，并且第二接觸圖案的數(shù)量隨著至電 壓線的距離變短而逐漸減少。 根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例，靜電放電(ESD)保護電路包括多指狀晶體管，該多 指狀晶體管包括平行地交替布置的多個漏極和多個源極以及布置在漏極和源極之間的多 個柵極電極，其中漏極通過多個第一指狀圖案電耦合至輸入/輸出墊，該多個第一指狀圖 案與多個第一接觸圖案相耦合，源極通過包括多個第二指狀圖案的通路電耦合至特定電壓 線，其中多個第二指狀圖案耦合至多個第二接觸圖案，并且與相鄰的漏極和源極的對相對應(yīng)的第一接觸圖案和第二接觸圖案的數(shù)量隨著至電壓線的距離變短而逐漸減少。
根據(jù)本發(fā)明的再一實施例，靜電放電(ESD)保護電路包括多指狀晶體管，該多
指狀晶體管包括平行地交替布置的多個漏極和多個源極以及布置在漏極和源極之間的多
個柵極電極，其中漏極通過多個第一指狀圖案電耦合至輸入/輸出墊，該多個第一指狀圖
案與多個第一接觸圖案相耦合，源極通過包括多個第二指狀圖案的通路電耦合至特定電壓
線，其中多個第二指狀圖案耦合至多個第二接觸圖案，并且第一接觸圖案的數(shù)量或第二接
觸圖案的數(shù)量隨著至電壓線的距離變短而逐漸減少。
圖1示出了傳統(tǒng)的具有多指狀晶體管的ESD保護電路；
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的ESD保護電路；
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的ESD保護電路；
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的ESD保護電路。
具體實施例方式
下面將參考附圖對本發(fā)明的示例性實施例進行更加詳細的描述。然而，本發(fā)明可 以體現(xiàn)為不同的形式，并且不應(yīng)該被理解為限制于在此所闡述的實施例。而且，提供這些實 施例使得本公開詳盡和完整，并且能夠向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達本發(fā)明的范圍。在本 公開中，在本發(fā)明的各附圖和實施例中相似的附圖標(biāo)記始終指示相似的部分。
本發(fā)明的示例性實施例旨在提供ESD保護電路，該ESD保護電路能夠通過在多指 狀晶體管中為指狀圖案提供不同數(shù)量的接觸圖案以使得可以傳送均勻的ESD電流通過各 指狀圖案來改善ESD能力(ESDcapability)并防止特定指狀圖案中的故障。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的ESD保護電路。 參考圖2，該ESD保護電路包括輸入/輸出墊200，電壓墊202，電壓線204，對應(yīng) 于多個漏極的多個第一指狀圖案210、212、214和216，對應(yīng)于多個源極的多個第二指狀圖 案220、222、224、226和228，以及多個柵極電極230、231、232、233、234、235、236和237。
在半導(dǎo)體有源區(qū)域中，漏極和源極被平行地交替布置。 漏極經(jīng)由第一指狀圖案210、212、214和216而電耦合至輸入/輸出墊200，該第一 指狀圖案210、212、214和216耦合至多個第一接觸圖案(在圖2中示出為在每個第一指狀 圖案210、212、214和216中的多個小正方形)。 源極通過通路電耦合至特定電壓線204，該通路包括電壓墊202和耦合至多個第 二接觸圖案(圖2中示出為在每個第二指狀圖案220、222、224、226和228中的多個小正方 形)的第二指狀圖案220、222、224、226和228。 柵極電極230、231、232、233、234、235、236和237分別被布置在第一指狀圖案210、 212、214和216以及第二指狀圖案220、222、224、226和228之間。 對應(yīng)于漏極的第一指狀圖案210、212、214和216以及對應(yīng)于源極的第二指狀圖案 220、222、224、226和228被平行地布置。 對應(yīng)于漏極的第一指狀圖案210被布置成最接近于電壓線204，其余的第一指狀 圖案212、214和216被以恒定間隔來布置。
對應(yīng)于源極的第二指狀圖案220被布置成最接近于電壓線204，其余的第二指狀 圖案222、224、226和228被以恒定間隔來布置。 第一接觸圖案將第一指狀圖案210、212、214和216耦合到漏極。隨著至電壓線
204的距離變得越短而將越小數(shù)量的第一接觸圖案提供給第一指狀圖案。第二接觸圖案將第二指狀圖案220、222、224、226和228連接到源極。相同數(shù)量的
第二接觸圖案被提供給第二指狀圖案，而不管至電壓線204的距離是多少。 下面將參考圖2對ESD保護電路的操作原理進行描述。 當(dāng)正靜電被施加到輸入/輸出墊200時，從對應(yīng)于漏極的第一指狀圖案210經(jīng)由 對應(yīng)于源極的第二指狀圖案220至電壓線204形成ESD通路R21。 另外，從對應(yīng)于漏極的第一指狀圖案216經(jīng)由對應(yīng)于源極的第二指狀圖案226至 電壓線204形成ESD通路R24。 雖然圖2中僅示出了兩個ESD通路R21和R24，但是可以通過第一指狀圖案和第二 指狀圖案來形成更多的ESD通路。然而，基于僅形成兩個ESD通路的假設(shè)，根據(jù)圖2的描述 可以容易地理解根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的ESD保護電路。 如果各指狀圖案被設(shè)計成具有相同數(shù)量的接觸圖案，則ESD通路R21因為其短而 具有低電阻，而ESD通路R24因為其長而具有高電阻。 如果ESD通路的電阻低，則在相同的電壓電平處傳送更大量的電流。因此，通過由 指狀圖案形成的ESD通路R21和R24傳送不均勻的ESD電流。 為了防止圖2中的不均勻的ESD電流的傳送?？梢栽龃驟SD通路R21的電阻并降 低ESD通路R24的電阻。因此，隨著至電壓線204的距離變得越短而為對應(yīng)于漏極的第一 指狀圖案210、212、214和216提供越小數(shù)量的第一接觸圖案。 因此，位置最接近于電壓線204的第一指狀圖案210具有最小數(shù)量的第一接觸圖
案，而位置離電壓線204最遠的第一指狀圖案216具有最大數(shù)量的第一接觸圖案，這可以在
圖2中分別通過第一指狀圖案210和216內(nèi)的小正方形的數(shù)量的差別而看出。 有各種方法可以用于隨著至電壓線204的距離變得越短而為第一指狀圖案提供
減小數(shù)量的第一接觸圖案。 一種方法是基于漏極而將第一接觸圖案的數(shù)量減小預(yù)定的數(shù)
量。另一種方法是基于漏極組而將第一接觸圖案的數(shù)量減小預(yù)定的數(shù)量。 這樣，通過隨著至電壓線204的距離變得越短而為第一指狀圖案提供減小數(shù)量的
第一接觸圖案，各ESD通路R21和R24可以被設(shè)計成具有相同的電阻。 如果各ESD通路R21和R24被設(shè)計成具有相同的電阻，則均勻ESD電流被傳送通
過該ESD通路，因此可以防止由于在過多的ESD電流被傳送通過特定的指狀圖案時發(fā)生的
該特定指狀圖案的接觸圖案的熔化而導(dǎo)致的多指狀晶體管的故障。 圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的ESD保護電路。 參考圖3，該ESD保護電路包括輸入/輸出墊300，電壓墊302，電壓線304，對應(yīng) 于多個漏極的多個第一指狀圖案310、312、314和316，對應(yīng)于多個源極的多個第二指狀圖 案320、322、324、326和328，以及多個柵極電極330、331、332、333、334、335、336和337。
第一接觸圖案(在圖3中通過在每個第一指狀圖案310、312、314和316中的多個 小正方形示出)將第一指狀圖案310、312、314和316連接至漏極。相同數(shù)量的第一接觸圖 案被提供給第一指狀圖案，而不管至電壓線304的距離是多少。
第二接觸圖案(在圖3中通過在每個第二指狀圖案320、322、324、326和328中的 多個小正方形示出)將第二指狀圖案320、322、324、326和328連接至源極。隨著至電壓線 304的距離變得越短而為第二指狀圖案提供越小數(shù)量的第二接觸圖案。
下面將參考圖3對ESD保護電路的工作原理進行描述。 當(dāng)正靜電被施加到輸入/輸出墊300時，從對應(yīng)于漏極的第一指狀圖案310經(jīng)由 對應(yīng)于源極的第二指狀圖案320至電壓線304形成ESD通路R31。 另外，從對應(yīng)于漏極的第一指狀圖案316經(jīng)由對應(yīng)于源極的第二指狀圖案326至 電壓線304形成ESD通路R34。 雖然圖3中僅示出了兩個ESD通路R31和R34，但是可以通過第一指狀圖案和第二 指狀圖案來形成各種ESD通路。然而，基于僅形成兩個ESD通路的假設(shè)，根據(jù)圖3的描述可 以容易地理解根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的ESD保護電路。 如果各指狀圖案被設(shè)計成具有相同數(shù)量的接觸圖案，則ESD通路R31因為其短而 具有低電阻，而ESD通路R34因為其長而具有高電阻。 如果ESD通路的電阻低，則在相同的電壓電平處傳送更大量的電流。因此，通過由 指狀圖案形成的ESD通路傳送不均勻的ESD電流。 為了防止傳送不均勻的ESD電流，可以增大ESD通路R31的電阻并減小ESD通路 R34的電阻。因此，隨著至電壓線304的距離變得越短而為對應(yīng)于源極的第二指狀圖案320、 322、324、326和328提供越小數(shù)量的第二接觸圖案。 因此，位置最接近于電壓線304的第二指狀圖案320具有最小數(shù)量的第二接觸圖
案，而位置離電壓線304最遠的第二指狀圖案328具有最大數(shù)量的第二接觸圖案，這可以在
圖3中分別通過第二指狀圖案320和328中的小正方形的數(shù)量的差別而看出。 有各種方法可以用于隨著至電壓線204的距離變得越短而為第二指狀圖案提供
減小數(shù)量的第二接觸圖案。 一種方法是基于源極而將第二接觸圖案的數(shù)量減小預(yù)定的數(shù)
量。另一種方法是基于源極組而將第二接觸圖案的數(shù)量減小預(yù)定的數(shù)量。 這樣，通過在至電壓線304的距離變得更短時為第二指狀圖案提供減小數(shù)量的第
二接觸圖案，各ESD通路R31和R34可以被設(shè)計成具有相同的電阻。 如果各ESD通路R31和R34被設(shè)計成具有相同的電阻，則均勻的ESD電流被傳送 通過該ESD通路，因此可以防止由于在過多的ESD電流被傳送通過特定指狀圖案時發(fā)生的 該特定指狀圖案的接觸圖案的熔化而導(dǎo)致的多指狀晶體管的故障。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的ESD保護電路。 參考圖4，該ESD保護電路包括輸入/輸出墊400，電壓墊402，電壓線404，對應(yīng) 于多個漏極的多個第一指狀圖案410、412、414和416，對應(yīng)于多個源極的多個第二指狀圖 案420、422、424、426和428，以及多個柵極電極430、431、432、433、434、435、436和437。
第一接觸圖案(在圖4中示出為在每個第一指狀圖案410、412、414和416中的多 個小正方形)將第一指狀圖案410、412、414和416連接至漏極。隨著至電壓線404的距離 變得越短而為第一指狀圖案提供越小數(shù)量的第一接觸圖案。 第二接觸圖案(在圖4中示出為在每個第二指狀圖案420、422、426和428中的多 個小正方形)將第二指狀圖案420、422、424、426和428連接至源極。隨著至電壓線404的 距離變得越短而為第二指狀圖案提供越小數(shù)量的第二接觸圖案。
下面將參考圖4對ESD保護電路的操作原理進行描述。 當(dāng)正靜電被施加到輸入/輸出墊400時，從對應(yīng)于漏極的第一指狀圖案410經(jīng)由 對應(yīng)于源極的第二指狀圖案420至電壓線404形成ESD通路R41。 另外，從對應(yīng)于漏極的第一指狀圖案416經(jīng)由對應(yīng)于源極的第二指狀圖案426至 電壓線404形成ESD通路R44。如果施加負靜電，則形成與ESD通路R41和R44相反的ESD通路。 雖然圖4中僅示出了兩個ESD通路R41和R44，但是可以通過第一指狀圖案和第二 指狀圖案來形成各種ESD通路。然而，基于僅形成兩個ESD通路的假設(shè)，根據(jù)圖4的描述可 以容易地理解根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的ESD保護電路。 如果各指狀圖案被設(shè)計成具有相同數(shù)量的接觸圖案，則ESD通路R41因為其短而 具有低電阻，而ESD通路R44因為其長而具有高電阻。 如果ESD通路的電阻低，則在相同的電壓電平處傳送更大量的電流。因此，通過由 指狀圖案形成的ESD通路傳送不均勻的ESD電流。 為了防止不均勻的ESD電流的傳送/流過，可以增大ESD通路R41的電阻并減小 ESD通路R44的電阻。因此，隨著至電壓線404的距離變得越短而為對應(yīng)于漏極的第一指狀 圖案410、412、414和416提供越小數(shù)量的第一接觸圖案。此外，隨著至電壓線404的距離 變得越短而為對應(yīng)于源極的第二指狀圖案420、422、424、426和428提供越大數(shù)量的第二接 觸圖案。 因此，位置最接近于電壓線404的第一指狀圖案410具有最小數(shù)量的第一接觸圖 案，而位置離電壓線404最遠的第一指狀圖案416具有最大數(shù)量的第一接觸圖案，這可以在 圖4中分別通過第一指狀圖案410和416中的小正方形的數(shù)量的差別而看出。此外，被布 置成最接近于電壓線404的第二指狀圖案420具有最小數(shù)量的第二接觸圖案，而被布置成 離電壓線404最遠的第二指狀圖案426具有最大數(shù)量的第二接觸圖案，這可以在圖4中分 別通過第二指狀圖案420和428中的小正方形的數(shù)量的差別而看出。 有各種方法可以用于隨著至電壓線404的距離變得越短而為第一指狀圖案和第
二指狀圖案提供減小數(shù)量的第一接觸圖案和第二接觸圖案。 一種方法是基于源極和漏極的
對而將第一接觸圖案和第二接觸圖案的數(shù)量減小預(yù)定的數(shù)量。另一種方法是基于若干漏極
和源極的對的組而將第一接觸圖案和第二接觸圖案的數(shù)量減小預(yù)定的數(shù)量。 這樣，通過隨著至電壓線404的距離變得越短而為第一指狀圖案和第二指狀圖案
提供減小數(shù)量的第一接觸圖案和第二接觸圖案，各ESD通路R41和R44可以被設(shè)計成具有
相同的電阻。 如果各ESD通路R41和R44被設(shè)計成具有相同的電阻，則均勻的ESD電流被傳送 通過ESD通路，因此可以防止由于在過多的ESD電流被傳送通過特定指狀圖案時發(fā)生的該 特定指狀圖案的接觸圖案的熔化而導(dǎo)致的多指狀晶體管的故障。 在圖4的第三實施例中，可以通過隨著至電壓線404的距離變得越短而為對應(yīng)于 漏極和源極的指狀圖案提供越小數(shù)量的接觸圖案來以更有效的方式將ESD通路設(shè)計成具 有相同的電阻。 因此，通過為各指狀圖案提供不同數(shù)量的接觸圖案，可以實現(xiàn)均勻的ESD電流被 傳送通過相應(yīng)的ESD通路。由此，沒有過電流被傳送通過特定的指狀圖案。因此，可以防止
9由于特定指狀圖案的熔化而導(dǎo)致的多指狀晶體管的故障，并且改善ESD能力而不顯著增加 布局面積。 在在ESD保護電路中使用的多指狀晶體管中，通過實現(xiàn)經(jīng)由各指狀圖案的均勻的 ESD電流的傳送，可以改善ESD能力并防止特定指狀圖案中的損壞。 雖然已經(jīng)結(jié)合特定實施例對本發(fā)明進行了描述，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說明 顯的是，可以進行各種改變和修改而不脫離在所附權(quán)利要求中限定的本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
一種靜電放電(ESD)保護電路，包括多指狀晶體管，包括平行地交替布置的多個漏極和多個源極，以及布置在漏極和源極之間的多個柵極電極；其中所述漏極經(jīng)由多個第一指狀圖案而電耦合至輸入/輸出墊，所述多個第一指狀圖案與多個第一接觸圖案相耦合；所述源極經(jīng)由包括多個第二指狀圖案的通路而電耦合至特定電壓線，其中所述多個第二指狀圖案耦合至多個第二接觸圖案；以及與漏極相對應(yīng)的所述第一接觸圖案的數(shù)量隨著至電壓線的距離變得越短而逐漸減少。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護電路，其中所述電壓線是接地電壓線。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護電路，其中所述電壓線是電源電壓線。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護電路，其中所述第一接觸圖案的數(shù)量基于漏極 而減少。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護電路，其中所述第一接觸圖案的數(shù)量基于包括 預(yù)定數(shù)量的漏極的漏極組而減少。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的靜電放電保護電路，其中所述第一接觸圖案的數(shù)量被減少相 等的數(shù)量。
7. —種靜電放電(ESD)保護電路，包括多指狀晶體管，包括平行地交替布置的多個漏極和多個源極，以及布置在漏極和源極 之間的多個柵極電極；其中所述漏極經(jīng)由多個第一指狀圖案而電耦合至輸入/輸出墊，所述多個第一指狀圖 案與多個第一接觸圖案耦合；所述源極經(jīng)由包括多個第二指狀圖案的通路而電耦合至特定電壓線，其中所述多個第 二指狀圖案耦合至多個第二接觸圖案；以及所述第二接觸圖案的數(shù)量隨著至電壓線的距離變得越短而逐漸減少。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的靜電放電保護電路，其中所述電壓線是接地電壓線。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的靜電放電保護電路，其中所述電壓線是電源電壓線。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的靜電放電保護電路，其中所述第二接觸圖案的數(shù)量基于源 極而減少。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的靜電放電保護電路，其中所述第二接觸圖案的數(shù)量基于包 括預(yù)定數(shù)量的源極的源極組而減少。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的靜電放電保護電路，其中所述第二接觸圖案的數(shù)量被減少 相等的數(shù)量。
13. —種靜電放電(ESD)保護電路，包括多指狀晶體管，包括平行地交替布置的多個漏極和多個源極，以及布置在漏極和源極 之間的多個柵極電極；其中所述漏極經(jīng)由多個第一指狀圖案而電耦合至輸入/輸出墊，所述多個第一指狀圖 案與多個第一接觸圖案相耦合；所述源極經(jīng)由包括多個第二指狀圖案的通路而電耦合至特定電壓線，其中所述多個第 二指狀圖案耦合至多個第二接觸圖案；以及與相鄰的漏極和源極的對相對應(yīng)的第一接觸圖案和第二接觸圖案的數(shù)量隨著至電壓 線的距離變得越短而逐漸減少。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的靜電放電保護電路，其中所述電壓線是接地電壓線。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的靜電放電保護電路，其中所述電壓線是電源電壓線。
16. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的靜電放電保護電路，其中與相鄰的漏極和源極的對相對應(yīng) 的第一接觸圖案和第二接觸圖案的數(shù)量基于漏極和源極對而減少。
17. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的靜電放電保護電路，其中與漏極和源極的對相對應(yīng)的第一 接觸圖案和第二接觸圖案基于包括預(yù)定數(shù)量的漏極和源極對的漏極_源極組而減少。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的靜電放電保護電路，其中與漏極和源極的對相對應(yīng)的第一 接觸圖案和第二接觸圖案的數(shù)量基于漏極和源極的對而被減少相等的數(shù)量。
19. 一種靜電放電(ESD)保護電路，包括多指狀晶體管，包括平行地交替布置的多個漏極和多個源極，以及布置在漏極和源極 之間的多個柵極電極；其中所述漏極經(jīng)由多個第一指狀圖案而電耦合至輸入/輸出墊，所述多個第一指狀圖 案與多個第一接觸圖案相耦合；所述源極經(jīng)由包括多個第二指狀圖案的通路而電耦合至特定電壓線，其中所述多個第 二指狀圖案耦合至多個第二接觸圖案；以及所述第一接觸圖案的數(shù)量或所述第二接觸圖案的數(shù)量隨著至電壓線的距離變得越短 而逐漸減少。
全文摘要
本發(fā)明提供一種包括多指狀晶體管的靜電放電(ESD)保護電路。該多指狀晶體管包括平行地交替布置的多個漏極和多個源極，以及布置在漏極和源極之間的多個柵極電極。漏極通過多個第一指狀圖案電耦合至輸入/輸出墊，該多個第一指狀圖案與多個第一接觸圖案耦合。源極通過包括多個第二指狀圖案的通路電耦合至特定電壓線，其中多個第二指狀圖案耦合至多個第二接觸圖案。對應(yīng)于漏極的第一接觸圖案的數(shù)量隨著至電壓線的距離變得越短而逐漸減少。
文檔編號H01L23/60GK101752349SQ20091025405
公開日2010年6月23日 申請日期2009年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月15日
發(fā)明者孫姬貞 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司