專(zhuān)利名稱(chēng)：在集成電路器件中形成精細(xì)圖案的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總地涉及集成電路器件的領(lǐng)域，更具體地，涉及制造集成電路器件的方法。
背景技術(shù)：
由于半導(dǎo)體器件變得更加高度集成，所以半導(dǎo)體器件中的特征尺寸及其間的間隔逐漸減小。因此，用于形成器件特征的各種圖案的節(jié)距也按比例地減小。然而，由于用來(lái)形成圖案的傳統(tǒng)光刻工藝的分辨率極限，已經(jīng)逐漸難以在各種基板材料上形成足夠精細(xì)的線(xiàn)條和間隔圖案(后面稱(chēng)作"L/S"圖案)。 使這些半導(dǎo)體器件更加高度集成的一種方法是通過(guò)使用有時(shí)稱(chēng)作自對(duì)準(zhǔn)反轉(zhuǎn)圖案化(self-aligned reverse patterning,SARP)的光刻工藝，以形成相對(duì)精細(xì)的具有比較精細(xì)的節(jié)距的圖案。根據(jù)自對(duì)準(zhǔn)反轉(zhuǎn)圖案化方法，圖案可以形成在特征將要形成在其中的層(特征層)上。共形層(conformal layer)可以形成在圖案上并隨后從特征層和圖案上移除，除了共形層的一部分可以保留在圖案的側(cè)壁上。然后，圖案可以從特征層上移除，使得共形層在側(cè)壁上的部分保留。共形層的保留部分可以限定掩模圖案，該掩模圖案用于將反轉(zhuǎn)圖案蝕刻到特征層中。 例如，在美國(guó)專(zhuān)利No. 6475891、 No. 6723607、 No. 7115525及No. 7253118中也討i侖了使用光刻來(lái)形成在制造半導(dǎo)體器件中使用的圖案。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例提供了通過(guò)單個(gè)光刻工藝來(lái)同時(shí)形成多個(gè)掩模圖案，其中掩模圖案包括具有不同寬度的各掩模圖案元件。 根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，一種制造集成電路器件的方法包括分別在特征層的第一區(qū)域和第二區(qū)域上形成第一掩模結(jié)構(gòu)和第二掩模結(jié)構(gòu)。第一掩模結(jié)構(gòu)和第二掩模結(jié)構(gòu)中的每個(gè)包括雙掩模圖案和在雙掩模圖案上的蝕刻掩模圖案，該蝕刻掩模圖案相對(duì)于雙掩模圖案具有蝕刻選擇性。第一掩模結(jié)構(gòu)和第二掩模結(jié)構(gòu)的蝕刻掩模圖案被各向同性地蝕
刻，以將蝕刻掩模圖案從第一掩模結(jié)構(gòu)移除并保留蝕刻掩模圖案在第二掩模結(jié)構(gòu)上的至少一部分。間隔物(spacer)在第一掩模結(jié)構(gòu)和第二掩模結(jié)構(gòu)的相對(duì)側(cè)壁上形成。采用蝕刻掩模圖案在第二掩模結(jié)構(gòu)上的部分作為掩模，將第一掩模結(jié)構(gòu)從第一區(qū)域中的間隔物之間選擇性地移除，以限定第一區(qū)域中的第一掩模圖案和第二區(qū)域中的第二掩模圖案，第一掩模圖案包括相對(duì)的側(cè)壁間隔物(sidewall spacer)并且空隙(void)在該相對(duì)的側(cè)壁間隔物之間，第二掩模圖案包括相對(duì)的側(cè)壁間隔物并且第二掩模結(jié)構(gòu)在該相對(duì)的側(cè)壁間隔物之間。可以采用第一掩模圖案作為掩模來(lái)圖案化特征層以限定第一區(qū)域上的第一特征，并采用第二掩模圖案作為掩模來(lái)圖案化特征層以限定第二區(qū)域上的第二特征，第二特征具有比第一特征大的寬度。 在一些實(shí)施例中，在各向同性蝕刻之前，第二掩模結(jié)構(gòu)的蝕刻掩模圖案的厚度可以大于第一掩模結(jié)構(gòu)的蝕刻掩模圖案的寬度的一半。
在其它實(shí)施例中，在形成間隔物時(shí)，間隔物掩模層可以形成在第一掩模圖案和第 二掩模圖案上。間隔物掩模層可以相對(duì)于蝕刻掩模圖案和/或雙掩模圖案具有蝕刻選擇 性。間隔物掩模層可以被蝕刻以暴露在其相對(duì)的側(cè)壁之間的第一掩模結(jié)構(gòu)和第二掩模結(jié)構(gòu) 的各表面。通過(guò)采用蝕刻掩模圖案在第二掩模結(jié)構(gòu)上的部分作為掩模來(lái)蝕刻第一掩模結(jié)構(gòu) 和第二掩模結(jié)構(gòu)的暴露表面，以移除第一掩模結(jié)構(gòu)的雙掩模圖案而基本上不移除第二掩模 結(jié)構(gòu)的雙掩模圖案，第一掩模結(jié)構(gòu)可以被選擇性地移除。 根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施例，一種器件包括具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的基板。第一 區(qū)域包括其上的多個(gè)第一特征，第二區(qū)域包括其上的多個(gè)第二特征，該多個(gè)第二特征具有 比第一區(qū)域中的多個(gè)第一特征的寬度更大的各寬度。通過(guò)分別在特征層的第一區(qū)域和第二 區(qū)域上形成第一掩模結(jié)構(gòu)和第二掩模結(jié)構(gòu)，多個(gè)第一特征和多個(gè)第二特征形成在基板的第 一區(qū)域和第二區(qū)域上。第一掩模結(jié)構(gòu)和第二掩模結(jié)構(gòu)中的每個(gè)包括雙掩模圖案和在雙掩模 圖案上的蝕刻掩模圖案，該蝕刻掩模圖案相對(duì)于雙掩模圖案具有蝕刻選擇性。第一掩模結(jié) 構(gòu)和第二掩模結(jié)構(gòu)的蝕刻掩模圖案被各向同性地蝕刻，以從第一掩模結(jié)構(gòu)移除蝕刻掩模圖 案并保留蝕刻掩模圖案在第二掩模結(jié)構(gòu)上的至少一部分。在第一掩模結(jié)構(gòu)和第二掩模結(jié)構(gòu) 的相對(duì)側(cè)壁上形成間隔物，采用蝕刻掩模圖案在第二掩模結(jié)構(gòu)上的部分作為掩模將第一掩 模結(jié)構(gòu)從間隔物之間選擇性地移除。采用間隔物作為掩模來(lái)圖案化特征層以在第一區(qū)域上 限定多個(gè)第一特征，并采用第二掩模結(jié)構(gòu)和在第二掩模結(jié)構(gòu)的相對(duì)側(cè)壁上的間隔物作為掩 模來(lái)圖案化特征層以在第二區(qū)域上限定多個(gè)第二特征。


圖1是示出在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中包括非易失性存儲(chǔ)器件的系統(tǒng)的方框 圖； 圖2是在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中包括兩個(gè)分離區(qū)域(A和B)的半導(dǎo)體基板的 平面圖，其中兩個(gè)分離區(qū)域(A和B)分別具有形成于其上的特征； 圖3a-3h是示出根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的采用自對(duì)準(zhǔn)反轉(zhuǎn)圖案化來(lái)同時(shí)形成 多個(gè)掩模圖案的方法的截面圖； 圖3i是示出在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中在特征層上形成雙掩模層的方法的流 程圖； 圖4是根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的平面圖； 圖5a-5f是示出在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中通過(guò)同時(shí)形成在自對(duì)準(zhǔn)反轉(zhuǎn)圖案
化中使用的多個(gè)掩模圖案而在基板中形成STI區(qū)域的方法的截面圖； 圖6a-6h是示出根據(jù)本發(fā)明的另外的實(shí)施例來(lái)形成STI區(qū)域的方法的截面圖； 圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例形成的NAND閃存器件的平面圖； 圖8a_圖14a是圖7的半導(dǎo)體器件的突出顯示部分的平面圖，示出了采用根據(jù)本
發(fā)明的一些實(shí)施例的自對(duì)準(zhǔn)反轉(zhuǎn)圖案化來(lái)同時(shí)形成多個(gè)掩模圖案的方法； 圖Sb-圖14b是圖7的半導(dǎo)體器件的突出顯示部分的截面圖，示出了采用根據(jù)本 發(fā)明的一些實(shí)施例的自對(duì)準(zhǔn)反轉(zhuǎn)圖案化來(lái)同時(shí)形成多個(gè)掩模圖案的方法； 圖15a-15e是示出在根據(jù)本發(fā)明的進(jìn) 一 步的實(shí)施例中形成用于鑲嵌工藝 (damascene process)的多個(gè)掩模圖案的方法的截面圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例。然而， 本發(fā)明不應(yīng)被解釋為限于這里闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例是為了使本公開(kāi)透徹 和完整，并將本發(fā)明的范圍充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清晰起見(jiàn)，層和區(qū) 域的厚度可以被夸大。相同的附圖標(biāo)記通篇指代相同的元件。如這里所使用的，術(shù)語(yǔ)"和/
或"包括一個(gè)或者多個(gè)所列相關(guān)項(xiàng)目的任何及所有組合，并可以被簡(jiǎn)寫(xiě)為'7"。 這里采用的術(shù)語(yǔ)僅為了描述特定的實(shí)施例，并非要限制本發(fā)明。正如這里所使用 的，除非上下文另有明確表述，否則單數(shù)形式"一 (a、an)"和"該(the)"均同時(shí)旨在包括復(fù) 數(shù)形式。還應(yīng)當(dāng)理解，術(shù)語(yǔ)"包括(comprises)，，、"包括(comprising)，，、"具有(have)'，、"具 有(having)"、"包括(includes)"和/或"包括(including)"，當(dāng)在本說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)，指 定了所述特征、區(qū)域、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除一個(gè)或者多個(gè)其它特 征、區(qū)域、步驟、操作、元件、部件和/或其組合的存在或增加。 應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)諸如層或區(qū)域的元件被稱(chēng)為"在"另一元件(或其變化)"上"或延伸 "到"另一元件(或其變化)"上"時(shí)，它可以直接在另一元件上或直接延伸到另一元件上， 或者還可以存在插入的元件。相反，當(dāng)稱(chēng)一元件"直接在"另一元件(或其變化)"上"或 "直接"延伸"到"另一元件(或其變化)"上"時(shí)，不存在插入的元件或?qū)?。還應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng) 稱(chēng)一元件"連接到"或者"耦接到"另一元件(或其變化)時(shí)，它可以直接連接到或者直接 耦接到另一元件，或者可以存在插入的元件。相反，當(dāng)稱(chēng)一元件"直接連接到"或者"直接耦 接到"另一元件(或其變化)時(shí)，不存在插入的元件。 應(yīng)當(dāng)理解，盡管術(shù)語(yǔ)第一、第二等可以在此用于描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/ 部分，但是這些元件、材料、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受限于這些術(shù)語(yǔ)。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一 個(gè)元件、材料、區(qū)域、層或者部分與另一個(gè)元件、材料、區(qū)域、層或者部分區(qū)別開(kāi)。因此，下面 討論的第一元件、材料、區(qū)域、層或部分可以被稱(chēng)為第二元件、材料、區(qū)域、層或部分，而不脫 離本發(fā)明的教導(dǎo)。 相對(duì)術(shù)語(yǔ)，例如"下面"、"背面"和"上面"在此可以用于描述如附圖所示的一個(gè)元 件相對(duì)于另一個(gè)元件的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解，除了附圖中所示的取向之外，相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在涵蓋器 件的不同取向。例如，如果圖1中的結(jié)構(gòu)被翻轉(zhuǎn)，則被描述為在基板的"背面"的元件會(huì)取 向?yàn)樵诨宓?上"表面上。因此，取決于于附圖中的特定取向，示范性術(shù)語(yǔ)"上"就能夠包 含之上和之下兩種取向。類(lèi)似地，如果附圖中的結(jié)構(gòu)被翻轉(zhuǎn)，則被描述為"在"其它元件"之 下"或者"下方"的元件會(huì)取向?yàn)?在"其它元件"之上"。因此，示范性術(shù)語(yǔ)"在...之下" 或"在...下方"就能夠包含之上和之下兩種取向。 這里，參照截面圖和透視圖來(lái)描述本發(fā)明的實(shí)施例，這些附圖為本發(fā)明理想化實(shí)
施例的示意圖。因而，例如，由制造技術(shù)和/或公差引起的視圖形狀的變化是可能發(fā)生的。
因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)解釋為局限于在此所示區(qū)域的特定形狀，而是包括由例如制造
引起的形狀偏差在內(nèi)。例如，典型地，圖示或描述為平坦的區(qū)域可以具有粗糙和/或非線(xiàn)性
的特征。此外，典型地，所示出的銳角可以為圓形。因此，附圖中所示區(qū)域本質(zhì)上是示意性
的，它們的形狀并非要展示器件區(qū)的精確形狀，也并非要限制本發(fā)明的范圍。 除非另有定義，此處使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))都具有本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所通常理解的相同的含義。還應(yīng)當(dāng)理解，諸如通用詞典中所定 義的術(shù)語(yǔ)，除非此處加以明確定義，否則應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域的語(yǔ)境中的 含義相一致的含義，而不應(yīng)被解釋為理想化或者過(guò)度形式化的意義。 本發(fā)明的實(shí)施例可以源自這樣的認(rèn)識(shí)用于形成低密度圖案(具有相對(duì)較大的寬 度)的掩模可以通常在用于形成高密度圖案(具有相對(duì)較小的寬度)的掩模之后形成，這 會(huì)導(dǎo)致低密度圖案與高密度圖案之間不能對(duì)準(zhǔn)。從而，如這里在下面更詳細(xì)描述的，根據(jù)本 發(fā)明的實(shí)施例能夠提供采用自對(duì)準(zhǔn)反轉(zhuǎn)圖案化同時(shí)形成多個(gè)掩模圖案。該掩模圖案可以包 括具有不同寬度的各掩模圖案元件。例如，在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中，具有不同寬度和 /或其間具有不同間隔的元件可以同時(shí)形成在特征層上，隨后采用其中具有不同尺寸/間 隔的元件的圖案來(lái)使該特征層被蝕刻。因此，通過(guò)由同一光刻工藝來(lái)同時(shí)形成具有不同尺 寸的元件的掩模圖案，本發(fā)明的實(shí)施例可以有助于在制造半導(dǎo)體器件的過(guò)程中減少對(duì)準(zhǔn)的 問(wèn)題。 此外，在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中，一個(gè)掩模圖案可以通過(guò)在器件的一個(gè)區(qū)域 中移除具有形成在其上的側(cè)壁間隔物的結(jié)構(gòu)來(lái)形成，而器件的第二區(qū)域包括保留在側(cè)壁間 隔物之間的結(jié)構(gòu)。因此，保留芯片的第二區(qū)域中的結(jié)構(gòu)而移除第一區(qū)域中結(jié)構(gòu)能夠有助于 提供具有不同尺寸的元件。具體地，在上述的第一區(qū)域中，在相應(yīng)掩模中的元件可以限定為 側(cè)壁間隔物本身，一旦結(jié)構(gòu)被移除，該側(cè)壁間隔物將保留。此外，芯片的第二區(qū)域中的元件 可以包括側(cè)壁間隔物及保留在其間的結(jié)構(gòu)。因此，包括在芯片的不同區(qū)域的不同圖案中的 不同元件可以具有不同的尺寸。 圖1是示出包括非易失性存儲(chǔ)器30的系統(tǒng)100的高級(jí)別(high level)方框圖， 非易失性存儲(chǔ)器30包括解碼器電路34，解碼器電路34驅(qū)動(dòng)耦接到單元陣列32的字線(xiàn) WL0-WLn。非易失性存儲(chǔ)器30的單元陣列32可以包括多個(gè)存儲(chǔ)單元。單元陣列32還經(jīng)由 位線(xiàn)BLO-BLm耦接到頁(yè)緩沖器(page buffer) 36。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)數(shù)據(jù)經(jīng)由位線(xiàn)BL0-BLm提供 到頁(yè)緩沖器36時(shí)，解碼器34可以用于確定選定的存儲(chǔ)單元在陣列32內(nèi)的地址。
此外，解碼器34可以控制位線(xiàn)選擇電路38，位線(xiàn)選擇電路38可以經(jīng)由控制線(xiàn)Yi 選擇由頁(yè)緩沖器36提供的數(shù)據(jù)。來(lái)自位線(xiàn)選擇電路38的選擇數(shù)據(jù)可以通過(guò)數(shù)據(jù)緩沖器42 提供，數(shù)據(jù)緩沖器42在控制單元44的控制下運(yùn)行，控制單元44也由解碼器34管理。
非易失性存儲(chǔ)器30可以由存儲(chǔ)控制器電路20控制，存儲(chǔ)控制器電路20包括輔助 控制電路，該輔助控制電路構(gòu)造為操作非易失性存儲(chǔ)器30以對(duì)其執(zhí)行讀和寫(xiě)循環(huán)。具體 地，當(dāng)來(lái)自存儲(chǔ)控制器20的地址輸入到解碼器34時(shí)，解碼器34可以產(chǎn)生選擇信號(hào)Yi以選 擇字線(xiàn)WLO-WLn中的一個(gè)或者位線(xiàn)BLO-BLm中的一個(gè)。存儲(chǔ)控制器電路20還可以包括緩 沖存儲(chǔ)器22，緩沖存儲(chǔ)器22可以用于臨時(shí)存儲(chǔ)要寫(xiě)入到非易失性存儲(chǔ)器30的數(shù)據(jù)并臨時(shí) 存儲(chǔ)從非易失性存儲(chǔ)器30讀取的數(shù)據(jù)。 主機(jī)系統(tǒng)10耦接到存儲(chǔ)控制器20并可以提供對(duì)存儲(chǔ)控制器電路20上高級(jí)別的 控制以執(zhí)行對(duì)非易失性存儲(chǔ)器30的讀/寫(xiě)操作。具體地，來(lái)自主機(jī)系統(tǒng)10的數(shù)據(jù)和寫(xiě)命 令可以輸入到存儲(chǔ)控制器20。存儲(chǔ)控制器20可以控制非易失性存儲(chǔ)器30以根據(jù)輸入命令 將數(shù)據(jù)寫(xiě)入單元陣列32，和/或控制非易失性存儲(chǔ)器30以根據(jù)來(lái)自主機(jī)10的讀命令將數(shù) 據(jù)從單元陣列32讀出。在主機(jī)10和閃存存儲(chǔ)器30之間傳輸?shù)臄?shù)據(jù)可以臨時(shí)存儲(chǔ)在緩沖 存儲(chǔ)器22中。應(yīng)當(dāng)理解，這里描述的本發(fā)明的實(shí)施例可以用于提供圖1中示出的任意電路以及未示出的電路。 圖2是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的包括兩個(gè)分離區(qū)域(A和B)的半導(dǎo)體器件的平 面圖，其中兩個(gè)分離區(qū)域(A和B)分別具有形成于其上的特征。具體地，半導(dǎo)體器件200的 區(qū)域A包括兩個(gè)特征或圖案210。每個(gè)特征210具有寬度Wl，并且特征210分隔開(kāi)距離Dl 。 此外，半導(dǎo)體器件200的分離區(qū)域B包括具有寬度W2的特征或圖案220，寬度W2不同于區(qū) 域A中的特征210的寬度。 在一些實(shí)施例中，區(qū)域A可以表示例如器件的包括相對(duì)較小的特征或圖案的單元 陣列區(qū)域。相反地，區(qū)域B可以表示例如單元陣列區(qū)域的外圍核心或者其它部分，具有比包 括于區(qū)域A中的特征或圖案相對(duì)較大的特征或圖案。具體地，與區(qū)域B中具有寬度W2的特 征220相比，區(qū)域A中具有寬度Wl的特征210可以相對(duì)較小。此外，在根據(jù)本發(fā)明的一些 實(shí)施例中，區(qū)域A中的特征210之間的間隔D1可以與這些特征的寬度相同；或者，特征210 之間的間隔Dl可以比寬度Wl小或者比寬度Wl大。區(qū)域A中的特征210可以是有源圖案 或者諸如導(dǎo)線(xiàn)的導(dǎo)電圖案。區(qū)域B中的特征220可以是有源圖案或者導(dǎo)電圖案，并且在一 些實(shí)施例中可以是對(duì)準(zhǔn)鍵(alignment key)。還應(yīng)注意，不同區(qū)域中的特征210和220可以 彼此電連接，或者可以彼此不電連接。 圖3a-3h是示出根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的采用自對(duì)準(zhǔn)反轉(zhuǎn)圖案化來(lái)同時(shí)形成 多個(gè)掩模圖案的方法的截面圖。具體地，初始結(jié)構(gòu)340A和340B(這里整體稱(chēng)作340)形成 在下層上，下層可以包括形成在雙掩模層320上的蝕刻掩模層330，雙掩模層320又形成在 特征層310上，在器件200的區(qū)域A和B中的所有層可以由基板300支撐。
應(yīng)當(dāng)理解，根據(jù)要形成的半導(dǎo)體器件的具體類(lèi)型，圖3a中出的層可以由不同的材 料形成。例如，如果圖3a中示出的初始結(jié)構(gòu)340被用于最終形成諸如柵極電極的導(dǎo)電結(jié) 構(gòu)，則特征層310可以是諸如TaN、 TiN、 W、 WN、 H預(yù)、WSix及其組合的材料。或者，如果要形 成在層310中的特征是位線(xiàn)，則特征層310可以由摻雜的多晶硅、諸如鎢或鋁的金屬或者金 屬合金形成。進(jìn)一步可選地，在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中，當(dāng)在基板300中限定有源區(qū)域 (active region)或者精細(xì)圖案時(shí)，特征層300可以被去除，初始結(jié)構(gòu)可以至少在初始時(shí)使 用以限定基板300中的溝槽。如圖3a所示，形成在區(qū)域A和B中的初始結(jié)構(gòu)340分別形成 為不同的寬度WD1和WD3，其中WD1小于W3， W3又小于形成在區(qū)域B中的特征220的寬度 W2。 仍參照?qǐng)D3a，蝕刻掩模層330可以由相對(duì)于雙掩模層320具有蝕刻選擇性的材料 形成。例如，在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中，蝕刻掩模層330可以由SiON、S叫、SiA、SiCN、 多晶硅、金屬或有機(jī)材料形成。此外，在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中，初始結(jié)構(gòu)340A和340B 可以采用光刻工藝在同一步驟中形成。 如以上簡(jiǎn)要描述的，雙掩模層320相對(duì)于蝕刻掩模層330具有蝕刻選擇性。此外， 雙掩模層320可以由含硅的材料形成，例如Si02、SisN4、SiCN和/多晶硅。在根據(jù)本發(fā)明的 另一些實(shí)施例中，雙掩模層320可以由無(wú)定形碳層、含碳層或含碳材料形成。雙掩模層320 可以通過(guò)旋涂或CVD工藝而施加到特征層310。雙掩模層320的形成在區(qū)域A中的部分可 以用作犧牲層，該犧牲層用于形成具有多重圖案的多個(gè)蝕刻掩模圖案。雙掩模層的形成在 區(qū)域B中的部分可以是用于形成最終圖案的蝕刻掩模的一部分。 在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中，當(dāng)雙掩模層320由含碳材料形成時(shí)，雙掩模層320可以由包括芳香環(huán)的碳?xì)浠衔锘蛘甙ㄆ溲苌锏挠袡C(jī)化合物形成。例如，在根據(jù)本 發(fā)明的一些實(shí)施例中，雙掩模層320可以包括具有芳香環(huán)的有機(jī)化合物例如聯(lián)苯(phenyl benzene)或萘。在根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，雙掩模層320可以是基于有機(jī)化合物的 總重而具有相對(duì)較高的碳水平(例如，重量百分比為約85%到約99% )的層。
圖3i是示出在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中在特征層310上形成雙掩模層320的 方法的流程圖。根據(jù)圖3i，有機(jī)化合物旋涂到特征層310(其將在隨后的工藝中被蝕刻)上 至約1000埃(A )到約1500 A的厚度(方框301)。然后，特征層310上的有機(jī)化合物在約 15(TC到約350°C的溫度烘烤約60秒以形成雙掩模層320 (方框302)。然后在約30(TC到約 550°C的溫度對(duì)雙掩模層320進(jìn)行約30到約300秒的第二次烘烤以硬化雙掩模層320 (方框 303)。第二次烘烤工藝可以有助于減少在制造半導(dǎo)體器件的隨后步驟中當(dāng)例如超過(guò)400°C 的溫度施加到器件上時(shí)可能引起的對(duì)雙掩模層320的不利影響。 現(xiàn)在參照?qǐng)D3b，在形成圖3a中的初始結(jié)構(gòu)340之后，初始結(jié)構(gòu)340被用于蝕刻下 面的蝕刻掩模層330，以暴露雙掩模層320的一部分。如圖3b所示，在初始結(jié)構(gòu)340下面的 蝕刻掩模層的保留部分330A和330B與初始結(jié)構(gòu)340的輪廓共形，因此分別具有大致相同 的寬度WD1和W3。在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中，初始結(jié)構(gòu)340的厚度可以在蝕刻掩模層 330的蝕刻期間減小。 如圖3c所示，采用蝕刻掩模層的保留部分330A和330B作為掩模來(lái)蝕刻雙掩模層 320。進(jìn)行對(duì)雙掩模層320的蝕刻以暴露下面的特征層310并限定來(lái)自雙掩模層320的結(jié) 構(gòu)掩模圖案320A和320B。在蝕刻雙掩模層320期間，初始結(jié)構(gòu)340可以被完全或者部分地 移除。此外，在蝕刻雙掩模層320之后，蝕刻掩模圖案330B的厚度TBI大于蝕刻掩模圖案 330A的寬度WD1的一半，也就是，TBI > (WD1)/2。結(jié)構(gòu)掩模圖案320A可以用作用于形成 區(qū)域A中的精細(xì)特征或圖案的犧牲層，而結(jié)構(gòu)掩模圖案320B可以用作蝕刻掩模以在區(qū)域B 中形成具有相對(duì)較大的寬度的特征或者圖案。在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)掩模圖 案320A和320B以及形成于其上的蝕刻掩模圖案330A和330B限定了區(qū)域A和B中的第一 掩模結(jié)構(gòu)和第二掩模結(jié)構(gòu)，該第一掩模結(jié)構(gòu)和第二掩模結(jié)構(gòu)可以由于它們不同的寬度而以 不同的速率蝕刻。 更具體地，如圖3d所示，采用各向同性蝕刻工藝，區(qū)域A中的蝕刻掩模圖案330A 被完全移除?？梢赃M(jìn)行對(duì)蝕刻掩模圖案330A和330B的各向同性蝕刻工藝以提供對(duì)于其它 暴露的層而言相對(duì)較高的蝕刻選擇性。濕法蝕刻或者干法蝕刻可以用于各向同性蝕刻工 藝。例如，如果蝕刻掩模層330A和330B由Si02或者SiON形成，則HF溶液可以用于選擇 性地各向同性蝕刻蝕刻掩模層330A和330B。 然而，由于區(qū)域A中的第一掩模結(jié)構(gòu)比區(qū)域B中的第二掩模結(jié)構(gòu)窄，所以蝕刻掩模 圖案330A可以以比蝕刻掩模圖案330B更快的速率蝕刻。因此，蝕刻掩模圖案330A可以被 移除，而并不完全移除蝕刻掩模圖案330B。具體地，各向同性蝕刻工藝可以從蝕刻掩模圖案 330A的每側(cè)移除量R，從而蝕刻掩模圖案330A可以從結(jié)構(gòu)掩模圖案320A完全地移除。各 向同性蝕刻工藝可以類(lèi)似地從蝕刻掩模圖案330B的上部及每側(cè)移除量R，從而部分蝕刻掩 模圖案330C保留在結(jié)構(gòu)掩模圖案320B上。因此，保留的蝕刻掩模圖案330C具有厚度TB2， 厚度TB2小于蝕刻掩模圖案330B的厚度TB1。 如圖3e所示，間隔物掩模層350共形地沉積在結(jié)構(gòu)掩模圖案320A和320B上，包括沉積在保留的蝕刻掩模圖案330C上。因此，間隔物層350可以直接接觸結(jié)構(gòu)掩模圖案 320A的上部。在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中，間隔物層350的厚度可以大致等于圖2中示 出的特征210的寬度Wl。在根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，間隔物層350的厚度大于或者 小于特征210的寬度Wl。間隔物掩模層350可以相對(duì)于保留的蝕刻掩模圖案330C、結(jié)構(gòu)掩 模圖案320A和320B和/或特征層310具有不同的蝕刻選擇性。 根據(jù)圖3f，間隔物層350的一部分從特征層310以及結(jié)構(gòu)掩模圖案320A和320B 移除。具體地，在一些實(shí)施例中，間隔物層350可以被回蝕(etchback)，以暴露第一掩模結(jié) 構(gòu)(包括結(jié)構(gòu)掩模圖案320A)和第二掩模結(jié)構(gòu)(包括保留的蝕刻掩模圖案330C)的表面。 例如，在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中，施加到間隔物層350的回蝕工藝可以采用CxFy的主蝕 刻氣體來(lái)進(jìn)行，其中x和y是1到10之間的整數(shù)。在另一些實(shí)施例中，主蝕刻氣體可以是 CH,Fy，其中x禾P y是1至IJ 10之間的整數(shù)。此外，在一些實(shí)施例中，02和/或Ar可以被添加 到主蝕刻氣體。 然而，如圖3f所示，間隔物層的一部分保留在結(jié)構(gòu)掩模圖案320A和320B上(更 具體地，保留在其側(cè)壁上)，以分別在結(jié)構(gòu)掩模圖案320A和320B上提供相對(duì)的側(cè)壁間隔物 350A和350B。間隔物350A可以用作蝕刻掩模以在區(qū)域A中形成相對(duì)較精細(xì)的特征，而間 隔物350B可以用作部分蝕刻掩模以在區(qū)域B中形成相對(duì)較寬的特征(例如，具有比區(qū)域A 中的特征的寬度大的寬度)。如圖3f中進(jìn)一步示出的，結(jié)構(gòu)掩模圖案320B上的相對(duì)的側(cè)壁 間隔物350B完全覆蓋結(jié)構(gòu)掩模圖案320B的側(cè)壁，并延伸到結(jié)構(gòu)掩模圖案320B之上以限定 與保留的蝕刻掩模圖案330C的側(cè)壁接觸的間隔物350C。 在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中，在間隔物層350的回蝕期間，聚合物副產(chǎn)物可以 被產(chǎn)生并沉積在結(jié)構(gòu)掩模圖案320A、蝕刻掩模圖案330C以及在相對(duì)的側(cè)壁間隔物350A和 350B上。然而，根據(jù)與回蝕工藝相關(guān)的條件，該聚合物副產(chǎn)物層可以被減少甚至消除。例 如，聚合物副產(chǎn)物層會(huì)受到包括在主蝕刻氣體中的02的量影響，或者受到回蝕工藝期間所 施加的溫度影響。具體地，聚合物副產(chǎn)物層可以通過(guò)降低02的量或者降低工藝溫度而減少 或者甚至消除。 現(xiàn)在參照?qǐng)D3g，結(jié)構(gòu)掩模圖案320A從間隔物350A之間選擇性地移除。例如，被 側(cè)壁間隔物350A和350B暴露的第一掩模結(jié)構(gòu)(包括結(jié)構(gòu)掩模圖案320A)和第二掩模結(jié)構(gòu) (包括保留的蝕刻掩模圖案330C和結(jié)構(gòu)掩模圖案320B)的表面可以采用選擇蝕刻工藝蝕 刻，使得自對(duì)準(zhǔn)反轉(zhuǎn)掩模圖案320A的一部分從相對(duì)的側(cè)壁350A之間移除，從而暴露出下面 的特征層310的一部分。然而，盡管移除了結(jié)構(gòu)掩模圖案320A，但是區(qū)域B中的結(jié)構(gòu)掩模圖 案320B可以保留(在厚度上沒(méi)有明顯的損失)。具體地，保留的蝕刻掩模圖案330C以及相 對(duì)的側(cè)壁間隔物350B和350C保護(hù)下面的結(jié)構(gòu)320B不受用于移除結(jié)構(gòu)掩模圖案320A的工 藝的影響。在一些實(shí)施例中，即使沒(méi)有形成間隔物350C，結(jié)構(gòu)掩模圖案320B也不會(huì)被實(shí)質(zhì) 性地移除，從而可以提供足夠的厚度以在隨后的工藝中用作蝕刻下面的特征層310的蝕刻 掩模。 因此，多個(gè)自對(duì)準(zhǔn)反轉(zhuǎn)掩模圖案同時(shí)形成在區(qū)域A和區(qū)域B中，其中各掩模圖案元 件中的一些比另一些窄。更具體地，如圖3g所示，相對(duì)的側(cè)壁間隔物350A限定自對(duì)準(zhǔn)反轉(zhuǎn) 掩模圖案中較窄的一部分，其具有比由相對(duì)的側(cè)壁間隔物350B和350C、隔開(kāi)相對(duì)的側(cè)壁間 隔物350B的結(jié)構(gòu)掩模圖案320B以及在其上的保留的蝕刻掩模圖案330C限定的自對(duì)準(zhǔn)反轉(zhuǎn)掩模圖案的寬度小的各寬度。 從而，如圖3h所示，在區(qū)域A中形成的反轉(zhuǎn)掩模圖案(例如，間隔物350A)和在區(qū) 域B中形成的自對(duì)準(zhǔn)反轉(zhuǎn)掩模圖案(例如，間隔物350B和350C、結(jié)構(gòu)掩模圖案320B以及保 留的蝕刻掩模圖案330C)被用作蝕刻下面的特征層310的掩模，以限定區(qū)域A中的特征或 圖案310A以及區(qū)域B中的寬度不同的特征或圖案310B。如上所述，這些特征可以是在半導(dǎo) 體器件中使用的任何部件，諸如在柵極中的導(dǎo)電部件等。例如，特征310A和310B可以分別 對(duì)應(yīng)于圖2中示出的特征210和220。 圖4是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件400的平面圖，其中區(qū)域A中所示 的元件410具有寬度W5并分隔開(kāi)間隔D5，區(qū)域B中的元件420具有寬度怖。在一些實(shí)施例 中，區(qū)域A可以例如表示器件的單元陣列區(qū)域，其包括相對(duì)較小的特征或圖案。相反地，區(qū) 域B可以例如表示單元陣列區(qū)域的外圍核心或者其它部分，其具有與包括在區(qū)域A中的特 征或圖案相比相對(duì)較大的特征或圖案。具體地，與區(qū)域B中示出的具有寬度怖的特征420 相比，區(qū)域A中具有寬度W5的特征410可以相對(duì)較小。此外，在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例 中，區(qū)域A中的特征410之間的間隔D5可以與這些特征的寬度W5相同，或者特征410之間 的間隔D5可以小于寬度W5或者大于寬度W5。區(qū)域A中的特征410可以是有源圖案或者諸 如導(dǎo)線(xiàn)的導(dǎo)電圖案。區(qū)域B中的特征420可以是有源圖案或者導(dǎo)電圖案。還應(yīng)注意，不同 區(qū)域中的特征410和420可以彼此電連接或者彼此不電連接。 圖5a-5f是示出在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中通過(guò)同時(shí)形成在自對(duì)準(zhǔn)反轉(zhuǎn)圖案 化中使用的多個(gè)掩模圖案來(lái)在基板中形成STI區(qū)域的方法的截面圖。根據(jù)圖5a，初始圖案 340'(包括元件340A'和340B')形成在蝕刻掩模層330'上，蝕刻掩模層330'形成在雙掩 模層320'上，雙掩模層320'形成在緩沖掩模層510上，緩沖掩模層510形成在第二硬掩模 層506上，第二硬掩模層506在第一硬掩模層504上，第一硬掩模層504在襯墊氧化層(pad oxide layer) 502上，所有的層都位于基板500上。掩模圖案元件340A'可以具有寬度WD2， 而掩模圖案元件340B'可以具有寬度W7，寬度W7大于WD2但小于圖4中的特征420的寬度 怖。相鄰掩模圖案元件340A'之間的節(jié)距可以為2P。 應(yīng)當(dāng)理解，硬掩模層504和/或506可以是僅包括一種材料的單層，或者可以是包 括兩個(gè)或者多個(gè)材料層的多層結(jié)構(gòu)。硬掩模層504和506還可以具有不同的蝕刻選擇性。 在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中，緩沖掩模層510可以相對(duì)于硬掩模層506具有蝕刻選擇性。 然而，在其他實(shí)施例中，緩沖掩模層510可以被省略。 如圖5b所示，掩模圖案(包括區(qū)域A中的掩模元件350A'和區(qū)域B中的掩模元件 320B'、330C'、350B'和350C')形成在緩沖掩模層510上。具體地，區(qū)域A和B中的掩模圖 案的元件如以上參照?qǐng)D3a-3h所述地形成。包括間隔物350B'和350C'以及結(jié)構(gòu)320B'和 其上的蝕刻掩模層330C'的掩模圖案形成在區(qū)域B中以具有整體寬度W6，寬度怖大于區(qū)域 A中形成的側(cè)壁間隔物350A'的寬度W5。 根據(jù)圖5c，區(qū)域A和B中的掩模圖案的元件被用作蝕刻掩模，以分別在區(qū)域A和B 中形成元件510A和510B。具體地，采用區(qū)域A中的間隔物350A'以及區(qū)域B中的間隔物 350B'和350C'、結(jié)構(gòu)320B'和保留的蝕刻掩模層330C'作為掩模來(lái)圖案化緩沖掩模層510 以限定緩沖掩模圖案510A和510B。形成在區(qū)域A中的緩沖掩模圖案510A的寬度是W5，形 成在區(qū)域B中的緩沖掩模圖案510B的寬度是W6，怖比W5更寬。
如圖5d所示，元件510A和510B被用于蝕刻硬掩模層506和504，以在區(qū)域A中 提供包括層506A和504A的硬掩模圖案并在區(qū)域B中提供包括層506B和504B的硬掩模圖 案，在硬掩模圖案的下方襯墊氧化層502的一部分被暴露。 根據(jù)圖5e，硬掩模圖案506A/504A和506B/504B用作蝕刻掩模以蝕刻穿過(guò)襯墊氧 化層502的暴露部分并進(jìn)入基板500，從而形成區(qū)域A中的隔離溝槽570A和區(qū)域B中的隔 離溝槽570B。 如圖5f所示，絕緣材料形成在溝槽570A和570B中以分別在區(qū)域A和B中形成 STI區(qū)域572A和572B。此外，有源區(qū)域574A和574B限定在緊鄰的隔離區(qū)域572A和572B 之間，有源區(qū)域574A和574B中的每個(gè)可以分別具有寬度W5和怖。有源區(qū)域574A和574B 可以分別對(duì)應(yīng)于圖4的特征/圖案410和420。此夕卜，圖5f示出了相鄰有源區(qū)域之間的節(jié) 距可以是P。 圖6a-6h是示出根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例的形成STI區(qū)域的方法的截面圖。根 據(jù)圖6a，初始圖案340"(包括元件340A"和340B")形成在蝕刻掩模層330"上，蝕刻掩模層 330"形成在雙掩模層320"上，雙掩模層320"形成在緩沖掩模層510'上，緩沖掩模層510' 形成在第二硬掩模層506'上，第二硬掩模層506'形成在第一硬掩模層504'上，第一硬掩 模層504'形成在襯墊氧化層502'上，所有的層都位于基板500'上。掩模圖案元件340A" 可以具有寬度WD2。相鄰掩模圖案元件340A"之間的節(jié)距可以是2P。 應(yīng)當(dāng)理解，硬掩模層504'和/或506'可以是僅包括一種材料的單層，或者可以是 包括兩個(gè)或者多個(gè)材料層的多層結(jié)構(gòu)。硬掩模層504'和506'還可以具有不同的蝕刻選擇 性。在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中，緩沖硬掩模層510'可以相對(duì)于硬掩模層506'具有蝕 刻選擇性。然而，在其他的實(shí)施例中，可以省略緩沖掩模層510'。 如圖6b所示，掩模圖案(包括區(qū)域A中的掩模元件350A"和區(qū)域B中的掩模元 件320B"、330C"、350B"和350C")形成在緩沖掩模層510'上。具體地，區(qū)域A和B中的掩 模圖案的元件可以參照?qǐng)D3a-3h如上所述地形成。包括相對(duì)的側(cè)壁間隔物350B"以及結(jié)構(gòu) 320B"和其上的蝕刻掩模層330C"的掩模圖案形成在區(qū)域B中以具有整體寬度，該整體寬度 大于區(qū)域A中形成的間隔物350A"的寬度W5。 根據(jù)圖6c，區(qū)域A和B中的掩模圖案的元件被用作蝕刻掩模，以分別在區(qū)域A和B 中形成元件510A'和510B'。具體地，采用間隔物350A"(區(qū)域A中)以及間隔物350B"和 350C"、結(jié)構(gòu)320B"和保留的蝕刻掩模層330C"(區(qū)域B中)作為掩模來(lái)圖案化緩沖掩模層 510'，以限定緩沖掩模圖案510A'和510B'。 如圖6d所示，元件510A'和510B'用于蝕刻硬掩模層506'和504'，以在區(qū)域A中 提供包括層506A'和504A'的硬掩模圖案并在區(qū)域B中提供包括層506B'和504B'的硬掩 模圖案，在硬掩模圖案的下方，部分襯墊氧化層502'被暴露。 根據(jù)圖6e，寬的溝槽掩模圖案620形成在區(qū)域A中的硬掩模圖案 506A' /504A' /510A，和區(qū)域B中的硬掩模圖案506B' /504B' /510B，上。溝槽掩模圖案620 包括開(kāi)口 ，在該開(kāi)口中暴露出緩沖掩模圖案510B'的表面。 如圖6f所示，溝槽掩模圖案620用作蝕刻掩模以蝕刻穿過(guò)緩沖掩模圖案510B'的 暴露表面、硬掩模圖案的層506B'和540B'、襯墊氧化層502'并進(jìn)入基板500"，從而在區(qū)域 B中形成初始隔離溝槽(precursor isolationtrench) 670B。初始隔離溝槽670B延伸進(jìn)入基板500'至深度D1。 根據(jù)圖6g，在區(qū)域B中形成初始隔離溝槽670B之后，溝槽掩模圖案620被從區(qū)域 A和B移除。如圖6h所示，硬掩模圖案506A' /504A'和506B' /504B'用作蝕刻掩模以蝕刻 穿過(guò)襯墊氧化層502'的暴露部分并進(jìn)入基板500'，從而限定區(qū)域A中的隔離溝槽670A和 區(qū)域B中的隔離溝槽670C并增大區(qū)域B中的溝槽670B的深度。有源區(qū)域674A和674B分 別限定在緊鄰的溝槽670A和670B之間。區(qū)域B中的溝槽670B的深度D3大于區(qū)域A中的 溝槽670A的深度D2。然而，在區(qū)域B中，各種圖案可以通過(guò)各種距離彼此間隔開(kāi)，并且可以 形成各種深度的溝槽。因此，如圖6h所示，區(qū)域B中的溝槽670C的深度小于區(qū)域B中的溝 槽670B的深度D3。與以上參照?qǐng)D5f所討論的相類(lèi)似，STI區(qū)域(未示出)可以通過(guò)在溝 槽670A、670B和/或670C中沉積絕緣材料來(lái)形成。 圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例形成的NAND閃存器件的平面圖。此外，在 根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中，突出顯示的部分7500包括在隨后附圖中示出的各種截面圖。 仍參照?qǐng)D7， NAND器件700包括單元陣列區(qū)域700A，單元陣列區(qū)域700A包括NAND閃存型 單元。區(qū)域700B對(duì)應(yīng)于NAND閃存器件的接觸區(qū)域。區(qū)域700C對(duì)應(yīng)于閃存器件的外圍區(qū) 域。此外，區(qū)域740對(duì)應(yīng)于單元塊區(qū)域，其中元件701-732對(duì)應(yīng)于諸如字線(xiàn)的多條導(dǎo)線(xiàn)。然 而，在一些實(shí)施例中，多條導(dǎo)線(xiàn)701-732可以是位線(xiàn)，并且串選擇線(xiàn)(stringselect line) SSL和/或接地選擇線(xiàn)(ground select line)GSL可以被省略。在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施 例中，區(qū)域750對(duì)應(yīng)于虛設(shè)導(dǎo)線(xiàn)(dummy conductiveline)，諸如字線(xiàn)、位線(xiàn)或金屬線(xiàn)。在根 據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中，元件772對(duì)應(yīng)于用于外圍電路的導(dǎo)電圖案。在根據(jù)本發(fā)明的一 些實(shí)施例中，區(qū)域700B用于將導(dǎo)線(xiàn)701-732連接到諸如解碼器的外部電路。
圖8a-14b是圖7的半導(dǎo)體器件700的突出顯示部分7500的交替的平面圖和截面 圖，示出了采用根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的自對(duì)準(zhǔn)反轉(zhuǎn)圖案化來(lái)同時(shí)形成多個(gè)掩模圖案的 方法。如圖8a-8b所示，元件800對(duì)應(yīng)于其上可以形成閃存存儲(chǔ)器件的基板，元件830對(duì)應(yīng) 于可由材料TaN、 TiN、 W、 N、 H預(yù)、WSix和/或它們的組合形成的導(dǎo)線(xiàn)。在一些實(shí)施例中，元 件830可以是位線(xiàn)，并可以由多晶硅、金屬和/或金屬合金形成。元件832對(duì)應(yīng)于硬掩模層， 該硬掩模層可以是包括一種材料的單層或者是包括分離的材料層的多層。元件834對(duì)應(yīng)于 緩沖掩模層，該緩沖掩模層相對(duì)于硬掩模層832具有不同的蝕刻選擇性。在根據(jù)本發(fā)明的 一些實(shí)施例中，元件320對(duì)應(yīng)于雙掩模層，元件330對(duì)應(yīng)于蝕刻掩模層，元件340 (包括340A 和340B)對(duì)應(yīng)于初始掩模圖案。 根據(jù)圖8b，具有不同間隔和寬度的多個(gè)初始圖案340A和340B形成在蝕刻掩模層 330上。例如，在由截面8A-8A'示出的初始圖案中的元件340A之間的間隔可以為2PC，元 件340A可以具有寬度WD3。由截面8C-8C'示出的元件340B的寬度可以為W12，根據(jù)截面 8D-8D'示出的元件340B的寬度可以為W13。 如圖9a和9b所示，在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中，采用自對(duì)準(zhǔn)反轉(zhuǎn)圖案化，多個(gè) 掩模圖案形成在器件的不同區(qū)域中使得其中的元件具有不同的寬度。具體地，與以上參照 圖3a-3h所描述的相類(lèi)似，間隔物350A和350B (其一些包括環(huán)形部分)形成在基板的不同 區(qū)域中。根據(jù)截面8A-8A'和8B-8B'示出的間隔物350A可以具有與根據(jù)截面8C-8C'和 8D-8D'示出的間隔物350B不同的寬度。具體地，由區(qū)域AA中的間隔物350A限定的掩模圖 案具有寬度W8'和間隔PC。由區(qū)域BB中的間隔物350B和350C以及結(jié)構(gòu)320B和330C限定的掩模圖案具有寬度W10'(在截面8C-8C'中)和寬度W11'(在截面8D-8D'中)。
現(xiàn)在參照?qǐng)D10a和圖10b，分離掩模圖案(s印aration mask)870形成在區(qū)域700A、 700B和700C中的掩模圖案上，并被圖案化以部分地暴露出例如間隔物350A的環(huán)形部分。 應(yīng)當(dāng)理解，在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中，分離掩模圖案870可以是光致抗蝕劑材料。
根據(jù)圖lla和圖llb，移除(有時(shí)稱(chēng)為削減)圖10a中示出的間隔物350A的暴露 環(huán)形部分以將間隔物350A的部分彼此分離，從而限定兩個(gè)分離的間隔物，例如如圖lla所 示。分離掩模圖案870也被移除。如圖12a和圖12b所示，掩模圖案的元件350A(區(qū)域AA 中)以及元件350B、350C、320B和330C(區(qū)域BB中)被用于蝕刻下面的緩沖掩模層834，以 限定特征或圖案834A(區(qū)域AA中)以及特征或圖案834B(區(qū)域BB中)。
參照?qǐng)D13a和圖13b，特征834A和834B用作掩模以在導(dǎo)線(xiàn)層830上形成包括元 件832A和832B的反轉(zhuǎn)圖案。根據(jù)圖14a和圖14b，采用反轉(zhuǎn)圖案832A和832B蝕刻導(dǎo)線(xiàn)層 830，以在基板800上形成導(dǎo)線(xiàn)圖案830A和830B。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)線(xiàn)圖案830A可以對(duì) 應(yīng)于圖7的導(dǎo)線(xiàn)701-732和/或虛設(shè)導(dǎo)線(xiàn)750。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)線(xiàn)圖案830B可以對(duì)應(yīng) 于圖7中的SSL、GSL和/或?qū)щ妶D案772。 圖15a-15e是示出在根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例中形成用于鑲嵌工藝的多個(gè)掩 模圖案的方法的截面圖。如圖15a所示，蝕刻停止層(etch stop layer)902、模型層(mold layer) 910、雙掩模層320、蝕刻掩模層330和初始掩模圖案340 (包括元件340A和340B)形 成在基板的區(qū)域A和B上。區(qū)域A中的元件340A可以具有相同的寬度BW1和節(jié)距2P，區(qū) 域B中的元件340B可以具有不同的寬度BW2和BW3。與以上參照?qǐng)D3a_3h所描述的相類(lèi) 似，元件340A和340B被用作初始掩模以圖案化蝕刻掩模層330和雙掩模層320，從而限定 區(qū)域A中的第一掩模圖案(包括元件320A和330A)和區(qū)域B中的第二掩模圖案(包括元 件320B和330B)。采用各向同性蝕刻工藝從區(qū)域A移除蝕刻掩模圖案330A而從區(qū)域B不 完全移除蝕刻掩模圖案330B(以限定保留的蝕刻掩模圖案330C)，間隔物層形成在掩模圖 案上并被回蝕以限定區(qū)域A中的側(cè)壁間隔物350A和區(qū)域B中的間隔物350B/350C。
如圖15b所示，雙掩模元件320A被移除，使得間隔物350A保留在區(qū)域A中以限定 自對(duì)準(zhǔn)反轉(zhuǎn)掩模圖案的在區(qū)域A中的模型層910上的部分具有間隔P，間隔物350B和350C 以及它們之間的結(jié)構(gòu)320B和330C限定自對(duì)準(zhǔn)反轉(zhuǎn)掩模圖案的在區(qū)域B中的模型層910上 的部分。 根據(jù)圖15c，采用由間隔物350A(區(qū)域A中)限定的掩模圖案和由間隔物350B和 350C以及結(jié)構(gòu)320B和330C(區(qū)域B中)限定的掩模圖案作為掩模來(lái)蝕刻模型層910，以在 區(qū)域A和B中分別限定包括元件910A和910B的模型圖案(mold pattern)。區(qū)域A中的 模型圖案910A具有節(jié)距P1并在其間限定開(kāi)口 Sl，開(kāi)口 Sl比限定在區(qū)域B中的模型圖案 910B之間的至少一些開(kāi)口 S2小。蝕刻掩模層902的由模型圖案910A/910B中的開(kāi)口 Sl和 S2暴露的部分也可以被移除。 如圖15d所示，包括阻擋層932和金屬層934的鑲嵌導(dǎo)電層930形成在模型圖案 910A/910B上，以填充其間的開(kāi)口 S1和S2。阻擋層932可以為約5 150 A厚，并可以采用 CVD或?yàn)R射工藝由諸如Ta、TaN、TiN、TaSiN、TiSiN和/或它們的組合的材料形成。然而，在 一些實(shí)施例中，阻擋層932可以被省略。在一些實(shí)施例中，金屬層934可以由諸如Cu、W和/ 或A1的材料形成，并可以通過(guò)PVD或者電鍍形成。例如，第一Cu層(具有約100 500A的厚度)可以通過(guò)PVD工藝形成，第二Cu層(具有約1000 10000 A的厚度)可以采用 第一 Cu層作為籽晶層通過(guò)電鍍工藝形成。 參照?qǐng)D15e，導(dǎo)電層930的在模型圖案910A/910B的開(kāi)口 S1和S2外面的部分通 過(guò)平坦化工藝移除，以分別在區(qū)域A和B中限定多個(gè)導(dǎo)線(xiàn)圖案930A和930B。例如，在一些 實(shí)施例中可以使用回蝕工藝和/或CMP工藝。模型圖案910A/910B可以被移除，以在區(qū)域 A中限定相對(duì)較精細(xì)的導(dǎo)線(xiàn)圖案930A并在區(qū)域B中限定相對(duì)較大的導(dǎo)線(xiàn)圖案930B。在一 些實(shí)施例中導(dǎo)線(xiàn)圖案930A可以對(duì)應(yīng)于圖7的導(dǎo)線(xiàn)701-732，在一些實(shí)施例中導(dǎo)線(xiàn)圖案930B 可以對(duì)應(yīng)于圖7的SSL、GSL和/或?qū)щ妶D案772。 如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例能夠提供采用自對(duì)準(zhǔn)反轉(zhuǎn)圖案化來(lái)同時(shí)形成多個(gè) 掩模圖案，其中掩模圖案包括具有不同寬度的各掩模圖案元件。例如，在根據(jù)本發(fā)明的一些
實(shí)施例中，具有不同寬度和/或其間的不同間隔的掩模元件能夠同時(shí)形成在特征層上，該
特征層可以隨后采用其中具有不同尺寸/間隔的元件的掩模圖案而被蝕刻。 此外，在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中，一個(gè)掩模圖案可以通過(guò)在器件的一個(gè)區(qū)域
中移除具有形成于其上的側(cè)壁間隔物的結(jié)構(gòu)而形成，而器件的第二區(qū)域包括保留在側(cè)壁間
隔物之間的結(jié)構(gòu)。具體地，結(jié)構(gòu)可以包括具有不同蝕刻選擇性的至少兩個(gè)層，其中第二區(qū)域
中的結(jié)構(gòu)的最上層的厚度大于第一區(qū)域中的結(jié)構(gòu)的寬度的一半。因此，當(dāng)兩個(gè)結(jié)構(gòu)被各向
同性蝕刻時(shí)，第一區(qū)域中的結(jié)構(gòu)的最上層可以被移除，而不完全移除第二區(qū)域中的結(jié)構(gòu)的
最上層，第二區(qū)域中的結(jié)構(gòu)的保留最上層可以被用作掩模以從第一區(qū)域移除結(jié)構(gòu)。從而，在
上述的第一區(qū)域中，掩模元件可以包括側(cè)壁間隔物本身，該側(cè)壁間隔物在結(jié)構(gòu)從第一區(qū)域
移除后保留。然而，第二區(qū)域中的掩模元件可以包括側(cè)壁間隔物以及保留在其間的結(jié)構(gòu)。因
此，包括在器件的不同區(qū)域的不同掩模圖案中的不同元件可以具有不同的尺寸，該不同的
元件可以被用于在隨后的步驟中圖案化一個(gè)或者多個(gè)器件層以提供具有不同尺寸的特征。 本申請(qǐng)要求于2008年10月22日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)
No. 10-2008-0103721的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)通過(guò)引用整體結(jié)合于此。本申請(qǐng)還涉及美國(guó)專(zhuān)利申
請(qǐng)No. 12/418023。
權(quán)利要求
一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括分別在特征層的第一區(qū)域和第二區(qū)域上形成第一掩模結(jié)構(gòu)和第二掩模結(jié)構(gòu)，所述第一掩模結(jié)構(gòu)和所述第二掩模結(jié)構(gòu)中的每個(gè)包括雙掩模圖案和在該雙掩模圖案上的蝕刻掩模圖案，該蝕刻掩模圖案相對(duì)于所述雙掩模圖案具有蝕刻選擇性；各向同性蝕刻所述第一掩模結(jié)構(gòu)和所述第二掩模結(jié)構(gòu)的蝕刻掩模圖案，以從所述第一掩模結(jié)構(gòu)移除蝕刻掩模圖案并保留蝕刻掩模圖案在所述第二掩模結(jié)構(gòu)上的至少一部分；在所述第一掩模結(jié)構(gòu)和所述第二掩模結(jié)構(gòu)的相對(duì)側(cè)壁上形成間隔物；以及采用蝕刻掩模圖案在所述第二掩模結(jié)構(gòu)上的部分作為掩模來(lái)從所述第一區(qū)域的間隔物之間選擇性地移除所述第一掩模結(jié)構(gòu)，以在所述第一區(qū)域中限定第一掩模圖案并在所述第二區(qū)域中限定第二掩模圖案，所述第一掩模圖案包括相對(duì)的側(cè)壁間隔物并且在相對(duì)的側(cè)壁間隔物之間具有空隙，所述第二掩模圖案包括相對(duì)的側(cè)壁間隔物并且所述第二掩模結(jié)構(gòu)在相對(duì)的側(cè)壁間隔物之間。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括采用所述第一掩模圖案作為掩模來(lái)圖案化所述特征層以在所述第一區(qū)域上限定第一特征，并采用所述第二掩模圖案作為掩模來(lái)圖案化所述特征層以在所述第二區(qū)域上限定第二特征，該第二特征具有比所述第一特征大的寬度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在各向同性蝕刻之前，所述第二掩模結(jié)構(gòu)的蝕刻掩模圖案的厚度大于所述第一掩模結(jié)構(gòu)的蝕刻掩模圖案的寬度的一半。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述間隔物包括在所述第一掩模結(jié)構(gòu)和所述第二掩模結(jié)構(gòu)上形成間隔物掩模層，所述間隔物掩模層相對(duì)于所述蝕刻掩模圖案和/或所述雙掩模圖案具有蝕刻選擇性；以及蝕刻所述間隔物掩模層以分別暴露所述第一掩模結(jié)構(gòu)和所述第二掩模結(jié)構(gòu)在其相對(duì)的側(cè)壁之間的表面；以及其中選擇性地移除所述第一掩模結(jié)構(gòu)包括采用蝕刻掩模圖案在所述第二掩模結(jié)構(gòu)上的部分作為掩模來(lái)蝕刻所述第一掩模結(jié)構(gòu)和所述第二掩模結(jié)構(gòu)的暴露表面，以移除所述第一掩模結(jié)構(gòu)的雙掩模圖案而基本上不移除所述第二掩模結(jié)構(gòu)的雙掩模圖案。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述第一掩模結(jié)構(gòu)和所述第二掩模結(jié)構(gòu)包括在基板的所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域上形成雙掩模層；在所述雙掩模層上形成所述蝕刻掩模圖案，所述蝕刻掩模圖案包括在所述第一區(qū)域中的雙掩模層上的第一部分和在所述第二區(qū)域中的雙掩模層上的第二部分，該第二部分比所述第一部分寬；以及采用所述蝕刻掩模圖案作為掩模來(lái)圖案化所述雙掩模層，以在所述第一區(qū)域上限定所述第一掩模結(jié)構(gòu)并在所述第二區(qū)域上限定所述第二掩模結(jié)構(gòu)，該第二掩模結(jié)構(gòu)的寬度大于所述第一掩模結(jié)構(gòu)的寬度。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中形成所述蝕刻掩模圖案包括在所述基板的所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域上的所述雙掩模層上形成蝕刻掩模層；在所述蝕刻掩模層上形成掩模圖案，該掩模圖案包括所述第一區(qū)域上的第一部分和所述第二區(qū)域的第二部分；以及采用所述掩模圖案來(lái)圖案化所述蝕刻掩模層以在所述雙掩模層上限定所述蝕刻掩模圖案。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述雙掩模層包括含硅層和含碳層中的至少一個(gè)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一區(qū)域包括存儲(chǔ)單元的有源區(qū)域，以及其中所述第二區(qū)域包括外圍電路區(qū)域。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述特征層包括半導(dǎo)體基板，并且在形成所述第一掩模結(jié)構(gòu)和所述第二掩模結(jié)構(gòu)之前該方法還包括以下步驟在基板的第一區(qū)域和第二區(qū)域上形成襯墊氧化層；以及在所述基板的第一區(qū)域和第二區(qū)域上的所述襯墊氧化層上形成硬掩模層；其中形成所述第一掩模結(jié)構(gòu)和所述第二掩模結(jié)構(gòu)包括在所述硬掩模層上形成所述第一掩模結(jié)構(gòu)和所述第二掩模結(jié)構(gòu)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中形成所述硬掩模層包括在所述襯墊氧化層上形成第一硬掩模層；以及在所述第一硬掩模層上形成第二硬掩模層，所述第二硬掩模層包括相對(duì)于所述第一硬掩模層的材料具有蝕刻選擇性的材料。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括在形成所述第一掩模結(jié)構(gòu)和所述第二掩模結(jié)構(gòu)之前，在所述硬掩模層上形成緩沖掩模層，所述緩沖掩模層包括相對(duì)于所述硬掩模層的材料具有蝕刻選擇性的材料。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括采用所述間隔物作為掩模來(lái)圖案化所述緩沖掩模層以在所述第一區(qū)域上限定緩沖掩模圖案的第一部分，并采用所述第二掩模結(jié)構(gòu)和在其相對(duì)的側(cè)壁上的間隔物作為掩模來(lái)圖案化所述緩沖掩模層以在所述第二區(qū)域上限定所述緩沖掩模圖案的第二部分，其中該第二部分比該第一部分寬；采用所述緩沖掩模圖案作為掩模來(lái)圖案化所述硬掩模層，以限定暴露部分所述襯墊氧化層的硬掩模圖案；采用所述硬掩模圖案作為掩模來(lái)圖案化所述襯墊氧化層和所述基板以在所述基板的第一區(qū)域中限定第一隔離溝槽并在所述基板的第二區(qū)域中限定第二隔離溝槽；以及用絕緣層填充所述第一隔離溝槽和所述第二隔離溝槽，以在所述基板的第一區(qū)域中限定第一有源區(qū)域并在所述基板的第二區(qū)域中限定第二有源區(qū)域，其中所述第二有源區(qū)域比所述第一有源區(qū)域?qū)挕?br> 13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，在圖案化所述襯墊氧化層和所述基板之前還包括在所述硬掩模圖案上形成溝槽掩模圖案，在所述第二區(qū)域上所述溝槽掩模圖案在其中包括開(kāi)口 ；采用所述溝槽掩模圖案中的開(kāi)口來(lái)圖案化所述第二區(qū)域中的所述硬掩模圖案、所述襯墊氧化層和所述基板，以在所述基板的第二區(qū)域中限定初始隔離溝槽；以及然后移除所述溝槽掩模圖案，其中圖案化所述襯墊氧化層和所述基板包括圖案化所述襯墊氧化層和所述基板以在所述基板的第一區(qū)域中限定所述第一隔離溝槽并增大所述初始隔離溝槽的深度，從而在所述基板的第二區(qū)域中限定所述第二隔離溝槽，其中所述第二隔離溝槽延伸到所述基板中超過(guò)所述第一隔離溝槽。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述特征層包括導(dǎo)電層，并且所述方法還包括采用所述間隔物作為掩模來(lái)圖案化所述導(dǎo)電層以在所述第一區(qū)域上限定第一導(dǎo)電圖案，并采用所述第二掩模結(jié)構(gòu)和形成在其相對(duì)的側(cè)壁上的所述間隔物作為掩模來(lái)圖案化所述導(dǎo)電層以在所述第二區(qū)域上限定第二導(dǎo)電圖案，該第二導(dǎo)電圖案的寬度大于所述第一導(dǎo)電圖案的寬度。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電圖案包括柵極電極、位線(xiàn)、字線(xiàn)和虛設(shè)導(dǎo)線(xiàn)中的至少一個(gè)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括在所述間隔物上形成分離掩模圖案并暴露所述間隔物的一部分；采用所述分離掩模圖案作為掩模來(lái)選擇性地蝕刻所述間隔物的暴露部分以分離所述間隔物的一部分；以及然后移除所述分離掩模圖案。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一掩模圖案包括所述第一區(qū)域中的多個(gè)掩模元件，并且其中所述第二掩模圖案包括所述第二區(qū)域中的多個(gè)掩模元件，所述第二區(qū)域中的多個(gè)掩模元件各自的寬度大于所述第一區(qū)域中的多個(gè)掩模元件各自的寬度。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述第一區(qū)域中的多個(gè)掩模元件中的一些具有不同的寬度。
19. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述特征層包括基板，并且在形成所述第一掩模結(jié)構(gòu)和所述第二掩模結(jié)構(gòu)之前該方法還包括以下步驟在所述基板的所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域上形成蝕刻停止層；以及在所述基板的所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域上形成模型層，其中形成所述第一掩模結(jié)構(gòu)和所述第二掩模結(jié)構(gòu)包括在所述模型層上形成所述第一掩模結(jié)構(gòu)和所述第二掩模結(jié)構(gòu)，并且在將所述第一掩模結(jié)構(gòu)從所述第一區(qū)域的間隔物之間選擇性地移除之后還包括以下步驟采用所述間隔物作為掩模來(lái)圖案化所述模型層，以形成模型圖案的限定所述基板的所述第一區(qū)域上的第一開(kāi)口的第一部分，并采用所述第二掩模結(jié)構(gòu)和其相對(duì)側(cè)壁上的所述間隔物作為掩模來(lái)圖案化所述模型層以形成所述模型圖案的限定所述基板的第二區(qū)域上的第二開(kāi)口的第二部分，所述第二開(kāi)口比所述第一開(kāi)口寬；形成導(dǎo)電層以分別填充在所述基板的所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域上的模型圖案中的所述第一開(kāi)口和所述第二開(kāi)口 ；以及移除所述模型圖案以在所述第一區(qū)域中限定導(dǎo)電的精細(xì)圖案并在所述第二區(qū)域中限定導(dǎo)電的器件圖案，其中所述導(dǎo)電的器件圖案比所述導(dǎo)電的精細(xì)圖案寬。
20. —種器件，包括基板，包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在所述基板的所述第一區(qū)域上的多個(gè)第一特征；以及在所述基板的所述第二區(qū)域上的多個(gè)第二特征，所述多個(gè)第二特征各自的寬度大于所述第一區(qū)域中的多個(gè)第一特征各自的寬度，其中通過(guò)以下步驟所述多個(gè)第一特征和所述多個(gè)第二特征形成在所述基板的所述第 一區(qū)域和所述第二區(qū)域上分別在特征層的第一區(qū)域和第二區(qū)域上形成第一掩模結(jié)構(gòu)和第二掩模結(jié)構(gòu)，所述第一 掩模結(jié)構(gòu)和所述第二掩模結(jié)構(gòu)中的每個(gè)包括雙掩模圖案和在該雙掩模圖案上的蝕刻掩模 圖案，所述蝕刻掩模圖案相對(duì)于所述雙掩模圖案具有蝕刻選擇性；各向同性蝕刻所述第一掩模結(jié)構(gòu)和所述第二掩模結(jié)構(gòu)的蝕刻掩模圖案，以從所述第一 掩模結(jié)構(gòu)移除蝕刻掩模圖案并保留蝕刻掩模圖案在所述第二掩模結(jié)構(gòu)上的至少一部分；在所述第一掩模結(jié)構(gòu)和所述第二掩模結(jié)構(gòu)的相對(duì)側(cè)壁上形成間隔物；采用蝕刻掩模圖案在所述第二掩模結(jié)構(gòu)上的部分作為掩模從所述間隔物之間選擇性 地移除所述第一掩模結(jié)構(gòu)；以及采用所述間隔物作為掩模來(lái)圖案化所述特征層以在所述第一區(qū)域上限定所述多個(gè)第 一特征，并采用所述第二掩模結(jié)構(gòu)和在其相對(duì)的側(cè)壁上的間隔物作為掩模來(lái)圖案化所述特 征層以在所述第二區(qū)域上限定所述多個(gè)第二特征。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中在各向同性蝕刻之前，所述第二掩模結(jié)構(gòu)的蝕 刻掩模圖案的厚度大于所述第一掩模結(jié)構(gòu)的蝕刻掩模圖案的寬度的一半。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種在集成電路器件中形成精細(xì)圖案的方法。一種制造集成電路器件的方法包括分別在特征層的第一和第二區(qū)域上形成第一和第二掩模結(jié)構(gòu)。每個(gè)掩模結(jié)構(gòu)包括雙掩模圖案和蝕刻掩模圖案。各向同性蝕刻第一和第二掩模結(jié)構(gòu)的蝕刻掩模圖案，以從第一掩模結(jié)構(gòu)移除蝕刻掩模圖案并保留蝕刻掩模圖案在第二掩模結(jié)構(gòu)上的至少一部分。在第一和第二掩模結(jié)構(gòu)的相對(duì)側(cè)壁上形成間隔物。采用蝕刻掩模圖案在第二掩模結(jié)構(gòu)上的部分作為掩模將第一掩模結(jié)構(gòu)從第一區(qū)域的間隔物之間選擇性地移除，以分別在第一和第二區(qū)域中限定第一和第二掩模圖案。分別采用第一和第二掩模圖案作為掩模來(lái)圖案化特征層以在第一區(qū)域上限定第一特征并在第二區(qū)域上限定第二特征。
文檔編號(hào)H01L21/3205GK101728332SQ20091020774
公開(kāi)日2010年6月9日 申請(qǐng)日期2009年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月22日
發(fā)明者樸尚容, 樸載寬, 李寧浩, 沈載煌 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社