專(zhuān)利名稱(chēng)：一種提升傳輸帶寬的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子通信技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種提升傳輸帶寬的裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的光電器件，例如TOSA (Transmitter Optical Sub-Assembly,發(fā)送光組件) 的光電轉(zhuǎn)換模塊，其中的基板與封裝管殼之間采用金絲線(Wire Bonding)進(jìn)行連接，實(shí)現(xiàn) 信號(hào)傳輸。 發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下缺點(diǎn) 由于金絲線(WireBonding)呈現(xiàn)一定的電感特性，從而導(dǎo)致傳輸通道的阻抗不連
續(xù)，傳輸帶寬受到很大的限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種提升傳輸帶寬的裝置，設(shè)置在通過(guò)打線金絲連接的傳輸通
道上，在信號(hào)傳輸線與側(cè)邊地之間設(shè)置電容，從而可以擴(kuò)展傳輸通道的帶寬。 本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案 —種提升傳輸帶寬的裝置，包括信號(hào)傳輸線，位于所述信號(hào)傳輸線兩側(cè)的側(cè)邊 地，以及設(shè)置于所述信號(hào)傳輸線與所述側(cè)邊地之間的電容，所述信號(hào)傳輸線為微帶線，所述 信號(hào)傳輸線與所述側(cè)邊地共同構(gòu)成共面波導(dǎo)傳輸線的形式。 —種通信設(shè)備，所述通信設(shè)備基板，封裝管殼，以及提升傳輸帶寬的裝置，所述提
升傳輸帶寬的裝置設(shè)置在所述基板或封裝管殼上，或者，在所述基板和封裝管殼上均設(shè)置
所述提升傳輸帶寬的裝置，其中，所述提升傳輸帶寬的裝置包括信號(hào)傳輸線，位于所述信
號(hào)傳輸線兩側(cè)的側(cè)邊地，以及設(shè)置于所述信號(hào)傳輸線與所述側(cè)邊地之間的電容，所述信號(hào)
傳輸線為微帶線，所述信號(hào)傳輸線與所述側(cè)邊地共同構(gòu)成共面波導(dǎo)傳輸線的形式。
上述技術(shù)方案中具有如下的優(yōu)點(diǎn) 在本發(fā)明的實(shí)施例中，在通過(guò)打線金絲連接的傳輸通道上，在信號(hào)傳輸線與側(cè)邊 地之間設(shè)置電容，利用打線金絲(Wire Bonding)本身呈現(xiàn)出的感性特征以及與之并聯(lián)的所 述電容組成一個(gè)LC諧振電路，在頻域上形成一個(gè)在頻帶內(nèi)的諧振點(diǎn)，從而迫使回?fù)p曲線上 升趨勢(shì)延緩，因此得以擴(kuò)展頻帶寬度，使得RF信號(hào)的傳輸通道的帶寬得到擴(kuò)展。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)
有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可 以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發(fā)明一種提升傳輸帶寬的裝置的一種實(shí)施例的示意圖；
圖2為本發(fā)明一種提升傳輸帶寬的裝置的電路原理的示意 圖3為本發(fā)明一種提升傳輸帶寬的裝置的回?fù)p曲線效果的示意圖； 圖4為本發(fā)明一種提升傳輸帶寬的裝置位于基板的示意圖； 圖5為本發(fā)明一種提升傳輸帶寬的裝置中采用MIM電容的示意圖； 圖6為本發(fā)明一種提升傳輸帶寬的裝置中采用VIC電容的示意圖； 圖7為本發(fā)明一種提升傳輸帶寬裝置的一種應(yīng)用場(chǎng)景的示意圖； 圖8為本發(fā)明一種提升傳輸帶寬裝置的另一種應(yīng)用場(chǎng)景的示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。 如圖1所示本發(fā)明的實(shí)施例提供一種提升傳輸帶寬的裝置，包括信號(hào)傳輸線1， 位于所述信號(hào)傳輸線1兩側(cè)的側(cè)邊地2，以及設(shè)置于所述信號(hào)傳輸線1與所述側(cè)邊地2之間 的電容3。 在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述信號(hào)傳輸線可以為微帶線，并且所述信號(hào)傳輸線與所 述側(cè)邊地共同構(gòu)成共面波導(dǎo)傳輸線的形式。 本發(fā)明所述提升傳輸帶寬的裝置的實(shí)施例可以應(yīng)用于采用打線金絲連接的傳輸 通道上。例如如圖1所示，信號(hào)傳輸線1，以及所述側(cè)邊地2設(shè)置于具有光器件或電器 件或光電器件的基板7上，所述基板7與封裝管殼6的焊盤(pán)61之間采用打線金絲(Wire Bonding)4連接。參見(jiàn)圖2，圖2為所述提升傳輸帶寬的裝置的電路原理圖，打線金絲(Wire Bonding)4本身呈現(xiàn)出感性的特征，相當(dāng)于電感，通過(guò)在光電器件封裝內(nèi)的基板或封裝管殼 內(nèi)的焊盤(pán)處加適當(dāng)容量的電容并聯(lián)到地，利用打線金絲(Wire Bonding) 4本身呈現(xiàn)出的感 性特征以及與之并聯(lián)的所述電容組成一個(gè)LC諧振電路，在頻域上形成一個(gè)在頻帶內(nèi)的諧 振點(diǎn)，從而迫使回?fù)p曲線上升趨勢(shì)延緩，因此得以擴(kuò)展頻帶寬度，使得RF信號(hào)的傳輸通道 的帶寬得到擴(kuò)展，從而可以實(shí)現(xiàn)更高速率的信號(hào)傳輸，同時(shí)也改善了整個(gè)傳輸通道的插入 損耗(參見(jiàn)圖3)。 在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述封裝管殼的焊盤(pán)，可以為光電器件封裝的電接口的焊 盤(pán)。另外，所述信號(hào)傳輸線，及側(cè)邊地可以設(shè)置于封裝管殼上，例如所述信號(hào)傳輸線，及側(cè) 邊地可以設(shè)置于封裝管殼內(nèi)的焊盤(pán)上?；蛘撸鐖D4所示，在基板7上設(shè)置所述信號(hào)傳輸線 1 ，側(cè)邊地2及電容3，并且，在封裝管殼6上也設(shè)置所述信號(hào)傳輸線1 ，側(cè)邊地2及電容3，所 述基板7與所述封裝管殼6之間通過(guò)打線金絲4連接。 圖3為采用打線金絲連接的傳輸通道，顯示了添加電容前后，回?fù)p-lOdB的截止頻 率點(diǎn)的變化，以及采用電容后的插損改善情況。在圖3中，ml和m3為沒(méi)有設(shè)置電容的情況； m2和m4為設(shè)置了交指電容的情況。從圖中，可以看出，通過(guò)設(shè)置電容，使得傳輸通道的回 損曲線在有效帶寬內(nèi)形成諧振點(diǎn)，從而使得傳輸通道的回?fù)p滿足小于-lOdB的截止頻率從 5. 3GHz提升到23. 4GHz，大大擴(kuò)展了傳輸帶寬，因而使得其能夠傳輸更高速率的信號(hào)。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述電容可以為平板電容，或交指電容、 MIM(MetalInsulation Metal，金屬/絕緣層/金屬)電容，或VIC(VerticalInterdigitalC即acitor，垂直插指式電容)電容等。 如圖5所示，所述電容為MIM電容時(shí)，所述MIM電容包括頂層金屬面和底層金屬
面，所述頂層金屬面和底層金屬面分別設(shè)置在所述基板內(nèi)部的兩層金屬導(dǎo)體層上，所述頂
層金屬面與所述信號(hào)傳輸線位于同一層金屬導(dǎo)體層。所述底層金屬面通過(guò)通孔連接到所述
頂層金屬面，并且與所述側(cè)邊地連接。所述頂層金屬面與所述信號(hào)傳輸線連接。 如圖6所示，所述電容為VIC電容時(shí)，所述VIC電容包括多層金屬面。所述多層金
屬面互相交疊，并且分別位于所述基板內(nèi)部的多層金屬導(dǎo)體層上，其中，所述相互交疊的多
層金屬面形成所述VIC電容兩極，位于所述VIC電容頂層的金屬面與所述信號(hào)傳輸線位于
同一層金屬導(dǎo)體層。位于所述VIC電容一極的多層金屬面通過(guò)通孔連接，并與所述側(cè)邊地
連接；位于所述VIC電容另一極的多層金屬面通過(guò)通孔連接到所述VIC電容頂層的金屬面，
并與所述信號(hào)傳輸線連接。 在本發(fā)明的實(shí)施例中，電容可以集成在基板內(nèi)部，不會(huì)增加基板面積，也不用增加 成本，而且也不用后續(xù)對(duì)所述電容進(jìn)行組裝裝配，且電容容值不隨外部環(huán)境變化而變化。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，在所述信號(hào)傳輸線和側(cè)邊地之間設(shè)置所述電容時(shí)，如果所 述信號(hào)傳輸線或所述側(cè)邊地連接在焊盤(pán)上，所述電容可以通過(guò)與所述焊盤(pán)連接，實(shí)現(xiàn)與所 述信號(hào)傳輸線或所述側(cè)邊地的連接，從而與連接在所述焊盤(pán)上的打線金絲構(gòu)成LC諧振回 路。這樣，如果所述電容連接在焊盤(pán)上，電容的添加也使得打線金絲的焊盤(pán)面積增大，在設(shè) 置多根打線金絲時(shí)，能進(jìn)一步增大打線金絲之間的間距，減小連接基板和封裝管殼之間連 接的所有打線金絲的總的電感量，從而可進(jìn)一步提升傳輸通道帶寬。 進(jìn)一步地，如果增大了打線金絲焊盤(pán)的面積，對(duì)于需要連接多根打線金絲時(shí)，操作 控制會(huì)更方便，也不易出錯(cuò)。 如圖7所示，本發(fā)明提升傳輸帶寬的裝置的實(shí)施例的另一種應(yīng)用場(chǎng)景?；迳显O(shè) 置有光器件或電器件或光電器件9，所述光器件或電器件或光電器件9通過(guò)第一焊盤(pán)91焊 接于基板上，所述光器件或電器件或光電器件9的第二焊盤(pán)92與基板上設(shè)置的信號(hào)傳輸線 1之間采用打線金絲4連接，通過(guò)在所述信號(hào)傳輸線1與側(cè)邊地2之間設(shè)置電容3，實(shí)現(xiàn)擴(kuò) 展傳輸帶寬。例如基板上的匹配電阻8，在遠(yuǎn)離與所述匹配電阻8進(jìn)行匹配的光器件9的 情況下，所述匹配電阻8與所述光器件9之間通過(guò)信號(hào)傳輸線1連接，并且由于所述信號(hào)傳 輸線1和所述光器件9的第二焊盤(pán)92 (例如信號(hào)焊盤(pán))不在同一個(gè)平面，需要通過(guò)打線金 絲4進(jìn)行連接。這時(shí)可以通過(guò)在所述信號(hào)傳輸線1與側(cè)邊地2之間，設(shè)置和所述匹配電阻 8相并聯(lián)的電容3，從而實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展傳輸通道的帶寬。 如圖8所示，本發(fā)明的實(shí)施例提供的所述提升傳輸帶寬的裝置，可以設(shè)置于 T0SA，或ROSA (Receiver Optical Sub-Assembly，接收光組件)，或BOSA (Bidirectional Optical Sub-Assembly,單纖雙向光組件)，或BLRX(BalanceReceiver，平衡接收機(jī))等 上。所述T0SA，或R0SA，或B0SA，或BLRX等可以位于以下幾種通信設(shè)備上小型化光模 塊XFP(IO Gigabit Small Form FactorPluggable Module, 10G小封裝可插拔模塊)，或 者SFP+(Sma11 Form FactorPluggable Module plus,小封裝可插拔模塊加)，或者300PIN transponder (300PIN收發(fā)一體模塊)。 以上所述僅為本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員依據(jù)申請(qǐng)文件公開(kāi)的可以 對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)或變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
一種提升傳輸帶寬的裝置，其特征在于，包括信號(hào)傳輸線，位于所述信號(hào)傳輸線兩側(cè)的側(cè)邊地，以及設(shè)置于所述信號(hào)傳輸線與所述側(cè)邊地之間的電容，所述信號(hào)傳輸線為微帶線，所述信號(hào)傳輸線與所述側(cè)邊地共同構(gòu)成共面波導(dǎo)傳輸線的形式。
2. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述信號(hào)傳輸線，以及所述側(cè)邊地設(shè)置于基 板上，所述基板與封裝管殼的焊盤(pán)之間采用打線金絲連接。
3. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述信號(hào)傳輸線，及側(cè)邊地設(shè)置于封裝管殼 內(nèi)的焊盤(pán)上，所述封裝管殼內(nèi)的焊盤(pán)與基板之間采用打線金絲連接。
4. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，在基板上設(shè)置所述信號(hào)傳輸線，側(cè)邊地及電 容，并且，在封裝管殼上也設(shè)置所述信號(hào)傳輸線，側(cè)邊地及電容，所述基板與所述封裝管殼 之間通過(guò)打線金絲連接。
5. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述電容為交指電容。
6. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述信號(hào)傳輸線，以及所述側(cè)邊地設(shè)置于基 板上，所述電容為MM電容，所述MM電容包括頂層金屬面和底層金屬面，所述頂層金屬面 和底層金屬面分別設(shè)置在所述基板內(nèi)部的兩層金屬導(dǎo)體層上，所述頂層金屬面與所述信號(hào) 傳輸線位于同一層金屬導(dǎo)體層，所述底層金屬面通過(guò)通孔連接到所述頂層金屬面，并且與 所述側(cè)邊地連接。所述頂層金屬面與所述信號(hào)傳輸線連接。
7. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述信號(hào)傳輸線，以及所述側(cè)邊地設(shè)置于基 板上，所述電容為VIC電容，所述VIC電容包括多層金屬面。所述多層金屬面互相交疊，并且 分別位于所述基板內(nèi)部的多層金屬導(dǎo)體層上，其中，所述相互交疊的多層金屬面形成所述 VIC電容兩極，位于所述VIC電容頂層的金屬面與所述信號(hào)傳輸線位于同一層金屬導(dǎo)體層， 位于所述VIC電容一極的多層金屬面通過(guò)通孔連接，并與所述側(cè)邊地連接；位于所述VIC電容 另一極的多層金屬面通過(guò)通孔連接到所述VIC電容頂層的金屬面，并與所述信號(hào)傳輸線連接。
8. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述信號(hào)傳輸線或所述側(cè)邊地連接在焊盤(pán) 上，所述電容通過(guò)與所述焊盤(pán)連接，實(shí)現(xiàn)與所述信號(hào)傳輸線或所述側(cè)邊地的連接。
9. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述信號(hào)傳輸線，以及所述側(cè)邊地設(shè)置于具 有光器件或電器件或光電器件的基板上，基板上設(shè)置的所述光器件或電器件或光電器件通 過(guò)第一焊盤(pán)焊接于基板上，所述光器件或電器件或光電器件的第二焊盤(pán)與所述信號(hào)傳輸線 之間采用打線金絲連接。
10. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述信號(hào)傳輸線，以及所述側(cè)邊地設(shè)置于 具有光器件或電器件或光電器件的基板上，基板上的匹配電阻，以及與所述匹配電阻進(jìn)行 匹配的光器件之間通過(guò)所述信號(hào)傳輸線連接，所述信號(hào)傳輸線和所述光器件的第二焊盤(pán)通 過(guò)打線金絲進(jìn)行連接。
11. 一種通信設(shè)備，其特征在于，所述通信設(shè)備基板，封裝管殼，以及如權(quán)利要求1至10 中任一項(xiàng)所述的提升傳輸帶寬的裝置，所述提升傳輸帶寬的裝置設(shè)置在所述基板或封裝管 殼上，或者，在所述基板和封裝管殼上均設(shè)置所述提升傳輸帶寬的裝置。
12. 如權(quán)利要求11所述的通信設(shè)備，其特征在于，所述通信設(shè)備設(shè)置有T0SA，或ROSA， 或B0SA，或BLRX，所述基板和管殼位于所述T0SA，或R0SA，或B0SA，或BLRX上。
13. 如權(quán)利要求11所述的通信設(shè)備，其特征在于，所述通信設(shè)備為XFP，或者SFP+，或 者300PIN收發(fā)一體模塊。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種提升傳輸帶寬的裝置，包括信號(hào)傳輸線，位于所述信號(hào)傳輸線兩側(cè)的側(cè)邊地，以及設(shè)置于所述信號(hào)傳輸線與所述側(cè)邊地之間的電容，所述信號(hào)傳輸線為微帶線，所述信號(hào)傳輸線與所述側(cè)邊地共同構(gòu)成共面波導(dǎo)傳輸線的形式。在通過(guò)打線金絲連接的傳輸通道上，在信號(hào)傳輸線與側(cè)邊地之間設(shè)置電容，利用打線金絲(Wire Bonding)本身呈現(xiàn)出的感性特征以及與之并聯(lián)的所述電容組成一個(gè)LC諧振電路，在頻域上形成一個(gè)在頻帶內(nèi)的諧振點(diǎn)，從而迫使回?fù)p曲線上升趨勢(shì)延緩，因此得以擴(kuò)展頻帶寬度，使得RF信號(hào)的傳輸通道的帶寬得到擴(kuò)展。
文檔編號(hào)H01P3/08GK101794929SQ200910189398
公開(kāi)日2010年8月4日 申請(qǐng)日期2009年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月26日
發(fā)明者楊睿, 程詩(shī)平, 胡立輝 申請(qǐng)人:華為技術(shù)有限公司