專利名稱：發(fā)光元件和發(fā)光設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在一對(duì)電極之間具有發(fā)光層的發(fā)光元件，更 具體而言，本發(fā)明涉及該發(fā)光元件的層結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
利用從電致發(fā)光元件(一種發(fā)光元件)發(fā)射的光的發(fā)光設(shè)備 具有廣視角和低功耗。最近幾年，在發(fā)光設(shè)備的開(kāi)發(fā)領(lǐng)域已經(jīng)積極進(jìn)行了 對(duì)能夠長(zhǎng)期提供高質(zhì)量圖像的發(fā)光設(shè)備的研究和開(kāi)發(fā)，以便支配應(yīng)用于各 種信息處理設(shè)備(諸如電視接收機(jī)和汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng))的顯示設(shè)備的市場(chǎng)。為了獲得能夠長(zhǎng)期提供高質(zhì)量圖像的發(fā)光設(shè)備，長(zhǎng)壽命的發(fā) 光元件和有效發(fā)光的發(fā)光元件的開(kāi)發(fā)變得非常重要。例如，專利文件1公開(kāi)了一種與具有多個(gè)發(fā)光單元的發(fā)光元 件相關(guān)的技術(shù)，其中各個(gè)發(fā)光單元被電荷產(chǎn)生層隔離。該專利文件l描述 了一種具有高亮度的長(zhǎng)壽命發(fā)光元件。但是，在專利文件1中使用的五氧 化二釩具有高的吸濕特性。因此，發(fā)光元件4艮可能由于五氧化二釩吸收的 濕氣而被惡化。發(fā)光元件的惡化導(dǎo)致了發(fā)光設(shè)備中的圖像質(zhì)量的惡化。因此，在發(fā)光設(shè)備的開(kāi)發(fā)中，制造一種具有高抗?jié)裉匦砸约?高亮度的發(fā)光元件也是重要的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種具有卓越抗?jié)裉匦缘陌l(fā)光元件。更 具體而言，本發(fā)明的目的是提供一種能夠發(fā)射白光的具有卓越抗?jié)裉匦缘?發(fā)光元件。在本發(fā)明的一個(gè)方面，發(fā)光元件包括包含具有受電子特性的 物質(zhì)的層。由于該物質(zhì)具有受電子特性，因此使用了鉬氧化物。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面，發(fā)光元件包括在笫一電極和第二電 極之間的n片發(fā)光層(n是自然數(shù))。該發(fā)光元件還包括在第m發(fā)光層(m 是自然數(shù)l^n^i)和第m+l發(fā)光層之間的第一層和第二層。該第一和第 二層互相接觸。該第一層包含容易傳輸空穴的物質(zhì)和具有受電子特性的物 質(zhì)。該第二層包含容易傳輸電子的物質(zhì)和具有給電子特性的物質(zhì)。此外， 鉬氧化物用作為具有給電子特性的物質(zhì)。在本發(fā)明的另一個(gè)方面，發(fā)光元件包括n片層組(n是自然 數(shù))，每一層組具有在一對(duì)電極之間的第一層、第二層和發(fā)光層。該第一 層包括容易傳輸空穴的物質(zhì)和具有受電子特性的物質(zhì)。該第二層包括容易 傳輸電子的物質(zhì)和具有給電子特性的物質(zhì)。在該n片層組中，第邊層組(ffl 是自然數(shù)l^i^n)中包括的第一層和第m+l層組中包括的第二層被層壓 為互相接觸。在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，發(fā)光元件包括在第一電極和第二 電極之間的n片發(fā)光層(n是自然數(shù))。第二電極與第一電極相比更容易 反射光。該發(fā)光元件還包括在第m發(fā)光層(m是自然數(shù)l-m-n)和第m+l 發(fā)光層之間的第一層和第二層。此外，該第一和第二層互相接觸，該第一 層包括容易傳輸空穴的物質(zhì)和具有受電子特性的物質(zhì)。該第二層包括容易 傳輸電子的物質(zhì)和具有給電子特性的物質(zhì)。該第m+l發(fā)光層表現(xiàn)出比第m 發(fā)光層更短的發(fā)射光語(yǔ)的峰值波長(zhǎng)。該n片發(fā)光層被這樣提供，使笫m+l 發(fā)光層^^改置的比第m發(fā)光層更靠近第二電極。在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，發(fā)光元件包括在第一電極和第二 電極之間的n片發(fā)光層(n是自然數(shù))。第二電極與第一電極相比更容易 反射光。該發(fā)光元件還包括在第m發(fā)光層(m是自然數(shù)l-m-n)和第m+l 發(fā)光層之間的第一層和第二層。該第一和第二層互相接觸。該第一層包含 容易傳輸空穴的物質(zhì)和具有受電子特性的物質(zhì)。該第二層包含容易傳輸電 子的物質(zhì)和具有給電子特性的物質(zhì)。該n片發(fā)光層被這樣提供，使表現(xiàn)出 更短發(fā)射光鐠的峰值波長(zhǎng)的發(fā)光層被提供的更靠近第二電極。根據(jù)本發(fā)明，可以獲得具有卓越抗?jié)裉匦缘陌l(fā)光元件，這樣 該發(fā)光元件^b^被侵入發(fā)光元件的濕氣惡化。此外，可以提供一種能夠發(fā) 射白光的發(fā)光元件。此外，因?yàn)樵诒景l(fā)明的發(fā)光元件中^b^引起從發(fā)光元 件發(fā)射的光和反射的光之間的干涉，因此可以容易控制從發(fā)光元件發(fā)射的 光的色調(diào)。


圖l是解釋本發(fā)明的發(fā)光元件的圖示；
圖2是解釋本發(fā)明的發(fā)光元件的圖示；
圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光設(shè)備的頂視圖4是解釋在根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光設(shè)備中包括的電路的圖示；
圖5是根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光設(shè)備的頂視圖6是解釋才艮據(jù)本發(fā)明的發(fā)光設(shè)備的幀操作的圖示；
圖7A到7C是根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光設(shè)備的橫截面圖示；
圖8A到8C是顯示根據(jù)本發(fā)明的電器的圖示；
圖9是解釋根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光元件的圖示；
圖IO是顯示根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)射光譜的圖示；和
圖11是顯示有關(guān)鉬氧化物和a-NPD的混合層的傳輸光傳的圖示。
具體實(shí)施例方式以下將參考附圖等等來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式和實(shí)施 例。此外，本發(fā)明可以以許多不同的方式執(zhí)行。本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易理 解這里所公開(kāi)的實(shí)施方式和細(xì)節(jié)可以用各種方法修改，而不背離本發(fā)明的 目的和范圍。本發(fā)明不應(yīng)該理解為限制為以下給出的實(shí)施方式的描述。
實(shí)施方式1在圖1中，包含容易傳輸空穴的物質(zhì)和具有受電子特性的物 質(zhì)的第一層103和包含容易傳輸電子的物質(zhì)和具有給電子特性的物質(zhì)的 第二層104被提供在第一電極101和第二電極102之間。該第一層103和 第二層104被層壓互相接觸。此外，空穴在包含容易傳輸空穴的物質(zhì)和具 有受電子特性的物質(zhì)的第一層103中產(chǎn)生，而電子在包含容易傳輸電子的 物質(zhì)和具有給電子特性的物質(zhì)的第二層104中產(chǎn)生。此外，第一發(fā)光層111被提供在第一電極101和第一層103 之間。第二發(fā)光層121被提供在第二電極102和第二層104之間。此外，在該實(shí)施方式中，第一電極101起到陽(yáng)極的作用，第 二電極102起到陰極的作用。優(yōu)選地，第一電極101和第二電極102的一
9個(gè)或兩個(gè)是由容易透射可見(jiàn)光的物質(zhì)制造的。用于第一電極101的物質(zhì)并不是特別限制的。為了形成起到 與本實(shí)施方式相同的陽(yáng)極作用的第一電極101，第一電極優(yōu)選地是由具有 高功函數(shù)的物質(zhì)制造的，諸如銦錫氧化物、包含硅氧化物的銦錫氧化物、 其中2到2%的鋅氧化物被混合在銦氧化物中的銦鋅氧化物、以及其中百 分之幾的鎵氧化物被混合到鋅氧化物中的鎵鋅氧化物。此外，由上述具有 高功函數(shù)的物質(zhì)制造的電極容易地透射可見(jiàn)光。此外，用于第二電極102的物質(zhì)并不是特別限制的。為了形 成起到與本實(shí)施方式相同的陰極作用的第二電極102 ，第二電極優(yōu)選地是 由具有低功函數(shù)的物質(zhì)制造的，諸如包含堿金屬(例如，鋰(Li)，鎂等 等)、堿土等等的鋁。容易傳輸空穴的物質(zhì)并不是特別限制的。例如，容易傳輸空 穴的物質(zhì)可以由芳族胺(即，具有苯環(huán)氮鍵的一種)化合物制造，諸如 4， 4，一bis (N-[l一naphthyl]-N-phenyl-amino)-biphenyl (縮寫(xiě)為a-NPD); 4， 4，一bis (N-[3-methylphenyl]-N-phenyl-amino)-biphenyl (縮寫(xiě)為 TPD ); 4, 4，， 4，，-tris (N，N-diphenyl-amino)-triphenylamine (縮寫(xiě)為 TDATA ); 和 4， 4，， 4，，一tris (N-(3-methylphenyl)-N-phenyl-amino) 一triphenylamine (縮寫(xiě)為MTDATA )。具有受電子特性的物質(zhì)并不是特別限制的。例如，優(yōu)選地使 用具有低吸濕特性的物質(zhì)，諸如鉬氧化物。容易傳輸電子的物質(zhì)并不是特別限制的。例如，容易傳輸電 子的物質(zhì)可以由具有喹啉基或苯并喹啉基的金屬?gòu)?fù)合物制造，諸如 tr is (8-quinolinolate) aluminum (縮寫(xiě)為 Alq3 ); tris "—methyl-S-quinolinolatejaluminum ( 縮寫(xiě)為 Almqu ); bis (10-hydroxybenzo [h〗 -quinolinato)beryllium ( 縮寫(xiě)為 BeBq2 ); 和 bis (2-methyl-8-quinolinolate)-4一phenylphenolate-aluminum (縮寫(xiě)為BAlq)。具有給電子特性的物質(zhì)并不是特別限制的。例如，可以使用 諸如鋰的堿金屬、諸如鎂的堿土金屬等等。此外，可以使用諸如鋰氧化物 的堿金屬氧化物、諸如鋰氮化物的堿金屬氮化物、諸如鎂氧化物的堿土金 屬氧化物、諸如鎂氮化物的堿土金屬氮化物。第一發(fā)光層111和第二發(fā)光層121分別包含發(fā)光物質(zhì)。上述 的發(fā)光物質(zhì)指示了具有展現(xiàn)預(yù)定波長(zhǎng)的發(fā)光的有利的發(fā)光效率的物質(zhì)。此
10外，第一和第二發(fā)光層111和121可以包含互相不同的發(fā)光物質(zhì)。笫一和 第二發(fā)光層111和121并不是特別限定的。每個(gè)層可以由包含一種物質(zhì)的 層或者其中混合多種物質(zhì)的層制造。例如，第一和第二發(fā)光層111和121 的任何一個(gè)或兩個(gè)都可以由僅僅一種發(fā)光物質(zhì)制造。替換地，第一和第二 發(fā)光層的任何一個(gè)或兩個(gè)可以由發(fā)光物質(zhì)和其他物質(zhì)的混合層形成。由于 該物質(zhì)與發(fā)光物質(zhì)組合使用，優(yōu)選地使用具有比發(fā)光物質(zhì)更大能隙的物 質(zhì)。在本實(shí)施方式中，能隙指示了 LUM0級(jí)別和H0M0級(jí)別之間的能隙。該發(fā)光物質(zhì)并不是特別限定的。例如，為了獲得紅色光發(fā)射， 可以使用以下展現(xiàn)了在600nm到680咖具有峰值的發(fā)射光鐠的物質(zhì) 4-dicyanomethylene-2-isopropyl-6-(2-[1，1， 7， 7-tetramethyljulolid ine-9-yl〗ethenyl)-4H-pyran (縮寫(xiě)為DCJTI ); 4-dicyanomethylene-2-methy卜6- (2- [1， 1， 7， 7-tetramethy 1 julol idine-9-y 1] ethenyl) -4H-p yran (縮寫(xiě)為 DCJT ) ， 4-dicya,ethylene-2-tert-buty卜6-(2-[1， 1， 7， 7-tetramethyl julolidine-9-yl]ethenyl) 4H-pyran ; perif lanthene; 2， 5-dicyano-l， 4-bis (2-[10-methoxy-l， 1, 7， 7-
tetra迅ethyljulolidine-9-yl]ethenyl)benzene等等。為了獲得綠色光 發(fā)射，可以使用展現(xiàn)了在500nm到550nm具有峰值的發(fā)射光譜的物質(zhì)，諸 如N， N，-dimethyl-quinacridon (縮寫(xiě)為DMQd) ，co咖arin 6， coumarin 545T，和tris (8-quino1 inolate) aluminum (縮寫(xiě)為Alq3)。為了獲得藍(lán)色 光發(fā)射，可以使用以下展現(xiàn)了在420nm到480nm具有峰值的發(fā)射光譜的物 質(zhì)9， 10-bis (2-naphthyl)-tert-butylanthracene(縮寫(xiě)為t-Bu畫(huà))；9， 9,一binathryl; 9，10-diphenylanthracene ( 縮寫(xiě)為 DPA ); 9， 10—bis (2-naphthyl) anthracene (縮寫(xiě)為 DNA ) ; bis(2-methy卜 8-quinolinolate)-4-phenylphenolate-gallium (縮寫(xiě)為 BGaq ); bis (2-methy1-8-quino1ino1a te)-4-pheny1pheno1a te-a1uminum(縮寫(xiě)為 BAlq)等等。在上述發(fā)光元件中，當(dāng)電壓施加到第一和第二電極101和102 時(shí)，空穴被從第一電極101注入到第一發(fā)光層111，并且電子被從第一層 103注入到第一發(fā)光層111。同樣，空穴被從第二電極102注入到第二發(fā) 光層121。電子^皮從第二層104注入到第二發(fā)光層121。因此，空穴和電 子在第 一和第二發(fā)光層111和112中被重新組合，這樣就激發(fā)了發(fā)光物質(zhì)。 該發(fā)光物質(zhì)一從激發(fā)狀態(tài)返回到基態(tài)就發(fā)光。
此外，當(dāng)從第一發(fā)光層111發(fā)射的光的顏色和從第二發(fā)光層 121發(fā)射的光的顏色互補(bǔ)時(shí)，人眼就將該從兩個(gè)發(fā)光元件發(fā)射的光檢測(cè)為 白色。在該情況下，當(dāng)?shù)谝浑姌O101的反射率不同于第二電極102的反射 率并且從各自發(fā)光層發(fā)射的光的發(fā)射光語(yǔ)的峰值波長(zhǎng)(即，在檢查發(fā)射光 譜的情況下最大發(fā)射強(qiáng)度的波長(zhǎng))互相不同時(shí)，各自的發(fā)光層優(yōu)選地被這 樣排列具有更短峰值波長(zhǎng)的發(fā)光層被放置的更靠近具有高反射率的電 極。此外，峰值波長(zhǎng)指示在具有多個(gè)峰值的發(fā)射光諳中展現(xiàn)具有最強(qiáng)發(fā)射 強(qiáng)度的峰值的波長(zhǎng)。例如，在第一電極101是由銦錫氧化物等等制造并且 容易發(fā)射可見(jiàn)光而第二電極102是由鋁等等制造并且容易反射光的情況 下，第一發(fā)光層111 (祐放置的最靠近第一電極101)優(yōu)選地;UL射藍(lán)色 光的發(fā)光層，而第二發(fā)光層121 (被放置的最靠近第二電極102)優(yōu)選地 AJL射黃色光的發(fā)光層。因此，可以減小由于反射從在第二電極102的發(fā) 光層發(fā)射的光而引起的光干涉。此外，只有第一發(fā)光層111可以以與本實(shí)施方式相同的方法 被提供在第一電極101和第一層103之間?？商鎿Q地，除了第一發(fā)光層 111之外，還可以在它們之間提供空穴傳輸層等等。同時(shí)，只有第二發(fā)光 層121可以以本實(shí)施方式中所示的那樣被提供在第二電極102和第二層 104之間?？商鎿Q地，除了第二發(fā)光層121，可以在它們之間提供電子傳 輸層等等。因?yàn)樯鲜龈鶕?jù)本發(fā)明的發(fā)光元件是通過(guò)使用具有低吸水特性 (諸如鉬氧化物)的物質(zhì)形成的，因此發(fā)光元件^J^被侵入該發(fā)光元件的 濕氣所惡化。此外，該實(shí)施方式的發(fā)光元件可以發(fā)射白光。此外，在本實(shí)
涉，、i而可以容易控制從發(fā)光層發(fā)射的光的色調(diào)。 、
實(shí)施方式2本實(shí)施方式將參考圖2描述一種本發(fā)明的發(fā)光元件，該發(fā)光 元件具有3個(gè)發(fā)光層。在圖2中，第一層203、 205和207包含容易傳輸電子的物質(zhì) 和具有給電子特性的物質(zhì)，而第二層204、 206和208包含容易傳輸空穴 的物質(zhì)和具有受電子特性的物質(zhì)，該第一層和第二層被提供在第一電極 201和第二電極202之間。在該情況下，第一層203被形成為與第一電極201相接觸。第二層208被形成為與第二電極202相接觸。第一層205和 第二層204被層壓以互相接觸。第一層207和第二層206被層壓以互相接 觸?？昭ㄊ窃诎ㄈ菀讉鬏斂昭ǖ奈镔|(zhì)和具有受電子特性的物質(zhì)的第一層 203、 205和207中產(chǎn)生，而電子是在包括容易傳輸電子的物質(zhì)和具有給 電子特性的物質(zhì)的第二層204、 206和208中產(chǎn)生。在該實(shí)施方式中，第一電極201起到陽(yáng)極的作用，第二電極 202起到陰極的作用。第一發(fā)光層211被提供在第一層203和第二層204 之間。第二發(fā)光層221被提供在第一層205和第二層206之間。第三發(fā)光 層231被提供在第一層207和第二層208之間。空穴傳輸層212被提供在 第二層204和第一發(fā)光層211之間?？昭▊鬏攲?22被提供在第二層206 和第二發(fā)光層221之間?？昭▊鬏攲?32被提供在第二層208和第三發(fā)光 層231之間。在該情況下，空穴傳輸層表示能夠?qū)⒖昭▊鬏數(shù)桨l(fā)光層并包 含容易傳輸空穴的物質(zhì)的層。電子傳輸層213被提供在第一層203和第一 發(fā)光層211之間。電子傳輸層223被提供在第一層205和第二發(fā)光層221 之間。電子傳輸層233被提供在第一層207和第三發(fā)光層231之間。這些 電子傳輸層表示能夠?qū)㈦娮觽鬏數(shù)桨l(fā)光層并且包含容易傳輸電子的物質(zhì) 的層。通過(guò)提供這些空穴傳輸層和這些電子傳輸層，發(fā)光層就能夠從包含 金屬的層中分離出來(lái)，從而避免了由金屬引起的光淬滅。容易傳輸空穴的物質(zhì)、具有受電子特性的物質(zhì)、容易傳輸電 子的物質(zhì)、和具有給電子特性的物質(zhì)與實(shí)施方式l中所描述的相同?？梢?使用在實(shí)施方式l中描述的物質(zhì)。此外，對(duì)于具有受電子特性的物質(zhì)，在 本實(shí)施方式中優(yōu)選地4吏用具有低吸濕特性的物質(zhì)，諸如鉬氧化物。第一電極201起到陽(yáng)極的作用，第二電極202起到陰極的作 用。因此，第一電極201優(yōu)選地是由與實(shí)施方式1中的第一電極101相同 的具有高功函數(shù)的物質(zhì)制造的。此外，第二電極202優(yōu)選地是由與實(shí)施方 式l中的第二電極102相同的具有低功函數(shù)的物質(zhì)制造的。優(yōu)選地，第一 電極201和第二電極202中的一個(gè)或兩個(gè)是由容易透射可見(jiàn)光的物質(zhì)制 造?？昭▊鬏攲?12， 222和232分別對(duì)應(yīng)于包含容易傳輸空穴的 物質(zhì)的層?？昭▊鬏攲?12， 222和232并不是特別限定的。這些空穴傳
空穴"物質(zhì)。此外，、^穴傳輸層212， 222和2;2可以分別L含二種或多種容易傳輸空穴的物質(zhì)?？昭▊鬏攲?12， 222和232可以分別包括僅僅 一個(gè)層或多個(gè)層。此外，容易傳輸空穴的物質(zhì)與實(shí)施方式l中所提到的容 易傳輸空穴的物質(zhì)相同。電子傳輸層213， 223和233分別包含容易傳輸電子的物質(zhì)。 電子傳輸層213， 223和233并不是特別限定的。該電子傳輸層可以包含 各種不同的容易傳輸電子的物質(zhì)或者包含相同的容易傳輸電子的物質(zhì)。電 子傳輸層213, 223和233可以分別包含一種或多種容易傳輸電子的物質(zhì)。 電子傳輸層213， 223和233可以分別包括一個(gè)層或多個(gè)層。此外，容易 傳輸電子的物質(zhì)與實(shí)施方式1中描述的容易傳輸電子的物質(zhì)相同。第一發(fā)光層211、第二發(fā)光層221和第三發(fā)光層231分別包含 發(fā)光物質(zhì)。該發(fā)光物質(zhì)與實(shí)施方式l中所描述的發(fā)光物質(zhì)相同，因此，這 里可以利用實(shí)施方式l的發(fā)光物質(zhì)。此外，在第一發(fā)光層211、第二發(fā)光 層221和第三發(fā)光層231中包括的發(fā)光物質(zhì)可以互相不同。此外，第一發(fā) 光層211、第二發(fā)光層221和第三發(fā)光層231并不是特別限定的。每個(gè)發(fā) 光層可以包含一種物質(zhì)或者包含幾種不同物質(zhì)的混合物。例如，第一發(fā)光 層211、第二發(fā)光層221和第三發(fā)光層231中的一個(gè)或多個(gè)可以由僅僅一 種發(fā)光物質(zhì)制造。可替換地，發(fā)光層的一個(gè)或多個(gè)可以由發(fā)光物質(zhì)和另一 種物質(zhì)的混合物制造。對(duì)于與發(fā)光物質(zhì)混合使用的物質(zhì)，優(yōu)選地使用具有 比發(fā)光物質(zhì)具有更大能隙的物質(zhì)。在該情況下，能隙指示了LUMO級(jí)別和 H0M0級(jí)別之間的能隙。當(dāng)笫一發(fā)光層211、第二發(fā)光層221和第三發(fā)光層231的任何 一個(gè)發(fā)射紅色光，另一個(gè)發(fā)射綠色光，另一個(gè)發(fā)射藍(lán)色光時(shí)，人眼將從發(fā) 光元件發(fā)射的光檢測(cè)為白光。在第一電極201的光反射率不同于第二電極 202的光反射率并且各個(gè)發(fā)光層的發(fā)射光鐠的峰值波長(zhǎng)互相不同的情況 下，各個(gè)發(fā)光層優(yōu)選地被這樣排列為具有更短峰值波長(zhǎng)的發(fā)光層被放置的 更靠近具有高反射率的電極。此外，峰值波長(zhǎng)指示在具有多個(gè)峰值的發(fā)射 光語(yǔ)中展現(xiàn)具有最強(qiáng)發(fā)射強(qiáng)度的峰值的波長(zhǎng)。例如，當(dāng)?shù)谝浑姌O201是由 銦錫氧化物等等制造并且容易透射可見(jiàn)光而第二電極202是由鋁等等制 造且容易反射光的時(shí)候，被放置最靠近第一電極201的第一發(fā)光層211優(yōu) 選地對(duì)應(yīng)于發(fā)射紅色光的發(fā)光層，而被放置最靠近第二電極202的第三發(fā) 光層231優(yōu)選地對(duì)應(yīng)于發(fā)射藍(lán)色光的發(fā)光層。因此，可以減小由于在第二 電極202反射發(fā)光層發(fā)射的光帶來(lái)的光干涉。
14性的物質(zhì)(諸如 鉬氧化物)形成的，因此發(fā)光元件^J^會(huì)被侵入發(fā)光元件的濕氣所惡化。 此外，本實(shí)施方式的發(fā)光元件可以發(fā)射白光。此外，在本實(shí)施方式的發(fā)光 元件中很難引起從發(fā)光層發(fā)射的光與祐反射的光之間的干涉，因此，可以 容易地控制從發(fā)光層發(fā)射的光的色調(diào)。
實(shí)施方式3在實(shí)施方式1或2中的所描述的本發(fā)明的發(fā)光元件可以應(yīng)用 到具有顯示功能的發(fā)光設(shè)備的象素部件或者應(yīng)用到具有照明功能的發(fā)光 設(shè)備的照明部件。本實(shí)施方式將參考圖3到圖6描述具有顯示功能的發(fā)光設(shè)備 的電路配置和用于驅(qū)動(dòng)它的方法。圖3是從根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光設(shè)備的頂面看過(guò)去的示意圖。在 圖3中，在基底6500之上提供了象素部件6511、源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6512、 寫(xiě)柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6513和擦除柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6514。源信號(hào)線 驅(qū)動(dòng)電路6512、寫(xiě)柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6513和擦除柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路 6514通過(guò)線路組被分別連接到FPC (軟性印刷電路)6503，該FPC 6503 是外部輸入端。源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6512、寫(xiě)柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6513和 擦除柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6514分別從FPC 6503接收視頻信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)、 啟動(dòng)信號(hào)、重置信號(hào)等等。該FPC 6503與印刷線路板(PWB) 6504連接。 此外，驅(qū)動(dòng)電路部件并不需要提供在與上述象素部件6511相同的基底上。 例如，驅(qū)動(dòng)電路部件可以通過(guò)使用具有在其上安裝了 IC芯片CTCP)的布 線圖的FPC等等而提供在基底之外。在象素部件6511中，多條在列上延伸的源信號(hào)線以行排列。 電流供給線以行排列。此外，多條在行上延伸的柵極信號(hào)線在象素部件 6511中以列排列。此外，多個(gè)包含發(fā)光元件的電路在象素部件6511中被排列。圖4是顯示用于激活一個(gè)象素的電路的圖示。如圖4所示的 電路包括第一晶體管901，第二晶體管902和發(fā)光元件903。第一和第二晶體管901和902的每一個(gè)是一個(gè)3端元件，包 括柵電極、漏極區(qū)和源極區(qū)。溝道區(qū)被提供在漏極區(qū)和源極區(qū)之間。起到 源極區(qū)作用的區(qū)和起到漏極區(qū)作用的區(qū)根據(jù)晶體管的配置、操作條件等等而變化，因此^J^確定哪個(gè)區(qū)起到源極區(qū)和漏極區(qū)的作用。因此，起到源 極和漏極作用的區(qū)在本實(shí)施方式中被分別表示為第一電極和第二電極。柵極信號(hào)線911和寫(xiě)柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路913被提供來(lái)通過(guò) 開(kāi)關(guān)918互相電連接或者斷開(kāi)連接。柵極信號(hào)線911和擦除柵極信號(hào)線驅(qū) 動(dòng)電路914被提供來(lái)通過(guò)開(kāi)關(guān)919互相電連接或者斷開(kāi)連接。源信號(hào)線 912被提供來(lái)通過(guò)開(kāi)關(guān)920電連接到源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路915或連接到電源 916。第一晶體管901的柵極電連接到柵極信號(hào)線911。第一晶體管的第 一電極電連接到源信號(hào)線912,而其第二電極電連接到第二晶體管902的 柵電極。第二晶體管902的第一電極電連接到電流供給線917而其第二電 極電連接到發(fā)光元件903包括的一個(gè)電極。此外，開(kāi)關(guān)918可以被包括在 寫(xiě)柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路913中。開(kāi)關(guān)919也可以被包括在擦除柵極信號(hào)線 驅(qū)動(dòng)電路914中。此外，開(kāi)關(guān)920可以被包括在源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路915中。在象素部件中晶體管、發(fā)光元件等等的排列并不是特別限定 的。例如，可以使用如圖5的頂視圖所示的排列。在圖5中，第一晶體管 1001的第一電極連接到源信號(hào)線1004,而第一晶體管的第二電極連接到 第二晶體管1002的槺電極。第二晶體管的第一電極連接到電流供給線 1005，而第二晶體管的第二電極連接到發(fā)光元件的電極1006。柵極信號(hào) 線1003的一部分起到第一晶體管1001的柵電極的作用。接下來(lái)，將描述驅(qū)動(dòng)發(fā)光設(shè)備的方法。圖6就是隨著時(shí)間解 釋幀的操作的圖示。在圖6中，水平方向表示時(shí)間過(guò)程，而縱向表示柵極 信號(hào)線的掃描階段的數(shù)量。當(dāng)在本發(fā)明的發(fā)光設(shè)備上顯示圖像時(shí)，重復(fù)地執(zhí)行重寫(xiě)操作 和顯示操作。重寫(xiě)操作的數(shù)量并不是特別限定的。但是，重寫(xiě)操作優(yōu)選地 是一秒鐘執(zhí)行約60次，這樣觀看顯示圖像的人就不會(huì)察覺(jué)到圖像中的閃 動(dòng)。這里，操作一幅圖像(一幀)的重寫(xiě)操作和顯示操作的周期被表示為 一幀周期。如圖6所示， 一幀被分割為4個(gè)子幀501， 502， 503和504， 包括寫(xiě)周期501a, 502a， 503a和504a和保持周期501b， 502b, 503b和 504b。向發(fā)光元件提供用于發(fā)光的信號(hào)以i更在保持周期中發(fā)光。在第一子 幀501、第二子幀502，第三子幀503和第四子幀5(M中的每個(gè)中保持周 期的長(zhǎng)度比滿足23: 22: 21: 2°-8: 4: 2:1。這允許發(fā)光設(shè)備能夠展現(xiàn)4比特 灰度定標(biāo)(scale)。此外，比特?cái)?shù)量和灰度定標(biāo)的數(shù)量并不限定于本實(shí)施方式中所示的那些。例如， 一幀可以被分割為8個(gè)子幀以便獲得8比特的 灰度定標(biāo)?，F(xiàn)在將描述在一個(gè)幀中的操作。在子幀501中，寫(xiě)操作首先 從第l行到最后一行按順序執(zhí)行。因此，寫(xiě)周期的開(kāi)始時(shí)間對(duì)于每一行來(lái) 說(shuō)是不同的。保持周期501b按順序在其中寫(xiě)周期501a已經(jīng)終止的行中開(kāi) 始。在保持周期501b中，被提供了用于發(fā)光的信號(hào)的發(fā)光元件保持發(fā)光 狀態(tài)。 一旦終止保持周期501b，行中的子幀501就按順序變化到下一個(gè) 子幀502。在子幀502中，寫(xiě)操作以與子幀501 —樣的方式按順序從第1 行執(zhí)行到最后一行。上述操作重復(fù)執(zhí)行， 一直到保持周期504b，然后終 止。在終止子幀504的操作之后，就開(kāi)始下一幀的操作。因此，在各個(gè)子 幀中的發(fā)光時(shí)間的總量對(duì)應(yīng)于一幀中每個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光時(shí)間。通過(guò)為每 個(gè)發(fā)光元件改變發(fā)光時(shí)間并將在一個(gè)象素中不同地組合該發(fā)光元件，可以 形成具有不同亮度和不同色度的各種顯示色彩。當(dāng)在一個(gè)行中保持周期預(yù)定將被強(qiáng)制終止時(shí)，其中在所述行 中，在終止寫(xiě)操作到最后一行之前，寫(xiě)周期已經(jīng)被終止并且保持周期已經(jīng) 開(kāi)始，如子幀504所示，那么在保持周期504b之后就優(yōu)選地提供擦除周 期504c以便強(qiáng)制地停止發(fā)光。其中發(fā)光被強(qiáng)制停止的行在一段周期內(nèi)就 不再發(fā)光(該周期被稱之為非發(fā)光周期504d)。 一旦在最后一行終止了寫(xiě) 周期，下一個(gè)子幀(或下一幀)的寫(xiě)周期就從第一行按順序開(kāi)始。這可以 防止子幀504中的寫(xiě)周期與下一子幀的寫(xiě)周期重疊。雖然在本實(shí)施方式中子幀501和504以增加保持周期的長(zhǎng)度 的順序排列，但是它們并不必須以這種順序排列。例如，子幀可以以保持 周期的長(zhǎng)度的上升順序排列?？商鎿Q地，子幀可以隨機(jī)順序排列。此夕卜， 這些子幀可以進(jìn)一步被分割為多個(gè)幀。也就是說(shuō)，在提供相同的視頻信號(hào) 的周期中，柵極信號(hào)線的掃描可以執(zhí)行幾次?，F(xiàn)在將描述如圖4所示的電路的寫(xiě)周期和擦除周期中的操作。首先描述寫(xiě)周期中的操作。在寫(xiě)周期中，在第x行中(x是自 然數(shù))柵極信號(hào)線911通過(guò)開(kāi)關(guān)918被電連接到寫(xiě)柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路 913。在第x行中的該柵極信號(hào)線911沒(méi)有連接到擦除柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電 路914。該源信號(hào)線912通過(guò)開(kāi)關(guān)920被電連接到源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路915。 在該情況下，信號(hào)被輸入到連接到第x行(x是自然數(shù))的柵極信號(hào)線911 的第一晶體管901的槺極，從而開(kāi)啟第一晶體管901。此時(shí)，視頻信號(hào)被同時(shí)輸入到第一到最后一列的源信號(hào)線。此外，來(lái)自每一列的源信號(hào)線
912的視頻信號(hào)輸入互相獨(dú)立。來(lái)自源信號(hào)線912的視頻信號(hào)輸入經(jīng)由連 接到各自源信號(hào)線的第一晶體管901被輸入進(jìn)第二晶體管902的柵電極。 此時(shí)，根據(jù)輸入進(jìn)第二晶體管902的信號(hào)確定發(fā)光元件903發(fā)光還是不發(fā) 光。例如，當(dāng)?shù)诙w管902是p溝道類型時(shí)，發(fā)光元件903通過(guò)輸入低 電平信號(hào)到第二晶體管902的柵電極而發(fā)光。另一方面，當(dāng)?shù)诙w管 902是n溝道類型時(shí)，發(fā)光元件903通過(guò)輸入高電平信號(hào)到第二晶體管902 的柵電極而發(fā)光。接下來(lái)，將描述在擦除周期中的操作。在擦除周期中，在第x 行(x是自然數(shù))的柵極信號(hào)線911經(jīng)由開(kāi)關(guān)919被電連接到擦除柵極信 號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路914。在第x行的柵極信號(hào)線911并不連接到寫(xiě)柵極信號(hào)線 驅(qū)動(dòng)電路913。源信號(hào)線912經(jīng)由開(kāi)關(guān)920被電連接到電源916。在該情 況下， 一旦將信號(hào)輸入到連接到第x行的柵極信號(hào)線911的第一晶體管 901的柵極時(shí)，第一晶體管901就被打開(kāi)。此時(shí)，擦除信號(hào)被同時(shí)輸入到 第一到最后一列的源信號(hào)線。來(lái)自源信號(hào)線912的擦除信號(hào)輸入經(jīng)由連接 到各自源信號(hào)線的第一晶體管901被輸入到第二晶體管902的柵電極。來(lái) 自電流供給線917的流過(guò)發(fā)光元件903的電流的供給被輸入進(jìn)第二晶體管 902的信號(hào)強(qiáng)制停止。這使得發(fā)光元件903強(qiáng)制地不發(fā)光。例如，當(dāng)?shù)诙?晶體管902是p溝道類型時(shí)，發(fā)光元件903通過(guò)輸入高電平信號(hào)到第二晶 體管902的柵電極而不發(fā)光。另一方面，當(dāng)?shù)诙w管902是n溝道類型 時(shí)，發(fā)光元件903通過(guò)輸入低電平信號(hào)到第二晶體管902的柵電極而不發(fā) 光。此外，在擦除周期中，通過(guò)上述操作，用于擦除的信號(hào)被輸 入到笫x行(x是自然數(shù))。但是，如上所述，第x行有時(shí)保持在擦除周 期，而同時(shí)另一行(例如，第y行(y是自然數(shù)))保持在寫(xiě)周期。在該 情況下，因?yàn)橛糜诓脸男盘?hào)需要被輸入到第x行而用于寫(xiě)的信號(hào)需要通
過(guò)使用相同列的源信號(hào)線被輸入到第y行，因此優(yōu)選地執(zhí)行以下所述的操 作。在第x行的發(fā)光元件903在擦除周期中通過(guò)上述操作變成不 發(fā)光狀態(tài)之后，柵極信號(hào)線和擦除柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路914立即斷開(kāi)互相 連接，并且源信號(hào)線通過(guò)打開(kāi)開(kāi)關(guān)902被連接到源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路915。 柵極信號(hào)線和寫(xiě)柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路913被互相連接，而源信號(hào)線和源信
18號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路915被互相連接。信號(hào)被選擇性地從寫(xiě)柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路 913輸入到第y行的信號(hào)線，而第一晶體管被打開(kāi)，而用于寫(xiě)的信號(hào)被從 源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路915輸入到從第一到最后一列的源信號(hào)線中。通過(guò)輸入 這些信號(hào)，第y行的發(fā)光元件發(fā)光或不發(fā)光。在如上所述終止第y行的寫(xiě)周期之后，在第x+l行立即開(kāi)始 擦除周期。因此，柵極信號(hào)線和寫(xiě)柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路913被斷開(kāi)互相連 接，而源信號(hào)線通過(guò)打開(kāi)/關(guān)閉開(kāi)關(guān)918而連接到電源916。此外，柵極 信號(hào)線和寫(xiě)柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路913斷開(kāi)互相連接，而柵極信號(hào)線連接到 擦除柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路914。信號(hào)被選擇性地從擦除柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電 路914輸入到第x+l行的柵極信號(hào)線，以便輸入信號(hào)到第一晶體管，而擦 除信號(hào)從電源916被輸入到那里。 一旦以這種方式終止了在第x+l行中的 擦除周期，在第y行就立刻開(kāi)始寫(xiě)周期。擦除周期和寫(xiě)周期可以交替重復(fù)， 直到最后一行的擦除周期。雖然在本實(shí)施方式中，第y行的寫(xiě)周期被提供在第x行的擦 除周期和第x+l行的擦除周期之間，但是本發(fā)明并不限定于此。第y行的 寫(xiě)周期可以被提供在第x-l行的擦除周期和第x行的擦除周期之間。在本實(shí)施方式，當(dāng)像子幀504這樣的不發(fā)光周期504d被提供 時(shí)，就重復(fù)執(zhí)行將擦除柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路914從一個(gè)柵極信號(hào)線斷開(kāi)并 將寫(xiě)柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路913連接到另一個(gè)柵極信號(hào)線的操作。該操作可 以在一個(gè)幀中執(zhí)行，在該幀中，不發(fā)光周期并不是特別提供的。
實(shí)施方式4現(xiàn)在將參考圖7A到7C描述包括本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光設(shè)
備的橫截面圖的示例。在圖7A到7C的每一個(gè)中，被虛線包圍的區(qū)域表示提供來(lái)驅(qū) 動(dòng)本發(fā)明的發(fā)光元件12的晶體管11。本發(fā)明的發(fā)光元件12包括在第一 電極13和第二電極14之間的層15。晶體管11的漏極和第一電極13通 過(guò)穿過(guò)第一夾層絕緣薄膜16 (16a， 16b和16c )的線路17被電互相連接。 發(fā)光元件12通過(guò)隔斷墻層18與鄰近于該發(fā)光元件12提供的另一個(gè)發(fā)光 元件絕緣。在本實(shí)施方式中，具有該結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的發(fā)光設(shè)備被提供在基 底IO之上。在圖7A到7C的每一個(gè)中所示的晶體管11是頂部柵極(top-gate)類型的晶體管，在該類型的晶體管中，柵電極4皮提供在與基 底相對(duì)的半導(dǎo)體層的一側(cè)。此外，晶體管11的結(jié)構(gòu)并不是特別限制的。 例如，可以使用底部柵極(bottom-gate)類型的晶體管。在使用底部柵 極類型的晶體管的情況中，可以使用其中保護(hù)薄膜形成在溝道的半導(dǎo)體層 的晶體管(溝道保護(hù)類型的晶體管)或使用其中溝道的半導(dǎo)體層的一部分 被蝕刻的晶體管(溝道蝕刻型晶體管)。晶體管11中包括的半導(dǎo)體層可以是晶體半導(dǎo)體、非晶形半導(dǎo) 體、半非晶形半導(dǎo)體等等的任何一種。具體而言，半非晶形半導(dǎo)體具有在非晶體結(jié)構(gòu)和晶體結(jié)構(gòu)(包 括單晶結(jié)構(gòu)和多晶結(jié)構(gòu))之間的中間結(jié)構(gòu)，和在自由能方面穩(wěn)定的第三條 件。該半非晶形半導(dǎo)體還包括具有近程有序(short range order)以及 晶格畸變(lattice distortion)的晶體區(qū)域。具有0. 5到Mnm尺寸的 晶粒被包括在至少一部分半非晶形半導(dǎo)體薄膜中。拉曼光鐠被移向低于 520cm—i的波數(shù)。(111)和(220 )的衍射峰值，被認(rèn)為是從珪晶格中導(dǎo)出， 在半非晶形半導(dǎo)體中由X射線衍射來(lái)觀察。該半非晶形半導(dǎo)體包含至少1 個(gè)原子百分比或更多的氫或面素用于終止懸空鍵(dangling bond)。該半 非晶形半導(dǎo)體也被稱為微晶體半導(dǎo)體。該半非晶形半導(dǎo)體通過(guò)輝光放電分 解利用硅化物氣體(等離子CVD)形成。對(duì)于硅化物氣體，SiH4、 Si2H6、 SiH2Cl2、 SiHCl3、 SiCl4、 SiF4等等都可以使用。該硅化物氣體也可以使用 H2稀釋，或者是用H2和一個(gè)或多個(gè)從He、 Ar、 Kr和Ne中選出的稀有氣體 元素的混合物。該稀釋比例被設(shè)置在1: 2到1:1， 000范圍之內(nèi)。壓力被設(shè) 置為大約在0.1到133Pa的范圍內(nèi)。該功率頻率祐:設(shè)置為1到120MHz， 優(yōu)選地是13到60MHz?；准訜釡囟瓤梢员辉O(shè)置為300X:或更少，更優(yōu)選 地是100到2501C。對(duì)于薄膜中所包含的雜質(zhì)元素，構(gòu)成空氣的每個(gè)雜質(zhì) 的濃度，諸如氧、氮和碳優(yōu)選地被i殳置為1*102°/(^3或更少。更具體而言， 氧濃度被設(shè)置為5*1019/0113或更少，優(yōu)選地是l"07ci^或更少。此外使 用非晶形半導(dǎo)體的TFT (薄膜晶體管)的移動(dòng)性被設(shè)置為大約1到 10mVVsec。作為晶體半導(dǎo)體層的一個(gè)特殊的實(shí)例，由單晶硅、多晶硅、 硅鍺等等制造的半導(dǎo)體層可以被引用。這些材料可以由鐳射結(jié)晶化形成。 例如，這些材料可以通過(guò)4吏用鎳等等的固相增長(zhǎng)(solid phase growth) 方法由結(jié)晶化來(lái)形成。
當(dāng)半導(dǎo)體層是由非結(jié)晶物質(zhì)制造的，例如非晶硅，那么優(yōu)選 地就使用具有包括只有n溝道晶體管作為晶體管11和另一個(gè)晶體管(包 含在用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件的電路中的晶體管)的電路的發(fā)光設(shè)備。替換地， 可以使用具有包括n溝道晶體管或p溝道晶體管的電路的發(fā)光設(shè)備。此外， 可以使用具有包括n溝道晶體管和p溝道晶體管兩者的電路的發(fā)光設(shè)備。第一夾層絕緣薄膜16可以包括如圖7A和7C所示多個(gè)層(例 如，第一夾層絕緣薄膜16a， 16b和16c)，或者包括單個(gè)層。夾層絕緣薄 膜16a是由無(wú)機(jī)材料制造的，諸如硅氧化物和硅氮化物。夾層絕緣薄膜 16b是由丙烯酸、硅氧烷(其是具有由硅(Si)氧(0)鍵形成的基結(jié)構(gòu) 并包括至少氫作為它的替代物的物質(zhì))，或者是具有可以通過(guò)采用諸如硅 氧化物的液體形成的自平面化特性的物質(zhì)制造的。夾層絕緣薄膜16c是由 包含氬(Ar)的硅氮化物薄膜制造的。構(gòu)成各個(gè)層的物質(zhì)并不特定地限制 于此。因此，可以使用除上述物質(zhì)之外的物質(zhì)。替換地，上述物質(zhì)可以與 除了上述物質(zhì)之外的物質(zhì)結(jié)合使用。因此，第一夾層絕緣薄膜16可以通 過(guò)使用無(wú)機(jī)材料和有機(jī)材料二者或者通過(guò)使用無(wú)機(jī)材料和有機(jī)材料之一 來(lái)形成。隔斷墻層18的邊緣部分優(yōu)選地具有其曲率半徑不斷變化的形 狀。該隔斷墻層18通過(guò)使用丙烯酸、硅氧烷、抗蝕劑(resist )、硅氧化 物等等形成。此外，隔斷墻層18可以由無(wú)機(jī)薄膜和有機(jī)薄膜中一個(gè)或兩 個(gè)制造。圖7A和7C顯示了一種結(jié)構(gòu)，其中只有第一夾層絕緣薄膜16 被夾在晶體管11和發(fā)光元件12之間。替換地，如圖7B所示，第一夾層 絕緣薄膜16 (16a和16b)和笫二夾層絕緣薄膜19 (19a和19b)可以被 提供在晶體管11和發(fā)光元件12之間。在圖7B所示的發(fā)光設(shè)備中，第一 電極13穿過(guò)第二夾層絕緣薄膜19電連接到線路17。第二夾層絕緣薄膜19可以包括多個(gè)層或單個(gè)層以及第一夾層 絕緣薄膜16。夾層絕緣薄膜19a是由丙烯酸、硅氧烷(其是具有由硅(Si) 氧(0)鍵形成的基結(jié)構(gòu)并包括至少氫作為它的替代物的物質(zhì))，或者是具 有可以通過(guò)采用諸如硅氧化物的液體形成的自平面化特性的物質(zhì)制造的。 夾層絕緣薄膜19b是由包含氬(Ar )的硅氮化物薄膜制造的。構(gòu)成各個(gè)第 二夾層絕緣層的物質(zhì)并不特定地限制于此。因此，可以使用除上述物質(zhì)之 外的物質(zhì)。替換地，上述物質(zhì)可以與除了上述物質(zhì)之外的物質(zhì)結(jié)合使用。
21因此，第二夾層絕緣薄膜19可以通過(guò)使用無(wú)機(jī)材料和有機(jī)材料二者或者 通過(guò)使用無(wú)機(jī)材料和有機(jī)材料之一來(lái)形成。當(dāng)?shù)谝浑姌O和第二電極都是通過(guò)在發(fā)光元件12中使用具有光 透射特性的物質(zhì)形成時(shí)，發(fā)光元件中產(chǎn)生的光可以如圖7A所示的那樣通 過(guò)第一電極13和第二電極14來(lái)發(fā)射。當(dāng)只有第二電極14是由具有光透 射特性的物質(zhì)制造的時(shí)，在發(fā)光元件12中產(chǎn)生的光可以如圖7B所示的那 樣僅僅通過(guò)第二電極14發(fā)射。在該情況下，第一電極13優(yōu)選地是由具有 高反射率的物質(zhì)制造的，或者由具有高反射率的材料制造的薄膜(反射薄 膜)優(yōu)選地被提供在第一電極13之下。當(dāng)只有第一電極13是由具有光透 射特性的物質(zhì)制造的時(shí)，在發(fā)光元件12中產(chǎn)生的光可以如圖7C所示的那 樣僅僅通過(guò)第一電極13發(fā)射。在該情況下，第二電極14優(yōu)選地是由具有 高反射率的物質(zhì)制造，或者反射薄膜優(yōu)選地提供在第二電極14之上。此外，發(fā)光元件12可以具有一種結(jié)構(gòu)其中第一電極13起 到陽(yáng)極的作用，第二電極14起到陰極的作用。該發(fā)光元件12或者還具有 這樣的結(jié)構(gòu)，其中第一電極13起到陰極的作用，第二電極14起到陽(yáng)極的 作用。在前一個(gè)例子中，晶體管ll是p溝道晶體管。在后一個(gè)例子中， 晶體管ll是n溝道晶體管。
實(shí)施方式5因?yàn)楦鶕?jù)本發(fā)明的發(fā)光設(shè)備具有卓越的防潮特性，因此能夠 顯示(優(yōu)選是長(zhǎng)時(shí)間顯示)圖像的電器或者能夠照明(優(yōu)選是長(zhǎng)時(shí)間照明) 的電器可以通過(guò)使用本發(fā)明的發(fā)光設(shè)備來(lái)獲得。安裝了本發(fā)明的發(fā)光設(shè)備的電器的實(shí)例如圖8A到8C所示。圖8A是根據(jù)本發(fā)明制造的的膝上型個(gè)人計(jì)算機(jī)，包括機(jī)身 5521、外殼5522、顯示部件5523、鍵盤(pán)5524等等。該膝上型個(gè)人計(jì)算機(jī) 可以通過(guò)在里面結(jié)合包括本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光設(shè)備而獲得。圖8B是根據(jù)本發(fā)明制造的蜂窩電話，包括機(jī)身5552、顯示部 件5551、音頻輸出部件5554、音頻輸入部件5555、操作開(kāi)關(guān)5556和5557、 天線5553等等。該蜂窩電話可以通過(guò)在里面結(jié)合包括本發(fā)明發(fā)光元件的 發(fā)光設(shè)備而獲得。圖8C是根據(jù)本發(fā)明制造的電視機(jī)，包括顯示部件5531、外殼 5532、揚(yáng)聲器5533等等。該電視機(jī)可以通過(guò)在里面結(jié)合包括本發(fā)明發(fā)光元件的發(fā)光設(shè)備而獲得。如上所述，本發(fā)明的發(fā)光設(shè)備適合于用作各種電器的顯示部件。此外，具有本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光設(shè)備被安裝在該膝上型 個(gè)人計(jì)算機(jī)、蜂窩電話和電視機(jī)上。但是，具有本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光 設(shè)備可以安裝在個(gè)人計(jì)算機(jī)、汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)、照明電器等等上。
實(shí)施例1現(xiàn)在將參考圖9描述本發(fā)明的實(shí)施例。通過(guò)噴鍍?cè)诓ＡЩ咨闲纬删哂衛(wèi)lOnm厚度的銦錫氧化物， 以便形成包含錮錫氧化物的層301。通過(guò)a-NPD和鉬氧化物的共蒸鍍?cè)诎熷a氧化物的層301 上形成具有50nm厚度的包含a-NPD和鉬氧化物的層302，使得a-NPD與鉬 氧化物的重量比滿足1:0.25。此外，共蒸鍍指示了一種蒸鍍方法，其中 從多個(gè)蒸鍍?cè)赐瑫r(shí)執(zhí)行蒸鍍。接下來(lái)，通過(guò)蒸鍍?cè)诎琣-NPD和鉬氧化物的層302上形成 了 a-NPD，以便形成具有10nm厚度的包含a-NPD的層303。通過(guò)Alq3、紅熒烯和DCJTI的共蒸鍍?cè)诎琣-NPD的層303 上形成具有37. 5mn厚度的包含Alq3、紅熒烯和DCJTI的層3(M，使得Alq3、 紅熒烯和DCJTI的重量比滿足1:1: 0. 02。然后，通過(guò)蒸鍍?cè)诎珹lq3、紅熒烯和DCJTI的層304上形 成Al(b,以便形成具有27. 5nm厚度的包含Alq3的層305。通過(guò)BCP和鋰(Li)的共蒸鍍?cè)诎珹lq3的層305上形成了 具有10nm厚度的包含BCP和鋰的層306,使得BCP和鋰的重量比滿足 1: 0. 005。通過(guò)a-NPD和鉬氧化物的共蒸鍍?cè)诎珺CP和鋰的層306上 形成了具有50nm厚度的包含a-NPD和鉬氧化物的層307，使得a-NPD和鉬 氧化物的重量比滿足1: 0. 25。接下來(lái)，通過(guò)蒸鍍?cè)诎琣-NPD和鉬氧化物的層307上形成 了 a-NPD，以l更形成具有10nm厚度的包含a-NPD的層308。通過(guò)Al①和香豆素6的共蒸鍍?cè)诎琣-NPD的層308上形成 了具有37. 5nm厚度的包含Al(b和香豆素6的層309，使得Al(b和香豆素6的重量比滿足1:0. 005。接下來(lái)，通過(guò)蒸鍍?cè)诎珹l(b和香豆素6的層309上形成了 Alq3，以便形成了具有27. 5nm厚度的包含Alq3的層310。通過(guò)BCP和鋰(Li)的共蒸鍍?cè)诎珹lq3的層310上形成了 具有10nm厚度的包含BCP和鋰的層311，使得BCP和鋰的重量比滿足 1: 0. 005。通過(guò)a-NPD和鉬氧化物的共蒸鍍?cè)诎珺CP和鋰的層311上 形成了具有50nm厚度的包含a-NPD和鉬氧化物的層312，使得a-NPD和 鉬氧化物的重量比滿足1: 0. 25。隨后，通過(guò)蒸鍍?cè)诎琣-NPD和鉬氧化物的層312上形成了 a-NPD，以便形成了具有10nm厚度的包含a-NPD的層313。接下來(lái)，通過(guò)蒸鍍?cè)诎琣-NPD層313上形成了 t-BuDNA， 以便形成具有37. 5nm厚度包含t-BuDM的層314。接下來(lái)通過(guò)蒸鍍?cè)诎瑃-BuDNA的層314上形成了 Al化以便 形成具有27. 5nm厚度的包含Al①的層315。通過(guò)BCP和鋰(Li)的共蒸鍍而在包含Alq3的層315之上形 成了具有10nm厚度的包含BCP和鋰的層316，使得BCP和鋰(Li)的重 量比滿足1: 0. 005。隨后，通過(guò)蒸鍍?cè)诎珺CP和鋰的層316之上形成了鋁以便 形成厚度為200nm的包含鋁的層317。在這樣制造的發(fā)光元件中，包含錮錫氧化物的層301起到陽(yáng) 極的作用，而包含鋁的層317起到了陰極的作用。包含a-NPD和鉬氧化物的層302具有注入空穴到包含a-NPD 的層303的特性。此外，包含a-NPD和鉬氧化物的層307具有注入空穴到 包含a-NPD的層308的特性。包含a-NPD和鉬氧化物的層312具有注入空 穴到包含a-NPD的層313的特性。包含a-NPD的層303具有傳輸被注入的空穴到包含Ald3、紅 熒烯和DCJTI的層304的特性。包含a-NPD的層308具有傳輸被注入的空 穴到包含Al①和香豆素6的層309的特性。包含a-NPD的層313起到用于 傳輸被注入的空穴到包含t-BuDNA的層314的空穴傳輸層的作用。包含BCP和鋰的層306具有注入電子到包含Al(i3的層305的 特性。此外，包含BCP和鋰的層311具有注入電子到包含Al(b的層310
24的特性。包含BCP和鋰的層316具有注入電子到包含Al&的層315的特 性。包含Al(b的層305具有傳輸被注入的電子到包含Alq3、紅熒 烯和DCJTI的層304的特性。包含Al&的層310具有傳輸從包含BCP和 鋰的層311注入的電子到包含Alq3和香豆素6的層309的特性。包含Alq3 的層315起到電子傳輸層的作用，其傳輸從包含BCP和鋰的層316注入的 電子到包含t-BuDNA的層314。在包含a-NPD和鉬氧化物的層302、 307和312中，鉬氧化 物起到電子受體的作用。此外，在包含BCP和鋰的層306、 311和316中， 鋰起到電子施主的作用。在該發(fā)光元件中，當(dāng)向包含錮錫氧化物的層301和包含鋁的 層317施加電壓時(shí)，電流流過(guò)包含銦錫氧化物的層301和包含鋁的層317。 因此，包含A1&、紅熒烯和DCJTI的層304發(fā)射在600到680nm的波長(zhǎng)范 圍內(nèi)具有峰值的光。包含Al①和香豆素6的層309發(fā)射在500到550nm 的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有峰值的光。包含t-BuDNA的層314發(fā)射在420到480nm 的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有《%值的光。在這些層中產(chǎn)生的光經(jīng)由包含錮錫氧化物的 層301被發(fā)射到外面。如上所述，在本實(shí)施例的發(fā)光元件中，展現(xiàn)具有
長(zhǎng)波長(zhǎng)的光的層更靠近具有高反射率的層(諸如包含鋁的層315)。因此， 可以減少這些層產(chǎn)生的光和由包含鋁的層317反射的光之間的干涉。在本實(shí)施例中制造的發(fā)光元件發(fā)光的情況下，發(fā)射光譜如圖 10所示。在圖10中，水平軸指示了波長(zhǎng)(nm)，垂直軸指示了發(fā)射強(qiáng)度 (任意單位)。根據(jù)圖10，可以知道在本實(shí)施例中制造的發(fā)光元件發(fā)射了 在450到620nm的波長(zhǎng)的光。在0. 979mA的CIE色度坐標(biāo)是x-O. 33，y=0. 46。 因此，就知道在本實(shí)施例中制造的發(fā)光元件發(fā)射白光。因?yàn)楸緦?shí)施例的發(fā)光元件是通過(guò)使用具有低吸濕特性的物 質(zhì)(諸如鉬氧化物)制造的，因此發(fā)光元件^J^被侵入到發(fā)光元件的濕氣 所惡化。此外，本實(shí)施例的發(fā)光元件可以發(fā)射白光。此外，4艮難在本實(shí)施 例中的發(fā)光元件中引起從發(fā)光元件發(fā)射的光和反射的光之間的干涉，因 此，可以容易地控制從發(fā)光元件中發(fā)射的光的色調(diào)。
實(shí)施例2
本實(shí)施例將顯示通過(guò)檢查相對(duì)于ot-NPD，鉬氧化物是否起到 具有受電子特性的物質(zhì)的作用而獲得的實(shí)驗(yàn)性結(jié)果。在該試驗(yàn)中，三種薄膜，即具有與包含a-NPD和鉬氧化物的 層302相同結(jié)構(gòu)的薄膜A、包含鉬氧化物的薄膜B和包含a-NPD的薄膜C 通過(guò)真空蒸鍍分別形成在玻璃基底上。各個(gè)薄膜的傳輸光譜被比較。圖11顯示了試驗(yàn)的結(jié)果。水平軸表示波長(zhǎng)，而垂直軸表示 透射比。相對(duì)于具有與包含a-NPD和鉬氧化物的層302 (實(shí)施例1中所述) 相同結(jié)構(gòu)的薄膜A，在500nm附近(圖中的虛線環(huán)繞的區(qū)域)可以觀察到 寬的峰值，這在包含鉬氧化物的薄膜B和包含a-NPD的薄膜C中觀察不到， 如圖11所示。認(rèn)為這就是由于從a-NPD傳輸電子到鉬氧化物引起的電子 傳輸而最近產(chǎn)生的能級(jí)。結(jié)果，已知的就是相對(duì)于a-NPD，鉬氧化物展現(xiàn) 了受電子特性。
本申請(qǐng)基于日本特許廳2004年5月21日提交的日本優(yōu)先權(quán)申請(qǐng)NO. 2004-152491，其全文這里引為參考。

IO:基底，li:晶體管，12:發(fā)光元件，13:第一電極，14:第二電極，15 層，"第一夾層絕緣薄膜，16a:第一夾層絕緣薄膜，16b:第二夾層 絕緣薄腹，16c:第一夾層絕緣薄膜，；17,'線路，18:隔斷墻層，19:第 二夾層絕緣薄膜，101:第一電極，102:第二電極，103:笫一層，104: 笫二層，iU:第一發(fā)光層，121:第二發(fā)光層，201:第一電極，202: 笫二電極，2Q3;第一層，204:第二層，205:第一層，206:第二層，207: 第一層，208:第二層，21i:第一發(fā)光層，212:空穴傳輸層，213:電 子傳輸層，22i:第二發(fā)光層，222:空穴傳輸層，223:電子傳輸層，231: 笫三發(fā)光層，232:空穴傳輸層，233:電子傳輸層，300:基底，301: 層，302:層，303:層,3R'層，305:層，306:層，307:層，3(58:層309: 層，310:層,311:層，312:房，313:層，.314:層，315:層，36:層，317:. .層，501:子幀,50la:寫(xiě)周初，.501b:保持周期,502:子f貞，502a:寫(xiě) 周瓶502b:保持周期，503:子幀，503a:寫(xiě)周期，503b;保持周期，504: 子幀，504a:寫(xiě)周期,504b:保持周期，504c:擦除周期，504d:非發(fā) 光周期，.901:笫一晶體管，902:第二晶體管，903:發(fā)光元件，911: 柵極信號(hào)線，912:源信號(hào)線，913:寫(xiě)柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路,914:擦除柵 極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路,915:源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路，916:電源，917:電流供 給線，918:開(kāi)關(guān)，919:開(kāi)關(guān)，920:開(kāi)關(guān)，1001:第一晶體管，1002: 第二晶體管.,1003:柵極信號(hào)線,10D4:源信號(hào)線，1005:電流供給咸,1006: 電極,5521:機(jī)身，.5522:外殼,5523:顯示部件,5524:鍵盤(pán)，5531: 顯示部件，5532:外殼，5533:揚(yáng)聲器,5551:顯示部件，5552:機(jī)身， 5553:天線，5554:音頻輸出部件，5555:音頻輸入郜件，5556:操作 開(kāi)關(guān),.6500:基底，6503: FPC, 6504:印刷線路板(PWB) , 6511:象 素部件，6512:源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路，6513:寫(xiě)柵極信號(hào)線駔動(dòng)電路,6514: 撩除柵板信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光元件，包括在陽(yáng)極和陰極之間的n片發(fā)光層；和在第m發(fā)光層和第m+1發(fā)光層之間的第一層和第二層，其中所述第一層包含鉬氧化物和容易傳輸空穴的有機(jī)物質(zhì)；其中所述第二層包含容易傳輸電子的物質(zhì)，其中所述第一層與所述第二層接觸，其中所述第一層比所述第二層更靠近所述陰極，其中n是自然數(shù)，以及其中m是自然數(shù)且小于n。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中所述陽(yáng)極和所述陰極中的一個(gè)具有比所述陽(yáng)極和所述陰極中的 另一個(gè)的反射率更高的反射率，其中所述第m+l發(fā)光層的發(fā)射光語(yǔ)的峰值波長(zhǎng)比所述第m發(fā)光層的發(fā) 射光鐠的J^值波長(zhǎng)短，以及其中所述n片發(fā)光層被這樣排列，使所述第邁+1發(fā)光層^U丈置得比所 述第m發(fā)光層更靠近所述陰極和所述陽(yáng)極中具有較高反射率的一個(gè)。
3. —種發(fā)光元件，包括在陽(yáng)極和陰極之間提供的n片層組，層組中的每一個(gè)都包括 包含鉬氧化物和容易傳輸空穴的有機(jī)物質(zhì)的第一層； 包含容易傳輸電子的物質(zhì)的第二層；和 在所述第 一層和所述第二層之間提供的發(fā)光層， 其中在所述n片層組中，第m層組中包括的第 一層和笫m+l層組中包 括的第二層,皮層壓且互相接觸，其中所述第m層組中包括的第一層比所述第m+l層組中包括的第二層 更靠近所述陰極，其中n是自然數(shù)，以及 其中m是自然數(shù)且小于n。
4. 一種發(fā)光元件，包括 陽(yáng)極；在所述陽(yáng)極之上的第一發(fā)光層；在所述第 一發(fā)光層之上的第 一層；在所述第 一層之上且與所述第 一層接觸的第二層；在所述第二層之上的第二發(fā)光層；以及在所述第二發(fā)光層之上的陰極，其中所述第一層包含容易傳輸電子的物質(zhì)，以及其中所述第二層包含鉬氧化物和容易傳輸空穴的有機(jī)物質(zhì)。
5. 如權(quán)利要求4所述的發(fā)光元件，其中所述第一發(fā)光層發(fā)藍(lán)光，所 述第二發(fā)光層發(fā)黃光。
6. —種發(fā)光元件，包括 陽(yáng)極；在所述陽(yáng)極之上發(fā)紅光的第一發(fā)光層；在所述第 一發(fā)光層之上的第 一層；在所述第 一層之上且與所述第 一層接觸的第二層；在所述第二層之上發(fā)綠光的第二發(fā)光層；在所述第二發(fā)光層之上的第三層；在所述第三層之上且與所述第三層接觸的笫四層；在所述第四層之上發(fā)藍(lán)光的第三發(fā)光層；以及在所述第三發(fā)光層之上的陰極，其中所述第一層和所述第三層包含容易傳輸電子的物質(zhì)，以及 其中所述第二層和所述第四層包含鉬氧化物和容易傳輸空穴的有機(jī) 物質(zhì)。
7. 如權(quán)利要求4或6所述的發(fā)光元件，其中所述陰極比所述陽(yáng)極更 有效地反射光。
8. 如權(quán)利要求l或3所述的發(fā)光元件，其中所述第二層包含具有給 電子特性的物質(zhì)。
9. 如權(quán)利要求4或6所述的發(fā)光元件，其中所述第一層包含具有給 電子特性的物質(zhì)。
10. 如權(quán)利要求l、 3、 4、 6中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其中所述 發(fā)光元件發(fā)白光。
11. 如權(quán)利要求l、 3、 4、 6中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其中所述 容易傳輸空穴的有機(jī)物質(zhì)是芳族胺。
12. 包含如權(quán)利要求l、 3、 4、 6中所公開(kāi)的發(fā)光元件中的任一種發(fā)光元件的電子設(shè)備。
13. 如權(quán)利要求12所述的電子設(shè)備，其中所述電子設(shè)備是從由個(gè)人 計(jì)算機(jī)、蜂窩電話、電視機(jī)和車(chē)輛導(dǎo)航系統(tǒng)構(gòu)成的組中選擇的一種設(shè)備。
14. 一種發(fā)光設(shè)備，包括 發(fā)光元件，其中所述發(fā)光元件包括在陽(yáng)極和陰極之間的n片發(fā)光層；和在第m發(fā)光層和第m+l發(fā)光層之間的第一層和第二層，其中所述第一層包含鉬氧化物和容易傳輸空穴的有機(jī)物質(zhì)；其中所述第二層包含容易傳輸電子的物質(zhì)，其中所述笫 一層與所述第二層接觸，其中所述第一層比所述第二層更靠近所述陰極，其中n是自然數(shù)，以及其中m是自然數(shù)且小于n。
15. 如權(quán)利要求14所述的發(fā)光設(shè)備，其中所述陽(yáng)極和所述陰極中的一個(gè)具有比所述陽(yáng)極和所述陰極中的 另 一個(gè)的反射率更高的反射率，其中所述第m+l發(fā)光層的發(fā)射光譜的峰值波長(zhǎng)比所述第m發(fā)光層的發(fā) 射光譜的峰值波長(zhǎng)短，以及其中所述n片發(fā)光層被這樣排列，使所述第m+l發(fā)光層被放置得比所 述第m發(fā)光層更靠近所述陰極和所述陽(yáng)極中具有較高反射率的一個(gè)。
16. —種發(fā)光設(shè)備，包括 發(fā)光元件，其中所述發(fā)光元件包括在陽(yáng)極和陰極之間提供的n片層組，層組中的每一個(gè)都包括 包含鉬氧化物和容易傳輸空穴的有機(jī)物質(zhì)的第一層； 包含容易傳輸電子的物質(zhì)的第二層；和 在所述第一層和所述第二層之間提供的發(fā)光層， 其中在所述n片層組中，第m層組中包括的第一層和第m+l層組中包 括的第二層被層壓且互相接觸，其中所述第m層組中包括的第一層比所述第m+l層組中包括的第二層 更靠近所述陰極，其中n是自然數(shù)，以及 其中m是自然數(shù)且小于n。
17. —種發(fā)光設(shè)備，包括 發(fā)光元件，其中所述發(fā)光元件包括陽(yáng)極；在所述陽(yáng)極之上的第一發(fā)光層；在所述第 一發(fā)光層之上的第 一層；在所述第 一層之上且與所述第 一層接觸的第二層；在所述第二層之上的第二發(fā)光層；以及在所述第二發(fā)光層之上的陰極， 其中所述第一層包含容易傳輸電子的物質(zhì)，以及 其中所述第二層包含鉬氧化物和容易傳輸空穴的有機(jī)物質(zhì)。
18. 如權(quán)利要求17所述的發(fā)光設(shè)備，其中所述第一發(fā)光層發(fā)藍(lán)光， 所述第二發(fā)光層發(fā)黃光。
19. 一種發(fā)光設(shè)備，包括 發(fā)光元件，其中所述發(fā)光元件包括陽(yáng)極；在所述陽(yáng)極之上發(fā)紅光的第一發(fā)光層； 在所述第 一發(fā)光層之上的第 一層； 在所述第 一層之上且與所述第 一層接觸的第二層； 在所述第二層之上發(fā)綠光的第二發(fā)光層； 在所述第二發(fā)光層之上的第三層； 在所述第三層之上且與所述第三層接觸的第四層； 在所述第四層之上發(fā)藍(lán)光的第三發(fā)光層；以及 在所述第三發(fā)光層之上的陰極， 其中所述第一層和所述第三層包含容易傳輸電子的物質(zhì)，以及 其中所述第二層和所述第四層包含鉬氧化物和容易傳輸空穴的有機(jī) 物質(zhì)。
20. 如權(quán)利要求17或19所述的發(fā)光設(shè)備，其中所述陰極比所述陽(yáng)極 更有效地反射光。
21. 如權(quán)利要求14或16所述的發(fā)光設(shè)備，其中所述第二層包含具有 給電子特性的物質(zhì)。
22. 如權(quán)利要求17或19所述的發(fā)光設(shè)備，其中所述第一層包含具有 給電子特性的物質(zhì)。
23. 如權(quán)利要求14、 16、 17、 19中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光設(shè)備，其中所述發(fā)光元件發(fā)白光。
24. 如權(quán)利要求14、 16、 17、 19中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光設(shè)備，其中所述容易傳輸空穴的有機(jī)物質(zhì)是芳族胺。
全文摘要
本發(fā)明的一種發(fā)光元件包括在第一和第二電極之間的n片發(fā)光層(n是自然數(shù))。在第m發(fā)光層(m是自然數(shù)1≤m≤n)和第m+1發(fā)光層之間的第一層和第二層被提供。該第一和第二層互相接觸。該第一層包含容易傳輸空穴的物質(zhì)和具有受電子特性的物質(zhì)。該第二層包含容易傳輸電子的物質(zhì)和具有給電子特性的物質(zhì)。鉬氧化物用作為具有受電子特性的物質(zhì)。
文檔編號(hào)H01L27/32GK101640254SQ20091016453
公開(kāi)日2010年2月3日 申請(qǐng)日期2005年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月21日
發(fā)明者安部寬子, 池田壽雄, 瀨尾哲史, 熊木大介 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所