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一種鹵素共激活鎵鋁酸鹽白光led用波長轉換熒光材料的制作方法

文檔序號:6934180閱讀:138來源:國知局
專利名稱:一種鹵素共激活鎵鋁酸鹽白光led用波長轉換熒光材料的制作方法
技術領域
本發(fā)明涉及一種鹵素共激活鎵鋁酸鹽白光LED用波長轉換熒光材料,它是使用在 藍光發(fā)光芯片上組成白光二極管,通過波長轉換組合能發(fā)出白光的熒光材料,具有高效顯 色抗光衰的特點,屬于半導體照明光源領域。
背景技術
半導體照明光源作為新型高效固體光源具有長壽命、節(jié)能、環(huán)保、微型化等顯著特
點,被譽為21世紀新型照明光源。在全球能源短缺的背景下,白光LED在照明市場備受矚 目。1997年日亞化學公司向美國專利局提出US5998925的發(fā)明專利公開了一種化學 式為Y3Al5O12 = Ce3+(YAG),也稱釔鋁石榴石,與其研發(fā)的氮化物發(fā)光二極管搭配成白光LED, 此熒光粉吸收450 470nm波長藍光,激發(fā)產生550 560nm波長黃光,剩余的藍光與轉換 的黃光混光后會產生白光,合成的白光LED具有成本低、效率高的特點,主要缺點是顯色性 較差,涂層的厚度對白光影響較大,均勻性差。美國專利US6669866提出了化學式為Tb3Al5O12:Ce3+(簡稱TAG),也稱鋱鋁石榴石 系熒光材料,缺點是成本高,鋱價格昂貴,亮度也比YAG差。中國專利0213094913 提出一種化學式為R(3xy)M5012:Cex,R' y。其中R 為 Y,Gd, Lu,Sc,La,Sm的一種或幾種,M為B,Al,Ga,In,P,Ge,Zn的一種或幾種,R'可以是Tb,Eu, Dy,Pr,Mn的一種或幾種。此熒光粉相對于前述Y3Al5O12 = Ce3+(YAG)熒光粉顯色性得到改善, 但是熒光粉的藍光轉換效率沒有前者高,亮度偏低。美國專利US6809347公開了 一種熒光粉化學式為(2-x-y) SrOx (Ba, Ca) 0(l-a-b-c-d)Si02aP205 bAl203 CB2O3 dGc02: yEu2+(0. 01 彡 χ < 1. 6 ;0 < y < 0. 5 ; x+y彡1. 6 ;0彡a,b,c,d < 0. 5),使用的是含銪之堿土族硅酸鹽,Sr2 SiO4或Ba2SiO4為母 體對Sr或Ba進行P、Al、B或Ge的取代,這種熒光粉也是使用藍光做激發(fā),在光色上偏橘 紅,顯色指數(shù)最高為82。但是亮度較低,白光不自然。美國專利US20060027781 公開了一種熒光粉化學式為=A2SiO4:Eu2+,D(A = Sr,Ca, Mg,Zn,Cd,D = 0. 1 0. 2mol % F, Cl, Br, I,P,S,N)。此熒光粉顯色性好,光效高,也能 制作出低色溫白光,缺點是顆粒粗大,易吸潮,需要兩種粉進行物理混合,不宜混合均勻,易 分層,不宜于點膠,黃粉、綠粉亮度較YAG偏低,紅粉中含有重金屬Cd,不符合環(huán)保要求。

發(fā)明內容
本發(fā)明正是針對現(xiàn)有技術存在的缺點,提出新型鹵素共激活鎵鋁酸鹽高效顯色抗 光衰白光LED用波長轉換熒光材料它具有高亮度,高顯色性、低成本,抗老化,抗光衰的特 點。其特征為由下列通式R(3-a)Mb/2N5012_b:Rea,Xb組成的熒光材料,其中R為選自La、Y、Lu、 Gd、Tb、Nd、Ho元素的氧化物或氫氧化物或草酸鹽或碳酸鹽中的至少一種以上,M為選自Ca、 Mg、Ba、Sr、Zn元素的氟化物和/或氯化物中的至少一種以上,N為B、Al、Ga、In元素的氧化物或氫氧化物或草酸鹽或碳酸鹽或氟化物中的至少一種以上,Re是激活劑為選自Ce、Dy、 Pr、Eu、Tm、Er、Sm、Yb、Sc元素的氧化物、氫氧化物、草酸鹽或碳酸鹽中的至少一種以上,X是 共激活劑為選自含 F、Cl 元素的 A1F3、CaF2, MgF2, BaF2, BaCl2, SrF2, SrCl2, ZnCl2 中的至少 一種以上,并且 0. 001 ^ a ^ 0. 5,0. 01 ^ b ^ 1,同時,A1F3> CaF2, MgF2, BaF2, BaCl2, SrF2, SrCl2, ZnCl2還起到助熔劑的作用。本發(fā)明所述的白光LED用波長轉換熒光材料,其特征為可以被250nm 490nm的
由紫外光到藍光激發(fā)。本發(fā)明所述的白光LED用波長轉換熒光材料,其特征為發(fā)射的可見光譜為 450nm 700nm,其峰值在 530nm 610nm。本發(fā)明所述的白光LED用波長轉換熒光材料,其特征為可以用通式(Ypj, Gdj) 3_aBab/2 (Al1+ Gak) 5012_b: (CewPri)a,(F1^zClz)b 表示,其中 0. 001 彡 a 彡 0.5, 0. 01 彡 b 彡 1,0. 001 彡 j 彡 0. 9,0. 01 彡 k 彡 0. 5,0. 001 彡 i 彡 0. 1,0. 1 彡 ζ 彡 0. 5。這 里,Pr是共激活劑并且在610nm的橙紅色區(qū)有發(fā)射峰,與Ce在530nm 583nm的黃光區(qū)峰 形成雙峰,這樣在同一種基質中產生二元顏色發(fā)光,與藍光芯片的藍色光組成三元色發(fā)光, 提高了顯色指數(shù),同時二原色在同一基質中,保證了顏色的均勻性,一致性和穩(wěn)定性。本發(fā)明所述的白光LED用波長轉換熒光材料,其特征為X是共激活劑F和Cl,并且 當0. 1彡Z彡0. 125時,隨著Z值的減小,其發(fā)射光譜向短波方向移動,當0. 125彡Z彡0. 5 時,隨著ζ值的增大,其發(fā)射光譜向長波方向移動,發(fā)射峰值位于530nm 610nm,并且在 0.01 ^b^ 1區(qū)間內,隨著b值的增大,發(fā)光的強度增大。本發(fā)明所述的白光LED用波長轉換熒光材料,其特征為通過改變Y,Gd的比例發(fā)射 光譜的峰值發(fā)生移動,當j在0. 001 ^ j ^ 0. 9區(qū)間內逐漸增大時,發(fā)射光譜峰值向長波方 向移動,反之,則向短波方向移動,發(fā)射峰值位于530nm 610nm。本發(fā)明所述的白光LED用波長轉換熒光材料,其特征為通過改變Al,Ga的比例發(fā) 射光譜的峰值發(fā)生移動,當k在0. 01 < k < 0. 5區(qū)間內逐漸增大時,發(fā)射光譜峰值向短波 方向移動,反之,則向長波方向移動,發(fā)射峰值位于530nm 610nm。本發(fā)明所述的白光LED用波長轉換熒光材料的制備方法,其特征為按結構式規(guī)定 的摩爾配比稱量,混合均勻,在氮、氫混合氣的還原氣氛下,1350 1500°C溫度下燒結3 5個小時,冷卻得到平均粒度D5tl為4 7 μ m的疏松粉體。本發(fā)明所述的白光LED用波長轉換熒光材料的制備方法,其特征為可以選用碳酸 鹽或草酸鹽為原料制備超細熒光材料,因為碳酸鹽或草酸鹽受熱分解,可以使燒成的顆粒 更??;但由于在還原氣氛下碳酸根和草酸根會還原成單質的碳產生碳污染,所以燒結過程 要分兩步進行,先在1000°c氧化氣氛燒結2小時,冷卻,再在1350 1500°C燒結3 5個 小時,冷卻得到平均粒度D5tl為2 4 μ m的疏松粉體。本發(fā)明所述的白光LED用波長轉換熒光材料的制備方法,其特征為得到的粉體用 La2O3進行包膜處理,具有抗老化抗光衰的性能,用0. 的硝酸鑭溶液處理熒光粉體顆粒 的表面,再加氨水中和,在顆粒表面形成1 2個納米的膠膜,經過130 150°C烘干10 16小時之后,就形成抗老化抗光衰的包膜,得到的熒光粉耐150°C溫度的溫度老化,不變 色、不哀減,穩(wěn)定性強。本發(fā)明所述的白光LED用波長轉換熒光材料,其特征為用環(huán)氧樹脂或硅樹脂制成
4涂料涂覆在410nm 490nm的芯片上,并用透明的環(huán)氧樹脂或硅樹脂封裝起來,芯片通電發(fā) 出的藍光激發(fā)熒光材料產生峰值在530nm 610nm的黃光,再與部分透射出的藍光混合成 白光光源。


附圖1說明本發(fā)明的熒光材料通過改變Y,Gd的比例發(fā)射光譜的峰值發(fā)生移動,當 j在0. 001 ^ j ^ 0. 9區(qū)間內逐漸增大時,發(fā)射光譜峰值向短波方向移動,反之,則向長波方 向移動。附圖2說明本發(fā)明的熒光材料通過改變Al,Ga的比例發(fā)射光譜的峰值發(fā)生移動, 當k在0. 01 < k < 0. 5區(qū)間內逐漸增大時,發(fā)射光譜峰值向短波方向移動,反之,則向長波 方向移動。附圖3對照YAG:Ce3+說明本發(fā)明的熒光材料Pr是共激活劑并且在610nm的橙紅 色區(qū)有發(fā)射峰,與Ce在530nm 583nm的黃光區(qū)峰形成雙峰,這樣在同一種基質中產生二 元顏色發(fā)光,與激發(fā)的藍光組成三原色,而YAG: Ce3+只有二原色。附圖4說明本發(fā)明的熒光材料的特征為X是共激活劑F和Cl,并且當 0. 1 ^ ζ ^ 0. 125時,隨著ζ值的減小,其發(fā)射光譜向短波方向移動,當0. 125彡ζ彡0. 5 時,隨著ζ值的增大,其發(fā)射光譜向長波方向移動。附圖5說明本發(fā)明的熒光材料的特征為X是共激活劑F和Cl,并且當0.01彡b彡1 時,隨著b值的增大,其發(fā)射峰增強,當b = 0. 4時亮度最高。
具體實施例方式為了說明本發(fā)明的熒光材料及制備方法,列舉以下實施例進行說明,但本發(fā)明受 下面的實施范圍的限制。實施例1 (Ya95 Gd。. J^9Baai (Ala9Gaa D5Oil8: (Cea94Pra06)ai(Fa9Clai)a2 的制備按下列計量稱取試劑物料Y2O3 (5N)1. 3775molGd2O3 (4N)0. 145molAl(OH)34. 5molGa2O3 (4N)0. 25molCe02(4N)0. 094molPr6O11 (4N)0. OOlmolAlF3 (4N)0. 03molBaF2 (4N)0. 05molBaCl2 (4N)0. Olmol將上述物料經研磨混勻后,裝入高純氧化鋁坩堝在氫氮混合氣(75%體積比)的 氣氛下,1350 1500°C溫度下燒結3 5個小時,冷卻得到平均粒度D5tl為4 7 μ m的疏 松粉體。用稀硝酸清洗,水洗至中性,加0. 的硝酸鑭再加氨水中和抽濾烘干得到包膜的 粉體。在460nm藍光激發(fā)下,發(fā)出567nm黃光,在610nm處產生強發(fā)光峰。實施例2 (Y0.25Gd0.75) 2.9Ba0. ^Al0.9Ga0. J5Oil8: (Ce0.94Pr0.06) 0.丄(F0.9C10. ^ 0.2 的制備
按下列計量稱取試劑物料
Y2O3(5N)0.3625mol
Gd2O3 (4N)1.0875mol
Al (OH)3(4N)4. 5mol
Ga2O3 (4N)0. 25mol
Ce02(4N)0.094mol
Pr6O11 (4N)0. OOlmol
AlF3 (4N)0. 03mol
BaF2(4N)0.05mol
BaCl2(4N)0. Olmol
將上述物料經研磨混勻后,裝入高純氧化鋁坩堝在氫氮混合氣(75%體積比)的氣氛下,1350 1500°C溫度下燒結3 5個小時,冷卻得到平均粒度D5tl為4 7 μ m的疏松粉體。用稀硝酸清洗,水洗至中性,加0. 的硝酸鑭再加氨水中和抽濾烘干得到包膜的
粉體。與實施例1相比,在460nm藍光激發(fā)下,發(fā)出578nm黃橙光,在610nm處產生強發(fā)光
峰。
實施例3 (Y0.95 Gd0.05) 29Ba0. ι (Al0.6Ga0.4) 5 O11 8: (Ce0.94Pr0.06)0. ι (F0.9C10. ι)0.2 的制備
按下列計量稱取試劑物料
Y2O3(5N)1.3775mol
Gd2O3 (4N)0.145mol
Al (OH)33. Omol
Ga2O3 (4N)1. Omol
Ce02(4N)0.094mol
Pr6O11 (4N)0.OOlmol
AlF3 (4N)0. 03mol
BaF2(4N)0. 05mol
BaCl2(4N)0.Olmol
將上述物料經研磨混勻后,裝入高純氧化鋁坩堝在氫氮混合氣(75%體積比)的氣氛下,1350 1500°C溫度下燒結3 5個小時,冷卻得到平均粒度D5tl為4 7 μ m的疏
松粉體。用稀硝酸清洗,水洗至中性,加0. 的硝酸鑭再加氨水中和抽濾130 150°C烘 干得到包膜的粉體。與實施例1相比,在460nm藍光激發(fā)下,發(fā)出538nm黃綠光,在610nm 處產生強發(fā)光峰。實施例4 =(Ya95Gdaci5)I9Baai(Ala9Gaai)5 O11.8: (Cea94Pra06)ai(Fa6Cla4)a2 的制備按下列計量稱取試劑物料Y2O3 (5N)1. 3775molGd2O3 (4N)0. 145molAl(OH)34. 5molGa2O3 (4N)0. 25molCe02(4N)0. 094molPr6O11 (4N)0. OOlmol
AlF3 (4N)0. 015molBaF2 (4N)0. 04molBaCl2 (4N)0. 04mol將上述物料經研磨混勻后,裝入高純氧化鋁坩堝在氫氮混合氣(75%體積比)的 氣氛下,1350 1500°C溫度下燒結3 5個小時,冷卻得到平均粒度D5tl為4 7 μ m的疏 松粉體。用稀硝酸清洗,水洗至中性,加0. 的硝酸鑭再加氨水中和抽濾130 150°C烘 干得到包膜的粉體。與實施例1相比,在460nm藍光激發(fā)下,發(fā)出571nm黃光,在610nm處 產生強發(fā)光峰。實施例5 (Y0 .95 Gd0. 05) 2. gBa0. 1 (Al?!?gGa?!?1) 5。11· 8 (Ce?!?94押0· 06) 0. 1 (^0. T5Cl 0. 25/ 0. 2 的制
備按下列計量稱取試劑物料
Y2O3(5N)1.3775mol
Gd2O3 (4N)0.145mol
Al (OH)34. 5mol
Ga2O3 (4N)0. 25mol
Ce02(4N)0.094mol
Pr6O11 (4N)0.OOlmol
AlF3 (4N)0.03mol
BaF2(4N)0. 03mol
BaCl2(4N)0. 025mol
將上述物料經研磨混勻后,裝入高純氧化鋁坩堝在氫氮混合氣(75%體積比)的氣氛下,1350 1500°C溫度下燒結3 5個小時,冷卻得到平均粒度D5tl為4 7 μ m的疏
松粉體。用稀硝酸清洗,水洗至中性,加0. 的硝酸鑭再加氨水中和抽濾130 150°C烘 干得到包膜的粉體。在460nm藍光激發(fā)下,發(fā)出570nm黃光,在610nm處產生強發(fā)光峰。實施例 6 =(Ya95Gdatl5)2.9Ba0.2 (Al0 9Ga0 丄)501L6: (Ce0.94Pr0.06) 0. ι (F0 75C10.25) 0.4 的制備
按下列計量稱取試劑物料
Y2O3(5N)1.3775mol
Gd2O3 (4N)0.145mol
Al (OH)34. 5mol
Ga2O3 (4N)0.25mol
Ce02(4N)0.094mol
Pr6O11 (4N)0.OOlmol
AlF3 (4N)0. 06mol
BaF2(4N)0. 06mol
BaCl2(4N)0.05mol
將上述物料經研磨混勻后,裝入高純氧化鋁坩堝在氫氮混合氣(75%體積比)的氣氛下,1350 1500°C溫度下燒結3 5個小時,冷卻得到平均粒度D5tl為4 7 μ m的疏
松粉體。用稀硝酸清洗,水洗至中性,加0. 的硝酸鑭再加氨水中和抽濾130 150°C烘 干得到包膜的粉體。在460nm藍光激發(fā)下,發(fā)出570nm黃光,在610nm處產生強發(fā)光峰,發(fā)光亮度為實施例5的110%。 實施例7 采用草酸鹽制備(YQ.95Gda(15)2.9Bao. 9CI0. 1) 0. 2
(Α1(|.1)5 〇11. 8 (Ce0. 94ΡΓ0. 06) 0. 1 ^O按下列計量稱取試劑物料
Y2(C2O4)3(SN)1.3775mol
Gd2 (C2O4) 3 (4N)0.145mol
Al (OH)34. 5mol
Ga2 (C2O4) 3 (4N)0.25mol
Ce (C2O4) 2 (4N)0.094mol
Pr6 (C2O4) H (4N)0.OOlmol
AlF3 (4N)0. 03mol
BaF2(4N)0. 05mol
BaCl2(4N)0. Olmol
準確稱量 Y2 (C2O4)3(SN)L3775mol、Gd2 (C;
'W 3 ‘
0. 145mol、Al(OH)3 4. 5mol、 Ga2 (C2O4) 3 (4N)0. 25mol、Ce (C2O4) 2 (4N) 0. 094mol、Pr6 (C2O4) n (4N) 0. OOlmol 將上述
物料經研磨混勻后,裝入高純氧化鋁坩堝在800°C IOOiTC的氧化氣氛下焙燒2 3小 時,分解草酸鹽,冷卻取出上述混合物料,再加入AlF3 (4N) O. 03mo 1、BaF2 (4N) O. 05mo 1、 BaC12(4N)0. Olmol研磨混合均勻,裝入高純氧化鋁坩堝在氫氮混合氣(75%體積比)的氣 氛下,1350 1500°C溫度下燒結3 5個小時,冷卻得到平均粒度D5tl為4 7 μ m的疏松 粉體。用稀硝酸清洗,水洗至中性,加0. 的硝酸鑭再加氨水中和抽濾130 150°C烘干 得到包膜的粉體。在460nm藍光激發(fā)下,發(fā)出567nm黃光,在610nm處產生強發(fā)光峰。
實施例8 對上述實施例1 7的白光LED用熒光粉采用Iw大功率芯片,與環(huán)氧 樹脂按16% (重量)的比例進行封裝實驗,測試結果如下
粉樣來源色坐標χ色坐標y色溫k光通量1 高溫老化 IOOH卨溫老化 350H實施例10. 3180. 3016480818380實施例20. 3780. 365360078SO79實施例30. 2720. 3089800838483實施例40. 3300. 3285506858685實施例50. 3220, 3355600838483實施例60. 3350. 3406500909189實施例70. 32Q0. 3256500828282 數(shù)據(jù)表明,用La2O3進行包膜處理,得到的熒光粉耐老化,不變色、幾乎不衰減,穩(wěn) 定性強,草酸鹽制作的熒光粉超細免磨,穩(wěn)定性更好。
8
權利要求
一種鹵素共激活鎵鋁酸鹽白光LED用波長轉換熒光材料,其特征為由下列通式R(3-a)Mb/2N5O12-b:Rea,Xb組成的熒光材料,其中R為選自La、Y、Lu、Gd、Tb、Nd、Ho元素的氧化物或氫氧化物或草酸鹽或碳酸鹽中的至少一種以上,M為選自Ca、Mg、Ba、Sr、Zn元素的氟化物和/或氯化物中的至少一種以上,N為B、Al、Ga、In元素的氧化物或氫氧化物或草酸鹽或碳酸鹽或氟化物中的至少一種以上,Re是激活劑為選自Ce、Dy、Pr、Eu、Tm、Er、Sm、Yb、Sc元素的氧化物或氫氧化物或草酸鹽或碳酸鹽中的至少一種以上,X是共激活劑為選自含F(xiàn)、Cl元素的AlF3、CaF2、MgF2、BaF2、BaCl2、SrF2、SrCl2、ZnCl2中的至少一種以上,同時,AlF3、CaF2、MgF2、BaF2、BaCl2、SrF2、SrCl2、ZnCl2還起到助熔劑的作用,并且0.001≤a≤0.5,0.01≤b≤1。
2.根據(jù)權利要求1所述的白光LED用波長轉換熒光材料,其特征為可以用通式 (Y1-J, G(Ij)3^BabZ2 (Ali-kJ Gak)5012_b: (CewPri)a,(F1^zClz)b 表示,其中 0. 001 彡 a 彡 0.5, 0. 01 彡 b 彡 1,0. 001 彡 j 彡 0. 9,0. 01 彡 k 彡 0. 5,0. 001 彡 i 彡 0. 1,0. 1 彡 ζ 彡 0. 5。
3.根據(jù)權利要求1、4所述的白光LED用波長轉換熒光材料,其特征為Pr是共激活劑并 且在610nm的橙紅色區(qū)有發(fā)射峰,與Ce在530nm 583nm的黃光區(qū)峰形成雙峰。
4.根據(jù)權利要求1所述的白光LED用波長轉換熒光材料,其特征為X是共激活劑 F和Cl,并且當0. 1 < ζ < 0. 125時,隨著ζ值的減小,其發(fā)射光譜向短波方向移動,當 0. 125彡ζ彡0. 5時,隨著ζ值的增大,其發(fā)射光譜向長波方向移動,發(fā)射峰值位于530nm 610nm,并且在0.01彡b彡1區(qū)間內,隨著b值的增大,發(fā)光的強度增大。
5.根據(jù)權利要求1、4所述的白光LED用波長轉換熒光材料,其特征為通過改變Y,Gd的 比例發(fā)射光譜的峰值發(fā)生移動,當j在0. 001 ^ j ^ 0. 9區(qū)間內逐漸增大時,發(fā)射光譜峰值 向長波方向移動,反之,則向短波方向移動,發(fā)射峰值位于530nm 610nm。
6.根據(jù)權利要求1、4所述的白光LED用波長轉換熒光材料,其特征為通過改變Al,Ga 的比例發(fā)射光譜的峰值發(fā)生移動,當k在0. 01 < k < 0. 5區(qū)間內逐漸增大時,發(fā)射光譜峰 值向短波方向移動,反之,則向長波方向移動,發(fā)射峰值位于530nm 6lOnm。
7.根據(jù)權利要求1所述的白光LED用波長轉換熒光材料的制備方法,其特征為按結構 式規(guī)定的摩爾配比稱量,混合均勻,在氮、氫混合氣的還原氣氛下,1350 1500°C溫度下燒 結3 5個小時,冷卻得到平均粒度D5tl為4 7 μ m的疏松粉體。
8.根據(jù)權利要求1所述的白光LED用波長轉換熒光材料的制備方法,其特征為選用的 原料為碳酸鹽或草酸鹽時燒結過程要分兩步進行,先在IOOiTC氧化氣氛燒結2小時,冷卻, 再在1350 1500°C燒結3 5個小時,冷卻得到平均粒度D5tl為3 5 μ m的疏松粉體。
9.根據(jù)權利要求1所述的白光LED用波長轉換熒光材料的制備方法,其特征為得到的 粉體用La2O3進行包膜處理,具有抗老化抗光衰的性能。
10.根據(jù)權利要求1所述的白光LED用波長轉換熒光材料,其特征為可以組成白光 LED,其構成為用環(huán)氧樹脂或硅樹脂制成涂料涂覆在410nm 490nm的芯片上,并用透明 的環(huán)氧樹脂或硅樹脂封裝起來,芯片通電發(fā)出的藍光激發(fā)熒光材料產生峰值在530nm 610nm的黃光,再與部分透射出的藍光混合成白光光源。
全文摘要
一種鹵素共激活鎵鋁酸鹽白光LED用波長轉換熒光材料,高效顯色抗光衰,其特征為由下列通式R(3 a)Mb/2N5O12-b:Rea,Xb組成的熒光材料,其中R為選自La、Y、Lu、Gd、Tb、Nd、Ho元素的氧化物或氫氧化物或草酸鹽或碳酸鹽中的至少一種以上,M為選自Ca、Mg、Ba、Sr、Zn元素的氟化物和/或氯化物中的至少一種以上,N為B、Al、Ga、In元素的氧化物或氫氧化物或草酸鹽或碳酸鹽或氟化物中的至少一種以上,Re是激活劑為選自Ce、Dy、Pr、Eu、Tm、Er、Sm、Yb、Sc元素的氧化物或氫氧化物或草酸鹽或碳酸鹽中的至少一種以上,X是共激活劑為選自含F(xiàn)、Cl元素的AlF3、CaF2、MgF2、BaF2、BaCl2、SrF2、SrCl2、ZnCl2中的至少一種以上,并且0.001≤a≤0.5,0.01≤b≤1。
文檔編號H01L33/00GK101880529SQ20091013902
公開日2010年11月10日 申請日期2009年5月8日 優(yōu)先權日2009年5月8日
發(fā)明者常耀輝 申請人:常耀輝
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