專利名稱：鍵合墊及其制造方法以及鍵合方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及鍵合墊的結(jié)構(gòu)及其制造方法以及采用該鍵 合墊的鍵合方法。
背景技術(shù)：
集成電路芯片封裝工藝中，一個(gè)重要的工藝步驟是將芯片上的鍵合墊與導(dǎo)線架上 的內(nèi)引腳進(jìn)行電連接，繼而將集成電路內(nèi)的電信號(hào)傳輸?shù)酵獠俊Ｔ摴に嚥襟E在本領(lǐng)域中稱 作打線封裝(Wire Bonding)。打線封裝的具體步驟一般是當(dāng)導(dǎo)線架從彈匣內(nèi)傳送至定位器后，應(yīng)用電子影像處 理技術(shù)來確定芯片上各個(gè)接點(diǎn)以及每一接點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的內(nèi)引腳上的接點(diǎn)的位置，然后進(jìn)入焊 線步驟。焊線時(shí)，以芯片上的接點(diǎn)為第一焊點(diǎn)，導(dǎo)線架的內(nèi)接腳上的接點(diǎn)為第二焊點(diǎn)。首 先使用焊接設(shè)備將引線的一端燒結(jié)成小球。而后將小球壓焊在第一焊點(diǎn)上，此稱為第一焊 (first bond)。接著依照設(shè)計(jì)好的路徑拉拽引線，將引線的另一端壓焊在第二焊點(diǎn)上，此稱 為第二焊(second bond)。然后拉斷第二焊點(diǎn)與焊接設(shè)備間的引線，從而完成一條引線的焊 線動(dòng)作。由于產(chǎn)品后續(xù)應(yīng)用的需要，要求將上述鍵合墊在芯片上重新排布，才能實(shí)現(xiàn)后續(xù)的 打線封裝。關(guān)于打線封裝技術(shù)，可以在美國專利第6，987，057號(hào)內(nèi)找到更多相關(guān)內(nèi)容。引線材料的選擇主要是考慮電性能和機(jī)械性能，即需要考量材料的電導(dǎo)率和延展 性。因?yàn)檠诱剐院玫慕饘俨牧喜拍鼙怀槌芍睆絀mil (Imil等于25.4 μ m)的引線。符合電 導(dǎo)率和延展性條件的金屬材料有Au和Al。而本領(lǐng)域也一般采用這兩種金屬材料來制造引 線。由于Au的電導(dǎo)率和延展性都優(yōu)于Al，因此，用Au做引線可以獲得更好的封裝性能。引線材料選定之后，還需要對(duì)應(yīng)選擇鍵合墊的材料。如果用Au做引線，則鍵合墊 的材料也采用Au可以獲得最好的效果。但是Au的價(jià)格昂貴，用Au來制造鍵合墊勢(shì)必會(huì)提 高封裝成本。而其他金屬，例如Cu，又與Au之間的焊接不穩(wěn)定，容易造成引線脫落。因此， 業(yè)界一般使用Al來制造鍵合墊，以達(dá)到與Au引線良好鍵合的目的。而制造鍵合墊時(shí)，其下有一層用聚酰亞胺或苯并環(huán)丁烯或聚亞苯基苯并二噁唑等 材料制造的鈍化層。由這些材料所制造的鈍化層比較柔軟，而Al制造的鍵合墊也比較柔 軟，因此在進(jìn)行打線封裝的第一焊時(shí)，焊接設(shè)備會(huì)將鍵合墊壓變形，從而造成打線封裝失效 或打線封裝質(zhì)量下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是如何獲得硬度較高的鍵合墊，用以提高鍵合質(zhì)量。為解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供半導(dǎo)體芯片的鍵合墊，包括半導(dǎo)體 襯底上的鈍化層和墊金屬層，所述墊金屬層與鈍化層之間還有支撐金屬層?？蛇x地，所述墊金屬層與所述支撐金屬層之間還設(shè)有擴(kuò)散阻擋層?？蛇x地，所述擴(kuò)散阻擋層的材料選自Ti、Ti合金、Cr、Cr合金、W或W合金。可選地，所述支撐金屬層具有重排布線路的圖形。
可選地，所述墊金屬層的材料選自Al?？蛇x地，所述支撐金屬層的材料選自Cu。可選地，所述鈍化層的材料選自聚酰亞胺或苯并環(huán)丁烯或聚亞苯基苯并二噁唑。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供半導(dǎo)體芯片的鍵合墊的制造方法，包括步驟提供 半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上具有鈍化層；在鈍化層上形成支撐金屬層；在支撐金屬層 上形成墊金屬層?？蛇x地，所述墊金屬層直接形成在支撐金屬層上?？蛇x地，所述在支撐金屬層上形成墊金屬層的步驟具體為在支撐金屬層上形成 擴(kuò)散阻擋層，然后在擴(kuò)散阻擋層上形成墊金屬層。可選地，所述擴(kuò)散阻擋層的材料選自Ti、Ti合金、Cr、Cr合金、W或W合金?？蛇x地，還包括步驟圖形化所述支撐金屬層，在支撐金屬層上形成重排布線路圖 形?？蛇x地，所述墊金屬層的材料為Al?？蛇x地，所述支撐金屬層的材料為Cu?？蛇x地，所述鈍化層的材料為聚酰亞胺或苯并環(huán)丁烯或聚亞苯基苯并二噁唑。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，提供前述半導(dǎo)體芯片的鍵合墊的鍵合方法，包括步驟 提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上設(shè)有鈍化層和墊金屬層，所述墊金屬層與鈍化層之間 還有支撐金屬層；將引線的一端燒結(jié)成小球；將所述小球壓焊在墊金屬層上；依照預(yù)定路 徑拉拽引線；將引線的另一端壓焊在第二焊點(diǎn)，即外圍電路連接點(diǎn)上。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明由于在鈍化層和墊金屬層之間引入了支撐金屬層，從而 克服了現(xiàn)有技術(shù)中鍵合墊比較柔軟所造成的打線封裝失效或打線封裝質(zhì)量下降的問題。也 避免將墊金屬層的材質(zhì)更換為昂貴的金屬所帶來的成本增加的問題。


圖1為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例鍵合墊的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例鍵合墊的制造方法流程圖；圖3為本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例鍵合墊的制造方法流程圖；圖4為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例鍵合方法流程圖；圖5為根據(jù)圖4所示方法進(jìn)行鍵合后的整體結(jié)構(gòu)的掃描電鏡圖；圖6為進(jìn)行BST測(cè)試后的鍵合墊的掃描電鏡圖；圖7為進(jìn)行WPT測(cè)試后的鍵合墊的掃描電鏡圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，要想提高鍵合墊的硬度，防止焊接設(shè)備在鍵合時(shí)將鍵合墊 壓變形，需要額外增加一層硬度較高的支撐金屬層來提高整個(gè)鍵合墊的硬度。因此，如圖1所示，本發(fā)明提供一種新的半導(dǎo)體芯片的鍵合墊100，包括半導(dǎo)體襯 底101上的鈍化層102和鈍化層102之上的墊金屬層103。另外，鍵合墊100還包括設(shè)置在 墊金屬層103與鈍化層102之間的支撐金屬層104。其中，墊金屬層103是用于直接與引線110鍵合的，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，引線110的材質(zhì)采用Au，相應(yīng)的，墊金屬層103的材質(zhì)可以采用與Au鍵合較好且成本較低的 Al。本領(lǐng)域技術(shù)人員了解，與Au相配合的金屬有多種，這里選用的Al只是一個(gè)從成本和鍵 合效果進(jìn)行考慮的優(yōu)選的實(shí)施例。鈍化層102的作用是為半導(dǎo)體襯底101表面提供保護(hù)，包括防化學(xué)腐蝕保護(hù)和防 物理應(yīng)力保護(hù)等等。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，鈍化層102的材料為聚酰亞胺或苯并環(huán)丁 烯或聚亞苯基苯并二噁唑等材質(zhì)較軟的聚合物。正是由于鈍化層102的材質(zhì)較軟，導(dǎo)致了 其上的墊金屬層103得不到有效的支撐，從而導(dǎo)致在進(jìn)行打線封裝的第一焊時(shí)，焊接設(shè)備 會(huì)將鍵合墊100壓變形，進(jìn)而造成打線封裝失效或打線封裝質(zhì)量下降。因而，發(fā)明人想到在鈍化層102和墊金屬層103之間引入一層可以提供物理支撐 的支撐金屬層104。支撐金屬層104的材質(zhì)選擇需要考慮的條件主要有兩個(gè)，其一是電導(dǎo)率 要高，其二是硬度要較大，至少要大于鈍化層102的硬度?？紤]上述條件，本發(fā)明優(yōu)選采用 Cu來形成支撐金屬層104。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員也可以根據(jù)實(shí)際情況選用其他金屬。由于在鈍化層102和墊金屬層103之間引入了支撐金屬層104，從而克服了現(xiàn)有技 術(shù)中鍵合墊100比較柔軟所造成的打線封裝失效或打線封裝質(zhì)量下降的問題。也避免將墊 金屬層103的材質(zhì)更換為昂貴的金屬所帶來的成本增加的問題。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，支撐金屬層104同時(shí)也用做重排布線，因而支撐金屬 層104具有重排布線路的圖形。另外，發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，墊金屬層103如果與支撐金屬層104直接接觸，會(huì)導(dǎo)致墊金 屬層103與支撐金屬層104相互擴(kuò)散，從而形成金屬間化合物和/或孔洞，導(dǎo)致出現(xiàn)金屬間 化合物和/或孔洞部位的電阻和脆性增加，嚴(yán)重影響制成品的可靠性。因此，發(fā)明人想到在 墊金屬層103與支撐金屬層104之間加入一層擴(kuò)散阻擋層105。擴(kuò)散阻擋層105的材質(zhì)選 擇，主要考慮因素在于擴(kuò)散阻擋層105與支撐金屬層104和墊金屬層103之間的互相擴(kuò)散 系數(shù)必須較低。因此，本發(fā)明優(yōu)選采用Ti或Ti合金、Cr或Cr合金、W或W合金中的一種。由于在擴(kuò)散阻擋層105的存在，墊金屬層103與支撐金屬層104不再直接接觸，因 而也不會(huì)形成相互擴(kuò)散，從而解決了墊金屬層103與支撐金屬層104相互擴(kuò)散所帶來的問 題。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供半導(dǎo)體芯片的鍵合墊的制造方法的一個(gè)實(shí)施 例，如圖2所示，包括步驟S201，提供半導(dǎo)體襯底101，所述半導(dǎo)體襯底101上具有鈍化層102 ；S202，在鈍化層102上形成支撐金屬層104 ；S203，在支撐金屬層104上直接形成墊金屬層103。具體來說，先是執(zhí)行步驟S201，提供半導(dǎo)體襯底101。半導(dǎo)體襯底101上具有鈍化 層102。鈍化層102 —般是在半導(dǎo)體襯底101的制造過程中所形成的。由于其存在對(duì)半導(dǎo) 體襯底101進(jìn)行化學(xué)和物理保護(hù)的作用，因此鈍化層102在后續(xù)過程中是不會(huì)被去除的。鈍 化層102的材料一般為聚酰亞胺或苯并環(huán)丁烯或聚亞苯基苯并二噁唑等材質(zhì)較軟的聚合 物。正是由于鈍化層102的材質(zhì)較軟，導(dǎo)致了其上的墊金屬層103得不到有效的支撐，從而 導(dǎo)致在進(jìn)行打線封裝的第一焊時(shí)，焊接設(shè)備會(huì)將鍵合墊100壓變形，進(jìn)而造成打線封裝失 效或打線封裝質(zhì)量下降。然后執(zhí)行步驟S202，在鈍化層102上形成支撐金屬層104。如前所述，支撐金屬層104的材質(zhì)選擇需要考慮的條件主要是電導(dǎo)率要高，其二是硬度要較大，至少要大于鈍化層 102的硬度。考慮上述條件，本發(fā)明優(yōu)選采用Cu來形成支撐金屬層104。當(dāng)選用Cu來形成 支撐金屬層104時(shí)，可以采用電鍍的方法。這里，電鍍Cu的具體工藝參數(shù)已為本領(lǐng)域技術(shù) 人員所熟知，在此不再贅述。再執(zhí)行步驟S203，在支撐金屬層104上直接形成墊金屬層103。如前所述，由于墊 金屬層103是用于直接與引線110鍵合的。并且本領(lǐng)域中，引線110的材質(zhì)采用一般采用 Au,相應(yīng)的，墊金屬層103的材質(zhì)可以采用與Au的鍵合較好且成本較低Al。然而，本領(lǐng)域技 術(shù)人員了解，與Au相配合的金屬有多種，這里選用的Al只是一個(gè)從成本和鍵合效果進(jìn)行考 慮的優(yōu)選的實(shí)施例。用Al形成墊金屬層103的具體方法也可以采用物理氣相沉積的方法， 其具體工藝參數(shù)已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。另外，本發(fā)明還提供半導(dǎo)體芯片的鍵合墊的制造方法的另一個(gè)實(shí)施例，如圖3所 示，包括步驟S301，提供半導(dǎo)體襯底101，所述半導(dǎo)體襯底上具有鈍化層102 ；S302，在鈍化層102上形成支撐金屬層104 ；S303，在支撐金屬層104上形成擴(kuò)散阻擋層105 ；S304，在擴(kuò)散阻擋層105上形成墊金屬層103。具體來說，先是執(zhí)行步驟S301，提供半導(dǎo)體襯底101。半導(dǎo)體襯底101上具有鈍化 層102。鈍化層102 —般是在半導(dǎo)體襯底101的制造過程中所形成的。由于其存在對(duì)半導(dǎo) 體襯底101進(jìn)行化學(xué)和物理保護(hù)的作用，因此鈍化層102在后續(xù)過程中是不會(huì)被去除的。鈍 化層102的材料一般為聚酰亞胺或苯并環(huán)丁烯或聚亞苯基苯并二噁唑等材質(zhì)較軟的聚合 物。正是由于鈍化層102的材質(zhì)較軟，導(dǎo)致了其上的墊金屬層103得不到有效的支撐，從而 導(dǎo)致在進(jìn)行打線封裝的第一焊時(shí)，焊接設(shè)備會(huì)將鍵合墊100壓變形，進(jìn)而造成打線封裝失 效或打線封裝質(zhì)量下降。然后執(zhí)行步驟S302，在鈍化層102上形成支撐金屬層104。如前所述，支撐金屬層 104的材質(zhì)選擇需要考慮的條件主要是電導(dǎo)率要高，其二是硬度要較大，至少要大于鈍化層 102的硬度。考慮上述條件，本發(fā)明優(yōu)選采用Cu來形成支撐金屬層104。當(dāng)選用Cu來形成 支撐金屬層104時(shí)，可以采用電鍍的方法。這里，電鍍Cu的具體工藝參數(shù)已為本領(lǐng)域技術(shù) 人員所熟知，在此不再贅述。接著執(zhí)行步驟S303，在支撐金屬層104上形成擴(kuò)散阻擋層105。由于擴(kuò)散阻擋層 105的存在，墊金屬層103與支撐金屬層104不再直接接觸，因而也不會(huì)形成相互擴(kuò)散，從而 解決了墊金屬層103與支撐金屬層104相互擴(kuò)散所帶來的問題。擴(kuò)散阻擋層105優(yōu)選采用 Ti或Ti合金、Cr或Cr合金、W或W合金中的一種。形成擴(kuò)散阻擋層105的方法具體可以 是物理氣象沉積，其具體工藝步驟在此不再贅述。再執(zhí)行步驟S403，擴(kuò)散阻擋層105上直接形成墊金屬層103。如前所述，由于墊金 屬層103是用于直接與引線110鍵合的。并且本領(lǐng)域中，引線110的材質(zhì)采用一般采用Au， 相應(yīng)的，墊金屬層103的材質(zhì)可以采用與Au的鍵合較好且成本較低Al。然而，本領(lǐng)域技術(shù) 人員了解，與Au相配合的金屬有多種，這里選用的Al只是一個(gè)從成本和鍵合效果進(jìn)行考慮 的優(yōu)選的實(shí)施例。用Al形成墊金屬層103的具體方法也可以采用物理氣相沉積的方法，其 具體工藝參數(shù)已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。
在上述兩個(gè)鍵合墊制造方法的實(shí)施例中，還可以增加圖形化支撐金屬層104，在支 撐金屬層104上形成重排布線路圖形的步驟。執(zhí)行該步驟后，可以將支撐金屬層104同時(shí) 用做打線封裝中所用到的重排布線。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，提供一種采用前述鍵合墊100的鍵合方法，如圖4所 示，包括步驟S401，提供半導(dǎo)體襯底101，所述半導(dǎo)體襯底上設(shè)有鈍化層102和墊金屬層103，所 述墊金屬層103與鈍化層102之間還有支撐金屬層104 ；S402，將引線110的一端燒結(jié)成小球111 ；S403，將所述小球111壓焊在墊金屬層103上；S404,依照預(yù)定路徑拉拽引線110 ；S405，將引線110的另一端壓焊在第二焊點(diǎn)上。根據(jù)上述步驟將引線110鍵合在鍵合墊100上之后，其結(jié)構(gòu)如圖5所示。后續(xù)還 需要進(jìn)行兩種標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試。其一是按照EIA/JESD22-B116標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行球推力測(cè)試(Ball Shear Test, BST)；其二是按照相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行線拉力測(cè)試(WirePull Test，WPT)。BST的測(cè)試結(jié)果如表1所示，其中Min代表測(cè)得的最小值，Max代表測(cè)得的最大值， Mean代表測(cè)得的中值，Std Dev代表測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn)差(StandDeviation)，cpk代表過程能力指 數(shù)(Process Capability Index)。 表 1經(jīng)過BST測(cè)試后的鍵合結(jié)構(gòu)如圖6所示。從圖上可以看出，鍵合墊100上仍然有 小球111的殘留，說明小球111與鍵合墊100的鍵合抗切向力的能力非常好。而WPT的測(cè)試結(jié)果如表2所示。 表2經(jīng)過BST測(cè)試后的鍵合結(jié)構(gòu)如圖7所示。從圖上可以看出，經(jīng)過BST測(cè)試，小球 111與鍵合墊100之間的鍵合仍然未被破壞，說明小球111與鍵合墊100的鍵合抗拉能力也
非常好。本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定權(quán)利要求，任何本領(lǐng)域 技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和修改，因此本發(fā)明的 保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
半導(dǎo)體芯片的鍵合墊，包括半導(dǎo)體襯底上的鈍化層和墊金屬層，其特征在于所述墊金屬層與鈍化層之間還設(shè)有支撐金屬層。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的鍵合墊，其特征在于 金屬層之間還設(shè)有擴(kuò)散阻擋層。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體芯片的鍵合墊，其特征在于 自Ti、Ti合金、Cr、Cr合金、W或W合金。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的鍵合墊，其特征在于 布線路的圖形。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的鍵合墊，其特征在于Al。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的鍵合墊，其特征在于 自Cu。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的鍵合墊，其特征在于 酰亞胺或苯并環(huán)丁烯或聚亞苯基苯并二噁唑。
8.半導(dǎo)體芯片的鍵合墊的制造方法，其特征在于，包括步驟提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上具有鈍化層；在鈍化層上形成支撐金屬層；在支撐金屬層上形成墊金屬層。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體芯片的鍵合墊的制造方法，其特征在于所述墊金屬層 直接形成在支撐金屬層上。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體芯片的鍵合墊的制造方法，其特征在于，所述在支撐金 屬層上形成墊金屬層的步驟具體為在支撐金屬層上形成擴(kuò)散阻擋層，然后在擴(kuò)散阻擋層 上形成墊金屬層。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體芯片的鍵合墊的制造方法，其特征在于所述擴(kuò)散阻 擋層的材料選自Ti、Ti合金、Cr、Cr合金、W或W合金。
12.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體芯片的鍵合墊的制造方法，其特征在于，還包括步驟 圖形化所述支撐金屬層，在支撐金屬層上形成重排布線路圖形。
13.如權(quán)利要求8至12中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體芯片的鍵合墊的制造方法，其特征在于 所述墊金屬層的材料為Al。
14.如權(quán)利要求8至12中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體芯片的鍵合墊的制造方法，其特征在于 所述支撐金屬層的材料為Cu。
15.如權(quán)利要求8至12中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體芯片的鍵合墊的制造方法，其特征在于 所述鈍化層的材料為聚酰亞胺或苯并環(huán)丁烯或聚亞苯基苯并二噁唑。
16.鍵合方法，其特征在于，包括步驟提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上設(shè)有權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體芯片 的鍵合墊；將引線的一端燒結(jié)成小球；將所述小球壓焊在墊金屬層上；依照預(yù)定路徑拉拽引線； 所述墊金屬層與所述支撐 所述擴(kuò)散阻擋層的材料選 所述支撐金屬層具有重排 所述墊金屬層的材料選自 所述支撐金屬層的材料選 所述鈍化層的材料選自聚將引線的另一端壓焊在外圍電路連接點(diǎn)上。
全文摘要
本發(fā)明涉及鍵合墊及其制造方法以及鍵合方法。其中，鍵合墊包括半導(dǎo)體襯底上的鈍化層和墊金屬層，所述墊金屬層與鈍化層之間還有支撐金屬層。另外，支撐金屬層同時(shí)也用于重排布線，而墊金屬層與支撐金屬層之間還有一層擴(kuò)散阻擋層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明由于在鈍化層和墊金屬層之間引入了支撐金屬層，從而克服了現(xiàn)有技術(shù)中鍵合墊中的鈍化層比較柔軟所造成的打線封裝失效或打線封裝質(zhì)量下降的問題。也避免將墊金屬層的材質(zhì)更換為昂貴的金屬所帶來的成本增加的問題。
文檔編號(hào)H01L21/60GK101908517SQ20091005264
公開日2010年12月8日 申請(qǐng)日期2009年6月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月5日
發(fā)明者吳明峰, 梅娜, 江盧山, 章國偉 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;矽成積體電路股份有限公司