專利名稱：半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及半導(dǎo)體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，為了達(dá)到更快的運(yùn)算速度、更大的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量 以及更多的功能，半導(dǎo)體芯片朝著高集成度方向發(fā)展。大部分半導(dǎo)體芯片的外圍電路需要 采用高壓輸入/輸出器件，而核心器件如各種存儲(chǔ)器件則需要在低壓下運(yùn)行，為了實(shí)現(xiàn)器 件性能的最大化，核心器件的溝道長度變短，產(chǎn)生了短溝道區(qū)域以及短溝道效應(yīng)。為了避免 短溝道效應(yīng)，通常采用輕摻雜源/漏極(lightly doped source/drain, LDD)結(jié)構(gòu)，但由于 源/漏區(qū)的注入離子會(huì)產(chǎn)生擴(kuò)散和滲透，會(huì)引起源/漏區(qū)的結(jié)電容和結(jié)漏電并導(dǎo)致源/漏 區(qū)之間發(fā)生穿通效應(yīng)，影響MOS晶體管的品質(zhì)。為了增強(qiáng)核心器件短溝道區(qū)域的使用性能，在輕摻雜源漏區(qū)域使用快速熱退 火工藝以激活摻雜離子，避免摻雜離子的擴(kuò)散和遷移。快速熱退火(Rapid Thermal Processing, RTP)工藝是將晶片快速加熱到設(shè)定溫度，進(jìn)行短時(shí)間快速熱退火的方法，熱 退火時(shí)間通常小于1 2分鐘。常用的快速熱退火(RTP)退火工藝包括均溫退火(Soak Annealing)和尖峰退火(Spike Annealing)，其中，均溫退火的特點(diǎn)是會(huì)在某一溫度上保溫 一段時(shí)間，可以同時(shí)完成激活摻雜元素并修復(fù)缺陷兩項(xiàng)功能。而尖峰退火在高溫滯留時(shí)間 很短，其主要作用在于激活摻雜元素。在實(shí)際應(yīng)用中，晶圓在某一溫度穩(wěn)定后快速升溫，到 達(dá)目標(biāo)溫度即刻降溫。由于尖峰退火只有升降溫過程而沒有保溫過程，因此相對(duì)于均溫退 火，尖峰退火在限制摻雜離子在硅化物形成過程中的擴(kuò)散上效果更為明顯。特別地，在應(yīng)用尖峰退火時(shí)，要求尖峰退火具有較高的升溫和降溫的速度，較小溫 度峰寬和發(fā)散度，減少晶圓受熱量。例如，減小溫度峰寬(表現(xiàn)在溫度曲線上即溫度峰值 越是尖銳)，能有效抑制摻雜元素的擴(kuò)散。但是，經(jīng)過晶圓接受度測(cè)試(Wafer Acceptance Test,WAT)后發(fā)現(xiàn)，應(yīng)用尖峰退火，由于溫度峰值過高，增強(qiáng)工藝的熱預(yù)算，引起多晶硅空乏 現(xiàn)象(poly-cbpletion)，導(dǎo)致晶圓產(chǎn)生波動(dòng)和器件靈敏性的下降；另外，在尖峰退火中，升 溫或降溫的速度過快(表現(xiàn)在溫度曲線上即走線越陡)，使得控溫比較困難，導(dǎo)致溫度峰值 不穩(wěn)定，并相應(yīng)增加熱預(yù)算。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的問題是在半導(dǎo)體器件的制造工藝中，如何防止晶圓產(chǎn)生波動(dòng) 和器件靈敏性的下降問題。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括提供半導(dǎo)體襯 底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極介電層和位于柵極介電層上的柵極；以柵極為掩膜， 在半導(dǎo)體襯底內(nèi)進(jìn)行輕摻雜離子注入；進(jìn)行慢速尖峰退火，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成輕摻雜源 /漏區(qū)；在柵極介電層和柵極的相對(duì)二側(cè)形成隔離側(cè)壁；以柵極和隔離側(cè)壁為掩膜，在半導(dǎo) 體襯底內(nèi)進(jìn)行重?fù)诫s離子注入，形成重?fù)诫s源/漏區(qū)。
可選地，所述慢速尖峰退火工藝具體包括溫度峰值為950°C至1050°C，升溫或降溫的速度為20°C /s至100°C /s。可選地，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)進(jìn)行輕摻雜離子注入之前或者之后還包括袋狀區(qū)離子注 入步驟，所述袋狀區(qū)離子注入的離子與輕摻雜離子注入的離子導(dǎo)電類型相反?？蛇x地，所述輕摻雜離子注入的注入離子為磷離子或砷離子，注入能量為IKeV至 35KeV，離子注入劑量為lE14/cm2至lE15/cm2?？蛇x地，所述輕摻雜離子注入的注入離子為硼離子或銦離子，注入能量為0. 5KeV 至70KeV，離子注入劑量為lE14/cm2至lE15/cm2。 可選地，所述柵極為多晶硅或多晶硅硅化物?？蛇x地，所述柵極介電層為二氧化硅或氮氧化硅?？蛇x地，所述隔離側(cè)壁為二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。本發(fā)明技術(shù)方案主要是對(duì)尖峰退火工藝進(jìn)行了改進(jìn)，使得尖峰退火工藝具有低溫 度峰值和低溫度變化率的特征，這樣可以在保留原有尖峰退火工藝所具有的激活摻雜元素 并抑制摻雜離子擴(kuò)散的效果之外，相比于原有尖峰退火工藝，更可降低晶圓溫度波動(dòng)、降低 熱預(yù)算和提高器件的靈敏度。


圖1為本發(fā)明半導(dǎo)體器件的制作方法的流程示意圖；圖2至圖7為按照?qǐng)D1所示的流程形成半導(dǎo)體器件的示意圖；圖8為本發(fā)明所提供的慢速尖峰退火工藝的溫度參數(shù)曲線與原有尖峰退火工藝 的溫度參數(shù)曲線的效果對(duì)比圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在用于抑制摻雜離子的擴(kuò)散和遷移的現(xiàn)有快速熱退火工藝 中，尖峰退火工藝相對(duì)均溫退火工藝在抑制摻雜離子擴(kuò)散和遷移的作用上效果更為明顯， 但尖峰退火工藝由于其溫度峰值過高和升溫或降溫的速度過快等因素，會(huì)導(dǎo)致晶圓波動(dòng)、 器件靈敏度下降等品質(zhì)問題。因此，在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，為防止上述缺陷的產(chǎn)生。本發(fā)明先提供半導(dǎo)體襯底， 在所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極介電層和位于柵極介電層上的柵極；以柵極為掩膜，在半 導(dǎo)體襯底內(nèi)進(jìn)行輕摻雜離子注入；進(jìn)行慢速尖峰退火，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成輕摻雜源/漏 區(qū)；在柵極介電層和柵極的相對(duì)二側(cè)形成隔離側(cè)壁；以柵極和隔離側(cè)壁為掩膜，在半導(dǎo)體 襯底內(nèi)進(jìn)行重?fù)诫s離子注入，形成重?fù)诫s源/漏區(qū)。通過將慢速尖峰退火工藝進(jìn)行改進(jìn)，提 高晶圓波動(dòng)及其器件靈敏性，有效降低熱預(yù)算。下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)說明。如圖1所示，所述半導(dǎo)體器件的制作方法包括如下步驟S100，提供半導(dǎo)體襯底；S101，在半導(dǎo)體襯底上形成柵極介電層和位于柵極介電層上的柵極；S102,以柵極為掩膜，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)進(jìn)行輕摻雜離子注入；S103，進(jìn)行慢速尖峰退火，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成輕摻雜源/漏區(qū)；
S104，在柵極介電層和柵極的相對(duì)二側(cè)形成隔離側(cè)壁；S105，以柵極和隔離側(cè)壁為掩膜，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)進(jìn)行重?fù)诫s離子注入，形成重?fù)?雜源/漏區(qū)。首先執(zhí)行步驟S100，提供半導(dǎo)體襯底200。其中，所述半導(dǎo)體襯底200為形成有半導(dǎo)體器件的硅、形成有半導(dǎo)體器件的絕緣體上硅(SOI)、或者為形成有半導(dǎo)體器件的II-VI 或者III V族化合物半導(dǎo)體。所述半導(dǎo)體襯底200中還形成有各種阱(well)結(jié)構(gòu)與襯底表面的柵極溝道層。一 般來說，形成阱(well)結(jié)構(gòu)的離子摻雜導(dǎo)電類型與柵極溝道層離子摻雜導(dǎo)電類型相同，但 是濃度較柵極溝道層低，離子注入的深度范圍較廣，同時(shí)需達(dá)到大于隔離結(jié)構(gòu)(未予以圖 示)，例如淺溝槽，的深度。為了簡(jiǎn)化，此處僅以一空白半導(dǎo)體襯底200圖示，在此不應(yīng)過分 限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。接著執(zhí)行步驟S101，在所述半導(dǎo)體襯底200上形成有柵極介電層201和位于柵極 介電層201上的柵極202 ；柵極介電層201和柵極202構(gòu)成柵極結(jié)構(gòu)，形成如圖3所示的結(jié)構(gòu)。柵極介電層 201可以是氧化硅或氮氧化硅。在65nm以下工藝節(jié)點(diǎn)，柵極的特征尺寸很小，柵極介電層 201可為高介電常數(shù)(高K)材料。所述高K材料包括氧化鉿、氧化鉿硅、氮氧化鉿硅、氧化 鑭、氧化鋯、氧化鋯硅、氧化鈦、氧化鉭、氧化鋇鍶鈦、氧化鋇鈦、氧化鍶鈦、氧化鋁等。較佳 地，可以是氧化鉿、氧化鋯和氧化鋁。柵極介電層201的形成工藝可以是化學(xué)氣相沉積工 藝。柵極202可以是多晶硅形成工藝可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任何現(xiàn)有技術(shù)，當(dāng)采 用化學(xué)氣相沉積法時(shí)，可以是例如低壓等離子體化學(xué)氣相沉積或者等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相 沉積工藝。接著執(zhí)行步驟S102，以柵極為掩膜，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)進(jìn)行輕摻雜離子注入形成未 激活的輕摻雜源/漏區(qū)203a。更進(jìn)一步地，在步驟S102中，在進(jìn)行輕摻雜離子注入之前或之后還可以進(jìn)行袋狀 區(qū)離子注入并形成未激活的袋狀區(qū)204a，形成如圖4所示的結(jié)構(gòu)。需說明的是，所述袋狀區(qū) 離子注入的離子與輕摻雜離子注入的離子導(dǎo)電類型相反。在現(xiàn)有技術(shù)中，以N型MOS晶體管為例進(jìn)行說明，輕摻雜離子注入是以柵極介電層 201和柵極202為掩膜，在半導(dǎo)體襯底200內(nèi)進(jìn)行輕摻雜離子注入，在半導(dǎo)體襯底200內(nèi)形 成未激活的輕摻雜源/漏區(qū)203a。由于該區(qū)域?yàn)镹型MOS晶體管區(qū)域，故所述輕摻雜離子 注入的摻雜離子可以是磷離子或者砷離子等。當(dāng)輕摻雜離子注入的離子為磷離子時(shí)，離子注入的能量范圍為IKeV至20KeV，離 子注入劑量為lE14/cm2至lE15/cm2。進(jìn)一步地，注入的磷離子的能量可以是3KeV、6KeV、 lOKeV、14KeV、18KeV 等，注入的磷離子的劑量可以是 2E14/cm2、4E14/cm2、6E14/cm2、8E14/ cm2 以及 9E14/cm2 等。當(dāng)輕摻雜離子注入的離子為砷離子時(shí)，離子注入能量范圍為2KeV至35KeV，離子 注入劑量為lE14/cm2至lE15/cm2。進(jìn)一步地，注入的砷離子的能量可以是4KeV、lOKeV、 16KeV、22KeV、26KeV 以及 32KeV，注入的砷離子的劑量可以是 2E14/cm2、4E14/cm2、5E14/ cm2、6E14/cm2、8E14/cm2 以及 9E14/cm2 等。相應(yīng)地，在現(xiàn)有技術(shù)中，以N型MOS晶體管為例進(jìn)行說明，袋狀區(qū)離子注入是以柵極介電層201和柵極202為掩膜，在半導(dǎo)體襯底200內(nèi)形成未激活的袋狀區(qū)204a，所述袋狀 區(qū)離子注入的深度略大于輕摻雜離子注入的深度，所述袋狀區(qū)離子注入的離子與輕摻雜離 子注入的離子導(dǎo)電類型相反，故所述袋狀區(qū)離子注入的摻雜離子可以是硼離子或者銦離子 寸。當(dāng)袋狀區(qū)離子注入的離子為硼離子，注入的能量范圍為3KeV至20KeV，離子注入 劑量為lE13/cm2至9E13/cm2，離子注入的角度為0°至45°。進(jìn)一步地，注入的硼離子的 能量可以是4KeV、6KeV、lOKeV、14KeV、18KeV，注入的硼離子的劑量可以是2E13/cm2、4E13/ cm2、5E13/cm2、6E13/cm2、8E13/cm2 等。當(dāng)袋狀區(qū)離子注入的離子為銦離子，注入的能量范圍為IOOKeV至150KeV，離子注 入劑量為lE13/cm2至9E13/cm2，離子注入的角度為0°至45°。進(jìn)一步地，注入的銦離子的 能量可以是llOKeV、120KeV、130KeV、140KeV,注入的硼離子的劑量可以是2E13/cm2、4E13/ cm2、6E13/cm2、8E13/cm2 等。袋狀區(qū)離子注入的角度為0°至45°，在選定的離子注入角度下，進(jìn)行旋轉(zhuǎn)注入， 可減小陰影效應(yīng)和形成對(duì)稱雜質(zhì)分布，其離子注入能量、劑量、角度與輕摻雜源/漏離子注 入的能量、劑量、角度相對(duì)應(yīng)匹配，其注入能量能夠確保將柵極202下的輕摻雜源/漏結(jié)包 裹住，從而有效抑制住由漏致勢(shì)壘降低(DIBL)所導(dǎo)致的短溝道效應(yīng)。當(dāng)MOS晶體管為P型時(shí)，該輕摻雜離子注入的摻雜離子可以是硼離子或者銦離子寸。當(dāng)輕摻雜離子注入的離子為硼離子時(shí)，離子注入的能量范圍為0. 5KeV至IOKeV, 離子注入劑量為lE14/cm2至lE15/cm2。進(jìn)一步地，注入的硼離子的能量可以是lKeV、3KeV、 5KeV、7KeV、9KeV 等，注入的硼離子的劑量可以是 2E14/cm2、4E14/cm2、6E14/cm2 以及 8E14/ cm2 等。當(dāng)注入的例子為銦離子時(shí)，離子注入能量范圍為IOKeV至70KeV，離子注入劑量為 lE14/cm2至lE15/cm2。進(jìn)一步地，注入的銦離子的能量可以是20KeV、40KeV、50KeV、60KeV 等，注入的銦離子的劑量可以是2E14/Cm2、4E14/Cm2、6E14/Cm2以及8E14/cm2等。同樣，當(dāng)MOS晶體管為P型時(shí)，該袋狀區(qū)離子注入的摻雜離子可以是磷離子或者砷
離子等。當(dāng)袋狀區(qū)離子注入的離子為磷離子，注入的能量范圍為5KeV至35KeV，離子注入 劑量為lE13/cm2至lE14/cm2，離子注入的角度為0°至45°。進(jìn)一步地，注入的磷離子的能 量可以是10KeV、15KeV、20KeV、25KeV等，注入的磷離子的劑量可以是2E13/cm2、4E13/cm2、 6E13/cm2 以及 8E13/cm2 等。當(dāng)袋狀區(qū)離子注入的離子為砷離子，注入的能量范圍為IOKeV至50KeV，離子注入 劑量為lE13/cm2至lE14/cm2，離子注入的角度為0°至45°。進(jìn)一步地，注入的砷離子的 能量可以是20KeV、30KeV、40KeV等，注入的砷離子的劑量可以是3E13/cm2、5E13/cm2、以及 8E13/cm2 等。接著執(zhí)行步驟S103，進(jìn)行慢速尖峰退火，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成輕摻雜源/漏區(qū) 203。更進(jìn)一步地，若在步驟S102中輕摻雜離子注入之前或之后還進(jìn)行了袋狀區(qū)離子 注入、形成未激活的袋狀區(qū)204a的工藝，則在步驟S103中還包括通過慢速尖峰退火形成袋狀區(qū)204，形成如圖5所示的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所述慢速尖峰退火的工藝具體為在氮?dú)饣驓鍤獾榷栊詺怏w環(huán)境中，快速升溫，直至到達(dá)某一預(yù)設(shè)的溫度峰值后，再即刻快速降溫。在本實(shí)施例中，在所述慢速尖峰 退火工藝中的溫度峰值為950°C至1050°C，較佳地，可以為1000°C至1050°C ；升溫或降溫的 速度為20°C /s至100°C /s，較佳地，可以為20°C /s至80°C /s。我們可以TpMk(I；。)用來標(biāo)示所述慢速尖峰退火工藝的溫度參數(shù)，其中Tpeak表 示溫度峰值CC )， ；。表示升溫或降溫的溫度變化率CC /S)。因此，作為本實(shí)施例的若 干優(yōu)化實(shí)施方式，所述慢速尖峰退火工藝中的溫度參數(shù)可以具體為1020°C (20°C/s)； 1030 °C (30 °C /s) ； 1040 °C (50 °C /s) ； 1050 °C (80 °C /s)。請(qǐng)參閱圖8，顯示了本發(fā)明所提供的慢速尖峰退火工藝的溫度參數(shù)曲線與原有尖 峰退火工藝的溫度參數(shù)曲線的效果對(duì)比圖。如圖8所示，原有尖峰退火工藝的溫度參數(shù)曲 線A相對(duì)陡峭，表明其具有高溫度峰值和高溫度變化率的特征，例如1050°C (250°C /s)或 1070°C (250°C/s)。相對(duì)應(yīng)地，本發(fā)明所提供的慢速尖峰退火工藝的溫度參數(shù)曲線B則相 對(duì)平緩，具有低溫度峰值和低溫度變化率的特征，例如1020°C (20°C /s)或1040°C (50°C / s)。這樣，采用本發(fā)明所提供的慢速尖峰退火工藝，除了具有能夠激活摻雜元素并抑制摻雜 離子擴(kuò)散的功效之外，特別地，還能夠相對(duì)降低晶圓溫度波動(dòng)、降低熱預(yù)算和提高器件的靈 敏度。另外，在上述形成半導(dǎo)體器件的實(shí)施例中，慢速尖峰退火工藝是在輕摻雜離子注 入和袋狀區(qū)離子注入步驟之后進(jìn)行，但并不以此為限，在其他實(shí)施例中，慢速尖峰退火工藝 也可以分二次進(jìn)行，即在輕摻雜離子注入步驟之后進(jìn)行第一次慢速尖峰退火步驟以及在袋 狀區(qū)離子注入步驟之后進(jìn)行第二次慢速尖峰退火步驟，在此不應(yīng)過多限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。接著執(zhí)行步驟S104，在柵極介電層201和柵極202的相對(duì)二側(cè)形成隔離側(cè)壁205， 形成如圖6所示的結(jié)構(gòu)。隔離側(cè)壁205可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中一種或者它們?nèi)?意的組合。作為本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)化實(shí)施方式，所述隔離側(cè)壁205為氧化硅、氮化硅共同 組成，具體工藝為在半導(dǎo)體襯底200上形成第一氧化硅層、第一氮化硅層以及第二氧化硅 層，然后采用蝕刻方法形成隔離側(cè)壁。接著執(zhí)行步驟S105，以柵極202和隔離側(cè)壁205為掩膜，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)進(jìn)行重?fù)?雜離子注入，形成重?fù)诫s源/漏區(qū)206，形成如圖7所示的結(jié)構(gòu)。當(dāng)MOS晶體管為N型時(shí)，所述重?fù)诫s離子注入的摻雜離子可以是磷離子或者砷離 子等。對(duì)于磷離子，其離子注入工藝包括離子注入的能量范圍為SKeV至30KeV，離子注入 劑量為1. 5E14/cm2至6E15/cm2 ；對(duì)于砷離子，其離子注入工藝包括離子注入的能量范圍為 8KeV 至 50KeV，離子注入劑量為 1. 5E14/cm2 至 6E15/cm2。當(dāng)MOS晶體管為P型時(shí)，所述重?fù)诫s離子注入的摻雜離子可以是硼離子或者銦離丁寸。對(duì)于硼離子，其離子注入工藝包括離子注入的能量范圍為2KeV至30KeV，離子注 入劑量為3E14/cm2至6E15/cm2 ；對(duì)于銦離子，其離子注入工藝包括離子注入的能量范圍為 30KeV 至 200KeV，離子注入劑量為 3E14/cm2 至 6E15/cm2。本發(fā)明技術(shù)方案主要對(duì)尖峰退火工藝作了進(jìn)一步改進(jìn)，使得尖峰退火工藝具有低溫度峰值和低溫度變化率的特征，這樣可以在保留原有尖峰退火工藝所具有的激活摻雜元 素并抑制摻雜離子擴(kuò)散的效果之外，相比于原有尖峰退火工藝，更可降低晶圓溫度波動(dòng)、降 低熱預(yù)算和提高器件的靈敏度。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng) 當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極介電層和位于柵極介電層上的柵極；以柵極為掩膜，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)進(jìn)行輕摻雜離子注入；進(jìn)行慢速尖峰退火，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成輕摻雜源/漏區(qū)；在柵極介電層和柵極的相對(duì)二側(cè)形成隔離側(cè)壁；以柵極和隔離側(cè)壁為掩膜，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)進(jìn)行重?fù)诫s離子注入，形成重?fù)诫s源/漏區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述慢速尖峰退火工藝 具體包括溫度峰值為950°C至1050°C，升溫或降溫的速度為20°C /s至100°C /s。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)進(jìn)行輕 摻雜離子注入之前或者之后還包括袋狀區(qū)離子注入步驟，所述袋狀區(qū)離子注入的離子與輕 摻雜離子注入的離子導(dǎo)電類型相反。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述輕摻雜離子注入的注入離子為磷離子或砷離子，注入能量為IKeV至35KeV，離子注入劑量為lE14/cm2至1E15/2cm ο
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述輕摻雜離子注入的 注入離子為硼離子或銦離子，注入能量為0. 5KeV至70KeV，離子注入劑量為lE14/cm2至 lE15/cm2。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述柵極為多晶硅或 多晶硅硅化物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述柵極介電層為二氧化硅或氮氧化硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述隔離側(cè)壁為二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極介電層和位于柵極介電層上的柵極；以柵極為掩膜，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)進(jìn)行輕摻雜離子注入；進(jìn)行慢速尖峰退火，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成輕摻雜源/漏區(qū)；在柵極介電層和柵極的相對(duì)二側(cè)形成隔離側(cè)壁；以柵極和隔離側(cè)壁為掩膜，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)進(jìn)行重?fù)诫s離子注入，形成重?fù)诫s源/漏區(qū)。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體器件的制造方法，不僅具有激活摻雜元素并抑制摻雜離子擴(kuò)散的效果，更可降低晶圓溫度波動(dòng)、降低熱預(yù)算和提高器件的靈敏度。
文檔編號(hào)H01L21/324GK101840861SQ20091004764
公開日2010年9月22日 申請(qǐng)日期2009年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月16日
發(fā)明者趙猛 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司