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雙反射器天線的子反射器的制作方法

文檔序號(hào):6926820閱讀:198來源:國知局
專利名稱:雙反射器天線的子反射器的制作方法
雙反射器天線的子反射器
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用 本申請(qǐng)是基于2008年1月18日提交的法國專利申請(qǐng)第08 50 301號(hào),通過參考將該法國專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容全部包括于此并且要 求該法國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。
背景技術(shù)
本發(fā)明涉及射頻(RF)雙反射器天線。這些天線一般包括表現(xiàn) 為旋轉(zhuǎn)曲面的大直徑凹形主反射器和處于主反射器的焦點(diǎn)附近的較 小直徑的凸形子反射器。對(duì)應(yīng)于兩個(gè)相反的RF波傳播方向,這些天 線在發(fā)送器模式中或者在接收器模式中能同樣很好的操作。在下文 中根據(jù)哪一模式能更好地說明現(xiàn)象,在天線的發(fā)送模式中或者在接 收模式中給出描述。應(yīng)當(dāng)注意所有論述也同時(shí)適用于接收天線和發(fā) 送天線。 最初的天線僅有通常為拋物面的單個(gè)反射器。射頻波導(dǎo)的末端 位于反射器的焦點(diǎn)。波導(dǎo)插入到處于反射器的軸上的開口中,而它 的末端折疊180°以便與反射器相對(duì)。在用于照射反射器的波導(dǎo)的折 疊末端處的最大輻射半角為低,在70°的范圍中。在反射器與波導(dǎo)的 末端之間的距離應(yīng)當(dāng)充分廣闊以允許照射反射器的整個(gè)表面。對(duì)于 這些淺反射器天線,F(xiàn)/D比率在0.36的范圍中。就這一比率而言,F(xiàn) 是反射器的焦距(在反射器的頂點(diǎn)與它的焦點(diǎn)之間的距離),而D 是反射器的直徑。 在這些天線中,直徑D的值取決于天線的中心工作頻率。天線 的工作頻率越低(例如7.1GHz或者10GHz)則反射器的直徑對(duì)于等 效天線增益而言越重要,波導(dǎo)的末端必須距離反射器越遠(yuǎn)以很好地 照射它(發(fā)送模式)。因此工作頻率越低,天線變得越笨重。對(duì)于這些淺反射器天線,必需的是添加暗跡屏以便使由于溢出引起的輻 射損耗最小并且改進(jìn)無線電性能。
為了產(chǎn)生更緊湊的系統(tǒng),人們利用雙反射器天線,特別是卡塞 格倫類型的雙反射器天線。雙反射器包括通常為拋物面的凹形主反 射器以及具有小得多的直徑并且設(shè)置在與主反射器相同的旋轉(zhuǎn)軸上 的焦點(diǎn)附近的凸形子反射器。主反射器在它的頂點(diǎn)被鉆孔而波導(dǎo)在 主反射器的軸上插入。波導(dǎo)的末端不再折疊而實(shí)際上與子反射器相
對(duì)。在發(fā)送模式中,由波導(dǎo)發(fā)送的RF波由子反射器反射到主反射器。
有可能產(chǎn)生如下子反射器,這些子反射器表現(xiàn)為遠(yuǎn)大于70。的主 反射器的照射半角。例如,人們可以使用105。的照射半角限制。在 雙反射器天線中,子反射器也可以軸向上與主反射器很近。在實(shí)踐 中,子反射器可以處于由主反射器限定的空間內(nèi),這減少了天線占 據(jù)的空間。 在這些雙反射器天線中,所用F/D比率常常小于或者等于0.25。 這些天線稱為深反射器。在0.25的范圍中的F/D比率就相等的中心 工作頻率D的值而言對(duì)應(yīng)于比F/D比率4妻近0.36的情況下短得多的 焦距。由于消除了不再必需的暗跡屏,雙反射器天線占用的空間可 以小于單反射器天線占用的空間。 雖然例如在F/D比率接近0.2的情況下使用雙反射器時(shí)雙反射器 天線很好地適應(yīng)于產(chǎn)生緊湊天線。但是可以優(yōu)選使用F/D的不同值 以便優(yōu)化除了占用空間之外的其他特征,如例如天線的輻射模式。 就雙反射器天線而言,子反射器應(yīng)當(dāng)保持于主反射器的焦點(diǎn)附 近??赡艿姆绞街皇菍⒆臃瓷淦鬟B接到波導(dǎo)的末端。在這一情況 下,子反射器一般包括或多或少成圓錐形并且對(duì)于RF波而言透明的 電介質(zhì)材料(通常為塑料)。子反射器的或多或少成圓錐形的外表 面與主反射器相對(duì)。子反射器的凸形內(nèi)表面涂覆有如下產(chǎn)品,該產(chǎn) 品實(shí)現(xiàn)RF波在穿過電介質(zhì)材料時(shí)在主反射器的方向上反射。這一涂 層通常為金屬。
在波導(dǎo)的末端與主反射器之間發(fā)生RF波的多次反射,其中涉及到子反射器。為了減少這些反射,已經(jīng)提出在子反射器與主反射器 相對(duì)的外表面上引入局部中斷。這些中斷具有在電介質(zhì)材料周圍形 成環(huán)的輪廓形狀。環(huán)形輪廓是繞著子反射器的軸的旋轉(zhuǎn)輪廓。這些 環(huán)形輪廓的外形由不同高度和深度的峰狀物和突出物組成。這些輪 廓可以周期性地分布于子反射器的整個(gè)外表面上。然而,非周期性
個(gè)極化平面再次減少RF波的多次反射。 [11] 環(huán)形輪廓在電介質(zhì)材料的外表面上的引入允許減少經(jīng)由子反射
器的內(nèi)部金屬鍍制表面在波導(dǎo)與主反射器之間產(chǎn)生的RF波的多次 反射。另一方面,這些輪廓對(duì)雙反射器的兩個(gè)其它重要性質(zhì)具有較 小影響以dBi或者各向同性分貝表達(dá)的天線增益和以dB表達(dá)的溢
出損耗。例如在天線發(fā)送模式中,溢出損耗對(duì)應(yīng)于子反射器在主反射器
耗造成RF波對(duì)環(huán)境的污染。這些溢出損耗必須限制在由標(biāo)準(zhǔn)限定的水平。用于補(bǔ)救這一點(diǎn)的一種慣用解決方案是將如下罩附接到主反射 器的外圍,該罩具有圓柱體的形狀、與主反射器的直徑接近的直徑 和適當(dāng)高度、內(nèi)部涂覆有RF輻射吸收層。除了它所造成的擁塞之外, 這一已知解決方案還表現(xiàn)罩材料成本的如今棘手弊端以及此罩在主 反射器上的組裝成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一種明顯減少溢出損耗的雙反射器天線。 本發(fā)明的目的是一種雙反射器天線的子反射器,該子反射器包 括
-第一末端,具有第一直徑的結(jié),適于耦合到波導(dǎo)的末端, -第二末端,具有大于第一直徑的第二直徑,-凸形反射內(nèi)表面,設(shè)置于第二末端,具有旋轉(zhuǎn)軸, -同一軸的外表面,將兩個(gè)末端連接,
-電介質(zhì)材料,在第一與第二末端之間延伸并且受內(nèi)表面和外表 面限制。
根據(jù)本發(fā)明,外表面具有通過如下公式的六階多項(xiàng)式方程來描
述的凸外形y=ax6 + bx5 + cx4 + dx3 + ex2 + fx + g,其中a不為零。 [17] 本發(fā)明在于提出了一種子反射器,其中外表面表現(xiàn)為根據(jù)特殊
曲線的外形。子反射器是具有如下表面的軸對(duì)稱體,其中母線是通
過6階多項(xiàng)式方程來描述的曲線。 一些數(shù)值優(yōu)化允許根據(jù)所用雙反
射器類型和罩的可能存在來改變這一 6階多項(xiàng)式方程的系數(shù)。 [18] 在方程y二ax6 + bx5 + cx4 + dx3 + ex2 + fx + g中,在系數(shù)b、 c、 d、
e、 f和/或g之中的一個(gè)或者多個(gè)系數(shù)可以是零。 [19] 在本發(fā)明的一種變形中,子反射器的外表面還包括圍繞電介質(zhì)
材料的形狀為環(huán)的特有輪廓。 [20] 這一輪廓的橫截面可以是圓形或者平行四邊形(例如方形或者
矩形)的部分。優(yōu)選地,輪廓具有矩形橫截面。 [21] 優(yōu)選地,輪廓也在與子反射器的旋轉(zhuǎn)軸垂直的方向上突出。 [22] 這一特有輪廓環(huán)設(shè)置于子反射器的外表面上以減少RF波的多
次反射。也同時(shí)實(shí)現(xiàn)減少溢出損耗和RF波多次反射。優(yōu)選地,輪廓
布置于外表面上接近于第二末端的一半上。 [23] 本發(fā)明也以 一種包括主反射器和關(guān)聯(lián)的子反射器的雙反射器天
線為目的。該子反射器包括
-第一末端,具有第一直徑的結(jié),適于耦合到波導(dǎo)的末端,
-第二末端,具有大于第一直徑的第二直徑,
-凸形反射內(nèi)表面,設(shè)置于第二末端,具有旋轉(zhuǎn)軸,
-電介質(zhì)材料,在第一與第二末端之間延伸并且受內(nèi)表面和外表
面限制,
-同軸的外表面,設(shè)置為盡可能接近主反射器,具有通過如下公 式的六階多項(xiàng)式方程來描述的凸外形y=ax6 + bx5 + cx4 + dx3 + ex2 +
6fx + g,其中a不為零,由于減少溢出損耗,本發(fā)明使得有可能可以沒有罩或者至少減 少主反射器的罩高度,這帶來成本和體積上的優(yōu)點(diǎn)。 本發(fā)明提供的改進(jìn)允許使用可以與主反射器在單個(gè)部件中實(shí)現(xiàn) 的低高度的罩,也就是說實(shí)現(xiàn)如下單個(gè)機(jī)械部分,該機(jī)械部分在中 心部分表現(xiàn)為反射器和在外圍部分表現(xiàn)為罩。更經(jīng)典的解決方案涉 及到通過比如焊接、螺紋等任何已知方法來裝配于主反射器上的罩。 本發(fā)明因此減少附加成本,因?yàn)橄私M裝成本。
本發(fā)明可以使用于如下應(yīng)用中,這些應(yīng)用例如是實(shí)現(xiàn)允許接收
天線,并且本發(fā)明以更一般的方式使用于與7GHz至40GHz的頻帶 中的點(diǎn)到點(diǎn)射頻鏈路有關(guān)的任何應(yīng)用。這些系統(tǒng)的典型中心工作頻 率是7.1GHz、 8.5GHz、 lOGHz等。圍繞各頻率的帶寬通常是在5 % 到20%的區(qū)域中。各中心頻率對(duì)應(yīng)于子反射器的適應(yīng)直徑頻率提 高越多,波長越低而子反射器的直徑減少越多。


在閱讀結(jié)合附圖在示例而非限制基礎(chǔ)上給出的以下實(shí)施例描述 時(shí)將更好地理解本發(fā)明并且將發(fā)現(xiàn)其它優(yōu)點(diǎn)和特征,在附圖中
-圖1代表根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的射頻天線的示意軸向截面
圖,
-圖2示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的RF天線的子反射器的示 意軸向截面圖,
-圖3示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的RF天線的子反射器的示 意軸向截面圖,
-圖4是與圖1的射頻天線相似的雙反射器天線的輻射參數(shù)的大 體示意圖,
-圖5代表根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的其中主反射器包括罩的RF 天線的示意軸向截面圖,
7-圖6是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)特殊實(shí)施例的子反射器的外表面的外 形例子,
-圖7是針對(duì)子反射器的外表面的三個(gè)不同外形、根據(jù)照射半角
e的子反射器在豎直平面上的輻射模式,
-與圖7相似,圖8是針對(duì)子反射器的外表面的三個(gè)不同外形、
根據(jù)照射半角e的子反射器在水平面上的輻射模式,
-圖9代表根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的雙反射器天線的根據(jù)與輻射半角e相
補(bǔ)的半角卩的主反射器的輻射模式,
-與圖9相似,圖io代表根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的雙反射器天
線的根據(jù)半角(3的主反射器輻射模式,
-與圖9相似,圖11代表根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的雙反射器天
線的根據(jù)半角p的主反射器輻射模式。
在圖7和圖8中,分別在子反射器的豎直平面上的輻射V和水 平面上的輻射H以dBi為單位的幅度給定為y坐標(biāo),而照射半角e 以度數(shù)為單位給定為x坐標(biāo)。
在圖9至圖11中,主反射器的輻射T以dB為單位表達(dá)為y坐 標(biāo),而半角P以度數(shù)為單位表達(dá)為x坐標(biāo)。主反射器的輻射T就等 于零度的半角P而言標(biāo)準(zhǔn)化為0dB。
具體實(shí)施例方式
在圖1中,在軸向截面中示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的RF天 線。這一天線包括由凹形主反射器1和子反射器2以及另外作為子 反射器2的支撐機(jī)構(gòu)的波導(dǎo)3組成的組件。該組件表現(xiàn)為關(guān)于軸4 旋轉(zhuǎn)對(duì)稱。
主反射器1可以由具有反射表面的金屬如鋁制成。波導(dǎo)3可以 例如也是由鋁制成的中空金屬管,對(duì)于分別為7GHz和60GHz的發(fā) 送/接收頻率而言圓形橫截面具有26mm或者3.6mm的外徑。當(dāng)然, 波導(dǎo)可以具有不同橫截面,例如矩形或者正方形。已經(jīng)示出了焦點(diǎn)5 (也稱為相位中心)設(shè)置于旋轉(zhuǎn)軸4上,以及將焦點(diǎn)5與主反射器1的頂點(diǎn)分離的焦距F6。主反射器1例如是具
有深度P 7和直徑D 8的圍繞軸4的旋轉(zhuǎn)拋物面。 [31] 對(duì)于表現(xiàn)為在0.2的范圍中的F/D比率的此類天線,焦距F例如
是246mm而直徑D是1230mm (4英尺)。在該情況下,主反射器
的照射角限制2Qp是210。。 [32]圖2代表根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的天線的子反射器10。子反射
器的電介質(zhì)材料11可以由如塑料的電介質(zhì)材料制成。子反射器10
的內(nèi)表面12可以是通過多項(xiàng)式方程描述的圍繞旋轉(zhuǎn)軸13的旋轉(zhuǎn)表
面。內(nèi)表面12可以用反射金屬如銀來覆蓋。 [33] 子反射器IO的外表面14是設(shè)置在與主反射器相對(duì)的表面。外
表面14是圍繞旋轉(zhuǎn)軸13的旋轉(zhuǎn)表面。 [34] 根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例,子反射器10的外表面14表現(xiàn)為如
下外形,該外形是通過如下公式的六階多項(xiàng)式方程來描述的曲線
y=ax6 + bx5 + cx4 + dx3 + ex2 + fx + g。計(jì)算使得有可能表明為外表面
14選擇這樣的彎曲外形允許減少雙反射器的溢出損耗。 [35] 子反射器的內(nèi)表面的形狀影響源于波導(dǎo)并被主反射器接收的電
磁波的強(qiáng)度和相位。 [36]圖3代表根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的天線的子反射器20。形成環(huán)
的輪廓21布置于反射器20的外表面22上。在輪廓21的兩側(cè)上的
外表面22的外形是通過如下公式的六階多項(xiàng)式方程來描述的曲線
y=ax6 + bx5 + cx4 + dx3 + ex2 + fx + g。 [37] 在本發(fā)明的第二實(shí)施例中,反射器20的外表面22因此由三個(gè)
連續(xù)部分22a、 21、 22b組成。部分22a和22b各自表現(xiàn)為通過六階
曲線的一部分來描述的外形。部分22a和22b以及輪廓21表現(xiàn)出關(guān)
于旋轉(zhuǎn)軸23的軸對(duì)稱性。 [38] 在圖4中闡明針對(duì)根據(jù)本發(fā)明第 一實(shí)施例的RF天線的發(fā)送模式
的溢出損耗。這些損耗對(duì)應(yīng)于子反射器對(duì)主反射器的照射角2e的值,
其中源于波導(dǎo)3的RF波在主反射器1的周界以外的方向上被子反射
器2反射。[39] 此圖示出了照射半角930和作為半角e的補(bǔ)半角的半角(331。兩 個(gè)半角e和(3是相對(duì)于子反射器2的旋轉(zhuǎn)軸4來測(cè)量的,并且它們以 主反射器1的焦點(diǎn)5為頂點(diǎn)。對(duì)于大于閾值9p 32的半角e的值,具 有溢出損耗,其中對(duì)于閾值ep32,由子反射器反射的光線33恰好相 切于主反射器1的邊緣。 溢出損耗因此歸因于由子反射器2反射的在角范圍34內(nèi)的所有 光線33。角范圍34由源于焦點(diǎn)5并且關(guān)于旋轉(zhuǎn)軸4對(duì)稱、與主反射 器1的邊緣相切的兩條光線35限定。 圖5代表根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的一種變形的RF天線的軸向截 面圖。主反射器50配備有罩51以便限制溢出損耗。罩51是用吸收 RF波的材料52覆蓋的掩蔽物。例如,罩51由鋁制成,而吸收層52 由充有 一氧化碳的泡沫材料制成。 這里的罩51的高度小于現(xiàn)有技術(shù)中所用罩的高度,因?yàn)橥ㄟ^使 用配備有如下外表面54的子反射器53來明顯減少溢出損耗,該外 表面表現(xiàn)為根據(jù)通過六階多項(xiàng)式方程來描述的曲線的外形。可以優(yōu) 化對(duì)外表面54的外形進(jìn)行描述的六階方程的參數(shù)。如圖5中所示, 這一優(yōu)化允許將罩51的高度減小到允許實(shí)現(xiàn)主反射器50和罩51為 單個(gè)部件。罩51以這一方式構(gòu)成主反射器50的延伸。這可以例如 通過壓印單個(gè)鋁板以便連續(xù)或者同時(shí)限定主反射器50的優(yōu)選為旋轉(zhuǎn) 的拋物面和罩51的優(yōu)選為圓柱體形的形狀來實(shí)現(xiàn)。
特殊實(shí)施例的子反射器的外表面的外形60的例子。、在圖2中示出了 分別在水平軸和豎直軸上使用的軸X和Y的位置。標(biāo)號(hào)(X, Y)以 處于子反射器10的第二末端的水平處的旋轉(zhuǎn)軸13的一點(diǎn)為它的原 點(diǎn)。X軸對(duì)準(zhǔn)于旋轉(zhuǎn)軸13上,而Y軸處于與旋轉(zhuǎn)軸13垂直的方向。 以厘米為單位表示距離。 [44] 在該圖中描述的例子對(duì)應(yīng)于如下雙反射器天線,其中主反射器 是對(duì)應(yīng)于如下方程的拋物面類型P/D = D/(16F),其中P是主反射 器的深度,D是主反射器的直徑,而F是主反射器的焦距。=0.25而照射半角限制ep為e^90。,因?yàn)樵谌魏?br> 拋物面中ep=2arctangent ( D/4F )。 [46] 在本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)的本例中,對(duì)子反射器的外表面的外形進(jìn)行限 定的多項(xiàng)式方程如下
y = (-3.904.10.7)x6 + (4.658.10—5)x5 + (-1.947.10-V + (3.358.10、3 + ( -2.927.10-V + (3扁.10")x + (3.462.10) [47] 這里給出的六階方程的參數(shù)a、 b、 c、 d、 e、 f、 g的數(shù)值依賴于 所選擇的主反射器的焦距F、深度P和直徑D的數(shù)值以及已經(jīng)認(rèn)可 的溢出損耗水平。如果改變這些數(shù)值,則可以找到允許溢出損耗最 小化的用于參數(shù)a、 b、 c、 d、 e、 f、 g的不同值集。因此,六階方程 的參數(shù)a、 b、 c、 d、 e、 f、 g可以具有不同值。 [48]圖7針對(duì)子反射器的外表面的下述三個(gè)不同外形示出了雙反射 器天線的子反射器的豎直平面上的輻射模式
-來自現(xiàn)有技術(shù)的已知圓錐外形(參考曲線70),
-對(duì)應(yīng)于本發(fā)明第一實(shí)施例的外形(曲線71),以及
-根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的包括圓形輪廓的外形(曲線72)。
通過根據(jù)照射半角e而表達(dá)的輻射強(qiáng)度V來表示輻射模式。這一
輻射模式相對(duì)于發(fā)送模式天線。更好的天線設(shè)計(jì)是使得有可能獲得 如下輻射或者發(fā)送電場(chǎng)的天線設(shè)計(jì),該輻射或者發(fā)送電場(chǎng)對(duì)于照射 半角e比這里由豎直線73表示的閾值0p更大的值而言可能是最低的。
豎直線73代表如圖4中所示與主反射器的外邊緣相切的半角e的值 ep。對(duì)于半角e大于由豎直線73限定的值ep更大的值,光線反射到
環(huán)形范圍34中并且分擔(dān)溢出損耗。 [50] 觀察到與根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例關(guān)聯(lián)的曲線71示出了對(duì)于角
e比值ep更大的值而言比與來自現(xiàn)有技術(shù)的外形關(guān)聯(lián)的曲線70給出
的輻射更低的輻射。與根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例關(guān)聯(lián)的曲線72進(jìn)一 步改進(jìn)曲線71獲得的結(jié)果。 [51] 與圖7相似,圖8針對(duì)子反射器的外表面的下述三個(gè)不同外形 示出了這一次在水平面上測(cè)量的子反射器的輻射模式
ii-來自現(xiàn)有技術(shù)的已知圓錐外形(參考曲線80),
-根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的外形(曲線81),以及 -根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的包括環(huán)形輪廓的外形(曲線82)。 [52] 在該圖中,豎直線83代表如圖4中所示與主反射器的外邊緣相
切的半角e的值6p。與在先前情況中一樣,更好的天線構(gòu)思是如下構(gòu)思,該構(gòu)思使
得有可能獲得對(duì)于處于豎直線83右方的比值ep更大的半角e而言可
能最低的輻射。觀察到與根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例關(guān)聯(lián)的曲線81示 出了比與來自現(xiàn)有技術(shù)的外形關(guān)聯(lián)的曲線8 0所給出的值更低的輻射 值。與根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例關(guān)聯(lián)的曲線82進(jìn)一步改進(jìn)曲線81 獲得的結(jié)果。 圖9示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的雙反射器天線的根據(jù)半角p的主反 射器的輻射模式。豎直軸代表根據(jù)半角(3的在天線的豎直和水平平 面上反射的功率水平。曲線90對(duì)應(yīng)于在豎直平面上反射的功率,而 曲線91對(duì)應(yīng)于在水平平面上反射的功率。 虛線92針對(duì)半角(3的各值指明了 ETSIR1C3標(biāo)準(zhǔn)許可的反射率 限制。對(duì)于半角(3接近65。的值,其中65°是與RF波在主反射器的 邊緣上的衍射對(duì)應(yīng)的閾值,在主反射器的輻射值與該標(biāo)準(zhǔn)施加的閾 值之間的偏差93在這里處于5dB的范圍中。圖IO涉及根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的使用子反射器的雙反射器天 線。天線的外表面示出了通過六階多項(xiàng)式方程來描述的外形。示出 了根據(jù)半角(3的在天線的豎直和水平平面上反射的功率水平。曲線 IOO對(duì)應(yīng)于在豎直平面上反射的功率,而曲線101對(duì)應(yīng)于在水平平面 上反射的功率。虛線102針對(duì)半角(3的各值表明了 ETSIR1C3 Co標(biāo) 準(zhǔn)許可的反射率限制。 偏差103在這里處于7dB的區(qū)域中,這與針對(duì)來自現(xiàn)有技術(shù)的 天線而獲得的5dB偏差相比有增加。 ,圖11涉及根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的使用子反射器的雙反射器天 線。天線的外表面示出了通過其上已經(jīng)添加環(huán)形輪廓的六階多項(xiàng)式方程來描述的外形。已經(jīng)示出了根據(jù)半角P的在天線的豎直和水平 平面上反射的功率水平。曲線110對(duì)應(yīng)于在豎直平面上反射的功率,
而曲線111對(duì)應(yīng)于在水平平面上反射的功率。虛線112針對(duì)半角|3 的各值表明了 ETSI R1C3 Co標(biāo)準(zhǔn)許可的反射率限制。 偏差113在這里處于9dB的區(qū)域中,這遠(yuǎn)大于針對(duì)來自現(xiàn)有技 術(shù)的天線而獲得的5dB偏差93,而與根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例獲得的 7dB偏差103相比有改進(jìn)。 在主反射器的輻射值與ETSIR1C3 Co標(biāo)準(zhǔn)施加的閾值之間的這 一偏差越高,天線在這一角區(qū)域中的輻射強(qiáng)度越低。天線的這一性 質(zhì)對(duì)于用戶而言至關(guān)重要,因?yàn)樗WC了鄰接天線較低的電磁污染。
1權(quán)利要求
1. 一種雙反射器天線的子反射器,包括-第一末端,具有第一直徑的結(jié),適于耦合到波導(dǎo)(3)的末端,-第二末端,具有大于所述第一直徑的第二直徑,-凸形反射內(nèi)表面(12),設(shè)置于所述第二末端,具有旋轉(zhuǎn)軸(13),-同軸(13)的外表面(14),將所述兩個(gè)末端連接,-電介質(zhì)材料(11),在所述第一與第二末端之間延伸并且受所述內(nèi)表面(12)和所述外表面(13)限制,其特征在于所述外表面(14)具有通過如下公式的六階多項(xiàng)式方程來描述的凸外形y=ax6+bx5+cx4+dx3+ex2+fx+g,其中a不為零。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的子反射器,其中所述外表面(22)還 包括圍繞所述電介質(zhì)材料(11)的形狀為環(huán)的特有輪廓(21)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的子反射器,其中所述輪廓(21)在與 所述旋轉(zhuǎn)軸(23)垂直的方向上突出。
4. 一種雙反射器天線,包括主反射器(1 )和關(guān)聯(lián)的子反射器 (2, 10),其特征在于所述子反射器(2, 10)包括-第一末端,具有第一直徑的結(jié),適于耦合到波導(dǎo)(3)的末端, -第二末端,具有大于所述第一直徑的第二直徑, -凸形反射內(nèi)表面(12),設(shè)置于所述第二末端,具有旋轉(zhuǎn)軸(13), -同軸(13)的外表面(14),設(shè)置為盡可能接近所述主反射器 (1),具有通過如下公式的六階多項(xiàng)式方程來描述的凸外形y=ax6+ bx5 + cx4 + dx3 + ex2 + fx + g,其中a不為零,-電介質(zhì)材料(ll),在所述第一與第二末端之間延伸并且受所述內(nèi)表面(12)和所述外表面(13)限制。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙反射器天線,包括主反射器(50), 所述主反射器包括罩,所述罩(51)和所述主反射器(50)由單個(gè) 部件制成。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于一種雙反射器天線的子反射器,該子反射器包括-第一末端,具有第一直徑的結(jié),適于耦合到波導(dǎo)的末端;-第二末端,具有大于第一直徑的第二直徑;-凸形反射內(nèi)表面,設(shè)置于第二末端,具有旋轉(zhuǎn)軸;-同軸的外表面,將兩個(gè)末端連接;-電介質(zhì)材料,在第一與第二末端之間延伸并且受內(nèi)表面和外表面限制。根據(jù)本發(fā)明,外表面具有通過如下公式的六階多項(xiàng)式方程來描述的凸外形y=ax<sup>6</sup>+bx<sup>5</sup>+cx<sup>4</sup>+dx<sup>3</sup>+ex<sup>2</sup>+fx+g,其中a不為零。
文檔編號(hào)H01Q19/18GK101488606SQ200910004829
公開日2009年7月22日 申請(qǐng)日期2009年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月18日
發(fā)明者A·勒巴永, D·蒂奧 申請(qǐng)人:阿爾卡特朗訊
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