專利名稱：光電元件封裝基座的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及光電元件封裝基座(optoelectronic device submount)。
背景技術(shù)：
光電元件(例如，發(fā)光二極管(LED))用于許多應(yīng)用。例如，發(fā)光二極管常用于消費(fèi)性電子元件，例如移動(dòng)相機(jī)電話中的快閃元件。在一些情形中，發(fā)光二極管可用作筆記本型電腦顯示器的背光源。在其它例子中，發(fā)光二極管用于汽車中的剎車燈、車頭燈、或車艙燈。在公知發(fā)光二極管封裝體中，發(fā)光二極管芯片放置于封裝基座上，其使得電性連接能夠到達(dá)發(fā)光二極管芯片。為了相符于(accommodate)不同型式的發(fā)光二極管芯片，已生產(chǎn)許多具有各種尺寸、幾何結(jié)構(gòu)、及電性連接的封裝基座。然而，沒有可相符于不同的發(fā)光二極管芯片設(shè)計(jì)的單一封裝基座設(shè)計(jì)。再者，現(xiàn)存的發(fā)光二極管封裝基座可導(dǎo)致封裝體尺寸及成本的增加。再者，許多發(fā)光二極管封裝基座不相容于表面設(shè)置元件(SMD)。在一些情形中，不可能將電路合并至發(fā)光二極管芯片中，因?yàn)楹噶匣亓骷夹g(shù)可導(dǎo)致電路損壞。

發(fā)明內(nèi)容
在以下的敘述與附圖中，提出本發(fā)明的一或更多的實(shí)施例的細(xì)節(jié)。其它特征將明顯由敘述、附圖及權(quán)利要求書中知悉。在一方案中，一種光電元件的封裝基座，包括一基底，一第一頂部接墊(pad)，位于該基底的一頂表面上，一第一底部接墊，位于該基底的一底表面上，以及一第一纏繞接觸 (wrap-around contact)，位于該基底的一側(cè)壁凹槽(sidewall recess)之中，其中該第一纏繞接觸電性耦接至該第一頂部接墊及該第一底部接墊。在一些實(shí)施例中，封裝基座還包括一第二頂部接墊，位于該基底的該頂表面上，一第二底部接墊，位于該基底的該底表面上，以及一第二纏繞接觸，位于該基底的一第二側(cè)壁凹槽之中。該第二纏繞接觸電性耦接至該第二頂部接墊及該第二底部接墊。在一些情形中， 該第一頂部接墊為一元件設(shè)置墊，而該第二頂部接墊為一焊線接墊。在一些實(shí)施例中，該第一底部接墊為一表面設(shè)置元件接觸墊。在一些情形中，該第二底部接墊為一導(dǎo)熱接觸墊。每一該第一側(cè)壁凹槽及該第二側(cè)壁凹槽皆包括一傾斜側(cè)壁。該第一纏繞接觸位于該第一凹槽的該傾斜側(cè)壁上，而該第二纏繞接觸位于該第二凹槽的該傾斜側(cè)壁上。在另一方案中，一種光電元件的封裝基座，包括一基底，一元件設(shè)置墊，位于該基底的一頂表面之上，一焊線接墊，位于該基底的該頂表面之上，一接觸墊，位于該基底的底表面上，以及一貫通接觸，延伸穿過(guò)該基底，且將該焊線接墊電性耦接至該接觸墊。在一些實(shí)施例中，封裝基座包括一導(dǎo)熱墊，位于該基底的該底表面上。在一些情形中，該貫通接觸位于一貫通開口的一側(cè)壁上，使得一暢通無(wú)阻通道自該頂表面延伸穿過(guò)該基底而至該底表面。在某些實(shí)施例中，封裝基座還包括超過(guò)一個(gè)焊線接墊，位于該基底的該頂表面上，超過(guò)一個(gè)接觸墊，位于該基底的該底表面上，以及超過(guò)一個(gè)貫通接觸，延伸穿過(guò)該基底。 每一所述貫通接觸將其中一所述焊線接墊電性耦接至其中一所述接觸墊。 在一些實(shí)施例中，封裝基座還包括一焊料壩提(dam)，位于該基底的該底表面之上，其中該焊料壩提將該貫通接觸耦接至該接觸墊。在一些情形中，該封裝基座的該接觸墊為一表面設(shè)置元件墊。在某些實(shí)施例中，該封裝基座包括一平面金屬層，位于該基底的該頂表面之上，其中該平面金屬層將該元件設(shè)置墊電性耦接至該焊線接墊。封裝基座還包括一光電元件，設(shè)置于該元件設(shè)置墊。該光電元件可為一發(fā)光二極管。一焊線接合，可將該光電元件電性連接至該焊線接墊。在一些實(shí)施例中，封裝基座還包括無(wú)源或有源電路元件于該基底中。無(wú)源或有源電路元件可包括靜電放電防護(hù)電路。靜電放電防護(hù)電路可形成于封裝基座的一基底之中， 且電性耦接至該光電元件。在某些情形中，封裝基座包括一覆蓋(cover)，用于該光電元件。覆蓋可黏貼 (attach)于基底之上以密封光電元件。覆蓋可為一透鏡。透鏡可包括一聚合物(polymer)。在另一方案中，制作一光電封裝基座包括于一基底中形成超過(guò)一個(gè)凹槽 (cavity)，于該基底的頂表面及底表面上及每一凹槽的側(cè)壁上沉積一金屬層，將該金屬層圖案化以于該基底的該頂表面上形成一著陸接墊(landing pad)及焊線接墊，并于該基底的該底表面上形成一接觸墊及一表面設(shè)置元件墊，以及將該基底切割成一封裝基座。每一凹槽中的開口自該基底的一底表面延伸至該基底的一頂表面。位于一第一凹槽側(cè)壁 (cavity sidewall)上的該金屬層將該著陸接墊電性耦接至該接觸墊。位于一第二凹槽側(cè)壁上的該金屬層將該焊線接墊電性耦接至該表面設(shè)置元件墊。在一些情形中，凹槽開口(cavity opening)是以金屬密封。


圖IA顯示光電元件的封裝基座的一例子。圖IB顯示圖IA的封裝基座的另一視圖。圖2為圖IA的封裝基座的底部視圖。圖3A為圖IA的封裝基座的頂部視圖。圖3B為沿著圖3A的切線1_1的剖面圖。圖4A顯示光電元件的封裝基座的另一例子。圖4B顯示圖4A的封裝基座的另一視圖。圖5為圖4A的封裝基座的底部視圖。圖6A為圖4A的封裝基座的頂部視圖。圖6B為沿著圖6A的切線II-II的剖面圖。圖7顯示固定至封裝基座的光電元件的一例子。圖8顯示一例子的封裝基座，其包括形成于封裝基座之中的電路。圖9顯示一覆蓋固定至封裝基座的一例子。圖IOA-圖IOE顯示制作封裝基座的一第一制造過(guò)程。圖IlA-圖IlD顯示制作封裝基座的一第二制造過(guò)程。
圖12A-圖12D顯示制作封裝基座的一第三制造過(guò)程。
具體實(shí)施例方式根據(jù)一第一實(shí)施例，圖1A、1B、2、3A及3B顯示光電元件的封裝基座1。頂表面5為封裝基座裝配側(cè)，一或更多的光電元件裝配及設(shè)置于其上。封裝基座1的底表面19為接觸側(cè)，一或更多的外部電性連接可形成至其上。在一些實(shí)施例中，接觸側(cè)19亦用以提供至外界環(huán)境或散熱器(未顯示)的熱連接，用以降低元件溫度。封裝基座1的頂表面5大抵平
行且相對(duì)于底表面19。在單一整體元件中，頂表面5及底表面19皆與四個(gè)垂直側(cè)壁4相 交。如圖IA及3A所示，頂表面5包括平面著陸接墊7。著陸接墊7建立一區(qū)域，光電元件可設(shè)置于其上。光電元件例如包括(但不限于)發(fā)光二極管、激光二極管、及光二極管。 一般的矩形著陸接墊7設(shè)計(jì)適于設(shè)置大部分的公知發(fā)光二極管芯片。然而，亦可使用其它的接墊配置來(lái)相符于具有不同結(jié)構(gòu)與輪廓的光電元件。在一些實(shí)施例中，著陸接墊7經(jīng)配置以便于對(duì)齊光電元件的電性接觸墊。平面焊線接墊9亦形成于封裝基座1的裝配側(cè)5上，且與著陸接墊7電性隔離及熱隔離。焊線接墊9用作其上可形成焊線連接(例如，焊球接合或楔焊接合)的表面。雖然顯示為矩形，但焊線接墊9亦可設(shè)置成其它配置。例如，可調(diào)整焊線接墊9的尺寸以相符于多樣的焊線連接。著陸接墊7應(yīng)形成自(formed from)導(dǎo)熱材料，其用以將熱自光電元件傳走。在一些情形中，著陸接墊7亦可為具導(dǎo)電性的，因而電性連接可形成于接墊與元件之間。焊線接墊9應(yīng)形成自導(dǎo)電材料。然而，在一些實(shí)施例中，焊線接墊9亦具有導(dǎo)熱性。例如，著陸接墊7與焊線接墊9皆形成自金屬，例如金(Au)或銅(Cu)。在其它實(shí)施例中，多層金屬可用以形成著陸接墊7及焊線接墊9。在本實(shí)施例中，封裝基座1形成自半導(dǎo)體基底，例如硅?；蛘?，封裝基座1可形成自絕緣材料(例如，玻璃或氧化硅)或復(fù)合材料(例如，絕緣層上覆硅)。亦可使用其它基底材料。如圖IA的例子所示，開口 11及12位于四個(gè)基底垂直側(cè)壁4中的其中兩個(gè)中，且是借由移除部分的封裝基座1而形成。第一凹陷(recess) 11形成于封裝基座1的一遠(yuǎn)端且鄰接著陸接墊7。第二凹陷12形成于封裝基座1的一相對(duì)的近端，且鄰接焊線接墊9。 每一凹陷11及12皆包括U型凹口 14，位于頂表面5的水平平面中，其中凹口的三側(cè)由基底圍住。此外，每一凹陷11及12由三個(gè)傾斜凹陷壁6、8及10所限定。凹陷中的每一凹陷壁自相應(yīng)的凹口 14朝基底底表面19傾斜。在顯示于圖IB及2的實(shí)施例中，凹陷壁6、8及 10呈梯形。即，每一凹陷壁的寬度在與裝配側(cè)5相交處窄于與接觸側(cè)19的相交處。因此， 每一凹陷11及12 (由凹陷壁6、8及10所限定)的尺寸在裝配側(cè)5較小，而在接觸側(cè)19較大。附加實(shí)施例可包括具有其它結(jié)構(gòu)的開口。如圖IB及2所示，封裝基座的接觸側(cè)19包括熱接觸墊17。接觸側(cè)還包括分離的表面設(shè)置元件(SMD)墊15，其與熱接觸墊17電性隔離及熱隔離。熱接觸墊17形成自導(dǎo)熱材料，其將熱自封裝基座1及設(shè)置于裝配側(cè)5上的光電元件傳出。熱接觸墊17亦可具導(dǎo)電性。表面設(shè)置元件墊15形成自導(dǎo)電性材料，以使用表面設(shè)置技術(shù)而提供自焊線接墊9至外部元件(未顯示)(例如，印刷電路板)的電性連接。在一些實(shí)施例中，表面設(shè)置元件墊15 還用以將熱自封裝基座1傳出。例如，熱接觸墊17及表面設(shè)置元件墊15皆由金屬形成，例如金或銅。位于裝配側(cè)5上的焊線接墊9借由形成于凹陷12中的凹陷壁10上的纏繞接觸 13A而電性連接且熱連接至位于接觸側(cè)19上的表面設(shè)置元件墊15。相似地，位于裝配側(cè)5 上的著陸接墊7借由形成于凹陷11中的凹陷壁10上的纏繞接觸13B(見圖2)而熱連接且電性連接至熱接觸墊17。如圖1A、1B及;3B的例子所示，每一纏繞接觸13A及1 連續(xù)地沿著位于封裝基座頂表面上的焊線接墊9至封裝基座底表面上的表面設(shè)置元件墊15之間的相應(yīng)凹陷壁10而延伸。凹陷12中將著陸接墊7連接至熱接觸墊17的纏繞接觸13A大抵相似于凹陷11中的纏繞接觸13B。纏繞接觸13A及1 可形成自與裝配側(cè)及接觸側(cè)的接墊相同的材質(zhì)，例如包括金屬，如金及銅。在一些實(shí)施例中，纏繞接觸13具有復(fù)合層。圖4A、4B、5、6A及6B顯示另一實(shí)施例的光電元件的封裝基座21，其具有頂表面25 及底表面39。頂表面25形成于水平平面中且大抵平行于底表面39。頂表面25及底表面 39與單一整體元件中的四個(gè)垂直側(cè)壁對(duì)相交，其中側(cè)壁M不具有如圖1的實(shí)施例的凹口。如圖4A及6A的例子所示，頂表面(或裝配側(cè))25包括用于光電元件的元件設(shè)置接墊27及一或更多的用于接合焊線(其電性連接至元件)的焊線接墊四。接墊27及四形成自導(dǎo)熱及/或?qū)щ姴牧?，例如金屬。在一些?shí)施例中，接墊27及四形成為具有復(fù)合層。封裝基座21的底表面39為接觸側(cè)，可于其上形成一或更多的連接至外部構(gòu)件及元件的電性及/或熱連接。如圖4B及5所示，底表面39包括熱接觸墊33及一或更多的表面設(shè)置元件墊35，其與熱接觸墊33電性及熱隔離。接墊33及35形成自導(dǎo)熱及/或?qū)щ姴牧?，例如金屬。在一些?shí)施例中，接墊33及35形成為具有復(fù)合層。封裝基座21形成自半導(dǎo)體基底，例如硅?；蛘撸庋b基座21可形成自絕緣材料 (例如，玻璃或氧化硅)或復(fù)合材料(例如，絕緣層上覆硅)。亦可使用其它基底材料。如圖4A、4B及6B所示，封裝基座21包括貫通金屬化結(jié)構(gòu)31，其延伸自裝配側(cè)25 且穿過(guò)基底而到達(dá)接觸側(cè)39。在一些情形中，貫通金屬化結(jié)構(gòu)31的開口是通過(guò)由接觸側(cè) 39至裝配側(cè)25對(duì)基底進(jìn)行非等向性蝕刻而形成。因此，開口在接觸側(cè)39上的尺寸可大于開口在裝配側(cè)25上的尺寸。貫通金屬化結(jié)構(gòu)31在裝配側(cè)25上位于鄰接焊線接墊四處，且在接觸側(cè)上位于鄰接焊料壩提37處。貫通金屬化結(jié)構(gòu)31的開口的側(cè)壁覆蓋有一或多層的導(dǎo)電材料以形成貫通接觸32。貫通接觸32電性及/或熱耦接于裝配側(cè)25上的焊線接墊四及接觸側(cè)39上的焊料壩提37。貫通接觸32可包括氣相沉積金屬，例如金或銅。在一些實(shí)施例中，貫通接觸32未填充整個(gè)開口而使暢通無(wú)阻的通道仍保留于裝配側(cè)25與接觸側(cè)39之間。在其它實(shí)施例中，開口完全被貫通接觸32所填充而使開口被密封。貫通接觸材料可例如使用電鍍貫通金屬化工藝而提供。在一些情形中，元件設(shè)置墊27通過(guò)形成于封裝基座21的頂表面上的平面金屬層 23而電性連接至一或更多的焊線接墊四。平面金屬層可形成自與元件設(shè)置墊27及焊線接墊四相同的材質(zhì)。因此，元件設(shè)置墊27可熱連接至封裝基座21的底表面上的表面設(shè)置元件墊35。此外，平面金屬層23可于元件設(shè)置墊27與表面設(shè)置元件墊35之間提供電性連接，因而不需焊線接合。
封裝基座21的接觸側(cè)39上的焊料壩提37可包括一或多層的氣相沉積金屬，例如鈦(Ti)，并用作避免涂至表面設(shè)置元件墊35的焊料接觸或進(jìn)入貫通金屬化結(jié)構(gòu)31的開口。 焊料壩提37設(shè)置于貫通金屬化結(jié)構(gòu)31的開口與表面設(shè)置元件墊35之間，且電性及/或熱耦接至表面設(shè)置元件墊35及貫通接觸32。圖7顯示光電元件41 (例如，發(fā)光二極管)的一例子，其設(shè)置于封裝基座1的著陸接墊7上。封裝基座21(圖4A)可用以取代封裝基座1。元件41使用微制造技術(shù)(例如， 焊料接合)而設(shè)置。焊料接合例如包括使用金-錫(AuSn)接合?；蛘?，元件41可借由環(huán)氧化合物或樹脂而固定至著陸接墊7。環(huán)氧化合物或樹脂可具導(dǎo)熱性。元件41借由焊線 43而電性連接至焊線接墊9。在一些情形中，元件41可借由倒裝芯片接合而設(shè)置于著陸接墊7，使得元件電性連接至著陸接墊7。 因此，如圖1-7的例子所示，可構(gòu)造一種具有標(biāo)準(zhǔn)表面設(shè)置元件連接的總括性元件封裝基座以供使用，而不管固定至封裝基座的光電元件的特定布局、配置、接觸、及布線技術(shù)。此外，前述設(shè)計(jì)需要使用最小的封裝基座空間。因此，縮減了光電封裝體的整體尺寸， 使得更高密度的元件可配置在一起。這點(diǎn)可例如使發(fā)光二極管顯示器能夠具有更高的解析度。在其它例子中，發(fā)光顯示器可制作得更小，但具有與較大顯示器能相比較的生產(chǎn)率。在一些實(shí)施例中，無(wú)源或有源電路可并入至封裝基座內(nèi)部。圖8顯示固定至封裝基座1的光電元件41(例如，發(fā)光二極管)的一例子，其中靜電放電(ESD)防護(hù)電路45形成于封裝基座半導(dǎo)體基底之中?？墒褂梅庋b基座21 (圖4A)來(lái)取代封裝基座1。防護(hù)電路45 包括兩個(gè)背對(duì)背配置的齊納二極管47，且可例如借由對(duì)半導(dǎo)體基底施加磷及硼的擴(kuò)散工藝而形成。當(dāng)過(guò)多的電性電荷對(duì)發(fā)光二極管產(chǎn)生的電壓超出臨界電壓時(shí)，防護(hù)電路45鉗住該電壓并使超出的電流改道以保護(hù)發(fā)光二極管。在一些情形中，僅需要單個(gè)齊納二極管來(lái)保護(hù)元件41。亦可使用例如是互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝的制造技術(shù)而將其它無(wú)源及有源電路元件并入封裝基座中。在一些實(shí)施例中，無(wú)源或有源電路元件可外部形成于封裝基座的表面上。例如，可使用標(biāo)準(zhǔn)微制造技術(shù)而于封裝基座頂表面上形成無(wú)源電阻、電容、或電感元件?；蛘撸虼送?，可將例如是集成電路芯片的有源電路元件設(shè)置至封裝基座的外部表面。在一些實(shí)施例中，有覆蓋光電元件41以保護(hù)或運(yùn)用元件中的發(fā)出光線或接收光線的需求。例如，圖9顯示形成于發(fā)光二極管41上的覆蓋51，其中發(fā)光二極管固定于封裝基座21。封裝基座1(圖1A)可用以取代封裝基座21。覆蓋51保護(hù)發(fā)光二極管41免受損害。在一些情形中，覆蓋51為準(zhǔn)備自模具的透鏡，其中透鏡的形狀可聚焦發(fā)自元件41的光線。因此，模制透鏡51可增加自光電元件的光線輸出或?qū)⒐饩€聚焦至元件41。覆蓋51可形成自任何對(duì)光電元件41所發(fā)出的光線或?qū)⒁邮盏墓饩€為透明的材料。例如，覆蓋51 可制作自聚合物材料，例如包括硅膠(silicone)，或制作自玻璃。覆蓋51使用例如是環(huán)氧化合物或樹脂的接合材料而固定至表面。在一些情形中，形成覆蓋的聚合物的黏著性足以將覆蓋51固定至封裝基座表面。圖10A-10E為顯示繪于圖1中的封裝基座1的范例制造過(guò)程的剖面圖。如圖 10A-10B所示，凹槽(cavity) 60蝕刻進(jìn)基底3中。凹槽蝕刻自基底底表面進(jìn)行而完全穿過(guò)基底厚度而到達(dá)基底頂表面，因而形成傾斜凹槽側(cè)壁。凹槽60可使用已知的濕式蝕刻技術(shù)而形成。然而，亦可使用其它蝕刻技術(shù)，例如干式蝕刻或激光鉆孔。
在進(jìn)行凹槽蝕刻之后，基底3及凹槽60的表面覆蓋有金屬層62 (見圖10C)。金屬層62是使用例如電子束沉積、熱氣相沉積或?yàn)R鍍的金屬沉積技術(shù)而形成。亦可使用其它的金屬沉積技術(shù)。金屬層62可包括不同金屬(例如金、鈦、及鉻)的復(fù)合層。如圖IOD所示，接著將金屬層62圖案化并蝕刻，使得著陸接墊64/焊線接墊66對(duì) (pair)形成于基底頂表面上，而熱接觸墊68/表面設(shè)置元件墊70對(duì)形成于基底底表面上。 金屬圖案化步驟使著陸接墊64及熱接觸墊68分別電性隔離焊線接墊66及表面設(shè)置元件墊70。然而，電性連接維持于著陸接墊64與接觸墊68之間，且維持于焊線接墊66與表面設(shè)置元件墊70之間。此外，可進(jìn)一步將金屬層62圖案化以于基底的頂表面及底表面上形成焊料壩提(見圖1B)。在圖案化步驟之后，切割基底3以形成單個(gè)的封裝基座1(見圖10E)。如圖IOE所示，切割工藝于著陸接墊/焊線接墊對(duì)的任一側(cè)上進(jìn)行。此外，切割將形成在鄰接于著陸接墊64的凹槽與鄰接于焊線接墊66的凹槽二者都分為兩部分(bisect)。由于切割工藝，基底凹槽的余留部分皆類似形成在封裝基座側(cè)壁中的凹陷。圖11A-11D為顯示繪于圖4中的封裝基座21的另一范例制造過(guò)程的剖面圖。如圖1IA-IIB所示，凹槽72蝕刻進(jìn)基底3中。蝕刻自基底底表面進(jìn)行而完全穿過(guò)基底厚度而到達(dá)基底頂表面，而形成傾斜凹槽側(cè)壁。蝕刻可例如使用半導(dǎo)體工藝工業(yè)中所知的濕式蝕刻技術(shù)而進(jìn)行。接著，使用如上所解釋的標(biāo)準(zhǔn)金屬沉積技術(shù)而于基底頂表面及底表面及凹槽側(cè)壁上覆蓋金屬層74(見圖11C)。選擇性地，凹槽72可填充以金屬而使得無(wú)開口存在于頂表面與底表面之間的基底3中。凹槽可借由無(wú)電鍍或化學(xué)電鍍沉積的方法而填充以金屬。接著，將金屬層74圖案化以形成著陸接墊(未顯示)、一或更多的焊線接墊78、熱接觸墊80、及一或更多的表面設(shè)置元件墊82。著陸接墊可與形成在基底表面上的全部或一些的焊線接墊78電性隔離。熱接觸墊80與形成在基底底表面上的表面設(shè)置元件墊82電性隔離。在金屬圖案化之后，將基底3切割成單個(gè)的封裝基座21，每一封裝基座包括單一著陸接墊及一或更多的焊線接墊78。圖12A-12D顯示在另一實(shí)施例中，制作封裝基座21的一第三制造過(guò)程的剖面圖， 其中凹槽72是以鉆穿基底3的方式取代蝕刻的方式而形成。例如，可使用激光鉆孔以形成圓柱形凹槽72，隨后將沉積金屬于其中。凹槽可填充以金屬73，使得無(wú)開口存在于基底3 的頂表面與底表面之間?；蛘?，凹槽側(cè)壁可由金屬薄層所覆蓋，使得開口延伸穿過(guò)基底凹槽 72。本發(fā)明一些實(shí)施例已被揭示。然而，可知悉的是，在不脫離本發(fā)明的精神與范疇的前提下，當(dāng)可作許多修改。其它實(shí)施例涵蓋于隨附的權(quán)利要求范圍之中。
10
權(quán)利要求
1.一種光電元件的封裝基座，包括 一基底；一第一頂部接墊，位于該基底的一頂表面上； 一第一底部接墊，位于該基底的一底表面上；以及一第一纏繞接觸，位于該基底的一側(cè)壁凹槽之中，其中該第一纏繞接觸電性耦接至該第一頂部接墊及該第一底部接墊。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝基座，還包括 一第二頂部接墊，位于該基底的該頂表面上；一第二底部接墊，位于該基底的該底表面上；以及一第二纏繞接觸，位于該基底的一第二側(cè)壁凹槽之中，其中該第二纏繞接觸電性耦接至該第二頂部接墊及該第二底部接墊。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝基座，其中該第一頂部接墊為一元件設(shè)置墊，而該第二頂部接墊為一焊線接墊。
4.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的封裝基座，還包括一光電元件，設(shè)置在該元件設(shè)置墊。
5.如權(quán)利要求4所述的封裝基座，還包括一焊線接合，將該光電元件電性連接至該焊線接墊。
6.如權(quán)利要求4所述的封裝基座，其中該光電元件為一發(fā)光二極管。
7.如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的封裝基座，其中該第一底部接墊為一表面設(shè)置元件接觸墊。
8.如權(quán)利要求2所述的封裝基座，其中該第一底部接墊為一表面設(shè)置元件接觸墊，而該第二底部接墊為一導(dǎo)熱接觸墊。
9.如權(quán)利要求2所述的封裝基座，其中每一該第一側(cè)壁凹槽及該第二側(cè)壁凹槽皆包括一傾斜側(cè)壁。
10.如權(quán)利要求9所述的封裝基座，其中該第一纏繞接觸位于該第一凹槽的該傾斜側(cè)壁上，而該第二纏繞接觸位于該第二凹槽的該傾斜側(cè)壁上。
11.如權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的封裝基座，還包括無(wú)源或有源電路元件于該基底之中。
12.如權(quán)利要求11所述的封裝基座，其中所述無(wú)源或有源電路元件包括靜電放電防護(hù)電路。
13.如權(quán)利要求1-12中任一項(xiàng)所述的封裝基座，還包括用于該光電元件的一覆蓋。
14.如權(quán)利要求13所述的封裝基座，其中該覆蓋為一透鏡。
15.如權(quán)利要求14所述的封裝基座，其中該透鏡包括一聚合物。
16.一種光電元件的封裝基座，包括 一基底；一元件設(shè)置墊，位于該基底的一頂表面之上； 一焊線接墊，位于該基底的該頂表面之上； 一接觸墊，位于該基底的底表面上；以及一貫通接觸，延伸穿過(guò)該基底，且將該焊線接墊電性耦接至該接觸墊。
17.如權(quán)利要求16所述的封裝基座，還包括一導(dǎo)熱墊，位于該基底的該底表面上。
18.如權(quán)利要求16或17所述的封裝基座，其中該貫通接觸位于一貫通開口的一側(cè)壁上，使得一暢通無(wú)阻通道自該頂表面延伸穿過(guò)該基底而至該底表面。
19.如權(quán)利要求16-18中任一項(xiàng)所述的封裝基座，還包括多個(gè)焊線接墊，位于該基底的該頂表面上；多個(gè)接觸墊，位于該基底的該底表面上；以及多個(gè)貫通接觸，延伸穿過(guò)該基底，其中每一所述貫通接觸將所述多個(gè)焊線接墊之一電性耦接至所述多個(gè)接觸墊之一。
20.如權(quán)利要求16-19中任一項(xiàng)所述的封裝基座，還包括一焊料壩提，位于該基底的該底表面之上，其中該焊料壩提將該貫通接觸耦接至該接觸墊。
21.如權(quán)利要求16-20中任一項(xiàng)所述的封裝基座，其中該接觸墊為一表面設(shè)置元件墊。
22.如權(quán)利要求16-21中任一項(xiàng)所述的封裝基座，還包括一光電元件，設(shè)置于該元件設(shè)置墊。
23.如權(quán)利要求22所述的封裝基座，還包括一焊線接合，將該光電元件電性連接至該焊線接墊。
24.如權(quán)利要求22所述的封裝基座，其中該光電元件為一發(fā)光二極管。
25.如權(quán)利要求16-24中任一項(xiàng)所述的封裝基座，還包括一平面金屬層，位于該基底的該頂表面之上，其中該平面金屬層將該元件設(shè)置墊電性耦接至該焊線接墊。
26.如權(quán)利要求16-25中任一項(xiàng)所述的封裝基座，還包括無(wú)源或有源電路元件于該基底中。
27.如權(quán)利要求26所述的封裝基座，其中所述電路元件包括靜電放電防護(hù)電路。
28.如權(quán)利要求16-27中任一項(xiàng)所述的封裝基座，還包括用于該光電元件的一覆蓋。
29.如權(quán)利要求28所述的封裝基座，其中該覆蓋為一透鏡。
30.如權(quán)利要求29所述的封裝基座，其中該透鏡包括一聚合物。
31.一種制作光電封裝基座的方法，包括于一基底中形成多個(gè)凹槽，其中每一凹槽中的開口自該基底的一底表面延伸至該基底的一頂表面；于該基底的頂表面及底表面上及每一凹槽的側(cè)壁上沉積一金屬層；將該金屬層圖案化以于該基底的該頂表面上形成一著陸接墊及焊線接墊，并于該基底的該底表面上形成一接觸墊及一表面設(shè)置元件墊，其中位于一第一凹槽側(cè)壁上的該金屬層將該著陸接墊電性耦接至該接觸墊，且其中位于一第二凹槽側(cè)壁上的該金屬層將該焊線接墊電性耦接至該表面設(shè)置元件墊；以及將該基底切割成一封裝基座。
32.如權(quán)利要求31所述的方法，還包括將一光電元件設(shè)置于該著陸接墊。
33.如權(quán)利要求32所述的方法，還包括將該光電元件電性連接至該焊線接墊。
34.如權(quán)利要求31-33中任一項(xiàng)所述的方法，還包括于該基底中形成靜電放電防護(hù)電路，且將該防護(hù)電路電性耦接至該光電元件。
35.如權(quán)利要求31-34中任一項(xiàng)所述的方法，還包括將一覆蓋黏貼至該基底上以密封該光電元件。
36.如權(quán)利要求31-35中任一項(xiàng)所述的方法，還包括以金屬密封該凹槽的開口。
全文摘要
一種光電元件(41)的封裝基座(1，21)，包括一基底，一第一頂部接墊(7，9)，位于該基底的一頂表面(5)之上，一第一底部接墊(15，17)，位于該基底的一底表面(19)上，以及一第一纏繞接觸(13)，位于該基底的一側(cè)壁凹槽(11，12)之中，其中該第一纏繞接觸(13)電性耦接至該第一頂部接墊(7，9)及該第一底部接墊(15，17)?；蛘?，或此外，封裝基座(21)包括一元件設(shè)置墊(27)，位于該基底的該頂表面(25)之上，一焊線接墊(9，29)，位于該基底的該頂表面(5，25)之上，一接觸墊(15，17，33，35)，位于該基底的底表面(19，39)上，以及一貫通接觸(31)，延伸穿過(guò)該基底，且將該焊線接墊(9，29)電性耦接至該接觸墊(15，35)。
文檔編號(hào)H01L33/62GK102160197SQ200880128509
公開日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2008年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月5日
發(fā)明者湯瑪士·墨菲 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司