專利名稱：：含有具有帶氮的甲硅烷基的聚合物的、抗蝕劑下層膜形成用組合物的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及在半導體裝置的制造中使用的、用于在基板和抗蝕劑(例如光致抗蝕劑、電子束抗蝕劑)之間形成下層膜的組合物。更詳細地說，涉及在制造半導體裝置的光刻工序中、用于形成作為光致抗蝕劑的下層使用的下層膜的、光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物。此外，還涉及使用該下層膜形成用組合物來形成抗蝕劑圖案的方法?？刮g劑下層膜形成用組合物中含有作為氮原子上的取代基具有甲硅烷基的聚合物，特別是含有以甲硅烷基異氰脲酸酯為代表的聚合物。
背景技術：
：一直以來，在半導體裝置的制造中，人們使用光致抗蝕劑利用光刻工藝來進行微細加工。上述微細加工的方法，是在硅晶片等的半導體基板上形成光致抗蝕劑的薄膜，然后在光致抗蝕劑的薄膜上介由描繪成半導體裝置的圖案的掩模圖案來照射紫外線等的活性光線，進行顯影，并以獲得的光致抗蝕劑圖案作為保護膜來蝕刻處理基板，由此在基板表面形成與上述圖案相對應的微細凸凹的加工方法。但近年來，隨著半導體器件的高集成化不斷發(fā)展，所使用的活性光線也存在從KrF準分子激光(波長248nm)向ArF準分子激光(波長193nm)轉換的短波長化傾向。與此相伴，活性光線從半導體基板反射的影響已成為嚴重的問題。因此，為了解決上述問題，廣泛研究了在光致抗蝕劑與基板之間設置防反射膜(bottomanti-reflectivecoating)的方法。作為上述防反射膜，從使用的難易性等方面出發(fā)，大量研究了由具有吸光基團的聚合物形成的有機防反射膜?？梢粤信e出例如，在同一分子內具有作為交聯(lián)反應基團的羥基和吸光基團的丙烯酸樹脂型防反射膜、在同一分子內具有作為交聯(lián)反應基團的羥基和吸光基團的酚醛清漆樹脂型防反射膜等。作對防反射膜要求的特性有對光、放射線具有較大的吸光度；不與光致抗蝕劑發(fā)生混合(在光致抗蝕劑溶劑中不溶)；在加熱烘烤時不會有低分子物質從防反射膜向上層光致抗蝕劑擴散；與光致抗蝕劑相比，具有較大的干蝕刻速度等。另外，近年來，為了解決隨著半導體裝置的圖案規(guī)則的微細化而逐漸明顯的布線延遲的問題，研究了使用銅作為布線材料，與此同時作為在半導體基板上形成布線的方法，研究了雙鑲嵌工藝。在該雙鑲嵌工藝中，對形成通孔、具有大的縱橫比的基板形成防反射膜。因此，對于在該工藝中使用的防反射膜，要求其具有可將上述孔無間隙地填充的埋入特性、或在基板表面上形成平坦膜那樣的平坦化特性等。此外，作為半導體基板和光致抗蝕劑之間的下層膜，已使用了作為含有硅、鈦等金屬元素的硬掩模被人們所知的膜(例如，參照專利文獻1)。此種情況中，抗蝕劑和硬掩模，由于它們的構成成分區(qū)別大，所以通過干蝕刻來除去它們的速度大大依賴于干蝕刻中使用的氣體的種類。因而，可以通過選擇適當?shù)臍怏w類，在不使光致抗蝕劑的膜厚大幅減少的情況下，通過干蝕刻來除去硬掩模。因此，在使用光致抗蝕劑和硬掩模時，即便光致抗蝕劑形成了較薄的膜，也可以確保作為用于半導體基板加工的保護膜(由光致抗蝕劑和硬掩模組5成)的充分的膜厚度。這樣，在近年來的半導體裝置的制造中，為了實現(xiàn)以防反射效果為代表的各種效果，逐漸在半導體基板和光致抗蝕劑之間配置了抗蝕劑下層膜。雖然一直在對抗蝕劑下層膜用的組合物進行研究，但由于其要求特性的多樣性，所以仍然希望開發(fā)出抗蝕劑下層膜用的新材料。例如，已知使用具有硅-硅鍵的化合物的組合物、和圖案形成方法(例如，參照專利文獻2)。此外，還公開了含有帶酚醛清漆狀硅烷的聚合物的防反射層形成用組合物。所述高分子主鏈上有酚醛清漆基、側鏈有團簇狀的硅烷，并且含有產酸劑和交聯(lián)性化合物(參照專利文獻3)。此外，還公開了使用含有聚有機硅烷的樹脂的硬掩模材料(例如專利文獻4、專利文獻5)。專利文獻1特開平11-258813號公報專利文獻2特開平10-209134號公報專利文獻3特開2005-115380號公報專利文獻4特開2001-93824號公報專利文獻5特開2005-70776號公報
發(fā)明內容本發(fā)明的目的是提供可以在半導體裝置的制造中使用的光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物。更詳細地說，要提供用于形成可以作為硬掩模使用的抗蝕劑下層膜的、光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物。此外，要提供用于形成可以作為防反射膜使用的抗蝕劑下層膜的、光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物。此外，要提供不與光致抗蝕劑發(fā)生混合、具有比光致抗蝕劑大的干蝕刻速度的光刻用抗蝕劑下層膜和用于形成該下層膜的抗蝕劑下層膜形成用組合物。并且還要提供使用該光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物來形成光致抗蝕劑圖案的方法。本發(fā)明，作為觀點1是一種光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物，含有聚合物和溶齊U，所述聚合物含有下述式(1)所示的部分結構，O(-0)3_m(R2)mSi-R廠？八口一R廣Si(R2)n(0…抽式(1)O“式中，X1表示式⑵、式(3)、式(4)或式(4-1)所示的基團，寧3Bs—C——C-C——N~~C—~~N—C—KUIS丨ARi-Si(R2)p(0-)3.pR0式(2)式(3)式(4)式(4-1)Rtl表示氫原子、烷基、芳基或鏈烯基，R1分別獨立地表示2價有機基團，R2分別獨立地表示具有烷基、芳基、鹵代烷基、鹵代芳基、鏈烯基、環(huán)氧、丙烯?；?、甲基丙烯?；?、巰基、氨基或氰基，并且介由Si-C鍵與硅原子結合的有機基團，0-表示介由Si-O鍵與硅原子結合的基團，R3和R4分別獨立地表示氫原子、碳原子數(shù)為110的烷基、碳原子數(shù)為36的鏈烯基、芐基或苯基，或者R3和R4與同它們結合的碳原子一起形成碳原子數(shù)為36的環(huán)，其中，所述苯基可以被選自碳原子數(shù)為110的烷基、鹵素原子、碳原子數(shù)為110的烷氧基、硝基、氰基、羥基、和碳原子數(shù)為110的烷硫基中的基團取代，n、m和ρ分別獨立地表示03的整數(shù)，但當X1表示式(2)、式(3)或(4-1)所示的基團時，0彡n+m彡5，當X1表示式⑷所示的基團時，0彡n+m+p彡8。作為觀點2，是觀點1所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，上述聚合物除了式(1)所示的部分結構以外，還含有式(5)所示的部分結構和/或式(6)所示的部分結構，(R1)a(R3)bSi(0-)4_(a+b)式(5)式中，R1和R3分別獨立地表示具有烷基、芳基、鹵代烷基、鹵代芳基、鏈烯基、環(huán)氧、丙烯?；⒓谆；€基、氨基或氰基，并且介由Si-C鍵與硅原子結合的有機基團，a和b分別獨立地表示0、1或2的整數(shù)，但a+b表示0、1或2的整數(shù)，〔(R4)cSi(0-)3_c〕2Y式(6)式中，R4表示碳原子數(shù)為110的烷基，Y表示碳原子數(shù)為16的亞烷基，c表示0或1的整數(shù)。作為觀點3，是觀點1所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，上述聚合物除了式(1)所示的部分結構以外，還含有上述式(5)所示的部分結構。作為觀點4，是觀點1所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，上述聚合物是由式(1’)所示的有機硅化合物水解并縮合而成的，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>式中，X1表示式(2，)、式(3，)、式(4，)或(4，_1)所示的基團，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>式(2，)式(3，)式(4，)式(4-1)Rtl表示氫原子、烷基、芳基或鏈烯基，R1分別獨立地表示表示2價有機基團，R2分別獨立地表示具有烷基、芳基、鹵代烷基、鹵代芳基、鏈烯基、環(huán)氧、丙烯?；?、甲基丙烯?；€基、氨基或氰基，并且介由Si-C鍵與硅原子結合的有機基團，0-表示介由Si-O鍵與硅原子結合的基團，R3和R4分別獨立地表示氫原子、碳原子數(shù)為110的烷基、碳原子數(shù)為36的鏈烯基、芐基或苯基，或者R3和R4與同它們結合的碳原子一起形成碳原子數(shù)為36的環(huán)，其中，所述苯基可以被選自碳原子數(shù)為110的烷基、鹵素原子、碳原子數(shù)為110的烷氧基、硝基、氰基、羥基、和碳原子數(shù)為110的烷硫基中的基團取代，T表示碳原子數(shù)為110的烷氧基、酰氧基或鹵素基，η和m分別獨立地表示03的整數(shù)，但當X1表示式(2’)、式(3’)或(4’-1)所示的基團時，0彡n+m彡5，當X1表示式(4’)所示的基團時，0彡n+m+p彡8。作為觀點5，是觀點2所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，上述聚合物是由上述式(1’)所示的有機硅化合物和式(5’)所示的有機硅化合物、和/或式(6’)所示的有機硅化合物水解并縮合而成的，(R1)a(R3)bSi(T)4_(a+b)式(5，)式中，R1和R3分別獨立地表示具有烷基、芳基、鹵代烷基、鹵代芳基、鏈烯基、環(huán)氧、丙烯?；⒓谆；€基、氨基或氰基，并且介由Si-C鍵與硅原子結合的有機基團，T表示碳原子數(shù)為110的烷氧基、酰氧基或鹵素基，a和b分別獨立地表示0、1或2的整數(shù)，但a+b表示0、1或2的整數(shù)，((R4)cSi(T)3J2Y式(6，)式中，R4表示碳原子數(shù)為110的烷基，Y表示碳原子數(shù)為16的亞烷基，T表示碳原子數(shù)為110的烷氧基、酰氧基或鹵素基，c表示0或1的整數(shù)。作為觀點6，是觀點3所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，上述聚合物是由上述式(1’)所示的有機硅化合物和上述式(5’)所示的有機硅化合物水解并縮合而成的。作為觀點7，是觀點16的任一項所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，還含有交聯(lián)催化劑。作為觀點8，是一種抗蝕劑下層膜，是通過將觀點17的任一項所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物涂布在半導體基板上，并烘烤而得到的。作為觀點9，是一種半導體裝置的制造方法，包含下述工序將觀點17的任一項所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物涂布在半導體基板上，并烘烤，從而形成抗蝕劑下層膜的工序；在上述下層膜上涂布抗蝕劑用組合物，從而形成抗蝕劑膜的工序；使上述抗蝕劑膜曝光的工序；在曝光后使抗蝕劑顯影，從而得到抗蝕劑圖案的工序；介由抗蝕劑圖案來蝕刻抗蝕劑下層膜的工序；以及介由已圖案化的抗蝕劑和抗蝕劑下層膜來對半導體基板進行加工的工序。作為觀點10，是一種半導體裝置的制造方法，包含下述工序利用涂布型有機膜形成用組合物在半導體基板上形成有機膜的工序；在上述有機膜上涂布觀點17的任一項所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，并烘烤，從而形成抗蝕劑下層膜的工序；在上述抗蝕劑下層膜上涂布抗蝕劑用組合物，從而形成抗蝕劑層的工序；使上述抗蝕劑膜曝光的工序；在曝光后使抗蝕劑顯影，從而得到抗蝕劑圖案的工序；介由抗蝕劑圖案來蝕刻抗蝕劑下層膜的工序；以及介由已圖案化的有機膜來對半導體基板進行加工的工序。本發(fā)明中，使用涂布法在基板上形成抗蝕劑下層膜，或使用涂布法介由基板上的有機下層膜在該有機下層膜上形成抗蝕劑下層膜，再在該抗蝕劑下層膜上形成抗蝕劑膜(例如，光致抗蝕劑、電子束抗蝕劑)。并且通過曝光和顯影來形成抗蝕劑圖案，并使用該抗蝕劑圖案來對抗蝕劑下層膜進行干蝕刻，進行圖案的轉印，再介由該圖案來加工基板或蝕刻有機下層膜，從而轉印圖案，并介由該有機下層膜來加工基板。不僅為了形成細微圖案，而且為了防止圖案倒塌，人們往往使抗蝕劑膜厚變薄。由于抗蝕劑的薄膜化，在進行干蝕刻以將圖案轉印給在抗蝕劑的下層存在的膜時，如果蝕刻速度不比上層的膜快，則不能轉印。本發(fā)明中，介由基板上的有機下層膜、或不介由有機下層膜，在其上被覆本申請的抗蝕劑下層膜(含有無機系硅系化合物)，再在抗蝕劑下層膜上依次被覆抗蝕劑膜(有機抗蝕劑膜)。通過選擇蝕刻氣體使得有機系成分的膜和無機系成分的膜的干蝕刻速度大大不同，使用氧氣系氣體干蝕刻有機系成分的膜的速度快，使用無機系成分的膜干蝕刻含有鹵素的氣體的速度快。例如，形成抗蝕劑圖案，使用含鹵素的氣體對在抗蝕劑下層存在的本申請的抗蝕劑下層膜進行干蝕刻，以將圖案轉印給抗蝕劑下層膜，再借助在該抗蝕劑下層膜上轉印的圖案、使用含鹵素的氣體進行基板加工。此外，使用轉印有圖案的抗蝕劑下層膜，并使用氧氣系氣體對抗蝕劑下層膜下層的有機下層膜進行干蝕刻，將抗蝕劑下層膜的圖案轉印給有機下層膜，再借助該轉印有圖案的有機下層膜，使用含鹵素的氣體加工基板。本發(fā)明中的該抗蝕劑下層膜具有作為硬掩模的作用，含有上述式(1)所示的部分結構的聚合物具有嘧啶三酮結構、咪唑烷二酮結構和三嗪三酮結構等的含氮雜環(huán)結構，并且具有作為這些氮原子上的取代基的甲硅烷基結構。上述含氮雜環(huán)結構中的碳-氮鍵、碳_氧鍵比碳_碳鍵更有助于提高干蝕刻速度、有效將上層抗蝕劑圖案轉印成該抗蝕劑圖案。此外，作為含氮雜環(huán)結構的氮原子上的取代基的甲硅烷基結構，可有效促進抗蝕劑下層膜在抗蝕劑下層膜的下方存在的有機下層膜的蝕刻、基板的加工(蝕刻)中作為硬掩模使用。即本發(fā)明中的抗蝕劑下層膜在基板加工時或對有機下層膜的干蝕刻氣體具有充分的耐干蝕刻性。本發(fā)明中的該抗蝕劑下層膜相對于這些上層抗蝕劑具有較大的干蝕刻速度、和基板加工時等的耐干蝕刻性。具體實施例方式本發(fā)明的抗蝕劑下層膜形成用組合物中含有聚合物和溶劑，所述聚合物含有式(1)所示的部分結構，或含有式(1)所示的部分結構和式(5)和/或式(6)所示的部分結構。本發(fā)明的抗蝕劑下層膜形成用組合物還可以含有作為任意成分的交聯(lián)催化劑、產酸劑、其它的有機聚合物、吸光性化合物和表面活性劑等。本發(fā)明的抗蝕劑下層膜形成用組合物中的固體成分為例如0.550質量％、130質量％或525質量％。這里的固體成分是指從抗蝕劑下層膜形成用組合物的總成分中去除溶劑成分后的成分。上述聚合物在固體成分中所占的比例為20質量％以上，例如為50100質量％、6095質量％、7090質量％。本發(fā)明是含有具有式(1)所示的部分結構的聚合物和溶劑的光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物。其中，式中的X1表示式(2)、式(3)、式(4)或式(4-1)所示的基團。Rtl表示氫原子、烷基、芳基或鏈烯基。R1分別獨立地表示2價有機基團。2價有機基團表示例如碳原子數(shù)16的亞烷基、羥基亞烷基、含有酯基的有機基團、含有醚基的有機基團、含有硫醚基的有機基團等。R2分別獨立地表示具有烷基、芳基、鹵代烷基、鹵代芳基、鏈烯基、環(huán)氧基、丙烯?；⒓谆；?、巰基、氨基或氰基，并且介由Si-C鍵與硅原子結合的有機基團，0-表示介由Si-O鍵與硅原子結合的基團，R3和R4分別獨立地表示氫原子、碳原子數(shù)110的烷基、碳原子數(shù)36的鏈烯基、芐基或苯基(其中，苯基可以被選自碳原子數(shù)110的烷基、鹵素原子、碳原子數(shù)110的烷氧基、硝基、氰基、羥基、和碳原子數(shù)110的烷硫基中的基團取代。)，或者R3和R4與同它們結合的碳原子一起形成碳原子數(shù)為36的環(huán)，η和m分別獨立地表示03的整數(shù)，但當X1表示式(2)、式(3)或(4_1)所示的基團時，0彡n+m彡5，當X1表示式(4)所示的基團時，0彡n+m+p彡8。作為碳原子數(shù)16的亞烷基，可以列舉出亞甲基、亞乙基、亞丙基、亞丁基、亞戊基、亞己基等。此外，還可以列舉出它們被羥基取代而成的羥基亞烷基。此外，作為含有酯基的有機基團，可以列舉出通過羧酸和羥基反應而得的有機基團，作為含有醚基的有機基團，可以列舉出通過羥基和烯丙基反應而得的有機基團，作為含有硫醚基的有機基團，可以列舉出通過硫醚基和烯丙基反應而得的有機基團。R2表示與硅原子結合的有機基團。這些有機基團具有烷基、芳基、鹵代烷基、鹵代芳基、鏈烯基、環(huán)氧基、丙烯?；?、甲基丙烯酰基、巰基、氨基或氰基。作為烷基，可以列舉出環(huán)狀或鏈狀烷基。作為碳原子數(shù)110的環(huán)狀烷基，可以列舉出例如環(huán)丙基、環(huán)丁基、1-甲基-環(huán)丙基、2-甲基-環(huán)丙基、環(huán)戊基、1-甲基-環(huán)丁基、2-甲基-環(huán)丁基、3-甲基-環(huán)丁基、1，2-二甲基-環(huán)丙基、2，3-二甲基-環(huán)丙基、1-乙基-環(huán)丙基、2-乙基-環(huán)丙基、環(huán)己基、1-甲基_環(huán)戊基、2-甲基-環(huán)戊基、3-甲基-環(huán)戊基、1-乙基-環(huán)丁基、2-乙基-環(huán)丁基、3-乙基-環(huán)丁基、1，2-二甲基-環(huán)丁基、1，3-二甲基-環(huán)丁基、2，2-二甲基-環(huán)丁基、2，3-二甲基-環(huán)丁基、2，4_二甲基-環(huán)丁基、3，3-二甲基-環(huán)丁基、1-正丙基-環(huán)丙基、2-正丙基-環(huán)丙基、1-異丙基_環(huán)丙基、2-異丙基-環(huán)丙基、1，2，2-三甲基-環(huán)丙基、1，2，3-三甲基-環(huán)丙基、2，2，3-三甲基-環(huán)丙基、1-乙基-2-甲基-環(huán)丙基、2-乙基-1-甲基-環(huán)丙基、2-乙基-2-甲基-環(huán)丙基和2-乙基-3-甲基-環(huán)丙基等。作為碳原子數(shù)110的鏈狀烷基，是直鏈或支化的烷基，可以列舉出例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、I"甲基_正丁基、2-甲基-正丁基、3-甲基-正丁基、1，1-二甲基-正丙基、1，2-二甲基-正丙基、2，2-二甲基-正丙基、1-乙基-正丙基、正己基、1-甲基-正戊基、2-甲基-正戊基、3-甲基-正戊基、4-甲基-正戊基、1，1_二甲基-正丁基、1，2-二甲基-正丁基、1，3-二甲基-正丁基、2，2-二甲基-正丁基、2，3-二甲基-正丁基、3，3-二甲基-正丁基、1-乙基-正丁基、2-乙基-正丁基、1，1，2-三甲基-正丙基、1，2，2-三甲基-正丙基、1-乙基-1-甲基-正丙基和1-乙基-2-甲基-正丙基等。另外，還可以列舉出它們被氟、氯、溴或碘等的鹵素原子取代而成的有機基團。作為芳基，可以列舉出苯基、鄰甲基苯基、間甲基苯基、對甲基苯基、鄰氯苯基、間氯苯基、對氯苯基、鄰氟苯基、對巰基苯基、鄰甲氧基苯基、對甲氧基苯基、對氨基苯基、對氰基苯基、α-萘基、β-萘基、鄰聯(lián)苯基、間聯(lián)苯基、對聯(lián)苯基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基和9-菲基等。作為碳原子數(shù)210的鏈烯基，可以列舉出乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-甲基-1-乙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲基-2-丙烯基、1-乙基乙烯基、I"甲基-1-丙烯基、I"甲基-2-丙烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-正丙基乙烯基、1-甲基-1-丁烯基、1-甲基-2-丁烯基、1-甲基-3-丁烯基、2-乙基-2-丙烯基、2-甲基-1-丁烯基、2-甲基-2-丁烯基、2-甲基-3-丁烯基、3-甲基-1-丁烯基、3-甲基-2-丁烯基、3-甲基-3-丁烯基、1，1-二甲基-2-丙烯基、1-異丙基乙烯基、1，2-二甲基-1-丙烯基、1，2-二甲基-2-丙烯基、1-己烯基、2-己烯基、3-己烯基、4-己烯基、5-己烯基、1-甲基-1-戊烯基、1-甲基-2-戊烯基、1-甲基-3-戊烯基、1-甲基-4-戊烯基、1-正丁基乙烯基、2-甲基-1-戊烯基、2-甲基-2-戊烯基、2-甲基-3-戊烯基、2-甲基-4-戊烯基、2-正丙基-2-丙烯基、3-甲基-1-戊烯基、3-甲基-2-戊烯基、3-甲基-3-戊烯基、3-甲基-4-戊烯基、3-乙基-3-丁烯基、4-甲基戊烯基、4-甲基-2-戊烯基、4-甲基-3-戊烯基、4-甲基-4-戊烯基、1，1-二戊烯基甲基-2-丁烯基、1，1-二甲基-3-丁烯基、1，2-二甲基-1-丁烯基、1，2-二甲基-2-丁烯基、1，2-二甲基-3-丁烯基、1-甲基-2-乙基-2-丙烯基、1-仲丁基乙烯基、1，3-二甲基-1-丁烯基、1，3-二甲基-2-丁烯基、1，3-二甲基-3-丁烯基、1-異丁基乙烯基、2，2-二甲基-3-丁烯基、2，3-二甲基-1-丁烯基、2，3-二甲基-2-丁烯基、2，3-二甲基-3-丁烯基、2-異丙基-2-丙烯基、3，3-二甲基-1-丁烯基、1-乙基-1-丁烯基、1-乙基-2-丁烯基、1-乙基-3-丁烯基、1-正丙基-1-丙烯基、1-正丙基-2-丙烯基、2-乙基-1-丁烯基、2-乙基-2-丁烯基、2-乙基-3-丁烯基、1，1，2-三甲基-2-丙烯基、1-叔丁基乙烯基、1-甲基-1-乙基-2-丙烯基、1-乙基-2-甲基-1-丙烯基、1-乙基-2-甲基-2-丙烯基、1-異丙基-1-丙烯基和1-異丙基-2-丙烯基等。此外，甲硅烷基結構中的-O表示介由Si-O鍵與硅原子結合的基團。R3和R4中的烷基和鏈烯基可以列舉出上述記載的基團。作為烷氧基，可以列舉出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、1-甲基-正丁氧基、2-甲基-正丁氧基、3-甲基-正丁氧基、1，1-二甲基-正丙氧基、1，2-二甲基-正丙氧基、2，2-二甲基-正丙氧基、1-乙基-正丙氧基、正己氧基、1-甲基-正戊氧基、2-甲基-正戊氧基、3-甲基-正戊氧基、4-甲基-正戊氧基、1，1-二甲基-正丁氧基、1，2-二甲基-正丁氧基、1，3-二甲基-正丁氧基、2，2-二甲基_正丁氧基、2，3-二甲基-正丁氧基、3，3-二甲基-正丁氧基、1-乙基-正丁氧基、2-乙基-正丁氧基、1，1，2-三甲基-正丙氧基、1，2，2，-三甲基-正丙氧基、1-乙基-1-甲基_正丙氧基和1-乙基-2-甲基-正丙氧基等。作為烷硫基，可以列舉出乙硫基、丁硫基、己硫基、辛硫基等。本發(fā)明中使用的聚合物可以通過將式(1’)所示的有機硅化合物水解并縮合的方法來制造。此外，上述聚合物可以通過將式(1’)所示的有機硅化合物、和式(5’)和/或式(6’)所示的有機硅化合物水解并縮合的方法來制造。因而，上述聚合物可以通過將式(1’)所示的有機硅化合物和式(5’)所示的有機硅化合物水解并縮合的方法來制造。因而，還可以通過使由式(5’)和/或式(6’)所示的有機硅化合物水解并縮合而成的聚合物、與式(1’)所示的有機硅化合物反應的方法來制造。作為式(1’)所示的有機硅化合物，可以使用市售品。此外，式(1’)所示的有機硅化合物可以通過與作為嘧啶三酮結構、咪唑啉二酮結構和三嗪三酮結構等的含氮雜環(huán)結構的化合物的氮原子上的取代基具有甲硅烷基結構的化合物反應來得到。還可以通過上述結構的氮原子上的氫原子與烷氧基鹵代硅烷化合物反應來制造。此外，式(1’)所示的有機硅化合物還可以通過具有環(huán)氧基的嘧啶三酮結構、咪唑啉二酮結構和三嗪三酮結構的化合物與烷氧基氫硅烷(alkoxyhydrosilane)、烷氧基鹵代硅烷反應來制造。作為一個例子，通過使三_(2，3-環(huán)氧基丙基)-異氰脲酸酯與烷氧基氫硅烷進行加成反應，可以制造式(1’)所示的有機硅化合物。式(1’)中的n、m和ρ分別獨立地表示03的整數(shù)，但當X1表示式(2’)、式(3’)或(4’-1)所示的基團時，0^n+m^5；當X1表示式(4’)所示的基團時，0彡n+m+p彡8。即式(1’)中的Si-O-鍵至少有一個，可以以Si上的最大可能量存在。當式(1’)中有1個Si-O-鍵時，式(1’)所示的結構變成與使下面論述的式(5’)和/或式(6’)所示的有機硅化合物水解并縮合而得的聚合物結合的部分結構。此外，當(1’)中有2個以上Si-O-鍵時，還可以形成以式(1’)所示的部分結構為重復單元的聚合物；使式(1’)所示的有機硅化合物與式(5，)和/或式(6’)所示的有機硅化合物共聚(縮聚)；或者，使式(1’)所示的有機硅化合物成為與通過式(5)和/或式(6)所示的有機硅化合物水解并縮合而得的聚合物結合的部分結構。在與式(1’)所示的有機硅化合物共聚(縮聚)時，可以使用式(5’)、式(6’)所示的有機硅化合物中的任一者，也可以使用兩者。但優(yōu)選與式(1’)所示的有機硅化合物和式(5’)所示的有機硅化合物共聚(縮聚)。式(5，)所示的有機硅化合物中的禮和民分別獨立地表示具有烷基、芳基、鹵代烷基、鹵代芳基、鏈烯基、環(huán)氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巰基、氨基或氰基，并且介由Si-C鍵與硅原子結合的有機基團，a和b分別獨立地表示0、1或2的整數(shù)，但a+b表示0、1或2的整數(shù)。作為這些有機基團，可以列舉出上述中記載的基團。式(6’)所示的有機硅化合物中的R4表示碳原子數(shù)110的烷基，Y表示碳原子數(shù)16的亞烷基，C表示0或1的整數(shù)。作為這些有機基團，可以列舉出上述中記載的基團。式(1’)所示的有機硅化合物、式(5’)所示的有機硅化合物、和式(6’)所示的有機硅化合物，它們各自的烷氧基甲硅烷基、酰氧基甲硅烷基或商代甲硅烷基(上述Si-T)水解生成的結構變成上述式(1)所示的部分結構、式(5)所示的部分結構、和式(6)所示的部分結構。因此，式(1)所示的部分結構、式(5)所示的部分結構和式(6)所示的部分結構分別對應于式(1’)所示的有機硅化合物、式(5，)所示的有機硅化合物、和式(6’)所示的有機硅化合物。上述Si-T的T表示碳原子數(shù)110的烷氧基、酰氧基或鹵素基團。作為T中的碳原子數(shù)110的烷氧基，可以列舉出碳原子數(shù)110的具有直鏈、支化、環(huán)狀的烷基部分的烷氧基，作為直鏈或支化的烷氧基，可以列舉出例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、1-甲基-正丁氧基、2-甲基-正丁氧基、3-甲基-正丁氧基、1，1-二甲基-正丙氧基、1，2_二甲基-正丙氧基、2，2_二甲基-正丙氧基、1-乙基-正丙氧基、正己氧基、1-甲基-正戊氧基、2-甲基_正戊氧基、3-甲基-正戊氧基、4-甲基-正戊氧基、1，1-二甲基-正丁氧基、1，2-二甲基_正丁氧基、1，3-二甲基-正丁氧基、2，2-二甲基-正丁氧基、2，3-二甲基-正丁氧基、3，3-二甲基-正丁氧基、1-乙基-正丁氧基、2-乙基-正丁氧基、1，1，2-三甲基-正丙氧基、1，2，2_三甲基-正丙氧基、1-乙基-1-甲基-正丙氧基和1-乙基-2-甲基-正丙氧基等，作為環(huán)狀的烷氧基，可以列舉出環(huán)丙氧基、環(huán)丁氧基、1-甲基-環(huán)丙氧基、2-甲基-環(huán)丙氧基、環(huán)戊氧基、1-甲基-環(huán)丁氧基、2-甲基-環(huán)丁氧基、3-甲基-環(huán)丁氧基、1，2_二甲基-環(huán)丙氧基、2，3-二甲基-環(huán)丙氧基、1-乙基-環(huán)丙氧基、2-乙基-環(huán)丙氧基、環(huán)己氧基、1-甲基-環(huán)戊氧基、2-甲基-環(huán)戊氧基、3-甲基-環(huán)戊氧基、1-乙基-環(huán)丁氧基、2-乙基-環(huán)丁氧基、3-乙基-環(huán)丁氧基、1，2-二甲基-環(huán)丁氧基、1，3-二甲基-環(huán)丁氧基、2，2-二甲基-環(huán)丁氧基、2，3-二甲基-環(huán)丁氧基、2，4_二甲基-環(huán)丁氧基、3，3-二甲基-環(huán)丁氧基、1-正丙基_環(huán)丙氧基、2-正丙基-環(huán)丙氧基、1-異丙基-環(huán)丙氧基、2-異丙基-環(huán)丙氧基、1，2，2-三甲基-環(huán)丙氧基、1，2，3-三甲基-環(huán)丙氧基、2，2，3-三甲基-環(huán)丙氧基、1-乙基-2-甲基-環(huán)丙氧基、2-乙基-1-甲基-環(huán)丙氧基、2-乙基-2-甲基-環(huán)丙氧基和2-乙基-3-甲基-環(huán)丙氧基等。作為T中的碳原子數(shù)110的酰氧基，可以列舉出例如甲基羰基氧基、乙基羰基氧基、正丙基羰基氧基、異丙基羰基氧基、正丁基羰基氧基、異丁基羰基氧基、仲丁基羰基氧基、叔丁基羰基氧基、正戊基羰基氧基、1-甲基-正丁基羰基氧基、2-甲基-正丁基羰基氧基、3-甲基-正丁基羰基氧基、1，1-二甲基-正丙基羰基氧基、1，2-二甲基-正丙基羰基氧基、2，2-二甲基-正丙基羰基氧基、1-乙基-正丙基羰基氧基、正己基羰基氧基、1-甲基-正戊基羰基氧基、2-甲基-正戊基羰基氧基、3-甲基-正戊基羰基氧基、4-甲基-正戊基羰基氧基、1，1-二甲基-正丁基羰基氧基、1，2-二甲基-正丁基羰基氧基、1，3-二甲基-正丁基羰基氧基、2，2-二甲基-正丁基羰基氧基、2，3-二甲基-正丁基羰基氧基、3，3-二甲基-正丁基羰基氧基、1-乙基_正丁基羰基氧基、2-乙基-正丁基羰基氧基、1，1，2-三甲基-正丙基羰基氧基、1，2，2-三甲基-正丙基羰基氧基、1-乙基-1-甲基-正丙基羰基氧基、1-乙基-2-甲基-正丙基羰基氧基、苯基羰基氧基和卜〉>羰基氧基等。作為T的鹵素基團，可以列舉出氟、氯、溴、碘等。通過將式(1’)所示的有機硅化合物、式(5，)所示的有機硅化合物、和式(6’)所示的有機硅化合物水解，可以得到重均分子量為10001000000或1000100000的縮合物。在使烷氧基甲硅烷基、酰氧基甲硅烷基或商代甲硅烷基水解時，相對于每摩爾水解性基團，使用1100摩爾、優(yōu)選150摩爾的水。進行水解和縮合時的反應溫度通常為2080°C。在水解、縮合時可以使用催化劑。作為催化劑，可以列舉出金屬螯合物、有機酸、無機酸、有機堿、無機堿等。作為金屬螯合物，可以列舉出例如三乙氧基單(乙酰丙酮)合鈦、三正丙氧基單(乙酰丙酮)合鈦、三異丙氧基單(乙酰丙酮)合鈦、三正丁氧基單(乙酰丙酮)合鈦、三仲丁氧基單(乙酰丙酮)合鈦、三叔丁氧基單(乙酰丙酮)合鈦、二乙氧基雙(乙酰丙酮)合鈦、二正丙氧基雙(乙酰丙酮)合鈦、二異丙氧基雙(乙酰丙酮)合鈦、二正丁氧基雙(乙酰丙酮)合鈦、二仲丁氧基雙(乙酰丙酮)合鈦、二叔丁氧基雙(乙酰丙酮)合鈦、單乙氧基三(乙酰丙酮)合鈦、單正丙氧基三(乙酰丙酮)合鈦、單異丙氧基三(乙酰丙酮)合鈦、單正丁氧基三(乙酰丙酮)合鈦、單仲丁氧基三(乙酰丙酮)合鈦、單叔丁氧基三(乙酰丙酮)合鈦、四(乙酰丙酮)合鈦、三乙氧基單(乙酰乙酸乙酯)合鈦、三正丙氧基單(乙酰乙酸乙酯)合鈦、三異丙氧基單(乙酰乙酸乙酯)合鈦、三正丁氧基單(乙酰乙酸乙酯)合鈦、三仲丁氧基單(乙酰乙酸乙酯)合鈦、三叔丁氧基單(乙酰乙酸乙酯)合鈦、二乙氧基雙(乙酰乙酸乙酯)合鈦、二正丙氧基雙(乙酰乙酸乙酯)合鈦、二異丙氧基雙(乙酰乙酸乙酯)合鈦、二正丁氧基雙(乙酰乙酸乙酯)合鈦、二仲丁氧基雙(乙酰乙酸乙酯)合鈦、二叔丁氧基雙(乙酰乙酸乙酯)合鈦、單乙氧基三(乙酰乙酸乙酯)合鈦、單正丙氧基三(乙酰乙酸乙酯)合鈦、單異丙氧基三(乙酰乙酸乙酯)合鈦、單正丁氧基三(乙酰乙酸乙酯)合鈦、單仲丁氧基三(乙酰乙酸乙酯)合鈦、單叔丁氧基三(乙酰乙酸乙酯)合鈦、四(乙酰乙酸乙酯)合鈦、單(乙酰丙酮)三(乙酰乙酸乙酯)合鈦、雙(乙酰丙酮)雙(乙酰乙酸乙酯)合鈦、三(乙酰丙酮)單(乙酰乙酸乙酯)合鈦等的鈦螯合物；三乙氧基單(乙酰丙酮)合鋯、三正丙氧基單(乙酰丙酮)合鋯、三異丙氧基單(乙酰丙酮)合鋯、三正丁氧基單(乙酰丙酮)合鋯、三仲丁氧基單(乙酰丙酮)合鋯、三叔丁氧基單(乙酰丙酮)合鋯、二乙氧基雙(乙酰丙酮)合鋯、二正丙氧基雙(乙酰丙酮)合鋯、二異丙氧基雙(乙酰丙酮)合鋯、二正丁氧基雙(乙酰丙酮)合鋯、二仲丁氧基雙(乙酰丙酮)合鋯、二叔丁氧基雙(乙酰丙酮)合鋯、單乙氧基三(乙酰丙酮)合鋯、單正丙氧基三(乙酰丙酮)合鋯、單異丙氧基三(乙酰丙酮)合鋯、單正丁氧基三(乙酰丙酮)合鋯、單仲丁氧基三(乙酰丙酮)合鋯、單叔丁氧基三(乙酰丙酮)合鋯、四(乙酰丙酮)合鋯、三乙氧基單(乙酰乙酸乙酯)合鋯、三正丙氧基單(乙酰乙酸乙酯)合鋯、三異丙氧基單(乙酰乙酸乙酯)合鋯、三正丁氧基單(乙酰乙酸乙酯)合鋯、三仲丁氧基單(乙酰乙酸乙酯)合鋯、三叔丁氧基單(乙酰乙酸乙酯)合鋯、二乙氧基雙(乙酰乙酸乙酯)合鋯、二正丙氧基雙(乙酰乙酸乙酯)合鋯、二異丙氧基雙(乙酰乙酸乙酯)合鋯、二正丁氧基雙(乙酰乙酸乙酯)合鋯、二仲丁氧基雙(乙酰乙酸乙酯)合鋯、二叔丁氧基雙(乙酰乙酸乙酯)合鋯、單乙氧基三(乙酰乙酸乙酯)合鋯、單正丙氧基三(乙酰乙酸乙酯)合鋯、單異丙氧基三(乙酰乙酸乙酯)合鋯、單正丁氧基三(乙酰乙酸乙酯)合鋯、單仲丁氧基三(乙酰乙酸乙酯)合鋯、單叔丁氧基三(乙酰乙酸乙酯)合鋯、四(乙酰乙酸乙酯)合鋯、單(乙酰丙酮)三(乙酰乙酸乙酯)合鋯、雙(乙酰丙酮)雙(乙酰乙酸乙酯)合鋯、三(乙酰丙酮)單(乙酰乙酸乙酯)合鋯等鋯螯合物；三(乙酰丙酮)合鋁、三(乙酰乙酸乙酯)合鋁等鋁螯合物；等等。作為有機酸，可以列舉出例如可以列舉例如乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、草酸、馬來酸、甲基丙二酸、己二酸、癸二酸、沒食子酸、丁酸、苯六酸、花生四烯酸、莽草酸、2-乙基己酸、油酸、硬脂酸、亞油酸、亞麻酸、水楊酸、苯甲酸、對氨基苯甲酸、對甲苯磺酸、苯磺酸、單氯乙酸、二氯乙酸、三氯乙酸、三氟乙酸、甲酸、丙二酸、磺酸、鄰苯二甲酸、富馬酸、檸檬酸、酒石酸等。作為無機酸，可以列舉例如鹽酸、硝酸、硫酸、氫氟酸、磷酸等。作為有機堿，可以列舉例如吡啶、批咯、哌嗪、批咯烷、哌啶、甲基吡啶、三甲胺、三乙胺、一乙醇胺、二乙醇胺、二甲基一乙醇胺、一甲基二乙醇胺、三乙醇胺、二氮雜二環(huán)辛烷、二氮雜二環(huán)壬烷、二氮雜雙環(huán)十一烯、氫氧化四甲銨等。作為無機堿，可以列舉例如氨、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋇、氫氧化鈣等。在這些催化劑中，優(yōu)選金屬螯合物、有機酸、無機酸，它們可以使用1種，也可以同時使用2種以上。作為水解中使用的有機溶劑，可以列舉例如，正戊烷、異戊烷、正己烷、異己烷、正庚烷、異庚烷、2，2，4_三甲基戊烷、正辛烷、異辛烷、環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷等的脂肪族烴系溶劑；苯、甲苯、二甲苯、乙基苯、三甲基苯、甲基乙基苯、正丙基苯、異丙基苯、二乙基苯、異丁基苯、三乙基苯、二異丙基苯、正戊基萘、三甲基苯等的芳香族烴系溶劑；甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、仲丁醇、叔丁醇、正戊醇、異戊醇、2-甲基丁醇、仲戊醇、叔戊醇、3-甲氧基丁醇、正己醇、2-甲基戊醇、仲己醇、2-乙基丁醇、仲庚醇、3-庚醇、正辛醇、2-乙基己醇、仲辛醇、正壬醇、2，6_二甲基-4-庚醇、正癸醇、仲i^一烷醇、三甲基壬醇、仲十四烷醇、仲十七烷醇、苯酚、環(huán)己醇、甲基環(huán)己醇、3，3，5-三甲基環(huán)己醇、芐醇、苯基甲基甲醇、雙丙酮醇、甲酚等的一元醇類溶劑；乙二醇、丙二醇、1，3_丁二醇、2，4_戊二醇、2-甲基-2，4_戊二醇、2，5-己二醇、2，4-庚二醇、2-乙基-1，3-己二醇、二甘醇、雙丙甘醇、三甘醇、二縮三丙二醇、丙三醇等的多元醇系溶劑；丙酮、丁酮、甲基_正丙基酮、甲基_正丁基酮、二乙基酮、甲基_異丁基酮、甲基_正戊基酮、乙基_正丁基酮、甲基_正己基酮、二異丁基酮、三甲基壬酮、環(huán)己酮、甲基環(huán)己酮、2，4_戊二酮、丙酮基丙酮、雙丙酮醇、苯乙酮、葑酮等的酮系溶劑；乙醚、異丙基醚、正丁基醚、正己基醚、2-乙基己基醚、環(huán)氧乙烷、1，2_環(huán)氧丙烷、二氧雜戊環(huán)、4-甲基二氧雜戊環(huán)、二噁烷、二甲基二噁烷、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇一正丁基醚、乙二醇一正己基醚、乙二醇一苯基醚、乙二醇單-2-乙基丁基醚、乙二醇二丁基醚、二甘醇單甲醚、二甘醇單乙醚、二甘醇二乙基醚、二甘醇一正丁基醚、二甘醇二正丁基醚、二甘醇一正己基醚、乙氧基三甘醇、四甘醇二正丁基醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚、雙丙甘醇單甲醚、雙丙甘醇單乙醚、雙丙甘醇單丙醚、雙丙甘醇單丁醚、二縮三丙二醇單甲醚、四氫呋喃、2-甲基四氫呋喃等的醚系溶劑；碳酸二乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、Y-丁內酯、Y-戊內酯、乙酸正丙酯、乙酸異丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、乙酸仲丁酯、乙酸正戊酯、乙酸仲戊酯、乙酸-3-甲氧基丁酯、乙酸甲基戊酯、乙酸-2-乙基丁酯、乙酸-2-乙基己酯、乙酸芐酯、乙酸環(huán)己酯、乙酸甲基環(huán)己酯、乙酸正壬酯、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、乙酸乙二醇一甲醚酯、乙酸乙二醇一乙醚酯、乙酸二甘醇一甲醚酯、乙酸二甘醇一乙醚酯、乙酸二甘醇一正丁醚酯、乙酸丙二醇一甲醚酯、乙酸丙二醇一乙醚酯、乙酸丙二醇一丙醚酯、乙酸丙二醇一丁醚酯、乙酸雙丙甘醇一甲醚酯、乙酸雙丙甘醇一乙醚酯、二乙酸乙二醇酯、乙酸甲氧基三甘醇酯、丙酸乙酯、丙酸正丁酯、丙酸異戊酯、草酸二乙酯、草酸二正丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丁酯、乳酸正戊酯、丙二酸二乙酯、鄰苯二甲酸二甲酯、鄰苯二甲酸二乙酯等的酯系溶劑；N-甲基甲酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二乙基甲酰胺、乙酰胺、N-甲基乙酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基丙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等的含氮系溶劑；二甲硫醚、二乙硫醚、噻吩、四氫噻吩、二甲亞砜、環(huán)丁砜、1，3_丙磺酸內酯等的含硫系溶劑等。從溶液的保存穩(wěn)定性的方面考慮，特別優(yōu)選丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚、丙二醇二甲基醚、丙二醇二乙基醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯。當聚合物含有式(1)所示的部分結構、和式(5)和/或式(6)所示的部分結構時，如果將式(1)所示的部分結構的摩爾比記作A，并將式(5)和/或式(6)所示的部分結構的摩爾比記作B，則AB為1050，優(yōu)選為1020。此外，如果將式(5)所示的部分結構的摩爾比記作Bi，將式(6)所示的部分結構的摩爾比記作B2，則BlB2為102，優(yōu)選為101。用于制造本發(fā)明所使用的聚合物的、式(1’)所示的有機硅化合物可以列舉出下面所示的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>(1-1)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>(1-2)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>(1-3)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>(1一4)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>(1_5)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>(1-6)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula><image>imageseeoriginaldocumentpage20</image>用于制造本發(fā)明所使用的聚合物的、式(5’)所示的有機硅化合物可以列舉出下面所示的化合物。可以列舉出四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四正丙氧基硅烷、四異丙氧基硅烷、四正丁氧基硅烷、四乙酰氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三丙氧基硅烷、甲基三乙酰氧基硅烷、甲基三丁氧基硅烷、甲基三丙氧基硅烷、甲基三戊氧基硅烷、甲基三苯氧基硅烷、甲基三芐氧基硅烷、甲基三苯乙基氧基硅烷、(2，3-環(huán)氧丙氧基)甲基三甲氧基硅烷、(2，3-環(huán)氧丙氧基)甲基三乙氧基硅烷、α_(2，3-環(huán)氧丙氧基)乙基三甲氧基硅烷、α-(2，3_環(huán)氧丙氧基)乙基三乙氧基硅烷、β_(2，3-環(huán)氧丙氧基)乙基三甲氧基硅烷、β_(2，3-環(huán)氧丙氧基)乙基三乙氧基硅烷、α-(2，3-環(huán)氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷、α-(2，3_環(huán)氧丙氧基)丙基三乙氧基硅烷、β_(2，3-環(huán)氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷、β_(2，3-環(huán)氧丙氧基)丙基三乙氧基硅烷、Y-(2，3-環(huán)氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷、Y-(2，3-環(huán)氧丙氧基)丙基三乙氧基硅烷、Y_(2，3-環(huán)氧丙氧基)丙基三丙氧基硅烷、Y_(2，3-環(huán)氧丙氧基)丙基三丁氧基硅烷、Υ-(2，3-環(huán)氧丙氧基)丙基三苯氧基硅烷、α-(2，3-環(huán)氧丙氧基)丁基三甲氧基硅烷、α-(2，3-環(huán)氧丙氧基)丁基三乙氧基硅烷、β_(2，3-環(huán)氧丙氧基)丁基三乙氧基硅烷、Υ-(2，3-環(huán)氧丙氧基)丁基三甲氧基硅烷、Y-(2，3-環(huán)氧丙氧基)丁基三乙氧基硅烷、S-(2，3-環(huán)氧丙氧基)丁基三甲氧基硅烷、δ-(2，3-環(huán)氧丙氧基)丁基三乙氧基硅烷、(3，4_環(huán)氧環(huán)己基)甲基三甲氧基硅烷、(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)甲基三乙氧基硅烷、β-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、β-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三乙氧基硅烷、β-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三丙氧基硅烷、β-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三丁氧基硅烷、β-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三苯氧基硅烷、Y-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)丙基三甲氧基硅烷、Υ_(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)丙基三乙氧基硅烷、δ-(3，4_環(huán)氧環(huán)己基)丁基三甲氧基硅烷、δ-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)丁基三乙氧基硅烷、(2，3-環(huán)氧丙氧基)甲基甲基二甲氧基硅烷、(2，3-環(huán)氧丙氧基)甲基甲基二乙氧基硅烷、α_(2，3_環(huán)氧丙氧基)乙基甲基二甲氧基硅烷、α_(2，3_環(huán)氧丙氧基)乙基甲基二乙氧基硅烷、β_(2，3-環(huán)氧丙氧基)乙基甲基二甲氧基硅烷、β-(2，3_環(huán)氧丙氧基)乙基乙基二甲氧基硅烷、α-(2，3_環(huán)氧丙氧基)丙基甲基二甲氧基硅烷、α-(2，3-環(huán)氧丙氧基)丙基甲基二乙氧基硅烷、β_(2，3-環(huán)氧丙氧基)丙基甲基二甲氧基硅烷、β-(2，3-環(huán)氧丙氧基)丙基乙基二甲氧基硅烷、Y-(2，3-環(huán)氧丙氧基)丙基甲基二甲氧基硅烷、Y-(2，3-環(huán)氧丙氧基)丙基甲基二乙氧基硅烷、Y-(2，3-環(huán)氧丙氧基)丙基甲基二丙氧基硅烷、Υ-(2，3-環(huán)氧丙氧基)丙基甲基二丁氧基硅烷、Y-(2，3-環(huán)氧丙氧基)丙基甲基二苯氧基硅烷、Υ-(2，3-環(huán)氧丙氧基)丙基乙基二甲氧基硅烷、Y-(2，3_環(huán)氧丙氧基)丙基乙基二乙氧基硅烷、Υ-(2，3-環(huán)氧丙氧基)丙基乙烯基二甲氧基硅烷、Y-(2，3-環(huán)氧丙氧基)丙基乙烯基二乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、苯基三乙酰氧基硅烷、Y-氯丙基三甲氧基硅烷、Y-氯丙基三乙氧基硅烷、Y-氯丙基三乙酰氧基硅烷、3，3，3-三氟丙基三甲氧基硅烷、Y-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-巰基丙基三甲氧基硅烷、Y-巰基丙基三乙氧基硅烷、β-氰乙基三乙氧基硅烷、氯甲基三甲氧基硅烷、氯甲基三乙氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)_Y-氨基丙基三甲氧基硅烷、Ν-(β-氨基乙基)-Y-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、、_氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、苯基甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、苯基甲基二乙氧基硅烷、Y-氯丙基甲基二甲氧基硅烷、Y-氯丙基甲基二乙氧基硅烷、二甲基二乙酰氧基硅烷、Y-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、Y-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、Y-巰基丙基甲基二甲氧基硅烷、Y-巰基甲基二乙氧基硅烷、甲基乙烯基二甲氧基硅烷、甲基乙烯基二乙氧基硅烷等，它們可以單獨使用，也可以2種以上組合使用。特別優(yōu)選四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四正丙氧基硅烷。作為用于制造本發(fā)明所使用的聚合物的、式(6’)所示的有機硅化合物，可以列舉出例如亞甲基雙(甲基二甲氧基硅烷)、亞乙基雙(乙基二甲氧基硅烷)、亞丙基雙(乙基二乙氧基硅烷)、亞丁基雙(甲基二乙氧基硅烷)等，它們可以單獨使用，也可以2種以上組合使用。作為本發(fā)明所使用的聚合物的部分結構，可以列舉出例如下面的結構。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula><image>imageseeoriginaldocumentpage25</image><image>imageseeoriginaldocumentpage26</image><formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula>本發(fā)明所使用的聚合物是聚有機硅氧烷，并在聚合物末端存在Si-OH基。通過使用交聯(lián)催化劑、或在沒有交聯(lián)催化劑的情況下，該Si-OH基可以進行熱交聯(lián)反應，形成交聯(lián)。此外，當作為三嗪環(huán)等的氮原子上的取代基具有羥基時，該羥基進行熱交聯(lián)反應，形成交聯(lián)。作為本發(fā)明中的交聯(lián)催化劑，可以使用例如質子酸。作為質子酸，可以列舉出例如對甲苯磺酸、三氟甲磺酸、對甲苯磺酸吡啶鐺鹽、磺基水楊酸和樟腦磺酸等的磺酸化合物。此外，還可以列舉出水楊酸、檸檬酸、苯甲酸和羥基苯甲酸等羧酸化合物。作為交聯(lián)催化劑，優(yōu)選使用芳香族磺酸化合物。作為芳香族磺酸化合物的具體例，可以列舉出對甲苯磺酸、對甲苯磺酸吡啶鐺鹽、磺基水楊酸、4-氯苯磺酸、4-羥基苯磺酸、苯二磺酸、1-萘磺酸、和1-萘磺酸吡啶鐺鹽等。交聯(lián)催化劑可以單獨使用1種，也可以2種以上組合使用。交聯(lián)催化劑的使用量，相對于100質量份聚合物為0.110質量份或0.55質量份或13質量份。本發(fā)明的光刻用下層膜形成用組合物，除了上述成分以外，還可以根據(jù)需要含有有機聚合物化合物、光產酸劑和表面活性劑等。通過使用有機聚合物化合物，可以調節(jié)由本發(fā)明的光刻用下層膜形成用組合物形成的抗蝕劑下層膜的干蝕刻速度(單位時間的膜厚的減少量)、衰減系數(shù)和折射率等。作為有機聚合物化合物，沒有特殊限定，可以使用各種有機聚合物。例如，可以使用縮聚聚合物和加聚聚合物等。具體地講，可以使用聚酯、聚苯乙烯、聚酰亞胺、丙烯酸聚合物、甲基丙烯酸聚合物、聚乙烯基醚、苯酚酚醛清漆、萘酚酚醛清漆、聚醚、聚酰胺、聚碳酸酯等加聚聚合物和縮聚聚合物。優(yōu)選使用具有能作為吸光部位發(fā)揮作用的苯環(huán)、萘環(huán)、蒽環(huán)、三嗪環(huán)、喹啉環(huán)、和喹喔啉環(huán)等芳香環(huán)結構的有機聚合物。作為這種有機聚合物化合物，可以列舉出例如，含有丙烯酸芐基酯、甲基丙烯酸芐基酯、丙烯酸苯基酯、丙烯酸萘基酯、甲基丙烯酸蒽基酯、甲基丙烯酸蒽基甲酯、苯乙烯、羥基苯乙烯、芐基乙烯基醚和N-苯基馬來酰亞胺等的加成聚合性單體作為其結構單元的加聚聚合物，以及苯酚酚醛清漆、萘酚酚醛清漆等的縮聚聚合物。當作為有機聚合物化合物使用加聚聚合物時，該聚合物化合物可以是均聚物，也可以是共聚物。在制造加聚聚合物時要使用加成聚合性單體。作為這種加成聚合性單體，可以列舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸酯化合物、甲基丙烯酸酯化合物、丙烯酰胺化合物、甲基丙烯酰胺化合物、乙烯基化合物、苯乙烯化合物、馬來酰亞胺化合物、馬來酸酐、丙烯腈寸。作為丙烯酸酯化合物，可以列舉出丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正己酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸環(huán)己酯、丙烯酸芐酯、丙烯酸苯酯、丙烯酸蒽基甲酯、丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸3-氯-2-羥基丙酯、丙烯酸2-羥基丙酯、丙烯酸2，2，2-三氟乙酯、丙烯酸2，2，2-三氯乙酯、丙烯酸2-溴乙酯、丙烯酸4-羥基丁酯、丙烯酸2-甲氧基乙酯、丙烯酸四氫糠基酯、丙烯酸2-甲基-2-金剛烷基酯、5-丙烯酰氧-6-羥基降冰片烯-2-羧基-6-內酯、3-丙烯氧基丙基三乙氧基硅烷和丙烯酸縮水甘油基酯等。作為甲基丙烯酸酯化合物，可以列舉出甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正己酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸環(huán)己酯、甲基丙烯酸芐酯、甲基丙烯酸苯酯、甲基丙烯酸蒽基甲酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯、甲基丙烯酸2-羥基丙酯、甲基丙烯酸2，2，2-三氟乙酯、甲基丙烯酸2，2，2-三氯乙酯、甲基丙烯酸2-溴乙酯、甲基丙烯酸4-羥基丁酯、甲基丙烯酸2-甲氧基乙酯、甲基丙烯酸四氫糠基酯、甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛烷基酯、5-甲基丙烯酰氧基-6-羥基降冰片烯-2-羧基-6-內酯、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、甲基丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸2-苯基乙酯、甲基丙烯酸羥基苯酯和甲基丙烯酸溴苯酯等。作為丙烯酰胺化合物，可以列舉出丙烯酰胺、N-甲基丙烯酰胺、N-乙基丙烯酰胺、N-芐基丙烯酰胺、N-苯基丙烯酰胺、N,N-二甲基丙烯酰胺和N-蒽基丙烯酰胺等。作為甲基丙烯酰胺化合物，可以列舉出甲基丙烯酰胺、N-甲基甲基丙烯酰胺、N-乙基甲基丙烯酰胺、N-芐基甲基丙烯酰胺、N-苯基甲基丙烯酰胺、N，N-二甲基甲基丙烯酰胺和N-蒽基丙烯酰胺等。作為乙烯基化合物，可以列舉出乙烯基醇、2-羥基乙基乙烯基醚、甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、芐基乙烯基醚、乙酸乙烯基酯、乙烯基三甲氧基硅烷、2-氯乙基乙烯基醚、2-甲氧基乙基乙烯基醚、乙烯基萘和乙烯基蒽等。作為苯乙烯化合物，可以列舉出苯乙烯、羥基苯乙烯、氯代苯乙烯、溴代苯乙烯、甲氧基苯乙烯、氰基苯乙烯和乙酰基苯乙烯等。作為馬來酰亞胺化合物，可以列舉出馬來酰亞胺、N-甲基馬來酰亞胺、N-苯基馬來酰亞胺、N-環(huán)己基馬來酰亞胺、N-芐基馬來酰亞胺和N-羥基乙基馬來酰亞胺等。當作為聚合物使用縮聚聚合物時，作為這種聚合物可以列舉出例如由二醇化合物和二羧酸化合物形成的縮聚聚合物。作為二醇化合物，可以列舉出二甘醇、1，6_己二醇、丁二醇等。作為二羧酸化合物，可以列舉出琥珀酸、己二酸、對苯二甲酸、馬來酸酐等。另外，還可以列舉出例如，聚均苯四甲酰亞胺、聚(對苯二甲酰對苯二胺)、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯等的聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺。當在有機聚合物化合物中含有羥基時，該羥基可以與聚有機硅氧烷聚合物進行交聯(lián)反應。作為有機聚合物化合物，可以使用重均分子量為例如10001000000、或3000300000、或5000200000、或10000100000的聚合物化合物。有機聚合物化合物可以僅使用1種，也可以2種以上組合使用。在使用有機聚合物化合物時，相對于100質量份聚有機硅氧烷聚合物，其比例為1200質量份、或5100質量份、或1050質量份、或2030質量份。本發(fā)明的抗蝕劑下層膜形成用組合物中可以含有產酸劑。作為產酸劑，可以列舉出熱產酸劑、光產酸劑。光產酸劑在抗蝕劑的曝光時生成酸。由此可以調節(jié)下層膜的酸性度。這是使下層膜的酸性度與上層的抗蝕劑的酸性度一致的一種方法。此外，通過調節(jié)下層膜的酸性度，還可以調節(jié)在上層形成的抗蝕劑的圖案形狀。作為本發(fā)明的抗蝕劑下層膜形成用組合物中的光產酸劑，可以列舉出鐺鹽化合物、磺酰亞胺化合物、和二磺?；氐淄榛衔锏?。作為鐺鹽化合物可以列舉出，二苯基六氟磷酸碘鐺鹽、二苯基三氟甲烷磺酸碘鐺鹽、二苯基九氟正丁烷磺酸碘鐺鹽、二苯基全氟正辛烷磺酸碘鐺鹽、二苯基樟腦磺酸碘鐺鹽、雙(4-叔丁基苯基)樟腦磺酸碘鐺鹽和雙(4-叔丁基苯基)三氟甲烷磺酸碘鐺鹽等碘鐺鹽化合物，以及三苯基六氟銻酸锍鹽、三苯基九氟正丁烷磺酸锍鹽、三苯基樟腦磺酸锍鹽、和三苯基三氟甲烷磺酸锍鹽等锍鹽化合物等。作為磺酰亞胺化合物，可以列舉例如，N-(三氟甲烷磺酰氧基)琥珀酰亞胺、N-(九氟正丁烷磺酰氧基)琥珀酰亞胺、N-(樟腦磺酰氧基)琥珀酰亞胺和N-(三氟甲烷磺酰氧基)萘二甲酰亞胺等。作為二磺酰基重氮甲烷化合物，可以列舉例如，雙(三氟甲基磺酰基)重氮甲烷、雙(環(huán)己基磺?；?重氮甲烷、雙(苯基磺?；?重氮甲烷、雙(對甲苯磺酰基)重氮甲烷、雙(2，4_二甲基苯磺?；?重氮甲烷、和甲基磺酰基-對甲苯磺?；氐淄榈?。光產酸劑可以僅使用一種，也可以2種以上組合使用。在使用光產酸劑時，相對于100質量份聚合物(聚有機硅氧烷聚合物)，其比例為0.015質量份、或0.13質量份、或0.51質量份。當在基板上涂布本發(fā)明的光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物時，表面活性劑可以有效抑制小孔和條紋等的發(fā)生。在使用催化劑使有機硅化合物(水解性有機硅烷)在溶劑中水解并縮合之后，可以通過減壓蒸餾等從所得的水解縮合物(聚合物)中同時除去副產物醇、使用的水解催化劑和水。此外，還可以通過中和、離子交換來除去水解時使用的酸或堿催化劑。并且，在本發(fā)明的光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物中，為了使該含有水解縮合物的抗蝕劑下層膜形成用組合物變得穩(wěn)定，還可以添加有機酸、水、醇或它們的組合物。作為上述有機酸，可以列舉出例如草酸、丙二酸、甲基丙二酸、琥珀酸、馬來酸、蘋果酸、酒石酸、鄰苯二甲酸酸、檸檬酸、戊二酸、檸檬酸、乳酸、水楊酸等。其中優(yōu)選草酸、馬來酸等。相對于100質量份縮合物(聚有機硅氧烷)，有機酸的使用量為0.510質量份。此外，作為水可以使用純水、超純水、離子交換水等，相對于100質量份抗蝕劑下層膜形成用組合物，其添加量為120質量份。作為醇，優(yōu)選在涂布后通過加熱容易揮散的醇，可以列舉出例如甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇等。相對于100質量份抗蝕劑下層膜形成用組合物，醇的使用量為120質量份。本發(fā)明的抗蝕劑下層膜形成用組合物中可以含有固化催化劑。在對含有由水解縮合物形成的聚有機硅氧烷的涂膜進行加熱、使聚有機硅氧烷在硅烷醇基之間形成交聯(lián)鍵時，固化催化劑發(fā)揮交聯(lián)催化劑的作用。作為固化催化劑，可以使用銨鹽、膦類、鱗鹽。作為銨鹽可以列舉出具有式(D-I)、(D-2)、(D-3)、(D_4)或式(D_5)所示結構的季銨鹽，以及具有式(D-6)所示結構的叔銨鹽<formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>(式中，m表示211的整數(shù)，η表示23的整數(shù)，R1表示烷基或芳基，Y-表示陰離子。)；R2R3R4R5N+Y^式(D_2)(式中，R2、R3、R4和R5分別獨立地表示介由C_N鍵與氮原子結合的烷基或芳基，N表示氮原子，Y—表示陰離子。)；<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>(式中、R6和R7分別獨立地表示烷基或芳基，τ表示陰離子。)；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>(式中，R8表示烷基或芳基，Γ表示陰離子。)；R10<formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>(式中，R9和Rw分別獨立地表示烷基或芳基，τ表示陰離子。)；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>(式中，m表示211的整數(shù)，η表示23的整數(shù)，H表示氫原子，Y—表示陰離子。)。此外，作為鱗鹽，可以列舉出式(D-7)所示的季鱗鹽RiiR12R13R14PT式(D-7)(式中、R"、R12、R13和R14分別獨立地表示介由C-P鍵與磷原子結合的烷基或芳基，P表示磷原子，Y.表示陰離子。)。上述式(D-I)所示的化合物是由胺衍生的季銨鹽，m表示211的整數(shù)，η表示23的整數(shù)。該季銨鹽的R1表示碳原子數(shù)為118、優(yōu)選為210的烷基或芳基，表示例如乙基、丙基、丁基等的直鏈烷基，或芐基、環(huán)己基、環(huán)己基甲基、二環(huán)戊二烯基等。另外，陰離子(Γ)表示氯離子(Cl—)、溴離子(Br—)、碘離子(Γ)等的鹵素離子，或羧酸根(-C00—)、磺酸根(_S03_)、烷氧離子(_0_)等酸基。上述式(D-2)所示的化合物是R2R3R4R5N+Y-所示的季銨鹽。該季銨鹽的R2、R3、R4和R5分別獨立地表示碳原子數(shù)118的烷基或芳基。作為陰離子(Γ)，可以列舉出氯離子(Cl—)、溴離子(Br—)、碘離子(Γ)等的鹵素離子，以及羧酸根(-C00—)、磺酸根(-SO3-)、烷氧離子(-ο—)等酸基。該季銨鹽可以得到市售品，可以列舉出例如四甲基乙酸銨、四丁基乙酸銨、三乙基芐基氯化銨、三乙基芐基溴化銨、三辛基甲基氯化銨、三丁基芐基氯化銨、三甲基芐基氯化銨等。上述式(D-3)所示的化合物是由1-取代咪唑衍生出的季銨鹽，R6和R7分別獨立地表示碳原子數(shù)118的烷基，優(yōu)選R6和R7的碳原子數(shù)之和為7以上。例如，R6表示甲基、乙基、丙基、苯基、芐基時，R7則可以表示芐基、辛基、十八烷基。作為陰離子(Γ)，可以列舉出氯離子(Cl—)、溴離子(Br—)、碘離子(Γ)等的鹵素離子，以及羧酸根(-C00—)、磺酸根(_S03_)、烷氧離子(-0_)等酸基。該化合物可以得到市售品，還可以通過例如1-甲基咪唑、1-芐基咪唑等的咪唑系化合物、與溴化芐、溴化甲烷等的鹵代烷、鹵代芳烷反應來制造。上述式(D-4)所示的化合物是由吡啶衍生出的季銨鹽，R8表示碳原子數(shù)為118、優(yōu)選碳原子數(shù)為418的烷基或芳基，可以表示例如丁基、辛基、芐基、月桂基。作為陰離子(Γ)，可以列舉出氯離子(Cl—)、溴離子(Br—)、碘離子(Γ)等的鹵素離子，以及羧酸根(_C00_)、磺酸根(_S03_)、烷氧離子(-0_)等酸基。該化合物可以得到市售品，還可以通過使例如吡啶與氯化月桂烷、氯化芐、溴化芐、溴化甲烷、溴化辛烷等的鹵代烷或鹵代芳烴反應來制造。作為該化合物，可以列舉出例如N-月桂基氯化吡啶鐺、N-芐基溴化吡啶鐺等。上述式(D-5)所示的化合物是由甲基吡啶等為代表的取代吡啶衍生出的季銨鹽，R9表示碳原子數(shù)為118，優(yōu)選為418的烷基或芳基，可以表示例如甲基、辛基、月桂基、芐基等。Rltl表示碳原子數(shù)為118的烷基或芳基，例如在是由甲基吡啶衍生出的季銨鹽的情況中，Rltl表示甲基。作為陰離子(Γ)，可以列舉出氯離子(Cl—)、溴離子(Br—)、碘離子(F)等的鹵素離子，以及羧酸根(-coo—)、磺酸根(-SO3-)、烷氧離子(-O—)等酸基。該化合物可以得到市售品，還可以通過使例如甲基吡啶等的取代吡啶與溴化甲烷、溴化辛烷、氯化月桂烷、氯化芐、溴化芐等的鹵代烷或鹵代芳烴反應來制造。作為該化合物，可以列舉出例如N-芐基氯化甲基吡啶鐺、N-芐基溴化甲基吡啶鐺、N-月桂基氯化甲基吡啶鐺等。上述式(D-6)所示的化合物是由胺衍生出的叔銨鹽，m表示211的整數(shù)，η表示23的整數(shù)。另外，作為陰離子(Γ)，可以列舉出氯離子(Cl_)、溴離子(Br—)、碘離子(Γ)等的鹵素離子，以及羧酸根(-coo—)、磺酸根(-SO3-)、烷氧離子(-O—)等酸基。該化合物可以通過胺和羧酸、苯酚等的弱酸反應來制造。作為羧酸可以列舉出甲酸、乙酸，當使用甲酸時，陰離子(Υ_)為(HC00_)，當使用乙酸時，陰離子(Y)為(CH3COO-)。另外，當使用苯酚時，陰離子(Y—)為(C6H5O-)。上述式(D-7)所示的化合物是具有RllR12R13R14P+Y-所示結構的季鱗鹽。R"、R12、R13和R14分別獨立地表示碳原子數(shù)118的烷基或芳基，優(yōu)選在R11R14中3個基團表示苯基或取代苯基，例如為苯基、甲苯基，另外一個基團表示碳原子數(shù)118的烷基或芳基。另外，作為陰離子(Γ)，可以列舉出氯離子(Cl—)、溴離子(Br—)、碘離子(Γ)等的鹵素離子，以及羧酸根(-coo—)、磺酸根(-SO3-)、烷氧離子(-O—)等酸基。該化合物可以得到市售品，可以列舉出例如四正丁基鹵化鱗、四正丙基鹵化鱗等的四烷基商化鱗、三乙基芐基商化鱗等的三烷基芐基商化鱗、三苯基甲基商化鱗、三苯基乙基鹵化鱗等的三苯基單烷基鹵化鱗、三苯基芐基鹵化鱗、四苯基鹵化鱗、三甲苯基單芳基鹵化鱗或三甲苯基單烷基鹵化鱗(鹵素原子為氯原子或溴原子)等。作為該化合物，特別優(yōu)選三苯基甲基鹵化鱗、三苯基乙基鹵化鱗等的三苯基單烷基鹵化鱗、三苯基芐基鹵化鱗等的三苯基單芳基鹵化鱗、三甲苯基單苯基鹵化鱗等的三甲苯基單芳基鹵化鱗，以及三甲苯基單甲基鹵化鱗等的三甲苯基單烷基鹵化鱗(鹵素原子為氯原子或溴原子)。此外，作為膦類，可以列舉出一甲基膦、一乙基膦、一丙基膦、一異丙基膦、一異丁基膦、一苯基膦等的伯膦，二甲基膦、二乙基膦、二異丙基膦、二異戊基膦、二苯基膦等的仲膦，三甲基膦、三乙基膦、三苯基膦、甲基二苯基膦、二甲基苯基膦等的叔膦等。相對于100質量份縮合物(聚有機硅氧烷)，固化催化劑的使用量為0.0110質量份、或0.015質量份、或0.013質量份。作為本發(fā)明的抗蝕劑下層膜形成用組合物中含有的表面活性劑，可以列舉出例如，聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯鯨蠟基醚、聚氧乙烯油基醚等的聚氧乙烯烷基醚類、聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚等的聚氧乙烯烷基芳基醚類、聚氧乙烯/聚氧丙烯嵌段聚合物類、失水山梨糖醇單月桂酸酯、失水山梨糖醇單棕櫚酸酯、失水山梨糖醇單硬脂酸酯、失水山梨糖醇單油酸酯、失水山梨糖醇三油酸酯、失水山梨糖醇三硬脂酸酯等的失水山梨糖醇脂肪酸酯類、聚氧乙烯失水山梨糖醇單月桂酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單棕櫚酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單硬脂酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇三油酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇三硬脂酸酯等的聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯類等的非離子系表面活性劑，以及商品名工7卜,EF301、EF303、EF352((株)卜一>Λ/口夕·■夕制)、商品名乂^^rV>7F171、F173、R-08、R-30(大日本4>矢化學工業(yè)(株)制)、7口，一卜·'FC430、FC431(住友7V一工么(株)制)、商品名T^t節(jié)一FAG710、寸一7口>5-382、5(101、5(102、5(103、5(104、5(105、5(106(旭硝子(株)制)等的氟系表面活性齊U、和有機硅氧烷聚合物KP341(信越化學工業(yè)(株)制)等。這些表面活性劑可以單獨使用，也可以2種以上組合使用。在使用表面活性劑時，相對于100質量份聚合物(聚有機硅氧烷聚合物)其比例為0.00015質量份、或0.0011質量份、或0.010.5質量份。此外，還可以在本發(fā)明的抗蝕劑下層膜形成用組合物中添加流變調節(jié)劑和接合輔助劑等。流變調節(jié)劑可以有效提高下層膜形成用組合物的流動性。接合輔助劑可以有效提高半導體基板或抗蝕劑與下層膜的附著力。作為本發(fā)明的抗蝕劑下層膜形成用組合物中使用的溶劑，只要是可以溶解上述固體成分的溶劑即可，沒有特殊限定。作為這種溶劑，可以列舉出例如，甲基溶纖劑乙酸酯、乙基溶纖劑乙酸酯、丙二醇、丙二醇單甲醚、丙二醇單丁基醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯、丙二醇單丁基醚乙酸酯、甲苯、二甲苯、丁酮、環(huán)戊酮、環(huán)己酮、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙基醚乙酸酯、乙二醇單丙醚乙酸酯、乙二醇單丁基醚乙酸酯、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇二丙醚、二甘醇二丁基醚丙二醇單甲醚、丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、丙二醇二丙醚、丙二醇二丁醚、乳酸乙酯、乳酸丙酯、乳酸異丙酯、乳酸丁酯、乳酸異丁酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸異丙酯、甲酸丁酯、甲酸異丁酯、甲酸戊酯、甲酸異戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯、乙酸異戊酯、乙酸己酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸丙酯、丙酸異丙酯、丙酸丁酯、丙酸異丁酯、丁酸甲酯、丁酸乙酯、丁酸丙酯、丁酸異丙酯、丁酸丁酯、丁酸異丁酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、3-甲氧基-2-甲基丙酸甲酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、甲氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸乙酯、乙酸3-甲氧基丁酯、乙酸3-甲氧基丙酯、乙酸3-甲基-3-甲氧基丁酯、丙酸3-甲基-3-甲氧基丁酯、丁酸3-甲基-3-甲氧基丁酯、乙酰乙酸甲酯、甲苯、二甲苯、丁酮、甲基丙基酮、甲基丁基酮、2-庚酮、3_庚酮、4-庚酮、環(huán)己酮、N，N-二甲基甲酰胺、N-甲基乙酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、和Y-丁內酯等。這些溶劑可以單獨使用，也可以2種以上組合使用。下面對本發(fā)明的抗蝕劑下層膜形成用組合物的使用方法予以說明。在用于制造半導體裝置的基板(例如，硅晶片基板、硅/二氧化硅被覆基板、氮化硅基板、玻璃基板、ITO基板、聚酰亞胺基板、以及低介電常數(shù)材料(low-k材料)被覆基板等)上，利用旋涂、涂布器等適當?shù)耐坎挤椒ㄍ坎急景l(fā)明的抗蝕劑下層膜形成用組合物，然后烘烤，從而形成抗蝕劑下層膜。作為烘烤條件，可以從烘烤溫度可以從80°C250°C中適當選擇，烘烤時間可以從0.360分鐘中適當選擇。優(yōu)選烘烤溫度為150°C250°C、并且烘烤時間為0.52分鐘。這里，形成的下層膜的膜厚可以列舉出例如10lOOOnm，或30300nm，或30200nmo接著在該抗蝕劑下層膜上形成例如光致抗蝕劑層。光致抗蝕劑層的形成可以通過周知的方法的方法進行，即將光致抗蝕劑組合物溶液涂布在下層膜上，并烘烤。光致抗蝕劑的膜厚可以為例如50lOOOOnm，或1002000nm，或200lOOOnm。作為在本發(fā)明的抗蝕劑下層膜上形成的光致抗蝕劑，只要對曝光時使用的光感光即可，沒有特殊限定?？梢允褂秘撔凸庵驴刮g劑和正型光致抗蝕劑中的任一者。作為光致抗蝕劑，可以列舉出含有酚醛清漆樹脂和重氮萘醌-1，2磺酸酯的正型光致抗蝕劑；含有粘合劑和光產酸劑的化學放大型光致抗蝕劑，其中，所述粘合劑具有可借助酸進行分解從而來提高堿溶解速度的基團；含有低分子化合物、堿溶性粘合劑和光產酸劑的化學放大型光致抗蝕劑，其中，所述低分子化合物可借助酸進行分解從而來提高光致抗蝕劑的堿溶解速度；含有粘合劑、低分子化合物和光產酸劑的化學放大型光致抗蝕劑，其中，所述粘合劑具有可借助酸進行分解從而來提高堿溶解速度的基團，所述低分子化合物可借助酸進行分解從而來提高光致抗蝕劑的堿溶解速度；等等。具體可列舉出力>一社制商品名APEX-E、住友化學工業(yè)(株)制商品名PAR710、和信越化學工業(yè)(株)制商品名SEPR430等。另外，還可以列舉出例如在Proc.SPIE,Vol.3999，330-334(2000)、Proc.SPIE,Vol.3999，357-364(2000)、和Proc.SPIE,Vol.3999,365-374(2000)中記載的含氟原子的聚合物系光致抗蝕劑。接著，通過規(guī)定的掩模進行曝光。在曝光中，可使用KrF準分子激光(波長248nm)、ArF準分子激光(波長193nm)及F2準分子激光(波長157nm)等。也可以在曝光后根據(jù)需要進行加熱(postexposurebake)。曝光后的加熱條件，加熱溫度從70150°C中適當選擇，加熱時間從0.310分鐘中適當選擇。此外，作為本發(fā)明中的抗蝕劑可以使用電子束光刻用抗蝕劑來代替光致抗蝕劑。作為電子束抗蝕劑可以使用負型、正型中的任一種。作為該電子束抗蝕劑，有下述種類含有產酸劑和粘合劑的化學放大型抗蝕劑，其中，所述粘合劑具有可借助酸進行分解從而來改變堿溶解速度的基團；含有堿溶性粘合劑、產酸劑和低分子化合物的化學放大型抗蝕劑，其中，所述低分子化合物可借助酸進行分解從而來改變抗蝕劑的堿溶解速度；含有產酸劑、粘合劑和低分子化合物的化學放大型抗蝕劑，其中，所述粘合劑具有可借助酸進行分解從而來改變堿溶解速度的基團的粘合劑，所述低分子化合物可借助酸進行分解從而來改變抗蝕劑的堿溶解速度；含有粘合劑的非化學放大型抗蝕劑，其中，所述粘合劑具有可借助電子束進行分解從而來改變堿溶解速度的基團；含有粘合劑的非化學放大型抗蝕劑，其中，所述粘合劑具有可借助電子束進行切斷從而來改變堿溶解速度的部位；等等。在使用這些電子束抗蝕劑時，以電子束作為照射源，與使用光致抗蝕劑的情況同樣來形成抗蝕劑圖案。接著，利用顯影液進行顯影。由此，例如在使用正型光致抗蝕劑的情況下，除去了被曝光部分的光致抗蝕劑，形成光致抗蝕劑的圖案。作為顯影液，其例子可列舉出氫氧化鉀、氫氧化鈉等堿金屬氫氧化物的水溶液、氫氧化四甲銨、氫氧化四乙銨、膽堿等的氫氧化季銨鹽的水溶液、乙醇胺、丙胺、乙二胺等胺的水溶液等堿性水溶液。進而，也可以在這些顯影液中加入表面活性劑等。作為顯影的條件，溫度從550°c中適當選擇，時間從10300秒鐘中適當選擇。然后，以這樣形成的光致抗蝕劑(上層)的圖案作為保護膜，來除去本發(fā)明的抗蝕劑下層膜(中間層)，接著以由已圖案化的光致抗蝕劑和本發(fā)明的抗蝕劑下層膜(中間層)所組成的膜作為保護膜，來除去有機下層膜(下層)。最后以已圖案化的本發(fā)明的抗蝕劑下層膜(中間層)和有機下層膜(下層)作為保護膜，來進行半導體基板的加工。首先，對光致抗蝕劑已被除去了的部分、通過干蝕刻來除去本發(fā)明的抗蝕劑下層膜(中間層)，使半導體基板露出?？梢允褂盟姆淄?、全氟環(huán)丁烷(c4f8)、全氟丙烷(c3f8)、三氟甲烷、一氧化碳、氬氣、氧氣、氮氣、六氟化硫、二氟甲烷、三氟化氮和三氟化氯、氯氣、三氯化硼、和二氯化硼等氣體來進行本發(fā)明的抗蝕劑下層膜的干蝕刻。優(yōu)選使用氯系氣體進行抗蝕劑下層膜的干蝕刻。使用氯系氣體進行干蝕刻時，基本上由有機物質構成的光致抗蝕劑難以被除去。而含有大量硅原子的本發(fā)明的抗蝕劑下層膜可以被氯系氣體快速去除。因此可以抑制隨著抗蝕劑下層膜的干蝕刻的進行而發(fā)生的光致抗蝕劑的膜厚的減少。結果可以以薄膜的形式使用光致抗蝕劑。作為氯系氣體，可以列舉出例如、二氯化硼、三氯化硼、氯氣、四氯化碳、和三氯甲烷等。然后以已圖案化的由光致抗蝕劑和本發(fā)明的抗蝕劑下層膜組成的膜作為保護膜，來除去有機下層膜。優(yōu)選使用氧氣系氣體通過干蝕刻來除去有機下層膜(下層)。這是由于含有大量硅原子的本發(fā)明的抗蝕劑下層膜難以使用氧氣系氣體、通過干蝕刻除去的緣故。最后進行半導體基板的加工。優(yōu)選使用氟系氣體通過干蝕刻來進行半導體基板的加工。作為氟系氣體，可以列舉出例如、四氟化碳(cf4)、全氟環(huán)丁烷(c4f8)、全氟丙烷(c3f8)、三氟甲烷、和二氟甲烷(ch2f2)等。此外，在形成光致抗蝕劑之前，還可以在本發(fā)明的抗蝕劑下層膜的上層上形成有機系的防反射膜。作為這里使用的防反射膜組合物，沒有特殊限定，可以任意選擇使用迄今為止在光刻工藝中慣用的防反射膜組合物，此外，可以使用慣用方法，例如利用旋涂器、涂布器進行涂布，再烘烤來形成防反射膜。本發(fā)明中，可以先在基板上形成有機下層膜，然后在該有機下層膜上形成本發(fā)明的抗蝕劑下層膜，進而在該抗蝕劑下層膜上被覆光致抗蝕劑。由此，即使在光致抗蝕劑的圖案寬度窄、為了防止圖案倒塌而被覆較薄的光致抗蝕劑的情況中，也可以通過選擇適當?shù)奈g刻氣體來進行基板的加工。例如，通過使用對光致抗蝕劑具有充分快的蝕刻速度的氯系氣體作為蝕刻氣體，可以對本發(fā)明的抗蝕劑下層膜進行加工，另外，通過使用對本發(fā)明的抗蝕劑下層膜具有充分快速的蝕刻速度的氧氣系氣體作為蝕刻氣體，可以進行有機下層膜的加工，進而通過使用對有機下層膜具有充分快速的蝕刻速度的氟系氣體作為蝕刻氣體，可以進行基板的加工。此外，對于涂布本發(fā)明的抗蝕劑下層膜形成用組合物之前的基板，可以在其表面上使用cvd法等形成無機系的防反射膜，也可以在其上面形成本發(fā)明的下層膜。使用本發(fā)明的抗蝕劑下層膜形成用組合物形成的抗蝕劑下層膜，根據(jù)光刻工藝中使用的光的波長不同，有時還對該光具有吸收。因此，在這種情況中，可以發(fā)揮防反射膜的功能，具有防止光從基板反射的效果。進而本發(fā)明的下層膜還可以作為具有下述功能的下述層使用用于防止基板與光致抗蝕劑相互作用的層；用于防止光致抗蝕劑中使用的材料或光致抗蝕劑曝光時生成的物質對基板產生不良作用的層；用于防止加熱烘烤時由基板生成的物質向上層光致抗蝕劑擴散的層；以及，用于減輕由半導體基板電介質層造成的光致抗蝕劑層的中毒效果的阻擋層等。此外，由本發(fā)明的抗蝕劑下層膜形成用組合物形成的抗蝕劑下層膜還適合于在雙鑲嵌工藝中使用的形成了通孔的基板，可以作為無間隙地填埋空隙的填埋材料使用。此外，還可以作為使具有凹凸的半導體基板表面變得平坦的平坦化材料使用。下面通過實施例來更具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不以此為限。實施例合成例1(ICY100的合成)將三(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)異氰脲酸酯58.36g、和乙醇136.17g放入到300mL的燒瓶中溶解，將所得的混合溶液一邊用磁子攪拌一邊加熱回流。然后將在離子交換水4.37g中溶解了鹽酸0.35g而成的水溶液添加到上述混合溶液中。反應120分鐘后，將所得的反應溶液冷至室溫。然后向反應溶液中加入丙二醇單甲醚乙酸酯200g，減壓蒸餾除去作為反應副產物的甲醇、乙醇、水、鹽酸，從而得到水解縮合物溶液。使用GPC測定的所得聚合物的重均分子量以聚苯乙烯換算為Mw7000。合成例2(ICY60的合成)將三(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)異氰脲酸酯47.52g、四乙氧基硅烷10.72g、乙醇135.89g放入到300mL的燒瓶中溶解，將所得的混合溶液一邊用磁子攪拌一邊加熱回流。然后將在離子交換水5.40g中溶解了鹽酸0.47g而成的水溶液添加到上述混合溶液中。反應120分鐘后，將所得的反應溶液冷至室溫。然后向反應溶液中加入丙二醇單甲醚乙酸酯200g，減壓蒸餾除去作為反應副產物的甲醇、乙醇、水、鹽酸，從而得到水解縮合物溶液。使用GPC測定的所得聚合物的重均分子量以聚苯乙烯換算為Mw9000。合成例3(ICY20的合成)將三(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)異氰脲酸酯24.64g、四乙氧基硅烷33.34g、乙醇135.29g放入到300mL的燒瓶中溶解，將所得的混合溶液一邊用磁子攪拌一邊加熱回流。然后將在離子交換水6.OOg中溶解了鹽酸0.73g而成的水溶液添加到上述混合溶液中。反應60分鐘后，將所得的反應溶液冷至室溫。然后向反應溶液中加入丙二醇單甲醚乙酸酯225g，減壓蒸餾除去作為反應副產物的甲醇、乙醇、水、鹽酸，從而得到水解縮合物溶液。使用GPC測定的所得聚合物的重均分子量以聚苯乙烯換算為Mw26000。合成例4(ICY10的合成)將三(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)異氰脲酸酯22.71g、四乙氧基硅烷69.14g、和乙醇91.86g放入到300mL的燒瓶中溶解，將所得的混合溶液一邊用磁子攪拌一邊加熱回流。然后將在離子交換水14.94g中溶解了鹽酸1.34g而成的水溶液添加到上述混合溶液中。反應60分鐘后，將所得的反應溶液冷至室溫。然后向反應溶液中加入丙二醇單甲醚乙酸酯177.62g，減壓蒸餾除去作為反應副產物的甲醇、乙醇、水、鹽酸，從而得到水解縮合物溶液。使用GPC測定的所得聚合物的重均分子量以聚苯乙烯換算為Mw20000。合成例5將3-巰基丙基三甲氧基硅烷9.80g、異氰脲酸二烯丙酯5.00g、偶氮二異丁腈0.20g、丁酮15.Og放入到50mL燒瓶中，使用氮氣袋、隔膜泵來進行氮氣置換，加熱回流7小時。從所得反應溶液中減壓蒸餾除去丁酮，從而得到目標物化合物(1-22)。將化合物(1-22)1.20g、四乙氧基硅烷1.66g、乙醇6.70g放入到50mL的燒瓶中溶解，將所得的混合溶液一邊用磁子攪拌一邊加熱回流。然后將在離子交換水0.51g中溶解了鹽酸0.04g而成的水溶液添加到上述混合溶液中。反應30分鐘后，將所得的反應溶液冷至室溫。然后向反應溶液中加入丙二醇單甲醚乙酸酯10.00g，減壓蒸餾除去作為反應副產物的甲醇、乙醇、水、鹽酸，從而得到水解縮合物溶液。所得聚合物相當于式(2-36)，使用GPC測定的重均分子量以聚苯乙烯換算為Mwl1000。合成例6將3-巰基丙基三甲氧基硅烷11.81g、異氰脲酸三烯丙酯5.00g、偶氮二異丁腈0.25g、丁酮17.Og放入到50mL燒瓶中，使用氮氣袋、隔膜泵來進行氮氣置換，加熱回流7小時。從所得反應溶液中減壓除去丁酮，從而得到目標化合物(1-23)。將化合物(1-23)1.68g、四乙氧基硅烷1.67g、和乙醇6.70g放入到50mL的燒瓶中溶解，將所得的混合溶液一邊用磁子攪拌一邊加熱回流。然后將在離子交換水0.51g中溶解了鹽酸0.04g而成的水溶液添加到上述混合溶液中。反應30分鐘后，將所得的反應溶液冷至室溫。然后向反應溶液中加入丙二醇單甲醚乙酸酯11.63g，減壓蒸餾除去作為反應副產物的甲醇、乙醇、水、鹽酸，從而得到水解縮合物溶液。所得聚合物相當于式(2-37)，使用GPC測定的重均分子量以聚苯乙烯換算為Mw23000。合成例7將3-巰基丙基三甲氧基硅烷17.48g、單烯丙基二縮水甘油基異氰脲酸酯12.52g、環(huán)己酮30g放入到IOOmL反應燒瓶中，加熱回流7小時。從所得反應溶液中減壓除去環(huán)己酮，從而得到目標化合物(1-24)。將化合物(1-24)1.35g、四乙氧基硅烷1.67g、乙醇7.03g放入到50mL的燒瓶中溶解，將所得的混合溶液一邊用磁子攪拌一邊加熱回流。然后將在離子交換水0.51g中溶解了鹽酸0.04g而成的水溶液添加到上述混合溶液中。反應30分鐘后，將所得的反應溶液冷至室溫。然后向反應溶液中加入丙二醇單甲醚乙酸酯10.59g，減壓蒸餾除去作為反應副產物的甲醇、乙醇、水、鹽酸，從而得到水解縮合物溶液。所得聚合物相當于式(2-38)，使用GPC測定的重均分子量以聚苯乙烯換算為Mwl4000。比較合成例1(ICY0(TE0S100)的合成)將四乙氧基硅烷84.63g和乙醇84.63g放入到300mL的燒瓶中溶解，將所得的混合溶液一邊用磁子攪拌一邊加熱回流。然后將在離子交換水29.26g中溶解了鹽酸1.48g而成的水溶液添加到上述混合溶液中。反應60分鐘后，將所得的反應溶液冷至室溫。然后向反應溶液中加入丙二醇單甲醚乙酸酯200g，減壓蒸餾除去作為反應副產物的乙醇、水、鹽酸，從而得到水解縮合物溶液。使用GPC測定的所得聚合物的重均分子量以聚苯乙烯換算為Mw6200。實施例1向合成例1中得到的含有聚合物的溶液(聚合物濃度為15質量％)5.Og中添加丙二醇單甲醚乙酸酯25.0g，調制抗蝕劑下層膜形成用組合物。實施例2向合成例2中得到的含有聚合物的溶液(聚合物濃度為15質量％)5.Og中添加丙二醇單甲醚乙酸酯25.0g，調制抗蝕劑下層膜形成用組合物。實施例3向合成例3中得到的含有聚合物的溶液(聚合物濃度為15質量％)5.Og中添加丙二醇單甲醚乙酸酯25.0g，調制抗蝕劑下層膜形成用組合物。實施例4向合成例4中得到的含有聚合物的溶液(聚合物濃度為15質量％)5.Og中添加丙二醇單甲醚乙酸酯25.0g，調制抗蝕劑下層膜形成用組合物。實施例5向合成例5中得到的含有聚合物的溶液(聚合物濃度為15質量％)5.Og中添加丙二醇單甲醚乙酸酯25.Og,再用0.05μm的過濾器過濾，從而調制抗蝕劑下層膜組合物。實施例6向合成例6中得到的含有聚合物的溶液(聚合物濃度為15質量％)5.Og中添加丙二醇單甲醚乙酸酯25.Og,再用0.05μm的過濾器過濾，從而調制抗蝕劑下層膜組合物。實施例7向合成例7中得到的含有聚合物的溶液(聚合物濃度為15質量％)5.Og中添加丙二醇單甲醚乙酸酯25.Og,再用0.05μm的過濾器過濾，從而調制抗蝕劑下層膜組合物。實施例8向合成例3中得到的含有聚合物的溶液(聚合物濃度為15質量％)10.Og中添加馬來酸0.015g、芐基三乙基氯化銨0.005g、丙二醇單甲醚乙酸酯0.66g、丙二醇單乙醚22.37g、和蒸餾水3.66g，再用0.05μm的過濾器過濾，從而調制抗蝕劑下層膜組合物。實施例9向合成例3中得到的含有聚合物的溶液(聚合物濃度為15質量％)10.Og中添加馬來酸0.015g、芐基三乙基氯化銨0.005g、作為光產酸劑的>9化學(株)制TPS105(商品名)0.0075g、丙二醇單甲醚乙酸酯0.66g、丙二醇單乙醚22.37g、和蒸餾水3.66g，再用0.05μm的過濾器過濾，從而調制抗蝕劑下層膜組合物。實施例10向合成例5中得到的含有聚合物的溶液(聚合物濃度為15質量％)10.Og中添加馬來酸0.015g、芐基三乙基氯化銨0.005g、丙二醇單甲醚乙酸酯0.66g、丙二醇單乙醚22.37g、蒸餾水3.66g，再用0.05μm的過濾器過濾，從而調制抗蝕劑下層膜組合物。實施例11向合成例6中得到的含有聚合物的溶液(聚合物濃度為15質量％)10.Og中添加馬來酸0.015g、芐基三乙基氯化銨0.005g、丙二醇單甲醚乙酸酯0.66g、丙二醇單乙醚22.37g、和蒸餾水3.66g，再用0.05μm的過濾器過濾，從而調制抗蝕劑下層膜組合物。實施例12向合成例7中得到的含有聚合物的溶液(聚合物濃度為15質量％)10.Og中添加馬來酸0.015g、芐基三乙基氯化銨0.005g、丙二醇單甲醚乙酸酯0.66g、丙二醇單乙醚22.37g、蒸餾水3.66g，再用0.05μm的過濾器過濾，從而調制抗蝕劑下層膜組合物。比較例1向比較合成例1中得到的含有聚合物的溶液(聚合物濃度為30質量％)2.3g中添加丙二醇單甲醚乙酸酯3.3g，調制抗蝕劑下層膜形成用組合物。(耐溶劑性試驗)使用旋涂法將實施例112和比較例1中調制的抗蝕劑下層膜形成用組合物涂布在硅晶片上，在240°C的電熱板上烘烤1分鐘，形成抗蝕劑下層膜。然后浸漬在作為上層涂層的抗蝕劑組合物的溶劑而使用的丙二醇單甲醚乙酸酯中一分鐘，將浸漬前后的抗蝕劑下層膜的膜厚的變化為2nm以下的情況評價成“良好”。表1耐溶劑性試驗結果實施例1〇實施例2O實施例3〇實施例4O實施例5O實施例6O實施例7〇實施例8O實施例9〇實施例1OO實施例11O實施例12O比較例1O(光學參數(shù))使用旋涂法將實施例112和比較例1中調制的抗蝕劑下層膜形成用組合物涂布在硅晶片上，在240°C的電熱板上加熱1分鐘，形成抗蝕劑下層膜(膜厚0.09μm)。再使用分光橢偏儀(J.A.Woollam社制，VUV-VASEVU-302)測定這些抗蝕劑下層膜在波長193nm下的折射率(η值)和光學吸光系數(shù)(有時稱作k值、衰減系數(shù))。結果示于表2中。表2折射率η和光學吸光系數(shù)k<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table>(干蝕刻速度的測定)在干蝕刻速度的測定中使用下面的電蝕刻器和蝕刻氣體。ES401(日本寸夕夕制)-CF4RIE-IONR(寸么-制)02使用旋涂法將實施例112和比較例1中調制的抗蝕劑下層膜形成用組合物涂布在硅晶片上，在電熱板上240°C加熱1分鐘，形成抗蝕劑下層膜，使用各蝕刻氣體測定蝕刻速度。當抗蝕劑下層膜的膜厚為0.20μm時，使用CF4氣作為蝕刻氣體來測定蝕刻速度，當抗蝕劑下層膜的膜厚為0.08μm時，使用氧氣作為蝕刻氣體來測定蝕刻速度。此外，以同樣方式使用旋涂器在硅晶片上由光致抗蝕劑溶液(〉>一社制·商品名UV113)分別形成0.20μm和0.08μm的抗蝕劑膜。對于該抗蝕劑膜的各厚度的膜，分別使用CF4氣和氧氣作為蝕刻氣體來測定干蝕刻速度。并比較抗蝕劑下層膜和抗蝕劑膜的干蝕刻速度。結果示于表3中。速度比是(抗蝕劑下層膜)/(抗蝕劑)的干蝕刻速度比。表3干蝕刻速度比<table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table>由本發(fā)明的抗蝕劑下層膜形成用組合物得到的抗蝕劑下層膜，與光致抗蝕劑膜相比，具有充分高的干蝕刻速度。產業(yè)可利用性由本發(fā)明的抗蝕劑下層膜形成用組合物得到的抗蝕劑下層膜具有充分高的干蝕刻速度。因此，即便是在隨著圖案尺寸的細微化、為了防止圖案倒塌而使抗蝕劑膜厚變薄的情況中，抗蝕劑下層膜也具有充分高的蝕刻速度，所以可以將抗蝕劑圖案轉印給下層。權利要求一種光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物，含有聚合物和溶劑，所述聚合物含有下述式(1)所示的部分結構，式(1)式中，X1表示式(2)、式(3)、式(4)或式(4-1)所示的基團，式(2)式(3)式(4)式(4-1)R0表示氫原子、烷基、芳基或鏈烯基，R1分別獨立地表示2價有機基團，R2分別獨立地表示具有烷基、芳基、鹵代烷基、鹵代芳基、鏈烯基、環(huán)氧、丙烯?；⒓谆；?、巰基、氨基或氰基，并且介由Si-C鍵與硅原子結合的有機基團，O-表示介由Si-O鍵與硅原子結合的基團，R3和R4分別獨立地表示氫原子、碳原子數(shù)為1～10的烷基、碳原子數(shù)為3～6的鏈烯基、芐基或苯基，或者R3和R4與同它們結合的碳原子一起形成碳原子數(shù)為3～6的環(huán)，其中，所述苯基可以被選自碳原子數(shù)為1～10的烷基、鹵素原子、碳原子數(shù)為1～10的烷氧基、硝基、氰基、羥基、和碳原子數(shù)為1～10的烷硫基中的基團取代，n、m和p分別獨立地表示0～3的整數(shù)，但當X1表示式(2)、式(3)或(4-1)所示的基團時，0≤n+m≤5，當X1表示式(4)所示的基團時，0≤n+m+p≤8。FPA00001049533600011.tif,FPA00001049533600012.tif2.如權利要求1所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，上述聚合物除了式(1)所示的部分結構以外，還含有式(5)所示的部分結構和/或式(6)所示的部分結構，(RiOgbSUO-h—M)式(5)式中，禮和R3分別獨立地表示具有烷基、芳基、鹵代烷基、鹵代芳基、鏈烯基、環(huán)氧、丙烯?；?、甲基丙烯?；?、巰基、氨基或氰基，并且介由Si-C鍵與硅原子結合的有機基團，a和b分別獨立地表示0、1或2的整數(shù)，但a+b表示0、1或2的整數(shù)，〔(R4)cSi(0-)3_c〕2Y式(6)式中，R4表示碳原子數(shù)為110的烷基，Y表示碳原子數(shù)為16的亞烷基，c表示0或1的整數(shù)。3.如權利要求1所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，上述聚合物除了式(1)所示的部分結構以外，還含有上述式(5)所示的部分結構。4.如權利要求1所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，上述聚合物是由式(1’)所示的有機硅化合物水解并縮合而成的，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>式中，&表示式(2，)、式(3，)、式(4，)或(4，-1)所示白'1)所示的基團，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>式(4，-1)式(2’)式(3式(4，)R0表示氫原子、烷基、芳基或鏈烯基，R分別獨立地表示表示2價有機基團，R2分別獨立地表示具有烷基、芳基、鹵代烷基、鹵代芳基、鏈烯基、環(huán)氧、丙烯酰基、甲基丙烯?；?、巰基、氨基或氰基，并且介由Si-C鍵與硅原子結合的有機基團，0-表示介由Si-o鍵與硅原子結合的基團，R3和R4分別獨立地表示氫原子、碳原子數(shù)為110的烷基、碳原子數(shù)為36的鏈烯基、芐基或苯基，或者R3和R4與同它們結合的碳原子一起形成碳原子數(shù)為36的環(huán)，其中，所述苯基可以被選自碳原子數(shù)為110的烷基、鹵素原子、碳原子數(shù)為110的烷氧基、硝基、氰基、羥基、和碳原子數(shù)為110的烷硫基中的基團取代，T表示碳原子數(shù)為110的烷氧基、酰氧基或鹵素基，n和m分別獨立地表示03的整數(shù)，但當X!表示式(2’)、式(3’)或(4’-1)所示的基團時，0彡n+m彡5，當\表示式(4’)所示的基團時，0彡n+m+p彡8。5.如權利要求2所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，上述聚合物是由上述式(1’)所示的有機硅化合物和式(5’)所示的有機硅化合物、和/或式(6’)所示的有機硅化合物水解并縮合而成的，4-(a+b)式(5，)式中，禮和R3分別獨立地表示具有烷基、芳基、鹵代烷基、鹵代芳基、鏈烯基、環(huán)氧、丙烯?；?、甲基丙烯?；?、巰基、氨基或氰基，并且介由Si-C鍵與硅原子結合的有機基團，T表示碳原子數(shù)為110的烷氧基、酰氧基或鹵素基，a和b分別獨立地表示0、1或2的整數(shù)，但a+b表示0、1或2的整數(shù)，〔(R4)cSi(T)3_c〕2Y式(6，)式中，R4表示碳原子數(shù)為110的烷基，Y表示碳原子數(shù)為16的亞烷基，T表示碳原子數(shù)為110的烷氧基、酰氧基或鹵素基，c表示0或1的整數(shù)。6.如權利要求3所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，上述聚合物是由上述式(1’)所示的有機硅化合物和上述式(5’)所示的有機硅化合物水解并縮合而成的。7.如權利要求16的任一項所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，還含有交聯(lián)催化劑。8.一種抗蝕劑下層膜，是通過將權利要求17的任一項所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物涂布在半導體基板上，并烘烤而得到的。9.一種半導體裝置的制造方法，包含下述工序將權利要求17的任一項所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物涂布在半導體基板上，并烘烤，從而形成抗蝕劑下層膜的工序；在上述下層膜上涂布抗蝕劑用組合物，從而形成抗蝕劑膜的工序；使上述抗蝕劑膜曝光的工序；在曝光后使抗蝕劑顯影，從而得到抗蝕劑圖案的工序；介由抗蝕劑圖案來蝕刻抗蝕劑下層膜的工序；以及介由已圖案化的抗蝕劑和抗蝕劑下層膜來對半導體基板進行加工的工序。10.一種半導體裝置的制造方法，包含下述工序利用涂布型有機膜形成用組合物在半導體基板上形成有機膜的工序；在上述有機膜上涂布權利要求17的任一項所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，并烘烤，從而形成抗蝕劑下層膜的工序；在上述抗蝕劑下層膜上涂布抗蝕劑用組合物，從而形成抗蝕劑層的工序；使上述抗蝕劑膜曝光的工序；在曝光后使抗蝕劑顯影，從而得到抗蝕劑圖案的工序；介由抗蝕劑圖案來蝕刻抗蝕劑下層膜的工序；以及介由已圖案化的有機膜來對半導體基板進行加工的工序。全文摘要本發(fā)明的目的是提供不與光致抗蝕劑發(fā)生混合、具有比光致抗蝕劑大的干蝕刻速度的光刻用抗蝕劑下層膜和用于形成該下層膜的抗蝕劑下層膜形成用組合物。本發(fā)明提供了一種光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物，含有聚合物和溶劑，所述聚合物含有下述式(1)所示的部分結構，式中，X1表示式(2)、式(3)、式(4)或式(4-1)所示的基團。上述聚合物除了式(1)所示的部分結構以外，還含有式(5)(R1)a(R3)bSi(O-)4-(a+b)所示的部分結構和/或式(6)〔(R4)cSi(O-)3-c〕2Y所示的部分結構。文檔編號H01L21/027GK101802712SQ200880106569公開日2010年8月11日申請日期2008年9月10日優(yōu)先權日2007年9月11日發(fā)明者中島誠,柴山亙,菅野裕太申請人:日產化學工業(yè)株式會社