專利名稱：用于襯底處理的邊緣環(huán)裝置的制作方法
用于襯底處理的邊緣環(huán)裝置
背景技術(shù)：
等離子體處理的進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了半導(dǎo)體工業(yè)的增長。由于半導(dǎo)體工業(yè)的高度競(jìng)爭(zhēng)特
性，器件制造商想要使產(chǎn)量最大化并高效地利用襯底上能夠獲得的表面。在襯底的等離子 體處理過程中，需要控制多個(gè)參數(shù)以確保處理的器件的高產(chǎn)量。有缺陷的器件的通常原因 是缺乏襯底處理過程中的一致性?？赡苡绊懸恢滦缘囊蛩厥且r底邊緣效應(yīng)。有缺陷的器件 的另一個(gè)原因可能是由于在轉(zhuǎn)移過程中聚合物副產(chǎn)品從一個(gè)襯底的后部脫落，落到另一個(gè)
襯底上。 當(dāng)前的制造技術(shù)面臨著對(duì)更高性能器件的需要、進(jìn)一步減少襯底特征尺寸的壓力 以及更新的最優(yōu)襯底材料的實(shí)現(xiàn)的挑戰(zhàn)。例如，保持更大的襯底(例如，> 300毫米)上從 中心到邊緣的一致性或處理結(jié)果變得越來越困難。通常，對(duì)于給定的特征尺寸，隨著襯底的 尺寸變得更大，邊緣附近襯底上的器件的數(shù)量增加。同樣地，對(duì)于給定的襯底尺寸，隨著器 件的特征尺寸的減小，邊緣附近襯底上的器件的數(shù)量增加。例如，通常，襯底上的器件總數(shù) 的20%以上位于襯底的圓周附近。 圖1顯示了具有單一熱邊緣環(huán)的電容耦合等離子體處理系統(tǒng)的簡圖。通常，通過 電容耦合，由源射頻發(fā)生器112產(chǎn)生的源射頻通常被用于產(chǎn)生等離子體，以及控制該等離 子體的密度。某些刻蝕應(yīng)用可能要求上電極相對(duì)于下電極(其被射頻接電)接地。該射頻 電力是2MHz、27MHz和60MHz中的至少一個(gè)。又一種刻蝕應(yīng)用可能要求該上電極和該下電 極兩者都被使用類似的射頻頻率射頻接電。 —般來說，一組適當(dāng)?shù)臍怏w通過上電極102中的進(jìn)口流入。然后該氣體被離子化 以形成等離子體104，以處理(例如，刻蝕或沉積在)襯底106 (比如半導(dǎo)體襯底或玻璃平 板)的暴露區(qū)域，在靜電卡盤(ESC) 108上有熱邊緣環(huán)(HER)116(例如，硅等)，該靜電卡盤 108也作為接電電極。 熱邊緣環(huán)116通常執(zhí)行多種功能，包括在ESC108上定位襯底106以及遮擋不在襯 底自身保護(hù)下的下方元件免于被等離子體的離子損害。熱邊緣環(huán)116，如圖l所示，被置于 襯底106的邊緣的下方和周圍。熱邊緣環(huán)116可以進(jìn)一步坐落在耦合環(huán)114(例如，石英 等)上，其通常被配置為提供從卡盤108到熱邊緣環(huán)116的電流通路。
在圖1的實(shí)施例中，絕緣體環(huán)118和120被配置為提供ESC108和接地環(huán)122之間 的隔離。石英罩124被置于接地環(huán)122上。耦合環(huán)114的材料可以是石英或者合適的材料 以優(yōu)化從ESC 108到HER116的射頻耦合。例如，可以使用石英作為耦合環(huán)114以最小化到 HER 116的射頻耦合。在另一個(gè)實(shí)施例中，可以使用鋁作為耦合環(huán)114以增強(qiáng)到HER 116的 射頻耦合。 由于襯底邊緣效應(yīng)，比如電場(chǎng)、等離子體溫度和來自工藝化學(xué)物質(zhì)的負(fù)載作用，在 等離子體處理過程中，襯底邊緣附近的處理結(jié)果可能不同于襯底的其它(中心)區(qū)域的 處理結(jié)果。例如，襯底106邊緣周圍的電場(chǎng)可能由于來自到HER 116的射頻耦合的變化 而變化。等離子體包層的等勢(shì)線可能被破壞，在襯底邊緣周圍帶來不一致的離子角分布 (angular distribution)。
—般來說，人們希望電場(chǎng)在襯底的整個(gè)表面上方保持大體恒定，以保持處理的一 致性和豎直的刻蝕輪廓。在等離子體處理過程中，可以通過設(shè)計(jì)最優(yōu)化襯底106和HER 116 之間的射頻耦合平衡以保持處理的一致性和縱向刻蝕。例如，可以將到HER 116的射頻耦 合最優(yōu)化為最大的射頻耦合以獲得一致刻蝕。然而，保持處理一致性的射頻耦合平衡可能 帶來斜緣(beveled edge)聚合體沉積的代價(jià)。 在刻蝕處理過程中，聚合物副產(chǎn)品(例如，氟化聚合物等)在襯底背部上和/或襯 底邊緣周圍形成是常見的。氟化聚合物通常是由先前暴露于刻蝕化學(xué)物質(zhì)的光刻膠材料或 者碳氟化合物刻蝕處理過程中沉積的聚合物副產(chǎn)品組成的。通常，氟化聚合物是一種具有 化學(xué)式CxHyFz的物質(zhì)，其中x、 z是大于0的整數(shù)，而y是大于或等于0的整數(shù)(例如，CF4、 (^6、鵬、(:/8、(^8等)。 然而，當(dāng)連續(xù)的聚合物層作為一些不同刻蝕處理的結(jié)果而沉積在邊緣區(qū)域時(shí)，通 常堅(jiān)固而粘著的有機(jī)粘結(jié)物會(huì)最終削弱并脫落或剝離，通常在轉(zhuǎn)移過程中會(huì)落在另一個(gè)襯 底上。例如，襯底通常是通過基本清潔的容器(通常稱為盒)在各等離子體處理系統(tǒng)之間 成組移動(dòng)的。當(dāng)放置的較高的襯底在該容器中移動(dòng)時(shí)，一部分聚合物層可能會(huì)落到較低的 襯底上(那里存在晶粒)，有可能影響器件的良率。 圖2顯示了襯底的簡圖，其中顯示一組邊緣聚合物已經(jīng)沉積在平坦的背部上。如 前所述，在刻蝕處理過程中，聚合物副產(chǎn)品(邊緣聚合物)在襯底上形成是常見的。在此實(shí) 施例中，聚合物副產(chǎn)品已經(jīng)沉積在平坦的背部，也就是說，襯底上遠(yuǎn)離等離子體的那一側(cè)。 例如，聚合物的厚度可以是在大約70° 202處為大約250nm，在大約45。 204處為270nm， 在0° 206處為大約120nm。通常，聚合物的厚度越大，聚合物的一部分變得移位并落在另 一個(gè)襯底或者卡盤上，從而影響生產(chǎn)良率的概率越高。 例如，到HER 116的射頻耦合可以最優(yōu)化為最小的射頻耦合以減少聚合物副產(chǎn)品 在斜緣上的沉積。然而，最小化斜緣聚合物沉積的射頻耦合平衡可能帶來保持襯底邊緣的 處理一致性的代價(jià)。 因此，上述現(xiàn)有技術(shù)方法要求熱邊緣環(huán)和襯底之間的射頻耦合平衡，以在對(duì)邊緣 一致性或斜緣聚合物沉積的優(yōu)化之間取得平衡。另外，晶片邊緣和熱邊緣環(huán)之間的電弧可 能導(dǎo)致襯底邊緣上的凹陷(Pitting)并對(duì)器件帶來損害，由此降低良率。

發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)實(shí)施方式中，本發(fā)明涉及一種在等離子體處理室中處理襯底的方法。該襯 底被置于卡盤上方并被第一邊緣環(huán)圍繞。該第一邊緣環(huán)被從該卡盤電性絕緣。該方法包括 提供第二邊緣環(huán)。該第二邊緣環(huán)被置于該襯底的邊緣下方。該方法進(jìn)一步包括提供耦合環(huán)。 該耦合環(huán)被配置為協(xié)助從ESC(靜電卡盤)組件到該第一邊緣環(huán)的射頻耦合，由此使得在襯 底處理過程中該第一邊緣環(huán)具有邊緣環(huán)電勢(shì)，并使得在該襯底處理過程中該射頻耦合在該 第一邊緣環(huán)被最大化并在該第二邊緣環(huán)被最小化。 上述發(fā)明內(nèi)容只涉及此處揭示的本發(fā)明的許多實(shí)施方式中的一個(gè)，并不意在限制 本發(fā)明的范圍，該范圍如權(quán)利要求所述。在下面本發(fā)明的具體實(shí)施方式
部分，結(jié)合附圖，對(duì) 本發(fā)明的這些及其他特征進(jìn)行更加詳細(xì)的描述。


本發(fā)明是以附圖的各圖中的實(shí)施例的方式進(jìn)行說明的，而不是以限制的方式，其 中類似的參考標(biāo)號(hào)表示類似的元件，其中 圖1顯示了具有單一熱邊緣環(huán)的電容耦合等離子體處理系統(tǒng)的簡圖。
圖2顯示了襯底的簡圖，其中顯示一組邊緣聚合物已經(jīng)沉積在平坦的背部上。
圖3顯示了，按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，配置有雙邊緣環(huán)的電容耦合等離子體
處理系統(tǒng)的簡圖。 圖4顯示了，按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，配置有多個(gè)熱邊緣環(huán)的多頻電容耦合 等離子體處理系統(tǒng)。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在參考附圖中描繪的一些實(shí)施方式，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。在下面的描述中， 闡明了許多具體細(xì)節(jié)以提供對(duì)本發(fā)明的徹底理解。然而，顯然，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來 說，本發(fā)明沒有這些具體細(xì)節(jié)中的一些或全部仍然可以實(shí)施。在其它情況下，沒有對(duì)已知的 工藝步驟和/或結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)描述，以免不必要地模糊本發(fā)明。 下面描述了包括方法和技術(shù)在內(nèi)的各種實(shí)施方式。應(yīng)當(dāng)記住，本發(fā)明也涵蓋包括 計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的制造品，在該計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上存儲(chǔ)有用于執(zhí)行本發(fā)明的技術(shù)的各實(shí)施 方式的計(jì)算機(jī)可讀指令。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可能包括，例如，半導(dǎo)體、磁的、光磁的、光學(xué)的或 者其它形式的用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)可讀代碼的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。進(jìn)一步，本發(fā)明還可涵蓋用于 實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的各實(shí)施方式的裝置。這樣的裝置可能包括電路(專用的和/或可編程的)以 執(zhí)行與本發(fā)明的各實(shí)施方式有關(guān)的任務(wù)。這樣的裝置的實(shí)施例包括被適當(dāng)編程的通用計(jì)算 機(jī)和/或?qū)Ｓ糜?jì)算裝置，并可包括適于執(zhí)行與本發(fā)明的各實(shí)施方式有關(guān)的各種任務(wù)的計(jì)算 機(jī)/計(jì)算裝置和專用/可編程電路。 按照本發(fā)明的實(shí)施方式，提供用于配置等離子體處理系統(tǒng)以提高對(duì)等離子體處理 參數(shù)的控制的裝置。本發(fā)明的實(shí)施方式包括向多個(gè)熱邊緣環(huán)提供獨(dú)立的射頻耦合以在襯底 和每個(gè)邊緣環(huán)之間產(chǎn)生期望的電勢(shì)差。因此，給定的等離子體處理的等離子體包層的等勢(shì) 線可以被最優(yōu)化以實(shí)現(xiàn)襯底邊緣的一致的刻蝕，而又不妨礙從該襯底的斜緣清潔聚合物副
A 口 廣PR o 在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，第一熱邊緣環(huán)被置于襯底的邊緣周圍。在一 個(gè)實(shí)施方式中，第一HER可以是由硅(Si)、氮化硅(SiN)和/或二氧化硅(Si02)制成的。在 一個(gè)實(shí)施方式中，第一 HER可進(jìn)一步坐落于耦合環(huán)上以提供從ESC下電極到第一 HER的射 頻耦合以最小化襯底和第一HER之間的電勢(shì)差。因此，對(duì)于給定的等離子體，等離子體包層 的等勢(shì)線被優(yōu)化以使對(duì)該襯底邊緣的離子轟擊保持筆直。在該襯底邊緣的豎直的離子轟擊 可以確保等離子體處理過程中相對(duì)于該襯底中心的一致刻蝕。 在一個(gè)實(shí)施方式中，第二HER(由絕緣體環(huán)絕緣)被置于該襯底邊緣下。在一個(gè)實(shí) 施方式中，第二HER可以是由硅(Si)、氮化硅(SiN)和/或二氧化硅(Si02)制成的。第二 HER被該絕緣體環(huán)從該襯底、該第一邊緣環(huán)、ESC和ESC下部本體絕緣。該絕緣體環(huán)可以是 由絕緣體材料(比如石英)制成的以實(shí)現(xiàn)從ESC下電極的射頻去耦合(decoupling)。本發(fā) 明的實(shí)施方式在該襯底和該第二HER之間提供了很高的電壓電勢(shì)以在襯底的斜緣上帶來電弧，以除去該襯底斜緣上沉積的聚合物副產(chǎn)品。 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式中，第二HER被直接置于該襯底下并在該絕緣體環(huán) 上。在一個(gè)實(shí)施方式中，第二HER可以是由SiN或Si(^制成的。在一個(gè)實(shí)施方式中，到第二 HER的射頻耦合可以被優(yōu)化以在該襯底和該第二 HER之間提供最大電勢(shì)差以在該襯底斜緣 上引發(fā)電弧以清潔聚合物副產(chǎn)品。 參考下面的附圖和討論，可以更好地理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)。圖3顯示了，按照 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，配置有雙邊緣環(huán)的電容耦合等離子體處理系統(tǒng)300的簡圖。
等離子體處理系統(tǒng)300可以是單頻、雙頻或三頻射頻電容性放電系統(tǒng)(discharge system)。在一個(gè)實(shí)施例中，射頻可包括但不限于，例如，2MHz、 27MHz和60MHz 。等離子體處 理系統(tǒng)300可以被配置為包括位于靜電卡盤(ESC)308上方的襯底306。 ESC 308(其也充 當(dāng)接電電極)被置于ESC下電極310上方。 考慮這種情況，例如，其中正在處理襯底306。在等離子體處理過程中，具有到地通 路(未示以簡化該圖)的多頻射頻發(fā)生器312可以通過射頻匹配網(wǎng)絡(luò)(未示以簡化該圖) 向ESC下電極310供應(yīng)低射頻偏置電力。來自射頻發(fā)生器312的射頻電力可能與氣體(未 示以簡化該圖)相互作用以在上電極302和襯底306之間引燃等離子體304?？梢允褂玫?離子體刻蝕襯底306和/或在襯底306上沉積材料以形成電子器件。 如圖3所示，某些特定刻蝕應(yīng)用可能要求上電極302相對(duì)于下電極(其被RF接 電)接地。該射頻電力是2MHz、27MHz和60MHz中的至少一個(gè)。還有其他刻蝕應(yīng)用可能要 求該上電極和該下電極兩者都被使用類似的射頻頻率射頻接電。 與只使用一個(gè)熱邊緣環(huán)的現(xiàn)有技術(shù)不同，在一個(gè)實(shí)施方式中，等離子體處理系統(tǒng) 300配置有多個(gè)熱邊緣環(huán)(HER)，例如，第一HER 314和第二HER 326。按照本發(fā)明的一個(gè) 實(shí)施方式，第一HER 314被置于襯底306的邊緣周圍。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一 HER314可 以是硅(Si)、氮化硅(SiN)和/或二氧化硅(Si02)制成的。絕緣體環(huán)320可以在第一 HER 314和接地環(huán)322之間提供隔離。石英覆蓋環(huán)324被置于接地環(huán)322頂上。第一 HER 314 可進(jìn)一步坐落于耦合環(huán)318上。耦合環(huán)318可以是由導(dǎo)電材料(比如鋁或石墨)制成以提 供從ESC組件(例如，ESC 308和ESC下電極310)到第一 HER 314的射頻耦合。
按照一個(gè)實(shí)施方式，從ESC組件到HER 314的射頻耦合可以被優(yōu)化以提供相對(duì)于 襯底332上方的射頻外鞘電壓(VI)區(qū)域和襯底邊緣環(huán)330上方的射頻外鞘電壓(V2)區(qū)域 之間的類似的等離子體包層以產(chǎn)生最小電勢(shì)差(Vl-V2)。因此，對(duì)于給定的等離子體，該等 離子體包層的等勢(shì)線可以被優(yōu)化以使襯底306邊緣的離子轟擊保持筆直。在襯底306邊緣 的豎直的離子轟擊可以確保等離子體處理過程中相對(duì)于該襯底中心的一致刻蝕。
在圖3的實(shí)現(xiàn)中，按照一個(gè)實(shí)施方式，第二HER 326 (由絕緣體環(huán)316絕緣)被置 于襯底306的邊緣下。在一個(gè)實(shí)施方式中，第二HER 326可以是由硅(Si)、氮化硅(SiN)和 /或二氧化硅(Si02)制成的。按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，第二HER 326被絕緣體環(huán)316 從襯底306、第一邊緣環(huán)314、 ESC 308和ESC下部本體310絕緣。絕緣體環(huán)316可以是由 絕緣體材料(比如石英)制成的以實(shí)現(xiàn)從ESC組件的射頻去耦合。 因?yàn)榈降诙?HER 326的射頻耦合可以被最小化，第二 HER 326上的感應(yīng)電壓(V3) 與襯底306上的電壓(VI)相比可以很低。襯底306和第二HER 326之間的電壓電勢(shì)(Vl-V3) 可以很高。由于襯底306和第二HER 326之間很高的電壓電勢(shì)，在襯底306的斜緣上可能發(fā)成電弧。通常，電弧是一種不受歡迎的不可控事件。然而，在襯底的斜緣上沒有器件。因 此，按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，襯底306的斜緣上的電弧或微爆炸可以作為一種清潔機(jī) 制而需要，以除去該襯底的斜緣上沉積的聚合物副產(chǎn)品。 在現(xiàn)有技術(shù)中，只有一個(gè)HER且到該HER的射頻耦合被優(yōu)化以在襯底邊緣的一致 刻蝕或斜緣的聚合物副產(chǎn)品的沉積之間取得平衡。與現(xiàn)有技術(shù)方法不同，可以使用具有到 每個(gè)熱邊緣環(huán)的獨(dú)立的射頻耦合的多個(gè)HER以實(shí)現(xiàn)一致刻蝕和聚合物副產(chǎn)品沉積的斜緣 清潔。 除了如圖3所討論的上述方法和裝置之外，可以提供其它的實(shí)施方式，其中可以 使用多個(gè)HER來提供對(duì)個(gè)別HER的獨(dú)立的射頻耦合。圖4顯示了 ，按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方 式，具有多個(gè)熱邊緣環(huán)的多頻電容耦合等離子體處理系統(tǒng)400。等離子體處理系統(tǒng)400可被 配置為包括接地上電極402、襯底406、靜電卡盤(ESC)408、 ESC下電極410、絕緣體環(huán)420、 接地環(huán)422和石英覆蓋環(huán)424。 考慮這種情況，例如，正在處理襯底406。當(dāng)氣體(未示以簡化該圖)與來自射頻 電力產(chǎn)生器412的射頻電力相互作用時(shí)，可以激發(fā)等離子體404?？梢允褂玫入x子體404刻 蝕襯底406和/或在襯底406上沉積材料以形成電子器件。 如上所述，襯底邊緣效應(yīng)，比如電場(chǎng)、等離子體溫度和來自處理化學(xué)物質(zhì)的負(fù)載作
用，可能使得襯底邊緣附近的處理結(jié)果不同于襯底的其它(中心)區(qū)域的處理結(jié)果。例如，
該等離子體包層的等勢(shì)線可能被破壞，導(dǎo)致襯底邊緣周圍的不一致的離子角分布。 在圖4的實(shí)現(xiàn)中，第一HER 414被置于耦合環(huán)418上方并環(huán)繞襯底406的邊緣。在
一個(gè)實(shí)施方式中，第一HER 414可以是由硅制成的。在一個(gè)實(shí)施方式中，到第一HER 414的
射頻耦合可以被優(yōu)化以在襯底406和第一HER 414之間提供最小電勢(shì)差(Vl-V2)以實(shí)現(xiàn)在
該襯底邊緣的一致刻蝕。 因此，該襯底邊緣環(huán)430上方的該等離子體包層相對(duì)于該襯底432上方的該等離
子體包層的等勢(shì)線被優(yōu)化以使對(duì)襯底406邊緣的離子轟擊保持筆直。在襯底406邊緣的豎
直的離子轟擊可以確保等離子體處理過程中相對(duì)于該襯底中心的一致刻蝕。 如圖4所示，第二HER 426被直接置于襯底406下并在絕緣體環(huán)416頂上。在一
個(gè)實(shí)施方式中，第二HER 426可以是由SiN或Si(^制成的。在一個(gè)實(shí)施方式中，到第二 HER
426的射頻耦合可以被優(yōu)化以在襯底406和第二 HER 426之間提供最大的電勢(shì)差(V1-V3)
以在該襯底斜緣上引發(fā)電弧以清潔聚合物副產(chǎn)品。 從上文可以看出，本發(fā)明的各實(shí)施方式提供用于提供來自多個(gè)HER的每個(gè)熱邊緣 環(huán)的獨(dú)立的射頻耦合，而不使用外部硬件設(shè)備的方法和裝置。通過使用到多個(gè)HER的獨(dú)立 的射頻耦合，可以實(shí)現(xiàn)在襯底邊緣的刻蝕一致性而又不會(huì)犧牲在該斜緣處的聚合物副產(chǎn)品 的清潔。另外，該熱邊緣環(huán)裝置的設(shè)計(jì)為現(xiàn)有的等離子體處理設(shè)備進(jìn)行改裝簡單而廉價(jià)。
盡管依據(jù)一些優(yōu)選實(shí)施方式描述了本發(fā)明，然而，存在落入本發(fā)明范圍的變更、置 換和等同。而且，此處提供的名稱、發(fā)明內(nèi)容和摘要是為了方便，不應(yīng)當(dāng)被用于解釋此處權(quán) 利要求的范圍。還應(yīng)當(dāng)注意，有許多實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的方法和裝置的替代方式。盡管此處提供 了各種實(shí)施例，這些實(shí)施例意在是說明性的而非對(duì)本發(fā)明進(jìn)行限制。而且，在此申請(qǐng)中，一 組"n"個(gè)項(xiàng)目指的是該組中的O個(gè)或以上的項(xiàng)目。因而，所附權(quán)利要求的范圍意在被解讀 為包括所有這些落入本發(fā)明的真實(shí)精神和范圍的變更、置換和等同。
權(quán)利要求
一種在等離子體處理室中處理襯底的方法，所述襯底被置于卡盤上方并被第一邊緣環(huán)圍繞，所述第一邊緣環(huán)被從所述卡盤電性絕緣，包含提供第二邊緣環(huán)，所述第二邊緣環(huán)被置于所述襯底的邊緣下方；以及提供耦合環(huán)，其中所述耦合環(huán)被配置為協(xié)助從ESC(靜電卡盤)組件到所述第一邊緣環(huán)的射頻耦合，由此使得在襯底處理過程中所述第一邊緣環(huán)具有邊緣環(huán)電勢(shì)，并使得在所述襯底處理過程中所述射頻耦合在所述第一邊緣環(huán)被最大化并在所述第二邊緣環(huán)被最小化。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包含提供被配置為封裝所述第二邊緣環(huán)的絕緣 體環(huán)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包含提供絕緣體環(huán)，其中所述第二邊緣環(huán)被置 于所述絕緣體環(huán)上方。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一熱邊緣環(huán)是由包括硅、氮化硅和二氧化 硅中的至少一種的材料形成的。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述耦合環(huán)是由包括導(dǎo)電材料、鋁和石墨中的至 少一種的材料形成的。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二熱邊緣環(huán)是由包括硅、氮化硅和二氧化 硅中的至少一種的材料形成的。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述絕緣體環(huán)是由包括絕緣體材料和石英中的至 少一種的材料形成的。
8. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述絕緣體環(huán)是由包括絕緣體材料和石英中的至 少一種的材料形成的。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中被傳遞到所述卡盤的所述射頻電力具有包括約 2MHz、約27MHz和約60MHz中的至少一種的一組射頻頻率。
10. —種具有配置為處理襯底的等離子體處理室的等離子體處理系統(tǒng)，所述襯底被置 于卡盤上方并被第一邊緣環(huán)圍繞，所述第一邊緣環(huán)被從所述卡盤電性絕緣，包含第二邊緣環(huán)，所述第二邊緣環(huán)被置于所述襯底的邊緣下方；以及耦合環(huán)，其中所述耦合環(huán)被配置為協(xié)助從ESC(靜電卡盤)組件到所述第一邊緣環(huán)的射 頻耦合，由此使得在襯底處理過程中所述第一邊緣環(huán)具有邊緣環(huán)電勢(shì)，并使得在所述襯底 處理過程中所述射頻耦合在所述第一邊緣環(huán)被最大化并在所述第二邊緣環(huán)被最小化。
11. 根據(jù)權(quán)利要求io所述的等離子體處理系統(tǒng)，進(jìn)一步包含被配置為封裝所述第二邊緣環(huán)的絕緣體環(huán)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的等離子體處理系統(tǒng)，進(jìn)一步包含絕緣體環(huán)，其中所述第二 邊緣環(huán)被置于所述絕緣體環(huán)上方。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述第一熱邊緣環(huán)是由包括硅、 氮化硅和二氧化硅中的至少一種的材料形成的。
14. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述耦合環(huán)是由包括導(dǎo)電材料、 鋁和石墨中的至少一種的材料形成的。
15. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述第二熱邊緣環(huán)是由包括硅、 氮化硅和二氧化硅中的至少一種的材料形成的。
16. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述絕緣體環(huán)是由包括絕緣體材料和石英中的至少一種的材料形成的。
17. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述絕緣體環(huán)是由包括絕緣體材 料和石英中的至少一種的材料形成的。
18. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中被傳遞到所述卡盤的所述射頻電 力具有包括約2MHz、約27MHz和約60MHz中的至少一種的一組射頻頻率。
全文摘要
提供一種在等離子體處理室中處理襯底的方法。該襯底被置于卡盤上方并被第一邊緣環(huán)圍繞。該第一邊緣環(huán)被從該卡盤電性絕緣。該方法包括提供第二邊緣環(huán)。該第二邊緣環(huán)被置于該襯底的邊緣下方。該方法進(jìn)一步包括提供耦合環(huán)。該耦合環(huán)被配置為協(xié)助從ESC(靜電卡盤)組件到該第一邊緣環(huán)的射頻耦合，由此使得在襯底處理過程中該第一邊緣環(huán)具有邊緣環(huán)電勢(shì)，并使得在該襯底處理過程中該射頻耦合在該第一邊緣環(huán)被最大化并在該第二邊緣環(huán)被最小化。
文檔編號(hào)H01L21/3065GK101730931SQ200880022423
公開日2010年6月9日 申請(qǐng)日期2008年6月20日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月28日
發(fā)明者拉金德爾·德辛德薩, 阿列克謝·馬拉赫塔諾夫 申請(qǐng)人:朗姆研究公司