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低損耗基片集成波導(dǎo)多波束天線的制作方法

文檔序號(hào):6908726閱讀:323來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:低損耗基片集成波導(dǎo)多波束天線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型的基片集成波導(dǎo)羅特曼(Rotman)透鏡可以適用于微波毫米波的 波束成形網(wǎng)絡(luò)和多波束天饋系統(tǒng),由其構(gòu)成的基片集成波導(dǎo)多波束天線可以應(yīng)用 于微波毫米波多波束系統(tǒng)和智能天線,可以帶來(lái)諸如改善通信信道質(zhì)量,降低發(fā) 射功率和誤碼率,減少多徑干擾的優(yōu)點(diǎn)。
背景技術(shù)
移動(dòng)通信的迅速發(fā)展,使得傳統(tǒng)的多址方式,如CDMA,F(xiàn)DMA,TDMA等, 已不能滿足日益增長(zhǎng)的擴(kuò)容需要。多波束天線通過(guò)波束成形網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生多個(gè)固定并 行指向的波束,用來(lái)覆蓋整個(gè)用戶區(qū),從而達(dá)到擴(kuò)容的目的。羅特曼透鏡即是一 種多波束成形網(wǎng)絡(luò),其具有結(jié)構(gòu)緊湊、工作帶寬較寬等優(yōu)點(diǎn),因而獲得廣泛應(yīng)用。 隨著工作頻率的增高,尤其進(jìn)入Ka頻段甚至毫米波頻段,巨大的損耗使得由傳統(tǒng) 平面電路如微帶線等構(gòu)成的羅特曼透鏡無(wú)法正常工作,且由于體積過(guò)小而無(wú)法實(shí) 現(xiàn)。如果采用金屬波導(dǎo)來(lái)實(shí)現(xiàn)羅特曼透鏡,雖然其性能優(yōu)異,但會(huì)產(chǎn)生加工困難、 成本較高、重量大等難以克服的問(wèn)題。新型基片集成波導(dǎo)技術(shù)既擁有平面電路的 易集成、制作方便等優(yōu)點(diǎn),又具有與金屬波導(dǎo)近似的高2值、低損耗的優(yōu)良特性, 適于微波毫米波多波束天線的設(shè)計(jì)。發(fā)明內(nèi)容技術(shù)問(wèn)題本實(shí)用新型的目的是提出一種低損耗基片集成波導(dǎo)多波束天線, 實(shí)現(xiàn)Ka頻段甚至毫米波頻段的波束掃描,且具有損耗較低,體積較小,成本低, 容易大批量生產(chǎn),易與有源電路集成等優(yōu)點(diǎn)。技術(shù)方案本實(shí)用新型的低損耗基片集成波導(dǎo)多波束天線通過(guò)介質(zhì)基片的上 層金屬敷銅面、下層金屬敷銅面和金屬化通孔實(shí)現(xiàn)類似于波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的基片集成波 導(dǎo),并構(gòu)成多波束天線,其結(jié)構(gòu)分為三部分第一部分為基片集成波導(dǎo)羅特曼透
鏡,第二部分是基片集成波導(dǎo)移相網(wǎng)絡(luò),第三部分是輻射天線陣,其中第一部分 與第二部分直接級(jí)聯(lián),第二部分與第三部分直接級(jí)聯(lián)?;刹▽?dǎo)羅特曼透鏡由金屬化通孔排列成具有透鏡輸入端弧和透鏡輸出 端弧形狀來(lái)構(gòu)成,其透鏡輸入端弧的邊壁上分布著輸入口和匹配口,透鏡輸出端 弧的邊壁上分布著內(nèi)部輸出口與基片集成波導(dǎo)移相網(wǎng)絡(luò)相連?;刹▽?dǎo)移相網(wǎng)絡(luò)通過(guò)金屬化通孔的位置調(diào)節(jié),形成具有不同寬度的基 片集成波導(dǎo),越寬的基片集成波導(dǎo)其內(nèi)部電磁波的傳播速度越慢,從而實(shí)現(xiàn)所需 的相移量。輻射天線陣由并排排列的9根相同4縫縫隙陣天線組陣而成,其中每一縫隙 陣天線由金屬化通孔形成的基片集成波導(dǎo)構(gòu)成,其一端短路,在基片集成波導(dǎo)內(nèi) 的上層金屬敷銅面上且位于中心線的兩側(cè)分別設(shè)有一排金屬表面上的左縫隙、右 縫隙。由于在基片集成波導(dǎo)中不支持TEM模的傳播,故本設(shè)計(jì)中采用了不同于傳統(tǒng) 激勵(lì)模式的TEh)模,這樣會(huì)使得羅特曼透鏡的工作帶寬略微減少。但是由于采用 了基片集成波導(dǎo)技術(shù),克服了以往基于金屬波導(dǎo)或平面電路形式的羅特曼透鏡工 作于Ka頻段和毫米波頻段時(shí)的缺陷,具有很好的性能。有益效果l:)使羅特曼透鏡在以平面電路的形式工作于Ka頻段和毫米波頻段時(shí),具有 較高增益、g值和較低損耗。同時(shí)與金屬波導(dǎo)的立體結(jié)構(gòu)相比,體積小、 重量輕、加工容易。2:)基片集成波導(dǎo)羅特曼透鏡與基片集成波導(dǎo)天線陣相連形成多波束天線,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、緊湊、 一體化。3:)該多波束天線制作于介質(zhì)基片上,與有源電路集成方便。4:)該多波束天線可與弧度不大的彎曲表面(如飛機(jī)機(jī)翼表面等)直接共形, 不需另外設(shè)計(jì),具有較高實(shí)用性。5:)整個(gè)多波束天線的各部分集成為一體,全部利用普通PCB工藝制作,成 本低、精度高、重復(fù)性好,適合大批量生產(chǎn)。

圖1是低損耗基片集成波導(dǎo)多波束天線結(jié)構(gòu)圖。以上的圖中有上層金屬敷銅面l、下層金屬敷銅面2、介質(zhì)基片3、金屬化通孔4、羅特曼透鏡輸入端弧51、羅特曼透鏡輸出端弧52、基片集成波導(dǎo)羅特曼 透鏡53、內(nèi)部輸出口54、輸入口6 (包括輸入端口 61~67)、匹配口 7、基片集成 波導(dǎo)移相網(wǎng)絡(luò)8、輻射天線陣91、基片集成波導(dǎo)縫隙陣天線92、金屬表面上的左 縫隙93、金屬表面上的右縫隙94。
具體實(shí)施方式
羅特曼透鏡、移相網(wǎng)絡(luò)和天線陣相連,可以形成多波束天線。本發(fā)明中的羅 特曼透鏡,由介質(zhì)層兩面的金屬敷銅面和金屬化通孔組成的類似于波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的基 片集成波導(dǎo)來(lái)實(shí)現(xiàn),其作為波束成形網(wǎng)絡(luò),與基片集成波導(dǎo)移相網(wǎng)絡(luò)級(jí)聯(lián),通過(guò) 從不同輸入口饋電實(shí)現(xiàn)多組相位差分布,再與由基片集成波導(dǎo)縫隙陣天線組成的 天線陣級(jí)聯(lián),形成多波束天線。本發(fā)明中的移相網(wǎng)絡(luò)是利用不同寬度的基片集成 波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)所需的相移量。本發(fā)明中的天線陣由并排排列的9根相同的4縫縫隙陣 天線組成,每一縫隙陣天線由金屬化通孔形成基片集成波導(dǎo)構(gòu)成;其一端短路,在基片集成波導(dǎo)內(nèi)的金屬層上表面上且位于中心線的兩側(cè)分別設(shè)有一排金屬表面 上的左縫隙、右縫隙。通過(guò)介質(zhì)基片3的上層金屬敷銅面1、下層金屬敷銅面2和金屬化通孔4實(shí)現(xiàn) 類似于波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的基片集成波導(dǎo),并構(gòu)成多波束天線,其結(jié)構(gòu)分為三部分第一 部分為基片集成波導(dǎo)羅特曼透鏡53,第二部分是基片集成波導(dǎo)移相網(wǎng)絡(luò)8,第三 部分是輻射天線陣91,其中第一部分與第二部分直接級(jí)聯(lián),第二部分與第三部分 直接級(jí)聯(lián)?;刹▽?dǎo)羅特曼透鏡53由金屬化通孔4排列成具有透鏡輸入端弧 51和透鏡輸出端弧52形狀來(lái)構(gòu)成,其透鏡輸入端弧51的邊壁上分布著輸入口 6 和匹配口 7,透鏡輸出端弧52的邊壁上分布著內(nèi)部輸出口 54與基片集成波導(dǎo)移相 網(wǎng)絡(luò)8相連?;刹▽?dǎo)移相網(wǎng)絡(luò)8通過(guò)金屬化通孔4的位置調(diào)節(jié),形成具有 不同寬度的基片集成波導(dǎo),越寬的基片集成波導(dǎo)其內(nèi)部電磁波的傳播速度越慢, 從而實(shí)現(xiàn)所需的相移量。輻射天線陣91由并排排列的9根相同4縫縫隙陣天線92 組陣而成,其中每一縫隙陣天線92由金屬化通孔4形成的基片集成波導(dǎo)構(gòu)成,其 一端短路,在基片集成波導(dǎo)內(nèi)的上層金屬敷銅面1上且位于中心線的兩側(cè)分別設(shè) 有一排金屬表面上的左縫隙93、右縫隙94。該多波束天線為一平面電路結(jié)構(gòu),其完全由介質(zhì)基片上下表面金屬層及金屬 化通孔構(gòu)成。其主要結(jié)構(gòu)可分為三部分基片集成波導(dǎo)羅特曼透鏡,基片集成波 導(dǎo)移相網(wǎng)絡(luò)和基片集成波導(dǎo)天線陣。其中,羅特曼透鏡作為波束成形網(wǎng)絡(luò),雖然 釆用基片集成波導(dǎo)的形式來(lái)實(shí)現(xiàn),但其外形設(shè)計(jì)仍可參照普通羅特曼透鏡的設(shè)計(jì) 公式進(jìn)行;基片集成波導(dǎo)縫隙陣天線組陣作為輻射天線陣;基片集成波導(dǎo)移相網(wǎng) 絡(luò)連接上述二者,并滿足波束掃描的相位需求。通過(guò)對(duì)不同的輸入口進(jìn)行激勵(lì), 該多波束天線可以產(chǎn)生不同的波束指向。為了降低副瓣電平,在非輸入和輸出的 邊壁上實(shí)現(xiàn)匹配口,并接上50歐姆的匹配電阻。本實(shí)用新型在在中心頻率約28.5 GHz處實(shí)現(xiàn)基于羅特曼透鏡原理的基片集成 波導(dǎo)多波束天線,并在Ka頻段測(cè)試其整體性能?;x用Rogers Duroid 5880, 其介質(zhì)常數(shù)為2.2,厚度0.508m加?;刹▽?dǎo)金屬化通孔的直徑為0.4加m,通 孔之間的間距為0.8mm。該多波束天線共有七個(gè)輸入口 6 (包括輸入端口 61~67), 級(jí)聯(lián)9根4縫基片集成波導(dǎo)縫隙陣天線。四個(gè)匹配口均接上50歐姆匹配電阻。分別從輸入端口 61~67激勵(lì),在暗室中測(cè)得28.5 GHz時(shí)天線可產(chǎn)生的七個(gè)波 束,分別擁有22°, 15°, 15°, 14°, 15°, 15°和22°的3dB波瓣寬度,并且其指向分別 為-41。, -28°, -14°, 0°, 14°, 28°和41°。七個(gè)波束的增益分別為14.3dBi, 17.5犯i, 18.3dBi, 19dBi, 18.3dBi, 17.5dBi,和14.3dBi。將該多波束天線直接固定于弧度不大的曲面上,可形成共形天線。在28.5 GHz 時(shí),天線可產(chǎn)生的七個(gè)波束分別擁有22°, 18°, 18°, 16°, 18°, 18°和22°的3dB波瓣 寬度,并且其指向分別為-45°, -30°, -15°, 0°, 15°, 30°和45°。七個(gè)波束的增益分別 為15.5dBi, 17dBi, 17.5dBi, 18dBi, 17.5dBi, 17dBi,和15.5dBi。共形后的多波束天線 與平面結(jié)構(gòu)相比,增益略有下降、波瓣略微展寬、副瓣電平略微上升,波束覆蓋 面有所增加,不會(huì)影響其使用。
權(quán)利要求1. 一種低損耗基片集成波導(dǎo)多波束天線,其特征在于通過(guò)介質(zhì)基片(3)的上層金屬敷銅面(1)、下層金屬敷銅面(2)和金屬化通孔(4)實(shí)現(xiàn)類似于波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的基片集成波導(dǎo),并構(gòu)成多波束天線,其結(jié)構(gòu)分為三部分第一部分為基片集成波導(dǎo)羅特曼透鏡(53),第二部分是基片集成波導(dǎo)移相網(wǎng)絡(luò)(8),第三部分是輻射天線陣(91),其中第一部分與第二部分直接級(jí)聯(lián),第二部分與第三部分直接級(jí)聯(lián)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的低損耗基片集成波導(dǎo)多波束天線,其特征為基片 集成波導(dǎo)羅特曼透鏡(53)由金屬化通孔(4)排列成具有透鏡輸入端弧(51)和 透鏡輸出端弧(52)形狀來(lái)構(gòu)成,其透鏡輸入端弧(51)的邊壁上分布著輸入口(6)和匹配口 (7),透鏡輸出端弧(52)的邊壁上分布著內(nèi)部輸出口 (54)與基 片集成波導(dǎo)移相網(wǎng)絡(luò)(8)相連。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低損耗基片集成波導(dǎo)多波束天線,其特征為輻射 天線陣(91)由并排排列的9根相同4縫縫隙陣天線(92)組陣而成,其中每一 縫隙陣天線(92)由金屬化通孔(4)形成的基片集成波導(dǎo)構(gòu)成,其一端短路,在 基片集成波導(dǎo)內(nèi)的上層金屬敷銅面(1)上且位于中心線的兩側(cè)分別設(shè)有一排金屬 表面上的左縫隙(93)、右縫隙(94)。
專利摘要低損耗基片集成波導(dǎo)多波束天線通過(guò)介質(zhì)基片(3)的上層金屬敷銅面(1)、下層金屬敷銅面(2)和金屬化通孔(4)實(shí)現(xiàn)類似于波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的基片集成波導(dǎo),并構(gòu)成多波束天線,其結(jié)構(gòu)分為三部分第一部分為基片集成波導(dǎo)羅特曼透鏡(53),第二部分是基片集成波導(dǎo)移相網(wǎng)絡(luò)(8),第三部分是輻射天線陣(91),其中第一部分與第二部分直接級(jí)聯(lián),第二部分與第三部分直接級(jí)聯(lián)。本實(shí)用新型的天線可以適用于微波毫米波的波束成形網(wǎng)絡(luò)和多波束天饋系統(tǒng),由其構(gòu)成的基片集成波導(dǎo)多波束天線可以應(yīng)用于微波毫米波多波束系統(tǒng)和智能天線,可以帶來(lái)諸如改善通信信道質(zhì)量,降低發(fā)射功率和誤碼率,減少多徑干擾的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01Q21/00GK201215831SQ20082003648
公開(kāi)日2009年4月1日 申請(qǐng)日期2008年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月27日
發(fā)明者偉 洪, 程鈺間 申請(qǐng)人:東南大學(xué)
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