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無自鎖觸點(diǎn)延時釋放永磁式接觸器的制作方法

文檔序號:6908033閱讀:169來源:國知局
專利名稱:無自鎖觸點(diǎn)延時釋放永磁式接觸器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種接觸器,尤其是涉及一種具有無自鎖觸點(diǎn)延時釋放功 能的永磁式接觸器,屬于交直流接觸器、繼電器、高低壓斷路器類電路開關(guān)控 制器件技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
永磁式接觸器由于具有故障源少、噪音小、操作能耗低等顯著優(yōu)點(diǎn),近年 來受到普遍關(guān)注。其典型結(jié)構(gòu)為在磁軛構(gòu)成的殼架中安裝永磁體和電磁線圈, 線圈中安置可在兩個穩(wěn)定位置間運(yùn)動的銜鐵,通過脈沖勵磁電路對可控硅控制 電容的充放電,使在電磁線圈上產(chǎn)生正、反電脈沖,進(jìn)而分別產(chǎn)生與永久磁鐵 同向或反向的磁場時,銜鐵將分別運(yùn)動到兩穩(wěn)定位置,從而帶動執(zhí)行構(gòu)件實現(xiàn) 所需的電路分、合控制。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)的永磁式接觸器脈沖勵磁電路原理圖,如圖1所示,現(xiàn)有 的永磁式交流接觸器的脈沖勵磁電路,主要包括整流電路、第一壓敏電阻觸發(fā) 電路、第二壓敏電阻取樣電路、三極管放大電路、線圈電容串聯(lián)成的充放電電 路、以及可控硅正反向脈沖勵磁回路;整流電路的輸出接觸發(fā)電路,觸發(fā)電路 跨接在正向勵磁可控硅DG1的正極和觸發(fā)極之間;正向勵磁可控硅DG1的輸出
通過充放電電路的線圈L和電容C4、 C5構(gòu)成正向勵磁回路;第二壓敏電阻YR2 的標(biāo)定電壓要小于第一壓敏電阻YR1,整流電路的輸出接取樣電路,取樣電路的 輸出接放大電路三極管Q1的基極,放大電路跨接在反向勵磁可控硅DG2的負(fù)極 和觸發(fā)極之間,反向勵磁可控硅DG2的輸出通過充放電電路的電容C4、 C5和線 圈L構(gòu)成反向勵磁回路。
上述脈沖勵磁電路借助取樣電路控制的三極管Q1鉗位反向勵磁可控硅DG2, 并利用第一壓敏電阻YR1和第二壓敏龜阻YR2的差值,確保了在執(zhí)行構(gòu)件分、 合操作中正、反電脈沖的可控硅不會同時導(dǎo)通,保證了脈沖勵磁電路的可靠性 及抗干擾能力;其次,通過銜鐵、磁軛結(jié)構(gòu)以及運(yùn)動位置關(guān)系的改變,簡化了
結(jié)構(gòu),保證了操動機(jī)構(gòu)合閘控制位置狀態(tài)的穩(wěn)定可靠。
雖然上述的永磁式接觸器脈沖勵磁電路具有諸多優(yōu)點(diǎn),但是由于電路中電
容C3容量較小,只能起到濾波作用,在電路突然瞬間斷電的情況下,其向外釋 放的電量較小,不能維持三極管Q1基級的電壓,反向可控硅DG2因電壓降低而 導(dǎo)通,使得接觸器立即釋放,抗晃電(電路瞬時斷電)功能較差。
實用新型內(nèi)容
為解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,本實用新型的目的在于提供一種具有無自鎖 觸點(diǎn)延時釋放功能的永磁式接觸器,可以控制接觸器延時釋放。
為實現(xiàn)土述目的,本實用新型是通過以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)的 一種無自鎖觸點(diǎn)延時釋放永磁式接觸器,包括永磁體、磁軛、線圈、銜鐵 和脈沖勵磁電路,所述的脈沖勵磁電路包括整流電路、第一壓敏電阻觸發(fā)電路、 第二壓敏電阻取樣電路、三極管放大電路、線圈電容串聯(lián)成的充放電電路、以 及可控硅正反向脈沖勵磁回路;整流電路的輸出接正向勵磁可控硅的正極,正 向勵磁可控硅的輸出通過充放電電路的線圈和電容構(gòu)成正向勵磁回路;第二壓 敏電阻的標(biāo)定電壓要小于第一壓敏電阻,整流電路的輸出接取樣電路,取樣電 路的輸出接放大電路三極管的基極,放大電路跨接在反向勵磁可控硅的負(fù)極和 觸發(fā)極之間,反向勵磁可控硅的輸出通過充放電電路的電容和線圈構(gòu)成反向勵
磁回路;其特征在于在取樣電路中的電容旁并聯(lián)一個容量較大的電容,在并聯(lián) 的電容和取樣電阻之間增設(shè)一個開關(guān)按鈕;觸發(fā)電路跨接在正向勵磁可控硅的 觸發(fā)極和取樣電路之間,在觸發(fā)電路與取樣電路的開關(guān)按鈕之間設(shè)有另一個開 關(guān)按鈕。
前述的無自鎖觸點(diǎn)延時釋放永磁式接觸器,其特征在于所述取樣電路輸入 端與地之間接電阻構(gòu)成的吸收電網(wǎng)干擾雜波電路。
前述的無自鎖觸點(diǎn)延時釋放永磁式接觸器,其特征在于所述正向勵磁可控 硅的負(fù)極和觸發(fā)極之間接反向偏壓二極管。
前述的無自鎖觸點(diǎn)延時釋放永磁式接觸器,其特征在于所述正向勵磁可控 硅與線圈旁并聯(lián)用以保持放電電壓的電阻。
前述的無自鎖觸點(diǎn)延時釋放永磁式接觸器,其特征在于所述線圈兩端并聯(lián)
第三壓敏電阻。
前述的無自鎖觸點(diǎn)延時釋放永磁式接觸器,其特征在于所述充放電電路的 電容旁分別并聯(lián)一只電阻。
本實用新型的有益效果是本實用新型通過在取樣電路中增設(shè)容量較大的 電容,在電容和取樣電阻之間增設(shè)開關(guān),將觸發(fā)電路的輸入改接在取樣電路上, 可以實現(xiàn)接觸器斷電延時釋放,并可自由選擇接觸器的延時釋放和瞬時釋放功 能;另外通過改變電容容量和取樣電阻阻值,可以調(diào)節(jié)接觸器延時釋放時間, 適用范圍廣。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的永磁式接觸器脈沖勵磁電路原理圖; 圖2為本實用新型的永磁式接觸器脈沖勵磁電路原理圖。
具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本實用新型作進(jìn)一步的說明。
圖2為本實用新型的永磁式接觸器脈沖勵磁電路原理圖。如圖2所示,本 實用新型的無自鎖觸點(diǎn)延時釋放永磁式接觸器,包括永磁體、磁軛、線圈、銜 鐵和脈沖勵磁電路。脈沖勵磁電路中,四只二極管Dl-D4組成橋式整流電路, 整流電路的輸出接正向勵磁可控硅DG1的正極,該正向勵磁可控硅DG1的輸出 與串聯(lián)的線圈L和充放電電容C4、 C5構(gòu)成正向勵磁回路。此外,整流電路的輸 出還接按序串聯(lián)的第二壓敏電阻YR2、 二極管D9、取樣電阻R14構(gòu)成的取樣電 路(第二壓敏電阻YR2的標(biāo)定值小于第一壓敏電阻YR1)。在取樣電路上接一個 電容C3,起濾波作用;在電容C3邊上并聯(lián)一個容量較大的電容C31,其容量大 于電容C3的容量。在電容C3、 C31與取樣電阻R14之間設(shè)有開關(guān)按鈕TA,可以 選擇控制接觸器的延時或瞬時釋放。限流電阻R13與第一壓敏電阻YR1串聯(lián)構(gòu) 成的觸發(fā)電路接于取樣電路與正向勵磁可控硅DG1的觸發(fā)極之間,在觸發(fā)電路 與取樣電路之間設(shè)有另一個開關(guān)按鈕QA。取樣電路的輸出接放大電路三極管Q1 的基極,該三極管QI的集電極和發(fā)射極跨接在反向勵磁可控硅DG2的觸發(fā)極和 負(fù)極之間,串聯(lián)的充放電電容C4、 C5和線圈L通過二極管D7、電阻R4、 二極 管D8以及電阻R5、 R6與反向勵磁可控硅DG2構(gòu)成反向勵磁回路。
工作中,當(dāng)電源電壓超過取樣電路的第二壓敏電阻YR2的標(biāo)定電壓時,第 二壓敏電阻YR2導(dǎo)通,第二壓敏電阻YR2導(dǎo)通后,電源經(jīng)第二壓敏電阻YR2正 向向電容C31充電,同時流過開關(guān)按鈕TA、取樣電阻R14,使三極管Q1基級有 工作電壓。此時,三極管Q1處于導(dǎo)通狀態(tài),反向勵磁可控硅DG2觸發(fā)極無電壓。 按動開關(guān)按鈕QA,使第一壓敏電阻YR1導(dǎo)通,正向勵磁可控硅DG1觸發(fā)極有電 壓形成導(dǎo)通,向線圈L充電勵磁,接觸器的銜鐵工作到吸合位置,實現(xiàn)所需的 電路合閘控制,充放電電容C4、 C5充滿后,觸發(fā)電路失壓,正向勵磁可控硅DG2 截止,停止充電勵磁,此時取樣電路必然使放大電路導(dǎo)通,從而確保反向勵磁 可控硅DG2截止,此后即使電源電壓在一定范圍波動,封閉磁回路也能保持銜 鐵的穩(wěn)態(tài)合閘。當(dāng)電源電壓低于預(yù)定值或斷電時,取樣電路可使放大電路截止, 從而使反向勵磁可控硅DG2導(dǎo)通,充放電電容C4、 C5放電,使線圈L反向勵磁, 銜鐵運(yùn)動到另一穩(wěn)態(tài)位置,實現(xiàn)所需的電路分閘控制,此時正向勵磁可控硅DG1 必然截止。當(dāng)電路突然斷電時,電容C31 (容量較大)向外放電,維持三極管 Ql的基級電壓,反向勵磁可控硅DG2不能導(dǎo)通,接觸器保持吸合狀態(tài)。當(dāng)電容 C31的電量放完后,三極管Q1基級失電而截止,此時充放電電容C4、 C5放電, 經(jīng)電阻R9、 R10觸發(fā)反向勵磁可控硅DG2導(dǎo)通,接觸器釋放,完成分閘。如果 在電容C31沒有放電完畢的情況下,電路恢復(fù)供電,由于三極管Q1基級始終有 取樣電壓,接觸器始終處于吸合狀態(tài),對電路的瞬時斷電(晃電)有很好的抗 拒作用,保證電路的工作正常。同時可以通過調(diào)整電容C31的容量和取樣電阻 R14的阻值,來調(diào)節(jié)延時釋放的時間。電容容量大,放電時間長,容量小,放電 時間短。電阻的阻值直接影響三極管Ql的基級電壓,三極管Ql基級電壓高, 放電加快,延時時間縮短;三極管Q1基級電壓低,放電減慢,延時時間加長。 可以根據(jù)需要來進(jìn)行調(diào)整組合,方便實用。
開關(guān)按鈕TA控制接觸器的延時或瞬時釋放。按動開關(guān)按鈕TA時,電容C31 的放電電路被切斷,接觸器瞬時釋放;當(dāng)電路突然斷電,開關(guān)按鈕TA閉合的情 況下,才能實現(xiàn)電路的延時釋放功能。
此外,以上電路還具有如下特點(diǎn)
1、取樣電路輸入端與地之間接串聯(lián)電阻Rl、 R2構(gòu)成的吸收電網(wǎng)干擾雜波電路,用于吸收電網(wǎng)干擾雜波,從而增強(qiáng)整個電路的抗千擾能力;
2、 在正向勵磁可控硅DG1的負(fù)極和觸發(fā)極之間接二極管D6、 D7,因此在電 容放電反向勵磁時,可以在正向勵磁可控硅DG1因其負(fù)極和觸發(fā)極之間有一反 偏電壓而進(jìn)一步保證截止;
3、 線圈L兩端并聯(lián)第三壓敏電阻YR3,可以防止因正向勵磁可控硅DG1快 速截止而產(chǎn)生在線圈兩端的過電壓損壞電子元件;
4、 在充放電電容C4、 C5旁各并聯(lián)一只電阻Rll、 R12,以避免電容均壓不 等而導(dǎo)致其中之一過電壓;
5、 正向勵磁可控硅DG1與線圈L旁并聯(lián)阻值較大的電阻R3,可以彌補(bǔ)損耗, 保持充放電電容C4、 C5具有足夠的放電電壓。
除上述實施例外,本實用新型還可以有其他實施方式。凡采用等同替換或 等效變換形成的技術(shù)方案,均落在本實用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1、無自鎖觸點(diǎn)延時釋放永磁式接觸器,包括永磁體、磁軛、線圈、銜鐵和脈沖勵磁電路,所述的脈沖勵磁電路包括整流電路、第一壓敏電阻觸發(fā)電路、第二壓敏電阻取樣電路、三極管放大電路、線圈電容串聯(lián)成的充放電電路、以及可控硅正反向脈沖勵磁回路;整流電路的輸出接正向勵磁可控硅的正極,正向勵磁可控硅的輸出通過充放電電路的線圈和電容構(gòu)成正向勵磁回路;第二壓敏電阻的標(biāo)定電壓要小于第一壓敏電阻,整流電路的輸出接取樣電路,取樣電路的輸出接放大電路三極管的基極,放大電路跨接在反向勵磁可控硅的負(fù)極和觸發(fā)極之間,反向勵磁可控硅的輸出通過充放電電路的電容和線圈構(gòu)成反向勵磁回路;其特征在于在取樣電路中的電容旁并聯(lián)一個容量較大的電容,在并聯(lián)的電容和取樣電阻之間增設(shè)一個開關(guān)按鈕;觸發(fā)電路跨接在正向勵磁可控硅的觸發(fā)極和取樣電路之間,在觸發(fā)電路與取樣電路的開關(guān)按鈕之間設(shè)有另一個開關(guān)按鈕。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的無自鎖觸點(diǎn)延時釋放永磁式接觸器,其特征在于 所述取樣電路輸入端與地之間接電阻構(gòu)成的吸收電網(wǎng)干擾雜波電路。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的無自鎖觸點(diǎn)延時釋放永磁式接觸器,其特征在于 所述正向勵磁可控硅的負(fù)極和觸發(fā)極之間接反向偏壓二極管。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的無自鎖觸點(diǎn)延時釋放永磁式接觸器,其特征在于 所述正向勵磁可控硅與線圈旁并聯(lián)用以保持放電電壓的電阻。
5、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的無自鎖觸點(diǎn)延時釋放永磁式接觸器,其特征在于 所述線圈兩端并聯(lián)第三壓敏電阻。
6、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的無自鎖觸點(diǎn)延時釋放永磁式接觸器,其特征在于 所述充放電電路的電容旁分別并聯(lián)一只電阻。
專利摘要本實用新型涉及一種無自鎖觸點(diǎn)延時釋放永磁式接觸器,包括永磁體、磁軛、線圈、銜鐵和脈沖勵磁電路,所述的脈沖勵磁電路包括整流電路、第一壓敏電阻觸發(fā)電路、第二壓敏電阻取樣電路等;其特征在于在取樣電路中的電容旁并聯(lián)一個容量較大的電容,在并聯(lián)的電容和取樣電阻之間增設(shè)一個開關(guān)按鈕;觸發(fā)電路跨接在正向勵磁可控硅的觸發(fā)極和取樣電路之間,在觸發(fā)電路與取樣電路的開關(guān)按鈕之間設(shè)有另一個開關(guān)按鈕。本實用新型通過增設(shè)電容,在電容和取樣電阻之間增設(shè)開關(guān),觸發(fā)電路的輸入改接在取樣電路上,實現(xiàn)接觸器斷電延時釋放,并可自由選擇延時和瞬時釋放功能;另外通過改變電容容量和取樣電阻阻值,可以調(diào)節(jié)接觸器延時釋放時間,適用范圍廣。
文檔編號H01H47/22GK201191586SQ20082003114
公開日2009年2月4日 申請日期2008年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月29日
發(fā)明者吳紀(jì)福, 張春榮, 力 蔣 申請人:江蘇中金電器設(shè)備有限公司
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