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一種用于減輕ktp晶體灰跡效應(yīng)的裝置及方法

文檔序號(hào):6900760閱讀:488來源:國知局
專利名稱:一種用于減輕ktp晶體灰跡效應(yīng)的裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及激光技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種用于減輕KTP晶體灰跡效應(yīng)的裝 置及方法。
背景技術(shù)
在激光技術(shù)領(lǐng)域,通過非線性頻率轉(zhuǎn)換的方式將Nd:YAG激光輸出的 1064nrn激光束二倍頻轉(zhuǎn)換為532nm的綠光,是獲得綠光輸出的簡單易行的方 法。倍頻過程中只有將入射光束以比較小的半徑會(huì)聚在KTP晶體中,提高基頻 光的峰值功率密度,才能獲得較高的倍頻轉(zhuǎn)換效率。但是在使用調(diào)Q方式工作 的激光器作為基頻光源時(shí),如果會(huì)聚光束半徑過小,就會(huì)在KTP晶體中產(chǎn)生灰 跡效應(yīng)?;役E效應(yīng)產(chǎn)生后,不僅會(huì)降低倍頻轉(zhuǎn)換效率,還會(huì)降低綠光的光束質(zhì) 量。而且灰跡效應(yīng)形成后,會(huì)造成KTP晶體在整個(gè)可見光光譜范圍內(nèi)吸收系數(shù) 的增加,在對(duì)1064nm激光倍頻的過程中,還可能造成KTP晶體的損傷。
現(xiàn)有技術(shù)在使用KTP晶體倍頻時(shí),通常采用單透鏡會(huì)聚的方式,并將KTP 晶體的前表面置于入射光經(jīng)透鏡會(huì)聚后的焦點(diǎn)處。如果在倍頻過程中產(chǎn)生了灰 跡效應(yīng),則將會(huì)聚透鏡更換為焦距更長的透鏡,從而增大在焦點(diǎn)處的入射光光 束半徑,進(jìn)而消除灰跡效應(yīng)。這種技術(shù)雖然可以避免灰跡效應(yīng)的產(chǎn)生,但同時(shí) 也降低了綠光的輸出功率和倍頻轉(zhuǎn)換效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供了一種用于減輕KTP晶體灰 跡效應(yīng)的裝置及方法。使用本發(fā)明的裝置和方法可以提高激光倍頻轉(zhuǎn)換效率同 時(shí)又可以獲得好的綠光光束質(zhì)量。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的 一種用于減輕KTP晶體灰跡 效應(yīng)的裝置,它主要由在同一光軸上依次放置的第一透鏡、第二透鏡和KTP晶 體組成;其中,所述第一透鏡和第二透鏡組成望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng),第一透鏡和第二透鏡的焦距分別為f產(chǎn)30 500mm、 f產(chǎn)15 500mm。第一透鏡1和第二透鏡2之間的 距離為d「 &+ f2=45 1000mm。
一種應(yīng)用上述裝置來減輕KTP晶體灰跡效應(yīng)的方法,包括以下步驟
1) 選擇某一望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng)會(huì)聚比(fVf2),使入射激光束經(jīng)過望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng)后產(chǎn) 生會(huì)聚,由遠(yuǎn)及近地將KTP晶體向激光束的會(huì)聚點(diǎn)靠近,直到產(chǎn)生灰跡效應(yīng)為 止,記錄下整個(gè)過程中不產(chǎn)生灰跡效應(yīng)的最高的綠光輸出功率和倍頻轉(zhuǎn)換效率。
2) 如果在步驟1中始終未產(chǎn)生灰跡效應(yīng),則增加望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng)的會(huì)聚比,將 入射激光束進(jìn)一步會(huì)聚,重復(fù)步驟l,記錄下整個(gè)過程中不產(chǎn)生灰跡效應(yīng)的最高 的綠光輸出功率和倍頻轉(zhuǎn)換效率。
3) 如果在步驟1中過早產(chǎn)生灰跡效應(yīng)導(dǎo)致倍頻轉(zhuǎn)換效率較低,則可以增加 或者減小望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng)的會(huì)聚比,重復(fù)步驟l,記錄下整個(gè)過程中不產(chǎn)生灰跡效應(yīng) 的最高的綠光輸出功率和倍頻轉(zhuǎn)換效率。
4) 重復(fù)步驟2、 3,直至在不產(chǎn)生灰跡效應(yīng)的條件下獲得最高的綠光輸出功 率和倍頻轉(zhuǎn)換效率。
本發(fā)明具有的有益效果是本發(fā)明可以避免晶體中產(chǎn)生灰跡效應(yīng),從而獲 得較高的倍頻效率和好的綠光光束質(zhì)量。裝置簡單,沒有任何特殊的光學(xué)元件, 使用普通的商用透鏡即可實(shí)現(xiàn)。方法操作簡單,只需要由遠(yuǎn)及近地連續(xù)調(diào)節(jié)KTP 晶體和會(huì)聚系統(tǒng)之間的距離,即可以獲得最佳的結(jié)果。


圖1是本發(fā)明用于減輕KTP晶體灰跡效應(yīng)的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖; 圖2是實(shí)施例1采用會(huì)聚比為4:3的望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng)得到的綠光輸出功率及灰跡效 應(yīng)產(chǎn)生的效果圖3是實(shí)施例2采用會(huì)聚比為2:1的望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng)得到的綠光輸出功率及灰跡效 應(yīng)產(chǎn)生的效果圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的原理是使用KTP晶體進(jìn)行倍頻的過程中,是否產(chǎn)生灰跡效應(yīng)取 決于綠光光強(qiáng)的強(qiáng)弱。KTP晶體中綠光的光強(qiáng)是逐步增加的,在KTP晶體的出 射面處綠光的光強(qiáng)達(dá)到最大值。為了消除灰跡效應(yīng),就需要增加KTP晶體出射 面處綠光的光束半徑。同時(shí),為了獲得高的倍頻轉(zhuǎn)換效率,又要求在KTP晶體入射面上基頻光的光束半徑比較小。因此,本發(fā)明在使用KTP晶體進(jìn)行倍頻的 過程采用了強(qiáng)會(huì)聚的方式,并且沒有將KTP晶體置于入射光經(jīng)過會(huì)聚系統(tǒng)后的 焦點(diǎn)處,而是從遠(yuǎn)離焦點(diǎn)的位置處由遠(yuǎn)及近地連續(xù)調(diào)節(jié)KTP晶體和會(huì)聚系統(tǒng)之 間的距離,直至在不產(chǎn)生灰跡效應(yīng)的條件下獲得最高的綠光輸出功率和倍頻轉(zhuǎn) 換效率。
下面根據(jù)附圖詳細(xì)說明本發(fā)明,本發(fā)明的目的和效果將變得更加明顯。
如圖l所示,本發(fā)明用于減輕KTP晶體灰跡效應(yīng)的裝置主要由在同一光軸 上依次放置的第一透鏡l、第二透鏡2和KTP晶體3組成。
所述的第一透鏡1和第二透鏡2組成望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng),第一透鏡1和第二透鏡2 的焦距分別為f產(chǎn)30 500mm, f2=15~500mm,第一透鏡1和第二透鏡2之間的距 離為d產(chǎn)f2=45 1000mm。
本發(fā)明用于減輕KTP晶體灰跡效應(yīng)的方法包括以下步驟-
1) 選擇某一望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng)會(huì)聚比(&zT2),使入射激光束經(jīng)過望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng)后產(chǎn) 生會(huì)聚,由遠(yuǎn)及近地將KTP晶體向激光束的會(huì)聚點(diǎn)靠近,直到產(chǎn)生灰跡效應(yīng)為 止,記錄下整個(gè)過程中不產(chǎn)生灰跡效應(yīng)的最高的綠光輸出功率和倍頻轉(zhuǎn)換效率;
2) 如果在步驟1中始終未產(chǎn)生灰跡效應(yīng),則增加望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng)的會(huì)聚比,將 入射激光束進(jìn)一步會(huì)聚,重復(fù)步驟l,記錄下整個(gè)過程中不產(chǎn)生灰跡效應(yīng)的最高 的綠光輸出功率和倍頻轉(zhuǎn)換效率;
3) 如果在步驟1中過早產(chǎn)生灰跡效應(yīng)導(dǎo)致倍頻轉(zhuǎn)換效率較低,則可以增加 或者減小望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng)的會(huì)聚比,重復(fù)步驟l,記錄下整個(gè)過程中不產(chǎn)生灰跡效應(yīng) 的最高的綠光輸出功率和倍頻轉(zhuǎn)換效率;
4) 重復(fù)步驟2、 3,直至在不產(chǎn)生灰跡效應(yīng)的條件下獲得最高的綠光輸出功 率和倍頻轉(zhuǎn)換效率。
下面根據(jù)具體實(shí)施例進(jìn)一歩說明本發(fā)明。 實(shí)施例1:
在實(shí)驗(yàn)中使用的基頻光光源為Nd:YAG激光器,以聲光調(diào)Q方式工作,重 復(fù)頻率6kHz 15kHz可調(diào),脈沖寬度150ns 250ns,輸出功率48W 61W。所使 用的KTP晶體的尺寸為5X5X15mm,晶體的切角為6>=90° , 0=23.5° ,放 置在加熱爐中,溫度控制恒定在60°C。望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng)中第一透鏡1的焦距為 f產(chǎn)200mm,到激光器輸出鏡的距離為200mm,通過改變第二透鏡2的焦距6來 改變望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng)的會(huì)聚比,從而控制KTP晶體中的激光光束半徑,第一透鏡l 和第二透鏡2之間的距離為f2。
KTP晶體3的前表面到第二透鏡2的距離為d2。圖2示出了在望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng)為f2=150mm,會(huì)聚比(f/f2)為4'.3的情況下,倍頻輸出的 綠光功率隨脈沖重復(fù)頻率的變化關(guān)系。從圖2可以看出,綠光的輸出功率隨著 脈沖重復(fù)頻率的減小而增加,雖然重復(fù)頻率的減小會(huì)使得基頻光的平均功率也 減小,但是單脈沖的峰值功率卻增加了,這樣會(huì)帶來倍頻效率的增加。在 d產(chǎn)230mm的情況下, 一直未產(chǎn)生灰跡效應(yīng),但是綠光輸出功率不高,最大值為 13W,造成這樣結(jié)果的原因是,KTP晶體距離光束焦點(diǎn)處比較遠(yuǎn),KTP晶體內(nèi) 光束半徑較大,基頻光的功率密度不夠高。為了改進(jìn)實(shí)驗(yàn)結(jié)果,可以使KTP晶 體更加靠近光束的焦點(diǎn),即減小KTP晶體中的光束半徑,從圖2的結(jié)果可以看 出,在d2=220mm的情況下,綠光輸出功率明顯增加,但是隨著脈沖重復(fù)頻率 的進(jìn)一步減小(圖中10kHz 11.5kHz),產(chǎn)生了明顯的灰跡效應(yīng)。灰跡效應(yīng)產(chǎn)生 后,輸出綠光的光強(qiáng)分布就不再是高斯分布,而是在光束中心出現(xiàn)了空心,測 量得到的光束質(zhì)量因子為M2=12。如果進(jìn)一步減小d2值,灰跡效應(yīng)就變得更加 明顯。
因此,采用強(qiáng)會(huì)聚的方式倍頻, 一個(gè)很關(guān)鍵的因素是KTP晶體的前表面到
第二透鏡2的距離d2,如果d2過小,會(huì)造成明顯的灰跡效應(yīng),如果d2過大,會(huì)
造成倍頻效率的降低,其最佳值需要在實(shí)驗(yàn)中根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果選擇。 實(shí)施例2
圖3示出了在望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng)的會(huì)聚比為2:1情況下(第二透鏡2的焦距為 100mm), d2值不同的時(shí)候,倍頻輸出的綠光功率隨脈沖重復(fù)頻率的變化關(guān)系。 從圖3中可以看出,隨著d2的減小,倍頻效率也逐漸增加,當(dāng)d2-170mm時(shí), 倍頻效率達(dá)到最大值,在9kHz的條件下獲得了 18W的綠光,隨著脈沖重復(fù)頻 率的進(jìn)一步減小,在7.5kHz的情況下出現(xiàn)了灰跡效應(yīng)。如果繼續(xù)減小d2值,灰 跡效應(yīng)就變得更加明顯,在這種實(shí)驗(yàn)條件下,dfl70mm就是最佳值,即在不產(chǎn) 生灰跡效應(yīng)的條件下獲得了最高的綠光輸出功率和倍頻轉(zhuǎn)換效率。
使用Spiricon公司的M2-200光束質(zhì)量分析儀測量了輸出綠光的光束質(zhì)量, 實(shí)驗(yàn)測量得到的綠光光束的衍射倍率因子為M2=1.6,輸出綠光的遠(yuǎn)場光強(qiáng)分布 接近理想的高斯分布。
上述實(shí)施例用來解釋說明本發(fā)明,而不是對(duì)本發(fā)明進(jìn)行限制,在本發(fā)明的 精神和權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi),對(duì)本發(fā)明作出的任何修改和改變,都落入本發(fā) 明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1. 一種用于減輕KTP晶體灰跡效應(yīng)的裝置,其特征在于,它主要由在同一光軸上依次放置的第一透鏡、第二透鏡和KTP晶體組成。其中,所述第一透鏡和第二透鏡組成望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng),第一透鏡和第二透鏡的焦距分別為f1=30~500mm、f2=15~500mm。第一透鏡1和第二透鏡2之間的距離為d1=f1+f2=45~1000mm。
2. —種應(yīng)用權(quán)利要求1所述裝置來減輕KTP晶體灰跡效應(yīng)的方法,其特征在于, 包括以下步驟1) 選擇某一望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng)會(huì)聚比使入射激光束經(jīng)過望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng)后產(chǎn) 生會(huì)聚,由遠(yuǎn)及近地將KTP晶體向激光束的會(huì)聚點(diǎn)靠近,直到產(chǎn)生灰跡效應(yīng)為 止,記錄下整個(gè)過程中不產(chǎn)生灰跡效應(yīng)的最高的綠光輸出功率和倍頻轉(zhuǎn)換效率。2) 如果在步驟1中始終未產(chǎn)生灰跡效應(yīng),則增加望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng)的會(huì)聚比,將 入射激光束進(jìn)一步會(huì)聚,重復(fù)步驟l,記錄下整個(gè)過程中不產(chǎn)生灰跡效應(yīng)的最高 的綠光輸出功率和倍頻轉(zhuǎn)換效率。3) 如果在步驟1中過早產(chǎn)生灰跡效應(yīng)導(dǎo)致倍頻轉(zhuǎn)換效率較低,則可以增加 或者減小望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng)的會(huì)聚比,重復(fù)步驟l,記錄下整個(gè)過程中不產(chǎn)生灰跡效應(yīng) 的最高的綠光輸出功率和倍頻轉(zhuǎn)換效率。4) 重復(fù)步驟2、 3,直至在不產(chǎn)生灰跡效應(yīng)的條件下獲得最高的綠光輸出功 率和倍頻轉(zhuǎn)換效率。
全文摘要
本發(fā)明一種用于減輕KTP晶體灰跡效應(yīng)的裝置及方法,該裝置主要由在同一光軸上依次放置的第一透鏡、第二透鏡和KTP晶體組成,本發(fā)明可以避免晶體中產(chǎn)生灰跡效應(yīng),從而獲得較高的倍頻效率和好的綠光光束質(zhì)量。裝置簡單,沒有任何特殊的光學(xué)元件,使用普通的商用透鏡即可實(shí)現(xiàn)。方法操作簡單,只需要由遠(yuǎn)及近地連續(xù)調(diào)節(jié)KTP晶體和會(huì)聚系統(tǒng)之間的距離,即可以獲得最佳的結(jié)果。
文檔編號(hào)H01S3/109GK101431214SQ200810163439
公開日2009年5月13日 申請(qǐng)日期2008年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月22日
發(fā)明者崇 劉, 葛劍虹, 軍 陳 申請(qǐng)人:浙江大學(xué)
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