專利名稱：晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種具有一抗形變層的晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(Light-emitting Diode; LED)為一種固態(tài)半導(dǎo)體元件，其 至少包含一p-n結(jié)(p-n junction),此p-n結(jié)形成于p型與n型半導(dǎo)體層之間。 當(dāng)于p-n結(jié)上施加一定程度的偏壓時(shí)，p型半導(dǎo)體層中的空穴與n型半導(dǎo)體 層中的電子會(huì)結(jié)合而釋放出光。此光產(chǎn)生的區(qū)域一般又稱為發(fā)光區(qū) (light-emitting region )。
LED的主要特征在于尺寸小、發(fā)光效率高、壽命長(zhǎng)、反應(yīng)快速、可靠度 高和色度良好，目前已經(jīng)廣泛使用在電器、汽車、招牌和交通號(hào)志上。隨著 全彩LED的問(wèn)世，LED已逐漸取代傳統(tǒng)的照明設(shè)備，如熒光燈和白熱燈泡。
液晶顯示器(Liquid Crystal Display; LCD)已被廣泛地使用于各項(xiàng)電子 產(chǎn)品，如桌上型或筆記型電腦、移動(dòng)式電話、車用導(dǎo)航系統(tǒng)和電視等熒幕。 一般的設(shè)計(jì)里，LCD的光源是由背光模塊(Back Light Unit; BLU)提供，LED 則為BLU的主要光源之一。當(dāng)顯示器的尺寸朝向薄型化的趨勢(shì)發(fā)展，對(duì)于 LED厚度的要求也走向愈薄愈好。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)，包含一支持基板； 一抗形變層，位于支 持基板之上； 一粘結(jié)層，位于抗形變層之上；及一發(fā)光疊層，位于粘結(jié)層之 上，其中抗形變層可減少或消除支持基板被薄化所產(chǎn)生的變形。
本發(fā)明提供一種制造晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)的方法，包含提供一支持基板；形成 一抗形變層于支持基板之上；形成一發(fā)光疊層于一成長(zhǎng)基板之上；形成一反 射層于發(fā)光疊層之上；通過(guò)一粘結(jié)層接合反射層與抗形變層；移除成長(zhǎng)基板； 形成一保護(hù)層于發(fā)光疊層之上，再進(jìn)行薄化支持基板。其中還可在粘結(jié)層及發(fā)光疊層之間形成一反射層，或在發(fā)光疊層與支持基板之上形成一保護(hù)層。


圖1A為顯示本發(fā)明 一 實(shí)施例的晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖1B~1 C為顯示本發(fā)明 一實(shí)施例的晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)的變形剖面圖。
圖1D 1E為顯示本發(fā)明 一 實(shí)施例的晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖2A 2B為顯示本發(fā)明另一實(shí)施例的晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖3為示意圖，顯示利用切割本發(fā)明實(shí)施例的晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)而產(chǎn)生的棵
芯所組成的 一 光源產(chǎn)生裝置的示意圖。
圖4為示意圖，顯示利用切割本發(fā)明實(shí)施例的晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)而產(chǎn)生的棵
芯所組成的一背光模塊的示意圖。
圖5為顯示本發(fā)明的晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)制造方法的流程圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明
支持基板10, 20
交界處16
上表面幾何中心點(diǎn)17
下表面幾何中心點(diǎn)18
抗形變層11,21
粘結(jié)層12， 22
發(fā)光疊層13,23
反射層14, 24
保護(hù)層15,25
第一束縛層131,231
發(fā)光層132， 232
第二束縛層133,233光源產(chǎn)生裝置3
光源31
電源供應(yīng)系統(tǒng)32
控制元件33
背光模塊4光學(xué)元件 41
厚度 h
形變高度 d
第一墊片 a
第二墊片 b
具體實(shí)施例方式
圖1A所示為一晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)的部分示意圖。晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)1包含一支 持基板10; —抗形變層ll，位于支持基板10之上； 一粘結(jié)層12,位于抗形 變層ll之上； 一發(fā)光疊層13,位于粘結(jié)層12之上。其中，抗形變層ll可 以減少或消除支持基板IO被薄化所產(chǎn)生的變形。
支持基板IO在發(fā)光疊層13的成長(zhǎng)基板移除后用以承載發(fā)光疊層13，其 材料依產(chǎn)品設(shè)計(jì)、特性或要求可包含但不限于金屬、電絕緣材料、復(fù)合材料、 金屬基復(fù)合材料(Metal Matrix Composite; MMC)、陶瓷基復(fù)合材料(Ceramic Matrix Composite; CMC)、硅(Si)、磷化碘(IP)、硒化鋅(ZnSe)、氮化鋁(AIN)、 砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)、磷化鎵(GaP)、石粦砷化鎵(GaAsP)、藍(lán)寶石 (Sapphire )、硒化鋅(ZnSe)、氧化鋅(ZnO)、磷化銦(InP)、鎵酸鋰(LiGa02)、 鋁酸鋰(LiA102)或此等材料的組合。其被薄化后的厚度大致上小于約70微 米，優(yōu)選地小于約40微米，更佳地小于約20微米。薄化是指使厚度減少， 例如在支持基板IO相對(duì)且遠(yuǎn)離發(fā)光疊層13的表面，通過(guò)研磨方式使支持基 板10從一般的厚度300微米減少至厚度約40孩￡米。
抗形變層11具有一消抗應(yīng)力，使得支持基板10經(jīng)薄化后，晶片發(fā)光結(jié) 構(gòu)l整體的應(yīng)力數(shù)值降低，以減少或消除變形。消抗應(yīng)力的產(chǎn)生是由于抗形 變層11的微觀結(jié)構(gòu)或分子的沉積缺陷而導(dǎo)致，例如支持基板10與抗形變層 U的晶格形狀不同，導(dǎo)致分子鍵結(jié)時(shí)形成晶格錯(cuò)位，因而產(chǎn)生消抗應(yīng)力。此 外，在抗形變層11沉積的過(guò)程中，分子之間的堆疊會(huì)形成孔洞，造成分子 排列錯(cuò)位，也會(huì)產(chǎn)生消抗應(yīng)力。圖1B所示，支持基板10以藍(lán)寶石為例，一 般厚度大約為300微米。然而為了特定目的，例如散熱，支持基板10會(huì)被 薄化，薄化后的支持基板10會(huì)產(chǎn)生一應(yīng)力，例如為一張應(yīng)力，使得支持基 板10變形翹曲成一凹狀，產(chǎn)生一形變高度d。已知晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)不包含抗形 變層11時(shí)，所產(chǎn)生的形變高度d較大，例如約為晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)的一厚度h的200倍，大約1厘米，因而影響后續(xù)的裸芯工藝，例如切割、劈裂與封裝 等的良率。形變高度d為晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)1的下表面與側(cè)邊的一交界處16至 一下表面幾何中心點(diǎn)18的高度差，厚度h為晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)1的一上表面幾 何中心點(diǎn)17至下表面幾何中心點(diǎn)18的高度差。在本實(shí)施例中，以圓形晶片 為例，上表面幾何中心點(diǎn)17和下表面幾何中心點(diǎn)18可分別為晶片上下表面 的圓心。在本實(shí)施例中，晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)1的抗形變層11的消抗應(yīng)力是為一 壓應(yīng)力，以降低形變高度d至最大約為晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)1的厚度h的10倍， 優(yōu)選約為5倍，更佳約為0倍，以減少或消除支持基板10的翹曲變形?？?形變層11的材料例如為GaN,晶片結(jié)構(gòu)厚度h為50微米時(shí)，可使形變高度 d不超過(guò)500微米。然而薄化后支持基板IO亦可產(chǎn)生壓應(yīng)力，如圖1C所示， 使得支持基板IO形成一凸?fàn)睿暺洳牧隙?。此時(shí)，抗形變層ll則須選用 可產(chǎn)生張應(yīng)力的材料，以減少或消除支持基板10的翹曲變形。以本實(shí)施例 為例，抗形變層11的厚度小于約30微米，優(yōu)選地小于約10微米，大于約2 微米，更佳地大于約3微米?？剐巫儗?1通過(guò)化學(xué)氣相沉積法(CVD)、有機(jī) 金屬化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)、氣相外延法(VPE)、液相外延法(LPE)、分 子束外延法(MBE)、等離子體化學(xué)氣相沉積法(PECVD)或其他類似方式沉積 于支持基板10的上。其材料包含但不限于氧化鋁(AlxOy)、氮化硅(SiNJ、氧 化硅(SiCg、氧化鈦(TiOx)、氮化鎵(GaN)或上述材料的組合。
粘結(jié)層12用以接合支持基板10與發(fā)光疊層13，可為金屬或非金屬材料。 若為金屬材料，粘結(jié)層12可具有反射光線的功能。其材料包含但不限于聚 酰亞胺(PI )、苯并環(huán)丁烯(BCB )、過(guò)氟環(huán)丁烷(PFCB )、環(huán)氧樹(shù)酯(Epoxy)、 其他有機(jī)粘結(jié)材料、銦(In)、錫(Sn)、鋁(A1)、金(Au)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、 鈦(Ti)、鉛(Pb)、把(Pd)、鍺(Ge)、銅(Cu)、鎳(Ni)、錫化金(AuSn)、銀化銦(InAg)、 金化銦(InAu)、鈹化金(AuBe)、鍺化金(AuGe)、鋅化金(AuZn)、錫化鉛(PbSn)、 銦化鈀(Pdln)或此等材料的組合。
發(fā)光疊層13至少包含一第一束縛層131，位于粘結(jié)層12之上； 一發(fā)光 層132，位于第一束縛層131之上；與一第二束縛層133,位于發(fā)光層132 之上。其中，第一束縛層131可為i型、p型或n型半導(dǎo)體，第二束縛層133 的電性則與第一束縛層131相異。發(fā)光層132的結(jié)構(gòu)可分為單異質(zhì)結(jié)構(gòu) (single heterostructure; SH)、只又異質(zhì)纟吉斗勾(double heterostructure; DH )、 雙側(cè)雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(double-side double heterostructure; DDH)、以及多層量子井(multi-quantum well; MQW)等，其材料包含{旦不限于II-VI族半導(dǎo)體 CdZnSe，或III-V族半導(dǎo)體，如AIGalnP、 A1N、 GaN、 AIGaN、 InGaN、 AIInGaN。
如圖ID所示，晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)1還包含反射層14,位于發(fā)光疊層13與 粘結(jié)層12之間或抗形變層11與粘結(jié)層12之間，可反射自發(fā)光疊層13射出 的光，其材料包含但不限于銦(In)、錫(Sn)、鋁(A1)、金(Au)、鈾(Pt)、鋅(Zn)、 銀(Ag)、鈦(Ti)、錫(Pb)、鍺(Ge)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鈹化金(AuBe)、鍺化金(AuGe)、 鋅化金(AuZn)、錫化鉛(PbSn)、此等材料的組合或布拉格反射層。
晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)1還包含一第一墊片a，位于第二束縛層133之上；與一 第二墊片b，位于支持基板10之下；此時(shí)，支持基板IO優(yōu)選地為一導(dǎo)體。 第一墊片a與第二墊片b分別與發(fā)光疊層13與支持基板10形成電性連接， 當(dāng)?shù)谝粔|片a與第二墊片b分別位于支持基板10的相異側(cè)，晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)1 為一垂直結(jié)構(gòu)。
如圖1E所示，第二束縛層133的表面可做粗化處理，以形成非平整表 面，增加光摘出效率。 一保護(hù)層15形成于發(fā)光疊層13之上，環(huán)繞第一墊片 a側(cè)壁并沿發(fā)光疊層13向外延伸，以保護(hù)發(fā)光疊層13與其下的其他結(jié)構(gòu)免 于受潮或震動(dòng)等傷害，也避免因打線造成的短路。保護(hù)層15的材料包含但 不限于介電材料、Su8、苯并環(huán)丁烯(BCB)、過(guò)氟環(huán)丁烷(PFCB)、環(huán)氧樹(shù) 脂(Epoxy)、丙烯酸樹(shù)脂(Acrylic Resin )、環(huán)烯烴聚合物(COC)、聚曱基 丙烯酸曱酯(PMMA)、聚對(duì)苯二曱酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚 醚酰亞胺(Polyetherimide )、 氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer )、硅月交 (Silicone),玻璃、氧化鋁、氧化硅、氧化鈦、SiNx、 Ti02、旋涂玻璃(SOG)、 此等材料的組合或其他透明材料。
另一實(shí)施例如圖2A所示， 一晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)2包含一支持基板20; —抗 形變層21，位于支持基板20之上； 一反射層24，位于抗形變層21之上； 一粘結(jié)層22，位于反射層24之上； 一發(fā)光疊層23,位于反射層24之上； 與一保護(hù)層25，位于發(fā)光疊層23之上。其中，抗形變層21可以減少或消除 支持基板20被研磨所產(chǎn)生的變形。
支持基板20在發(fā)光疊層23的成長(zhǎng)基板移除后用以承載發(fā)光疊層23,其 被薄化后的厚度小于大約70微米，優(yōu)選地小于約40微米，更佳地小于約20 微米。薄化是指使厚度減少，例如支持基板20從一般的厚度300微米被減 少至厚度40微米。當(dāng)薄化支持基板20時(shí)，抗形變層21具有一消抗應(yīng)力，使得支持基板20經(jīng)薄化后，晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)2整體的應(yīng)力數(shù)值降低，以減少 或消除變形。以本實(shí)施例為例，抗形變層21的厚度小于約30微米，優(yōu)選地 小于約10微米，大于約2微米，更佳地大于約3」微米。薄化后的支持基板 20會(huì)產(chǎn)生一形變高度，已知晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)不包含抗形變層21，所產(chǎn)生的形 變高度較大，例如為晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)的一厚度h的200倍，大約1厘米。形變 高度為晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)2的下表面與側(cè)邊的一交界處至一下表面幾何中心點(diǎn)的 高度差，厚度h為晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)2的下表面幾何中心點(diǎn)至一上表面幾何中心 點(diǎn)的高度差。在本實(shí)施例中，以圓形晶片為例，上下表面幾何中心點(diǎn)可為晶 片上下表面的圓心?？剐巫儗?1可降低形變高度至最大約為晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)2 的厚度h的10倍，優(yōu)選約為5倍，更佳約為O倍，以減少或消除支持基板 20的翹曲變形。例如厚度h為50微米時(shí)，抗形變層21可使形變高度不超過(guò) 500微米。粘結(jié)層22用以接合支持基板20與發(fā)光疊層23，可為金屬或非金 屬材料。反射層24可反射自發(fā)光疊層23射出的光。保護(hù)層25形成于發(fā)光 疊層23之上，分別環(huán)繞第一墊片a的側(cè)壁與第二墊片b的側(cè)壁并沿發(fā)光疊 層23向外延伸，以保護(hù)發(fā)光疊層23與其下的其他結(jié)構(gòu)免于受潮或震動(dòng)等傷 害，也避免因打線造成的短路。
發(fā)光疊層23至少包含一第一束縛層231、一發(fā)光層232與一第二束縛層 233。發(fā)光疊層23被蝕刻棵露出部分第一束縛層231，此時(shí)， 一第一墊片a 位于第二束縛層233之上，而且一第二墊片b位于第一束縛層231棵露的部 分上，支持基板20優(yōu)選地為絕緣，例如為一絕緣體或?yàn)橐粚?dǎo)體上覆絕緣層。 如圖2B所示，第二束縛層233的表面可做粗化處理,以形成非平整表面， 增加光摘出效率。當(dāng)?shù)谝粔|片a與第二墊片b分別位于支持基板20的相同 側(cè)，晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)2為一水平結(jié)構(gòu)。
圖3為繪示出一光源產(chǎn)生裝置示意圖，該光源產(chǎn)生裝置3包含切割本發(fā) 明任一實(shí)施例中的一晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的棵芯。該光源產(chǎn)生裝置3可以是 一照明裝置，例如路燈、車燈、或室內(nèi)照明光源，也可以是交通號(hào)志、或一 平面顯示器中背光模塊的一背光光源。該光源產(chǎn)生裝置3包含前述棵芯組成 的一光源31、電源供應(yīng)系統(tǒng)32以供應(yīng)光源31 —電流、以及一控制元件343, 用以控制電源供應(yīng)系統(tǒng)32。
圖4為繪示出一背光模塊剖面示意圖，該背光模塊4包含前述實(shí)施例中 的光源產(chǎn)生裝置3，以及一光學(xué)元件41。光學(xué)元件41可將由光源產(chǎn)生裝置3發(fā)出的光加以處理，以應(yīng)用于平面顯示器，例如散射光源產(chǎn)生裝置3發(fā)出的 光。
圖5為繪示出一種制造晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)1的方法的流程圖，其中包含提供 一支持基板10;形成一抗形變層11于支持基板IO之上；形成一反射層14 于抗形變層11之上；形成一發(fā)光疊層13于一成長(zhǎng)基板之上；通過(guò)一粘結(jié)層 12接合反射層14與發(fā)光疊層13;移除成長(zhǎng)基板；形成一保護(hù)層15于發(fā)光 疊層13之上；再進(jìn)行薄化支持基板10;最后切割晶片以形成棵芯。此外， 反射層14亦可形成于發(fā)光疊層13與粘結(jié)層12之間；此時(shí)反射層14形成于 發(fā)光疊層13上之后，通過(guò)粘結(jié)層12連接反射層14與抗形變層11。粘結(jié)層 12可分別形成于抗形變層11與發(fā)光疊層13上之后，再接合抗形變層11與 發(fā)光疊層13?？剐巫儗?1通過(guò)化學(xué)氣相沉積法(CVD)、有機(jī)金屬化學(xué)氣相 沉積法(MOCVD)、氣相外延法(VPE)、液相外延法(LPE)、分子束外延法 (MBE)、等離子體化學(xué)氣相沉積法(PECVD)或其他類似方式沉積于支持基板 IO之上；其材料包含但不限于氧化鋁(Al"y)、氮化硅(SiHO、氧化硅(SiCg、 氧化鈦(TiO》、氮化鎵(GaN)或上述材料的組合。薄化支持基板10的方法包 含但不限于化學(xué)機(jī)械拋光(chemical mechanical polishing; CMP)方法或蝕刻。
惟上述實(shí)施例僅為例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本 發(fā)明。任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員均可能在不違背本發(fā)明的技術(shù)原理及精神的情 況下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改及變化。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍如所述的 權(quán)利要求所列。
權(quán)利要求
1、一種用于制造一晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)的方法，包含提供一支持基板；形成一抗形變層于該支持基板之上；提供一成長(zhǎng)基板；形成一發(fā)光疊層于該成長(zhǎng)基板之上；形成一粘結(jié)層于該抗形變層與該發(fā)光疊層之間；進(jìn)行一接合工藝，通過(guò)該粘結(jié)層接合該發(fā)光疊層與該抗形變層；以及薄化該支持基板，其中該晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)于薄化后產(chǎn)生一形變高度最大約為該晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)的一厚度的10倍，其中該形變高度為該晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)的下表面與一側(cè)邊的一交界處至一下表面幾何中心點(diǎn)的高度差，該厚度為該晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)的該下表面幾何中心點(diǎn)至該晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)的一上表面幾何中心點(diǎn)的高度差。
2、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該抗形變層的材料選擇自氣化鋁 (Alx()y)、氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化鈥(TiOx)、氮化鎵(GaN)、及此 等材料的組合所構(gòu)成的組。
3、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成該抗形變層于該基板上的方法 擇自化學(xué)氣相沉積法、有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法、氣相外延法、液相外延法、分子束外延法、等離子體化學(xué)氣相沉積法、及其他類似方式所構(gòu)成的組。
4、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該抗形變層包含微觀結(jié)構(gòu)或分子的 沉積缺陷。
5、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該抗形變層的厚度介于約2微米到 約IO微米之間。
6、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中薄化該支持基板的方法包含化學(xué)機(jī) 械拋光法或蝕刻。
7、 如權(quán)利要求l所述的方法，其中該支持基板薄化后的厚度小于約40微米。
8、 如權(quán)利要求1所述的方法，還包含形成一反射層于該發(fā)光疊層與該 粘結(jié)層之間或該抗形變層與該粘結(jié)層之間。
9、 如權(quán)利要求1所述的方法，接合該抗形變層與該發(fā)光疊層之后，還包含移除該成長(zhǎng)基板。
10、 如權(quán)利要求l所述的方法，薄化該支持基板之后，還包含切割該晶 片發(fā)光結(jié)構(gòu)以形成多個(gè)棵芯發(fā)光結(jié)構(gòu)。
11、 一晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)，包含 一支持基板；一抗形變層，位于該支持基板之上； 一粘結(jié)層，位于該抗形變層之上；以及一發(fā)光疊層，位于該抗形變層之上，其中該粘結(jié)層連接該抗形變層與該 發(fā)光疊層；其中該晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)經(jīng)一薄化工藝產(chǎn)生的 一形變高度不超過(guò)約該晶片 發(fā)光結(jié)構(gòu)的一厚度的10倍，其中該形變高度為該晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)的下表面與 側(cè)邊的一交界處至發(fā)光結(jié)構(gòu)的一下表面幾何中心點(diǎn)的高度差，該厚度為該晶 片發(fā)光結(jié)構(gòu)的該下表面幾何中心點(diǎn)至發(fā)光結(jié)構(gòu)的 一上表面幾何中心點(diǎn)的高度差。
12、 如權(quán)利要求11所述的晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中該支持基板薄化后的厚 度小于約40微米。
13、 如權(quán)利要求11所述的晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中該抗形變層的材料選擇 自由氧化鋁(AlxOy)、氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化鈦(TiOx)、氮化鎵 (GaN)、及此等材料的組合所構(gòu)成的組。
14、 如權(quán)利要求11所述的晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中該抗形變層的厚度介于 約2微米到約10微米之間。
15、 如權(quán)利要求14所述的晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中該抗形變層使得薄化該 基板后的該形變高度最大約為該晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)的厚度的5倍。
16、 如權(quán)利要求11所述的晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中該粘結(jié)層的材料選擇自 由聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯、過(guò)氟環(huán)丁烷、環(huán)氧樹(shù)酯、其他有機(jī)粘結(jié)材料、銦、 錫、4呂、金、鈾、鋅、銀、鈦、鉛、釔、鍺、銅、鎳、錫化金(AuSn)、銀化 銦(InAg)、金化銦(InAu)、鈹化金(AuBe)、鍺化金(AuGe)、鋅化金(AuZn)、 錫化鉛(PbSn)、銦化鈀(Pdln)、錫化金(AuSn)、銀化銦(InAg)、金化銦(InAu)、 及此等材料的組合所構(gòu)成的組。
17、 如權(quán)利要求11所述的晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)，還包含一反射層，位于該發(fā) 光疊層與該粘結(jié)層之間或位于該抗形變層與該發(fā)光疊層之間。
全文摘要
本發(fā)明披露一晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制造方法。該晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)包含一支持基板；一抗形變層，位于該支持基板之上；一粘結(jié)層，位于該抗形變層之上；以及一發(fā)光疊層，位于該抗形變層之上，其中該粘結(jié)層連接該抗形變層與該發(fā)光疊層；其中該晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)經(jīng)一薄化工藝產(chǎn)生的一形變高度不超過(guò)約該晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)的一厚度的10倍，其中該形變高度為該晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)的下表面與側(cè)邊的一交界處至發(fā)光結(jié)構(gòu)的一下表面幾何中心點(diǎn)的高度差，該厚度為該晶片發(fā)光結(jié)構(gòu)的該下表面幾何中心點(diǎn)至發(fā)光結(jié)構(gòu)的一上表面幾何中心點(diǎn)的高度差?？剐巫儗涌蓽p少或消除支持基板被薄化后所產(chǎn)生的變形，例如翹曲。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101656281SQ20081014499
公開(kāi)日2010年2月24日 申請(qǐng)日期2008年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月18日
發(fā)明者徐子杰, 王振奎, 陶青山 申請(qǐng)人:晶元光電股份有限公司