亚洲成年人黄色一级片,日本香港三级亚洲三级,黄色成人小视频,国产青草视频,国产一区二区久久精品,91在线免费公开视频,成年轻人网站色直接看

電子設(shè)備及其制造方法和半導(dǎo)體裝置的制作方法

文檔序號:6898736閱讀:195來源:國知局
專利名稱:電子設(shè)備及其制造方法和半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電子設(shè)備及其制造方法和半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)
在日本特開平2 — 272737號公報(bào)公開了在半導(dǎo)體芯片的能動面(active surface)設(shè)置樹脂突起,從能動面的電極在樹脂突起上設(shè)置布線,形成突起 電極。據(jù)此,通過樹脂突起可以緩和應(yīng)力,并且,可以以和電極不同的間 距(中心間距離)和排列來排列突起電極。在日本特許第2744476號公報(bào) 公開了使用粘接劑在電路基板上安裝具有突起電極的半導(dǎo)體裝置。安裝 后,突起電極的樹脂突起在半導(dǎo)體芯片和電路基板之間壓縮,通過其彈性, 將突起電極的布線壓接于電路基板的布線。
將日本特開平2 — 272737號公報(bào)的技術(shù)應(yīng)用于如液晶驅(qū)動器那樣輸入 端子和輸出端子的數(shù)量有較大不同的半導(dǎo)體裝置,如日本特許第2744476 號公報(bào)所示,考慮安裝于液晶面板。但是,這種情況下,由于在輸入側(cè)和 輸出側(cè)突起電極的數(shù)量有較大的不同,所以排列于數(shù)量較少側(cè)的樹脂突起 較大程度地變形,排列于數(shù)量較多側(cè)的樹脂突起較難變形。因此,若按照 數(shù)量較多側(cè)的樹脂突起發(fā)揮希望的彈性的方式進(jìn)行設(shè)定,則存在數(shù)量較少 側(cè)的樹脂突起過度地變形的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于在具有在樹脂突起上形成有布線而構(gòu)成的端子的半 導(dǎo)體裝置中,即使在分別排列于l對的區(qū)域上的端子的數(shù)量不同的情況下, 也能使樹脂突起的變形量的差較小。
(1)本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置具有
形成有集成電路的半導(dǎo)體基板;
按照與所述集成電路電連接的方式形成于所述半導(dǎo)體基板上的多個(gè)
第1電極和多個(gè)第2電極;
在所述半導(dǎo)體基板的面上由穿過中心的直線分割成2個(gè)區(qū)域的第l和 第2區(qū)域中的所述第1區(qū)域配置的至少1個(gè)第1樹脂突起;
配置于所述第2區(qū)域的至少1個(gè)第2樹脂突起;
按照從所述多個(gè)第1電極上到所述第1樹脂突起上為止的方式形成的
多個(gè)即n,個(gè)第l布線,其中n為大于l的整數(shù);和
按照從所述多個(gè)第2電極上到所述第2樹脂突起上為止的方式形成的 多個(gè)即ri2個(gè)第2布線,其中n,n,;
所述第1樹脂突起和所述第2樹脂突起由相同材料構(gòu)成,形成為以相 同的寬度沿著長邊方向延伸的形狀;
各個(gè)所述第1布線按照和所述第1樹脂突起的長軸交叉的方式延伸, 在所述第1樹脂突起上有第1寬度W1;
各個(gè)所述第2布線按照和所述第2樹脂突起的長軸交叉的方式延伸,
在所述第2樹脂突起上有第2寬度W2,其中W,〈W2;
有W,Xn,二W2Xn2的關(guān)系。根據(jù)本發(fā)明,雖然由第1樹脂突起和多 個(gè)第1布線構(gòu)成的端子的數(shù)量(n,)多于由第2樹脂突起和多個(gè)第2布線 構(gòu)成的端子的數(shù)量(n2),但由于第1寬度W,比第2寬度W2小,有W, Xn,二W2Xn2的關(guān)系,所以可以使第l和第2樹脂突起的變形量的差較小。(2) 在該半導(dǎo)體裝置中,也可以
所述多個(gè)第1布線空出彼此相鄰的間隔,形成于所述第1樹脂突起的 朝向和所述半導(dǎo)體基板相反的上表面;
所述多個(gè)第2布線空出彼此相鄰的間隔,形成于所述第2樹脂突起的 朝向和所述半導(dǎo)體基板相反的上表面;
所述第1樹脂突起的所述上表面按照彼此相鄰的所述第1布線間的區(qū) 域比起所述第1布線的正下方的區(qū)域,更接近所述半導(dǎo)體基板的方式形成;
所述第2樹脂突起的所述上表面按照彼此相鄰的所述第2布線間的區(qū) 域比起所述第2布線的正下方的區(qū)域,更接近所述半導(dǎo)體基板的方式形成。
(3) 在該半導(dǎo)體裝置中,也可以
所述第1樹脂突起按照比起所述上表面,下表面較寬闊的方式形成; 所述第2樹脂突起按照比起所述上表面,下表面較寬闊的方式形成。
(4) 在該半導(dǎo)體裝置中,也可以 所述半導(dǎo)體基板形成為矩形;
所述第1樹脂突起配置于距所述矩形的所有邊中第1邊最近的位置; 所述第2樹脂突起配置于距所述矩形的所有邊中與所述第1邊對置的
第2邊最近的位置。
(5) 本發(fā)明所涉及的電子設(shè)備,具有半導(dǎo)體裝置、電路基板和粘接 劑,其中
所述半導(dǎo)體裝置具有 形成有集成電路的半導(dǎo)體基板;
按照與所述集成電路電連接的方式形成于所述半導(dǎo)體基板上的多個(gè) 第l電極和多個(gè)第2電極;
在所述半導(dǎo)體基板的面上由穿過中心的直線分割成2個(gè)區(qū)域的第1和 第2區(qū)域中的所述第1區(qū)域配置的至少1個(gè)第1樹脂突起; 配置于所述第2區(qū)域的至少1個(gè)第2樹脂突起;
按照從所述多個(gè)第1電極上到所述第1樹脂突起上為止的方式形成的 多個(gè)即m個(gè)第l布線,其中n為大于l的整數(shù);和
按照從所述多個(gè)第2電極上到所述第2樹脂突起上為止的方式形成的 多個(gè)即ri2個(gè)第2布線,其中112<111;
所述第l樹脂突起和所述第2樹脂突起由相同材料構(gòu)成,形成為以相 同的寬度沿著長邊方向延伸的形狀;
各個(gè)所述第1布線按照和所述第1樹脂突起的長軸交叉的方式延伸, 在所述第1樹脂突起上有第1寬度W1;
各個(gè)所述第2布線按照和所述第2樹脂突起的長軸交叉的方式延伸, 在所述第2樹脂突起上有第2寬度W2,其中W,〈W2,有W,Xn,二W2X 化的關(guān)系;
所述電路基板搭載所述半導(dǎo)體裝置,形成有與所述多個(gè)第1布線和所 述多個(gè)第2布線對置電連接的布線圖案;
所述粘接劑介于所述半導(dǎo)體裝置和所述電路基板之間。根據(jù)本發(fā)明, 雖然由第1樹脂突起和多個(gè)第1布線構(gòu)成的端子的數(shù)量(n,)多于由第2 樹脂突起和多個(gè)第2布線構(gòu)成的端子的數(shù)量(n2),但由于第1寬度W,
比第2寬度W2小,有W,Xn,^W2Xri2的關(guān)系,所以可以使第1和第2 樹脂突起的變形量的差較小。
(6) 在該電子設(shè)備中,也可以
所述第1樹脂突起和所述第2樹脂突起在所述半導(dǎo)體裝置和所述電路 基板的對置方向被壓縮的狀態(tài)配置而構(gòu)成。
(7) 在該電子設(shè)備中,也可以
所述多個(gè)第1布線空出彼此相鄰的間隔,形成于所述第1樹脂突起的 朝向和所述半導(dǎo)體基板相反的上表面;
所述多個(gè)第2布線空出彼此相鄰的間隔,形成于所述第2樹脂突起的 朝向和所述半導(dǎo)體基板相反的上表面;
所述第1樹脂突起的所述上表面按照彼此相鄰的所述第1布線間的區(qū) 域比起所述第1布線的正下方的區(qū)域,更接近所述半導(dǎo)體基板的方式形成;
所述第2樹脂突起的所述上表面按照彼此相鄰的所述第2布線間的區(qū) 域比起所述第2布線的正下方的區(qū)域,更接近所述半導(dǎo)體基板的方式形成,
彼此相鄰的所述第1布線間的所述區(qū)域和彼此相鄰的所述第2布線間 的所述區(qū)域不與所述電路基板接觸。
(8) 本發(fā)明所涉及的電子設(shè)備的制造方法,具有 將半導(dǎo)體裝置搭載于形成有布線圖案的電路基板,使多個(gè)第1布線和
多個(gè)第2布線與所述布線圖案對置,并電連接的工序;和 將所述半導(dǎo)體裝置和所述電路基板用粘接劑粘接的工序; 其中所述半導(dǎo)體裝置具有 形成有集成電路的半導(dǎo)體基板;
按照與所述集成電路電連接的方式形成于所述半導(dǎo)體基板上的多個(gè) 第l電極和多個(gè)第2電極;
在所述半導(dǎo)體基板的面上由穿過中心的直線分割成2個(gè)區(qū)域的第1和 第2區(qū)域中的所述第1區(qū)域配置的至少1個(gè)第1樹脂突起;
配置于所述第2區(qū)域的至少1個(gè)第2樹脂突起;
按照從所述多個(gè)第1電極上到所述第1樹脂突起上為止的方式形成的 多個(gè)即 個(gè)所述第1布線,其中n為大于l的整數(shù);和
按照從所述多個(gè)第2電極上到所述第2樹脂突起上為止的方式形成的
多個(gè)即n2個(gè)所述第2布線,其中ri2〈rn;
所述第1樹脂突起和所述第2樹脂突起由相同材料構(gòu)成,形成為以相 同的寬度沿著長邊方向延伸的形狀;
各個(gè)所述第1布線按照和所述第1樹脂突起的長軸交叉的方式延伸, 在所述第1樹脂突起上有第1寬度W1;
各個(gè)所述第2布線按照和所述第2樹脂突起的長軸交叉的方式延伸, 在所述第2樹脂突起上有第2寬度W2,其中W,〈W2;
有W!Xn,二W2Xii2的關(guān)系。根據(jù)本發(fā)明,雖然由第l樹脂突起和多 個(gè)第1布線構(gòu)成的端子的數(shù)量(n,)多于由第2樹脂突起和多個(gè)第2布線 構(gòu)成的端子的數(shù)量(n2),但由于第1寬度W,比第2寬度W2小,有 Xm二W2X 的關(guān)系,所以可以使第l和第2樹脂突起的變形量的差較小。 (9)在該電子設(shè)備的制造方法中,也可以
在將所述半導(dǎo)體裝置搭載于所述電路基板時(shí),將所述第1樹脂突起和 所述第2樹脂突起在所述半導(dǎo)體裝置和所述電路基板的對置方向壓縮;
在用所述粘接劑粘接的工序中,在所述第1樹脂突起和所述第2樹脂 突起壓縮的狀態(tài)下來使所述粘接劑固化。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的平面圖。 圖2是圖1所示的半導(dǎo)體裝置的II一II線截面圖。
圖3是圖i所示的半導(dǎo)體裝置的m—m線截面圖。
圖4是圖1所示的半導(dǎo)體裝置的IV—IV線截面圖。 圖5 (A) 圖5 (C)是說明本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的電子設(shè)備的 制造方法的圖。
圖6 (A) 圖6 (C)是說明本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的電子設(shè)備的圖。
圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
圖8是說明使用本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備的圖。
圖9是說明使用本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備的圖。
圖10是說明使用本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備
的圖。 符號的說明
io—半導(dǎo)體基板,12 —集成電路,14一第1電極,16 —第2電極,18 一鈍化膜,20 —第1樹脂突起,22 —第2樹脂突起,24 —第1區(qū)域,26 — 第2區(qū)域,28 —第1布線,30—第2布線,32—粘接劑,34 —布線圖案, 36—電路基板,110 —半導(dǎo)體基板,114一第1電極,120 —第1樹脂突起, 124 —第1區(qū)域,126 —第2區(qū)域,128 —第1布線,130 —第2布線
具體實(shí)施例方式
圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的平面圖。圖2 是表示圖l所示的半導(dǎo)體裝置的ii一n線截面圖,圖3是圖l所示的半導(dǎo)
體裝置的ni—ni線截面圖,圖4是圖i所示的半導(dǎo)體裝置的iv—iv線截面圖。
半導(dǎo)體裝置具有半導(dǎo)體基板10。若半導(dǎo)體基板io是半導(dǎo)體芯片,則 半導(dǎo)體基板10具有矩形的面,若半導(dǎo)體基板io是半導(dǎo)體晶片,則成為半 導(dǎo)體芯片的各區(qū)域?yàn)榫匦蔚拿?。在半?dǎo)體基板io (l個(gè)半導(dǎo)體芯片或成為
半導(dǎo)體芯片的各區(qū)域)形成有集成電路12 (晶體管等)。在半導(dǎo)體基板 10,按照與集成電路12電連接的方式,形成有多個(gè)第1電極14和多個(gè)第 2電極16。多個(gè)第1電極14排列成1列或多列(平行的多列)。多個(gè)第2 電極16排列成1列或多列(平行的多列)。多個(gè)第1電極14的列和多個(gè) 第2電極16的列留出間隔,平行地排列。多個(gè)第1電極14沿著半導(dǎo)體基 板10的矩形的面的第1邊(平行地)排列,多個(gè)第2電極16沿著半導(dǎo)體 基板10矩形面的第2邊(與第1邊對置的邊或第1邊的相反側(cè)的邊)(平 行地)排列。第1和第2電極14、 16通過內(nèi)部布線(未圖示)與集成電 路12電連接。
在半導(dǎo)體基板io,按照第1和第2電極14、 16的各自的至少一部分 露出的方式,形成鈍化膜18。鈍化膜18例如也可以僅由Si02或SiN等的 無機(jī)材料形成。鈍化膜18形成于集成電路12的上方。
在半導(dǎo)體基板10,設(shè)有至少1個(gè)第1樹脂突起20,設(shè)有至少1個(gè)第2 樹脂突起22。至少1個(gè)第1樹脂突起20配置于由穿過半導(dǎo)體基板10的面 (矩形的面)的中心的直線L分割成2個(gè)區(qū)域即第1和第2區(qū)域24、 26 中的第1區(qū)域24。至少l個(gè)第2樹脂突起22配置于第2區(qū)域26。另外, 直線L平行于矩形的面的邊(矩形為長方形的情況下為長邊)。
第1樹脂突起20和第2樹脂突起22形成為以相同的寬度沿著長邊方 向延伸的形狀。第1樹脂突起20按照比起上表面,下表面較寬闊的方式, 成為逐漸展開的形狀。第2樹脂突起22也按照比起上表面,下表面較寬 闊的方式,成為逐漸展開的形狀。第1樹脂突起20配置于距矩形的面的 所有邊中的第1邊(長邊)最近的位置。第2樹脂突起22配置于距矩形 的面的所有邊中的與第l邊對置的第2邊(長邊)最近的位置。
第1樹脂突起20和第2樹脂突起22由相同的材料構(gòu)成。作為該材料, 也可以使用例如聚酰亞胺樹脂、硅酮轉(zhuǎn)性聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂、硅酮 轉(zhuǎn)性環(huán)氧樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB: benzocyclobute)、聚苯并惡唑(PBO: polybenzoxazole)、酚醛系樹脂。
在半導(dǎo)體基板10,形成有多個(gè)即n,個(gè)第1布線28。多個(gè)第1布線28 按照從多個(gè)第1電極14上到第1樹脂突起20上為止的方式形成。多個(gè)第 1布線28相鄰彼此間留出間隔,形成于朝向第1樹脂突起20的和半導(dǎo)體 基板10相反的上表面。各個(gè)第1布線28按照和第1樹脂突起20的長軸 交叉的方式延伸,在第l樹脂突起20上具有第1寬度W,。
在半導(dǎo)體基板10,形成有多個(gè)即&個(gè)(n2<ni)第2布線30。多個(gè) 第2布線30按照從多個(gè)第2電極16上到第2樹脂突起22上為止的方式 形成。多個(gè)第2布線30相鄰彼此留出間隔,形成于朝向第2樹脂突起22 的和半導(dǎo)體基板io相反的上表面。各個(gè)第2布線30按照和第2樹脂突起 22的長軸交叉的方式延伸,在第2樹脂突起22上具有第2寬度W2 (W, <W2)。另外,W,Xm-W2Xn2的關(guān)系成立。
第1和第2布線28、 30從第1或第2電極14、 16上通過鈍化膜18 上,直到第1或第2樹脂突起20、 22。也可以第1和第2布線28、 30和 第1或第2電極14、 16直接接觸,在兩者之間也可以隔著導(dǎo)電膜(未圖 示)。第1和第2布線28、 30按照越過第1或第2樹脂突起20、 22的和
第1或第2電極14、 16相反側(cè)的端部,直到鈍化膜18上為止的方式形成。
如圖3所示,第1樹脂突起20的上表面,彼此相鄰的第1布線28之 間的區(qū)域按照比第1布線28的正下方的區(qū)域更接近半導(dǎo)體基板10的方式 形成。如圖4所示,第2樹脂突起22的上表面,彼此相鄰的第2布線30 之間的區(qū)域按照比第2布線30的正下方的區(qū)域更接近半導(dǎo)體基板10的方 式形成。即第1和第2樹脂突起20、 22的上表面按照比起與第1和第2 布線28、 30交疊的區(qū)域,未與第1和第2布線28、 30交疊的區(qū)域較低的 方式形成。由此,使成為第l和第2布線28、 30的外部端子的部分變高, 可以更容易電連接。該形狀是通過在第1和第2樹脂突起20、 22上形成 第1和第2布線28、 30后,蝕刻第1樹脂突起20的相鄰的第1布線28 間的部分、蝕刻第2樹脂突起22的相鄰的第2布線30間的部分而獲得。
圖5 (A) 圖5 (C)是說明本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的電子設(shè)備的 制造方法的圖。另外,圖5 (A)所示的半導(dǎo)體裝置對應(yīng)圖1的II一II線截 面(圖2),圖5 (B)所示的半導(dǎo)體裝置對應(yīng)圖1的m—m線截面(圖 3),圖5 (C)所示的半導(dǎo)體裝置對應(yīng)圖1的IV—IV線截面(圖4)。
在本實(shí)施方式中,通過熱固化性的粘接劑32,將上述的半導(dǎo)體裝置配 置于具有布線圖案34的電路基板36上。將半導(dǎo)體裝置搭載于形成有布線 圖案34的電路基板36上。半導(dǎo)體裝置按照第1和第2樹脂突起20、 22 上的第1和第2布線28、 30和布線圖案34對置的方式配置。多個(gè)第1布 線28、多個(gè)第2布線30與布線圖案34電連接。電路基板36也可以是液 晶面板或有機(jī)EL面板。支承布線圖案34的基板也可以是玻璃或樹脂的任 意一個(gè)。粘接劑32也可以使用分散導(dǎo)電粒子而構(gòu)成的各向異性導(dǎo)電材料。
在將半導(dǎo)體裝置搭載于電路基板36時(shí),將第1樹脂突起20和第2樹
脂突起22在半導(dǎo)體裝置和龜路基板36的對置方向壓縮?;蛟诎雽?dǎo)體裝置 和電路基板36之間施加按壓力。所施加的壓力限于如下所述的程度,艮P: 雖然第1和第2樹脂突起20、 22上的第1和第2布線28、 30與布線圖案 34電連接,但第1樹脂突起20上的相鄰的第1布線28間的部分(其表面) 不和電路基板36接觸,第2樹脂突起22上的相鄰的第2布線30間的部 分(其表面)不和電路基板36接觸。由此,雖然與第1和第2樹脂突起 20、 22上的第1或第2布線28、 30交疊的面(接觸的面)受到抵抗力,但是未與第1或第2布線28、 30交疊的面(未接觸的面)沒有受到抵抗 力。因此,由于受到抵抗力的面積變小,所以集成電路12的由于外力而 受到的影響的區(qū)域變小。另外,在第1樹脂突起20的相鄰的第1布線28 間的部分和第2樹脂突起22的相鄰的第2布線30間的部分上配置有粘接 劑32。并且,通過熱使粘接劑32固化收縮。用粘接劑32粘接半導(dǎo)體裝置 和電路基板36。直到粘接劑32固化為止,保持施加壓力。粘接劑32固化 后,解除壓力。在用粘接劑32粘接的工序中,在第1樹脂突起20和第2 樹脂突起22處于被壓縮的狀態(tài)下,使粘接劑32固化。這樣,制造完成電 子設(shè)備。
在本實(shí)施方式中,由第1樹脂突起20和多個(gè)第1布線28構(gòu)成的端子 的數(shù)量(m)比由第2樹脂突起22和多個(gè)第2布線30構(gòu)成的端子的數(shù)量 (n2)多,但第1寬度W,比第2寬度W2小,由于存在W,Xn^W2Xn2 的關(guān)系,所以可以使第1和第2樹脂突起20、 22的變形量的差較小(計(jì) 算上為O)。
圖6 (A) 圖6 (C)是說明本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的電子設(shè)備的 圖。另外,圖6 (A)所示的半導(dǎo)體裝置對應(yīng)圖1的II一II線截面(圖2), 圖6 (B)所示的半導(dǎo)體裝置對應(yīng)圖1的m—III線截面(圖3),圖6 (C) 所示的半導(dǎo)體裝置對應(yīng)圖1的IV—IV線截面(圖4)。
電子設(shè)備具有上述的半導(dǎo)體裝置和上述的電路基板36。在半導(dǎo)體基板 10和電路基板36之間,隔著固化的粘接劑32。第1樹脂突起20和第2 樹脂突起22以在半導(dǎo)體裝置和電路基板36的對置方向壓縮的狀態(tài)配置。 粘接劑32包含由于固化時(shí)的收縮而產(chǎn)生的殘留應(yīng)力。彼此相鄰的第1布 線28間的區(qū)域和彼此相鄰的第2布線30間的區(qū)域不與電路基板36接觸。 在第1樹脂突起20上的相鄰的第1布線28間的部分和電路基板36之間 配置有粘接劑32的一部分,在第2樹脂突起22上的相鄰的第2布線30 間的部分和電路基板36之間配置有粘接劑32的一部分。
圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的半導(dǎo)體裝置的圖。在該實(shí)施 方式中,在半導(dǎo)體110的面(矩形的面)的由通過中心的直線L2分割成2 個(gè)區(qū)域的第1區(qū)域和第2區(qū)域124、 126中第1區(qū)域124,平行地配置有多 個(gè)(在圖7為2個(gè))第1樹脂突起120。另外,多個(gè)第1電極114以平行
的多個(gè)列(在圖7為2列)排列。第l電極114不需要在第1區(qū)域124。
第1樹脂突起120的數(shù)量和第1電極114的列數(shù)可以如圖7所示相同,也
可以一方比另一方少。至少1列第1電極114位于彼此相鄰的第1樹脂突
起120間。作為變形例,也可以避開彼此相鄰的第1樹脂突起120間來配
置所有的第1電極114。至少1列第1電極114配置于第2區(qū)域126。多
個(gè)的n,個(gè)第1布線128配置為多列(在圖7為2列)。第l電極114的數(shù)
量和第2布線128的數(shù)量可以如圖7所示相同,也可以不同。對于第2區(qū)
域126、第2電極116和第2布線130,也可以適用上述的第1區(qū)域124、
第l電極114和第1布線128的說明。另外,其他的內(nèi)容也符合上述的實(shí)
施方式1的說明。1個(gè)第1布線128也可以按照從1個(gè)第1電極114到多
個(gè)第1樹脂突起120上為止的方式形成。這對第2布線130也能夠適用。
電子設(shè)備也可以是顯示設(shè)備(面板模塊)。顯示設(shè)備也可以是例如液
晶顯示設(shè)備或EL (Electrical Luminescence)顯示設(shè)備。在圖8,表示了作
為顯示設(shè)備而構(gòu)成的電子設(shè)備1000。電子設(shè)備IOOO所使用的半導(dǎo)體裝置
1是控制顯示設(shè)備的驅(qū)動IC。另外,作為具有電子設(shè)備1000的電子機(jī)器,
分別在圖9表示了筆記本型電腦2000,在圖10表示了便攜電話3000。
本發(fā)明不僅限于上述的實(shí)施方式,能夠有各種的變形。例如,本發(fā)明 包括和在實(shí)施方式說明的構(gòu)成實(shí)質(zhì)相同的構(gòu)成(例如,功能、方法和結(jié)果
相同的構(gòu)成或目的和結(jié)果相同的構(gòu)成)。另外,本發(fā)明包括置換了在實(shí)施 方式說明的構(gòu)成的非本質(zhì)部分的構(gòu)成。另外,本發(fā)明包括和在實(shí)施方式說 明的構(gòu)成起到相同效果的構(gòu)成或可以達(dá)成相同目的的構(gòu)成。例如,本發(fā)明 包括在實(shí)施方式說明的構(gòu)成加上公知技術(shù)的構(gòu)成。例如,除了第1和第2 布線28、 30之外,也可以形成未與第1或第2電極14、 16的任意一個(gè)連
接的布線(未圖示)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置,具有形成有集成電路的半導(dǎo)體基板;按照與所述集成電路電連接的方式形成于所述半導(dǎo)體基板上的多個(gè)第1電極和多個(gè)第2電極;在所述半導(dǎo)體基板的面上由穿過中心的直線分割成2個(gè)區(qū)域的第1和第2區(qū)域中的所述第1區(qū)域配置的至少1個(gè)第1樹脂突起;配置于所述第2區(qū)域的至少1個(gè)第2樹脂突起;按照從所述多個(gè)第1電極上到所述第1樹脂突起上為止的方式形成的多個(gè)即n1個(gè)第1布線,其中n為大于1的整數(shù);和按照從所述多個(gè)第2電極上到所述第2樹脂突起上為止的方式形成的多個(gè)即n2個(gè)第2布線,其中n2<n1;所述第1樹脂突起和所述第2樹脂突起由相同材料構(gòu)成,形成為以相同的寬度沿著長邊方向延伸的形狀;各個(gè)所述第1布線按照和所述第1樹脂突起的長軸交叉的方式延伸,在所述第1樹脂突起上有第1寬度W1;各個(gè)所述第2布線按照和所述第2樹脂突起的長軸交叉的方式延伸,在所述第2樹脂突起上有第2寬度W2,其中W1<W2;有W1×n1=W2×n2的關(guān)系。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,所述多個(gè)第1布線空出彼此相鄰的間隔,形成于所述第I樹脂突起的 朝向和所述半導(dǎo)體基板相反的上表面;所述多個(gè)第2布線空出彼此相鄰的間隔,形成于所述第2樹脂突起的 朝向和所述半導(dǎo)體基板相反的上表面;所述第1樹脂突起的所述上表面按照彼此相鄰的所述第1布線間的區(qū) 域比起所述第1布線的正下方的區(qū)域,更接近所述半導(dǎo)體基板的方式形成;所述第2樹脂突起的所述上表面按照彼此相鄰的所述第2布線間的區(qū) 域比起所述第2布線的正下方的區(qū)域,更接近所述半導(dǎo)體基板的方式形成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于, 所述第l樹脂突起按照比起所述上表面,下表面較寬闊的方式形成; 所述第2樹脂突起按照比起所述上表面,下表面較寬闊的方式形成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1到3任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于, 所述半導(dǎo)體基板形成為矩形;所述第1樹脂突起配置于距所述矩形的所有邊中第1邊最近的位置; 所述第2樹脂突起配置于距所述矩形的所有邊中與所述第1邊對置的 第2邊最近的位置。
5. —種電子設(shè)備,具有半導(dǎo)體裝置、電路基板和粘接劑,其中所述半導(dǎo)體裝置具有 形成有集成電路的半導(dǎo)體基板;按照與所述集成電路電連接的方式形成于所述半導(dǎo)體基板上的多個(gè)第l電極和多個(gè)第2電極;在所述半導(dǎo)體基板的面上由穿過中心的直線分割成2個(gè)區(qū)域的第1和 第2區(qū)域中的所述第1區(qū)域配置的至少1個(gè)第1樹脂突起;配置于所述第2區(qū)域的至少1個(gè)第2樹脂突起;按照從所述多個(gè)第1電極上到所述第1樹脂突起上為止的方式形成的多個(gè)即n,個(gè)第l布線,其中n為大于l的整數(shù);和按照從所述多個(gè)第2電極上到所述第2樹脂突起上為止的方式形成的多個(gè)即Il2個(gè)第2布線,其中112<111;所述第1樹脂突起和所述第2樹脂突起由相同材料構(gòu)成,形成為以相 同的寬度沿著長邊方向延伸的形狀;各個(gè)所述第1布線按照和所述第1樹脂突起的長軸交叉的方式延伸, 在所述第1樹脂突起上有第1寬度W1;各個(gè)所述第2布線按照和所述第2樹脂突起的長軸交叉的方式延伸, 在所述第2樹脂突起上有第2寬度W2,其中W,〈W"有W,Xn,^W2X 112的關(guān)系;所述電路基板搭載所述半導(dǎo)體裝置,形成有與所述多個(gè)第1布線和所 述多個(gè)第2布線對置電連接的布線圖案;所述粘接劑介于所述半導(dǎo)體裝置和所述電路基板之間。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述第1樹脂突起和所述第2樹脂突起在所述半導(dǎo)體裝置和所述電路 基板的對置方向被壓縮的狀態(tài)配置而構(gòu)成。
7. 根據(jù)所述權(quán)利要求5或6所述的電子設(shè)備,其特征在于, 所述多個(gè)第1布線空出彼此相鄰的間隔,形成于所述第1樹脂突起的朝向和所述半導(dǎo)體基板相反的上表面;所述多個(gè)第2布線空出彼此相鄰的間隔,形成于所述第2樹脂突起的 朝向和所述半導(dǎo)體基板相反的上表面;所述第1樹脂突起的所述上表面按照彼此相鄰的所述第1布線間的區(qū) 域比起所述第1布線的正下方的區(qū)域,更接近所述半導(dǎo)體基板的方式形成;所述第2樹脂突起的所述上表面按照彼此相鄰的所述第2布線間的區(qū) 域比起所述第2布線的正下方的區(qū)域,更接近所述半導(dǎo)體基板的方式形成,彼此相鄰的所述第1布線間的所述區(qū)域和彼此相鄰的所述第2布線間 的所述區(qū)域不與所述電路基板接觸。
8. —種電子設(shè)備的制造方法,具有將半導(dǎo)體裝置搭載于形成有布線圖案的電路基板,使多個(gè)第1布線和 多個(gè)第2布線與所述布線圖案對置,并電連接的工序;和 將所述半導(dǎo)體裝置和所述電路基板用粘接劑粘接的工序; 其中所述半導(dǎo)體裝置具有-形成有集成電路的半導(dǎo)體基板;按照與所述集成電路電連接的方式形成于所述半導(dǎo)體基板上的多個(gè) 第l電極和多個(gè)第2電極;在所述半導(dǎo)體基板的面上由穿過中心的直線分割成2個(gè)區(qū)域的第1和 第2區(qū)域中的所述第1區(qū)域配置的至少1個(gè)第1樹脂突起;配置于所述第2區(qū)域的至少1個(gè)第2樹脂突起;按照從所述多個(gè)第1電極上到所述第1樹脂突起上為止的方式形成的 多個(gè)即m個(gè)所述第l布線,其中n為大于l的整數(shù);和按照從所述多個(gè)第2電極上到所述第2樹脂突起上為止的方式形成的 多個(gè)即n2個(gè)所述第2布線,其中112<11|;所述第1樹脂突起和所述第2樹脂突起由相同材料構(gòu)成,形成為以相 同的寬度沿著長邊方向延伸的形狀;各個(gè)所述第1布線按照和所述第1樹脂突起的長軸交叉的方式延伸, 在所述第1樹脂突起上有第1寬度W1;各個(gè)所述第2布線按照和所述第2樹脂突起的長軸交叉的方式延伸, 在所述第2樹脂突起上有第2寬度W2,其中W,〈W2; 有W,Xn,二W2Xri2的關(guān)系。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子設(shè)備的制造方法,其特征在于, 在將所述半導(dǎo)體裝置搭載于所述電路基板時(shí),將所述第1樹脂突起和所述第2樹脂突起在所述半導(dǎo)體裝置和所述電路基板的對置方向壓縮; 在用所述粘接劑粘接的工序中,在所述第1樹脂突起和所述第2樹脂突起壓縮的狀態(tài)下來使所述粘接劑固化。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置,目的在于即使在分別排列于1對區(qū)域的端子的數(shù)量不同的情況下,也能使樹脂突起的變形量的差較小。半導(dǎo)體裝置具有按照從多個(gè)第1電極(14)上到第1樹脂突起(20)上為止的方式形成的多個(gè)即n<sub>1</sub>個(gè)第1布線(28);和按照從多個(gè)第2電極(16)上到第2樹脂突起(22)上為止的方式形成的多個(gè)即n<sub>2</sub>(n<sub>2</sub><n<sub>1</sub>)個(gè)第2布線(30)。第1樹脂突起(20)和第2樹脂突起(22)由相同的材料構(gòu)成,形成為以相同的寬度沿著長邊方向延伸的形狀。第1布線(28)按照和第1樹脂突起(20)的長軸交叉的方式延伸,在第1樹脂突起(20)上有第1寬度W<sub>1</sub>。第2布線(30)按照和第2樹脂突起(22)的長軸交叉的方式延伸,在第2樹脂突起(22)上有第2寬度W<sub>2</sub>(W<sub>1</sub><W<sub>2</sub>)。有W<sub>1</sub>×n<sub>1</sub>=W<sub>2</sub>×n<sub>2</sub>的關(guān)系。
文檔編號H01L21/60GK101359638SQ200810130149
公開日2009年2月4日 申請日期2008年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月30日
發(fā)明者伊東春樹, 田中秀一 申請人:精工愛普生株式會社
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點(diǎn)贊!
1