專利名稱：顯示基板,顯示基板制造方法和具有顯示基板的顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種能夠提高開口率(aperture ratio)和防止垂直線點 缺陷(vertical line spot defect)的顯示基板，制造該顯示基板的方 法，和具有該顯示基板的顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
液晶顯示設(shè)備包括第一顯示基板、第二顯示基板和液晶層。第一顯示 基板包括薄膜晶體管和像素電極。第二顯示基板包括濾色片和公共電極。 液晶層設(shè)置在第一和第二顯示基板之間。第一顯示基板還包括連接到薄膜晶體管的柵極線和數(shù)據(jù)線，柵極線和 數(shù)據(jù)線形成在多個像素中的每個像素中以便獨立地驅(qū)動像素。第一 顯示基板還包括擋光層，擋光層鄰近數(shù)據(jù)線的兩側(cè)設(shè)置以便擋光。擋光層 處于電浮動狀態(tài)(electrical floating state)。為了提高開口率，數(shù)據(jù)線和擋光層之間的距離被最小化。然而，在傳 統(tǒng)的曝光裝置中，數(shù)據(jù)線和擋光層之間的距離已經(jīng)被減小到大約5 ii m。 因此，數(shù)據(jù)線和擋光層不由相同的金屬層形成。當(dāng)數(shù)據(jù)線和擋光層由不同層形成時，數(shù)據(jù)線和擋光層可彼此不對準(zhǔn)。 因此，形成在數(shù)據(jù)線的左和右側(cè)上的寄生電容(parasitic capacitances) 彼此不同，因此導(dǎo)致像素電壓不正常，結(jié)果可產(chǎn)生垂直線點缺陷。因此，有必要提供能夠提高開口率和防止垂直線點缺陷的顯示基板。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的實例性實施例的顯示基板包括柵極線、數(shù)據(jù)線、 薄膜晶體管、像素電極和擋光層。數(shù)據(jù)線與柵極線絕緣并且與柵極線交叉。 薄膜晶體管連接到柵極線和數(shù)據(jù)線，并且形成在像素中。像素電極形成在 像素中，并且連接到薄膜晶體管。擋光層由與數(shù)據(jù)線相同的層形成，其中擋光層與數(shù)據(jù)線的側(cè)邊相鄰。薄膜晶體管包括柵電極、源極和漏極。柵電極連接到柵極線。 源極連接到數(shù)據(jù)線。漏極與源極隔離并且電連接到像素電極。擋光層可與數(shù)據(jù)線、源極和漏極電隔離，以便保持浮動狀態(tài)?？蛇x地， 擋光層可連接到漏極。擋光層和數(shù)據(jù)線之間的距離為大約3.0 um 4. 0 ii m。 像素電極的邊緣部分與擋光層重疊。顯示基板還包括第一絕緣層和第二絕緣層。第一絕緣層形成在第一金 屬圖案和第二金屬圖案之間，所述第一金屬圖案具有柵極線和柵電極，所 述第二金屬圖案具有數(shù)據(jù)線、源極、漏極和擋光層。第二絕緣層形成在 像素電極與具有數(shù)據(jù)線、源極、漏極和擋光層的第二金屬圖案之間，并且 具有形成的接觸孔。所述像素電極通過該接觸孔電連接到漏極。在根據(jù)本發(fā)明的實例性實施例的顯示基板的制造方法中，柵極線形成 在基板上。第一絕緣層形成在上面形成有柵極線的基板上。金屬層形成在 第一絕緣層上。數(shù)據(jù)線和擋光層由所述金屬層形成。數(shù)據(jù)線與柵極線交叉。 擋光層鄰近數(shù)據(jù)線的側(cè)邊設(shè)置。第二絕緣層形成在上面形成有數(shù)據(jù)線和 擋光層的基板上。像素電極形成在上面形成有第二絕緣層的基板上。數(shù)據(jù)線和擋光層如下地形成。光刻膠圖案形成在金屬層上。 光刻膠圖案的與數(shù)據(jù)線和擋光層對應(yīng)的部分厚于與數(shù)據(jù)線和擋光層之間 的區(qū)域?qū)?yīng)的部分?；匚g光刻膠圖案以便暴露數(shù)據(jù)線和擋光層之間的區(qū) 域。通過使用作為蝕刻停止層的回蝕的光刻膠圖案，形成數(shù)據(jù)線和擋光層。 光刻膠圖案通過狹縫掩?；蚧译A掩模形成。在形成柵極線的過程中，可形成連接到柵極線的柵電極。在形成 數(shù)據(jù)線和擋光層的過程中，可形成源極和漏極。源極連接到數(shù)據(jù)線。漏極 與源極隔離開并且電連接到像素電極。擋光層可與數(shù)據(jù)線、源極和漏極 電隔離?？蛇x地，擋光層可連接到漏極。根據(jù)本發(fā)明的實例性實施例的顯示設(shè)備包括第一顯示基板，第二顯示 基板和液晶層。所述第一顯示基板包括柵極線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管、像 素電極和擋光層。數(shù)據(jù)線與柵極線絕緣并且與柵極線交叉。薄膜晶體管連 接到柵極線和數(shù)據(jù)線，并且形成在像素中。像素電極形成在像素中，并且連接到薄膜晶體管。擋光層由與數(shù)據(jù)線相同的層形成，其中擋光層鄰近數(shù) 據(jù)線的側(cè)邊設(shè)置。所述第二顯示基板與所述第一顯示基板相對。所述第二 顯示基板包括形成在像素之間的黑色矩陣。黑色矩陣覆蓋數(shù)據(jù)線和擋光 層。所述液晶層設(shè)置在第一顯示基板和第二顯示基板之間。
通過參考附圖、對本發(fā)明的實例性實施例的詳細(xì)說明，本發(fā)明的上述 和其它特征將變得更清楚。圖l是顯示根據(jù)本發(fā)明的實例性實施例的顯示設(shè)備的第一顯示基板的一部分的布置圖；圖2是圖1中顯示的沿線I-I'的顯示設(shè)備的剖視圖； 圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明的實例性實施例的顯示設(shè)備的第一顯示基板的一部分的布置圖；圖4， 6， 8和13是圖1和2中顯示的第一顯示基板的布置圖，顯示根據(jù)本發(fā)明的實例性實施例的第一顯示基板的制造過程；圖5是圖4中顯示的第一顯示基板的一部分的剖視圖； 圖7是圖6中顯示的第一顯示基板的一部分的剖視圖； 圖9， 10， 11和12是圖8中顯示的第一顯示基板的一部分的剖視圖，顯示根據(jù)本發(fā)明的實例性實施例的第一顯示基板的制造過程；和 圖14是圖13中顯示的第一顯示基板的一部分的剖視圖。
具體實施方式
下面，參考附圖來更詳細(xì)地說明本發(fā)明的實例性實施例。然而，本發(fā) 明可以許多不同形式體現(xiàn)，而不局限于本文所提及的實施例。可以理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一個元件或?qū)?上(on)"、"連 接到(connected to)"另一個元件或?qū)?、?耦聯(lián)到(co叩led to)"另 一個元件或?qū)訒r，它能夠直接在其它元件或?qū)由稀⒅苯舆B接到其它元件或 層、或直接耦聯(lián)到其它元件或?qū)?，或者也可以存在插入元件或?qū)?。圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明的實例性實施例的顯示設(shè)備的第一顯示基板的 一部分的布置圖。圖2是圖1中顯示的沿線I-I'的顯示設(shè)備的剖視圖。參考圖1和圖2，顯示設(shè)備IOO包括第一顯示基板200、第二顯示基 板300和液晶層400。第二顯示基板300與第一顯示基板200相對。液 晶層400設(shè)置在第一顯示基板200和第二顯示基板300之間。第一顯示基板200包括柵極線210、數(shù)據(jù)線220、薄膜晶體管230、 像素電極240和擋光層250，以便獨立驅(qū)動以矩陣形狀布置的像素P。柵極線210形成在第一透明基板211上。例如，第一透明基板211 可包括玻璃材料或塑料材料。例如，柵極線210可在第一方向上延伸。第一絕緣層212可形成在第一透明基板211上，在第一透明基板211 上形成有柵極線210。第一絕緣層212保護(hù)柵極線210。柵極線210被 第一絕緣層212所絕緣隔離。例如，第一絕緣層212可包括氮化硅(SiNx) 或氧化硅(SiOx)。數(shù)據(jù)線220形成在第一絕緣層212上。第一絕緣層212使數(shù)據(jù)線 220與柵極線210絕緣隔離。數(shù)據(jù)線220在與第一方向交叉的第二方向 上延伸。例如，第二方向可大致與第一方向垂直。至少一個薄膜晶體管230可形成在每個像素P中以便獨立地驅(qū)動像 素P。薄膜晶體管230連接到柵極線210和數(shù)據(jù)線220以便分別接收柵 極信號(gate signal)和像素電壓。薄膜晶體管230被柵極信號打開。 像素電壓施加到每個像素P。薄膜晶體管230包括柵電極231、源極232和漏極233。柵電極231 由與柵極線210相同的層形成并且連接到柵極線210。源極232由與數(shù) 據(jù)線220相同的層形成并且連接到數(shù)據(jù)線220。漏極233與源極232間 隔開。漏極233電連接到形成在每個像素P中的像素電極240。薄膜晶體管230可還包括有源圖案(active pattern) 234。有源圖 案234形成在第一絕緣層212上并且設(shè)置在源極232和漏極233之間。 有源圖案234與柵電極231重疊。有源圖案234可包括半導(dǎo)體層234a 和歐姆接觸層(ohmic contact layer) 234b。半導(dǎo)體層234a是電流流 動的通道。歐姆接觸層234b減小半導(dǎo)體層234a與源極232、漏極233 之間的接觸電阻。例如，半導(dǎo)體層234a可包括非晶硅(a-Si)，歐姆接觸 層234b可包括摻雜有高濃度的n型摻雜質(zhì)的非晶硅(n+a-Si)。第二絕緣層213可形成在第一透明基板211上，在第一透明基板211上形成有數(shù)據(jù)線220。第二絕緣層213保護(hù)數(shù)據(jù)線220和薄膜晶體管 230。數(shù)據(jù)線220和薄膜晶體管230被第二絕緣層213絕緣隔離。例如， 第二絕緣層可包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)?？稍诘诙^緣層213 上形成有機(jī)層(未顯示)。有機(jī)層使第一顯示基板200的表面平面化。像素電極240形成在每個像素P中。像素電極240電連接到薄膜晶 體管230。像素電極240形成在第二絕緣層213上。像素電極240可包 括用于透光的透明導(dǎo)電材料。例如，像素電極240可包括氧化鋅銦(IZ0) 或氧化錫銦(ITO)。像素電極240通過接觸孔214電連接到漏極233，接觸孔214形成 通過第二絕緣層213。當(dāng)柵極信號通過柵極線210施加到薄膜晶體管230 的柵電極231時，薄膜晶體管230被打開。當(dāng)薄膜晶體管230打開時， 像素電極240接收通過數(shù)據(jù)線220施加到源極232的像素電壓。像素電極240與柵極線210部分地重疊以便形成存儲電容器Cst。 在存儲電容器Cst構(gòu)成期間保持施加到像素電極240的像素電壓?？蛇x 地，像素電極240可與存儲線(未顯示)部分地重疊以便形成存儲電容器 Cst。像素電極240可包括開口圖案(opening pattern),每個像素P通 過該開口圖案具有多個域(domains)。開口圖案提高了視角?？蛇x地，像 素電極240可包括主電極和副電極。當(dāng)像素電極240包括主電極和副電 極時，每個像素P可包括分別連接到主電極和副電極的兩個薄膜晶體管。擋光層250形成在鄰近數(shù)據(jù)線220的兩側(cè)的區(qū)域中以便遮擋通過每 個像素P的側(cè)邊的光。例如，擋光層250可與數(shù)據(jù)線220間隔開并且在 第二方向上延伸。擋光層250覆蓋每個像素P的左側(cè)和每個像素P的右 側(cè)。例如，數(shù)據(jù)線220的線寬大約為4.5 ym，擋光層250的線寬大約 為4.0 ym。每個像素P的下側(cè)可被從漏極233延伸的擋光層250的一 部分覆蓋并且每個像素P的上側(cè)可被從柵極線210延伸的擋光層250的 一部分覆蓋，以便形成存儲電容器Cst。擋光層250可與像素電極240的側(cè)部重疊以便更有效地遮擋通過每 個像素P的側(cè)邊的光。在本實例性實施例中，擋光層250由與數(shù)據(jù)線220相同的層形成。當(dāng)擋光層250由與數(shù)據(jù)線220相同的金屬層形成時，數(shù)據(jù)線220和擋光 層250是自對準(zhǔn)的，從而使得在鄰近數(shù)據(jù)線220左側(cè)的區(qū)域中形成的擋 光層250的一部分和在鄰近數(shù)據(jù)線220右側(cè)的區(qū)域中形成的擋光層250 的一部分之間的距離可以均勻一致。因此，數(shù)據(jù)線220和擋光層250彼 此不對準(zhǔn)所造成的垂直線點缺陷可以被防止。此外，在本實例性實施例中，擋光層250與數(shù)據(jù)線220間隔開大約 3.0 pm 4.0 ura，以便提高開口率。為了提高開口率，減小數(shù)據(jù)線220 和擋光層250之間的距離。然而，因為曝光設(shè)備的限制，傳統(tǒng)的方法不允 許使數(shù)據(jù)線220和擋光層250之間的距離減小到小于大約5 ym。為了 實現(xiàn)減小的間隔，狹縫掩模(slit mask)或灰階掩模(half-tone mask) 用于曝光處理，這減小了數(shù)據(jù)線220和擋光層250之間的距離，使之位 于大約3 wm 4 um的范圍內(nèi)。因此，可提高顯示設(shè)備100的開口率。擋光層250與數(shù)據(jù)線220、源極232和漏極233電隔離以便保持在 浮動狀態(tài)。第二絕緣層213使擋光層與像素電極240絕緣隔離?？蛇x地， 擋光層250可連接到漏極233。第二顯示基板300與第一顯示基板200相對。液晶層400設(shè)置在第 一顯示基板200和第二顯示基板300之間。公共電極330形成在第二透 明基板310的面向第一顯示基板200的相對表面上。公共電極330可包 括透明導(dǎo)電材料，從而使得光穿過公共電極330。例如，公共電極可包括 氧化鋅銦(IZO)或氧化錫銦(ITO)。公共電極330可包括開口圖案以便提 高視角。第二顯示基板300可還包括黑色矩陣(black matrix) 320。黑色矩 陣320形成在像素P的邊界區(qū)域中并且遮擋通過像素P的邊界區(qū)域的光， 從而可提高對比度(contrast ratio)。黑色矩陣320覆蓋數(shù)據(jù)線220和擋光層250以便遮擋傾斜地通過數(shù) 據(jù)線220和擋光層250之間的區(qū)域的光。優(yōu)選地，黑色矩陣320的寬度 可最小化以便提高開口率。例如，當(dāng)數(shù)據(jù)線220和擋光層250分別具有 大約4. 5 um和大約4.0 Pm的線寬時，數(shù)據(jù)線220和擋光層250之間 的距離為大約3. 0 um 4. 0 um，黑色矩陣320可具有大約19. 0 u m 21.0 iim的寬度。10液晶層400包括具有各向異性折射率和各向異性介電常數(shù)的液晶分
子，液晶分子以預(yù)定圖案布置。像素電極240和公共電極330之間的電 場改變液晶分子的布置結(jié)構(gòu)，并且液晶分子的布置結(jié)構(gòu)控制通過液晶層 400的光量。
圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明的實例性實施例的顯示設(shè)備的第一顯示基板的 一部分的布置圖。本實例性實施例的第一顯示基板與圖1顯示的第一顯示 基板相同，例如，除了擋光層250。因此，使用相同參考標(biāo)記表示與圖1 中說明的相同或相似的元件。
參考圖3，擋光層250連接到每個像素P中的漏極233。例如，擋光 層250形成在每個像素P的左側(cè)和右側(cè)。擋光層250沿每個像素P的側(cè) 部延伸以便連接到形成在每個像素P的下側(cè)的漏極233。擋光層250和 漏極233與像素電極240的側(cè)部重疊，以便遮擋通過像素電極240的側(cè) 部的光。
擋光層250通過漏極233電連接到像素電極240。當(dāng)擋光層250保 持浮動狀態(tài)時，在擋光層250和像素電極240之間、擋光層250和數(shù)據(jù) 線220之間、以及數(shù)據(jù)線220和像素電極240之間分別形成寄生電容
(parasitic capacitance)。結(jié)果，總寄生電容可對數(shù)據(jù)線220產(chǎn)生影 響，從而可使通過數(shù)據(jù)線220施加的像素電壓失真，從而引起垂直線點缺 陷。
然而，當(dāng)擋光層250電連接到像素電極240時，僅在擋光層250和 數(shù)據(jù)線220之間產(chǎn)生寄生電容。因此，因為影響數(shù)據(jù)線220的總寄生電 容可被減小，寄生電容在整個像素P上可均勻一致，可防止垂直線點缺陷。
此外，當(dāng)擋光層250電連接到像素電極240時，可防止擋光層250 和數(shù)據(jù)線220之間的橫向場(lateral field)，該橫向場在像素電極240
的側(cè)部引起光泄漏。因此，黑色矩陣的寬度被減小，從而使得顯示設(shè)備100 的開口率可增加。
當(dāng)數(shù)據(jù)線220和擋光層250之間的距離降低或防止像素電極240的 側(cè)部中產(chǎn)生的橫向場，黑色矩陣320的寬度可進(jìn)一步減小，并且顯示設(shè)備 IOO的開口率可進(jìn)一步提高。
圖4， 6， 8和13是圖1和2中顯示的第一顯示基板的布置圖，顯示根據(jù)本發(fā)明的實例性實施例的第一顯示基板的制造過程。圖5是圖4中顯 示的第一顯示基板的一部分的剖視圖。圖7是圖6中顯示的第一顯示基板
的一部分的剖視圖。圖9， 10， ll和12是圖8中顯示的第一顯示基板的 一部分的剖視圖，顯示根據(jù)本發(fā)明的實例性實施例的第一顯示基板的制造 過程。圖14是圖13中顯示的第一顯示基板的一部分的剖視圖。
參考圖4和5，柵極線210和連接到柵極線210的柵電極231形成 在第一透明基板211上。例如，用于柵極線210和柵電極231的材料可 包括鋁(Al)、鉬(Mo)、釹(Nd)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鎢(W)、銅(Cu)、 銀(Ag)等。這些材料可單獨使用或組合使用。柵極線210和柵電極231 可具有順序堆疊的多層。
參考圖6和圖7，第一絕緣層212形成在第一透明基板211上，第一 透明基板211上形成有柵極線210和柵電極231。例如，第一絕緣層212 可包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)，并具有大約4000A 4500A的厚度。
有源圖案234形成在第一絕緣層212上。有源圖案234與柵電極 231重疊。有源圖案234可包括半導(dǎo)體層234a和歐姆接觸層234b。例 如，半導(dǎo)體層234a可包括非晶硅(a-Si)，歐姆接觸層234b可包括摻雜 有高濃度的n+離子的非晶硅(n+a-Si)。
參考圖8和圖9，金屬層260形成在第一透明基板211上，第一透明 基板211上形成有有源圖案234。例如，用于金屬層260的材料可包括 鋁(A1)、鉬(Mo)、釹(Nd)、鉻(Cr)、鉅(Ta)、鈦(Ti)、鎢(W)、銅(Cu)、 銀(Ag)等。這些材料可單獨使用或組合使用。金屬層260可包括順序堆 疊的多層。
光刻膠膜270形成在金屬層260上。光刻膠膜270可包括正性光刻 膠材料，利用顯影液去除該正性光刻膠材料的被曝光的部分。
光刻膠膜270通過狹縫掩模280以兩種方式曝光。與數(shù)據(jù)線220和 擋光層250之間的區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠膜270的第一部分被通過狹縫掩模 280的狹縫部分的光曝光。與除了數(shù)據(jù)線220、源極232、漏極233和擋 光層250之外的其余區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠膜270的第二部分被通過狹縫掩 模280的開口部分的光完全地曝光。可選地，光刻膠膜270可通過灰階 掩模曝光。參考圖8和圖10，光刻膠膜270被顯影以便形成光刻膠圖案275。 當(dāng)光刻膠膜270被顯影時，被完全地曝光的光刻膠膜270的第二部分被 移除，被通過狹縫掩模280的狹縫部分的光曝光的光刻膠膜270的第一 部分被部分地去除以便具有小于光刻膠膜270的未曝光部分的厚度。因 此，與數(shù)據(jù)線220和擋光層250對應(yīng)的光刻膠圖案275的厚度可厚于與 數(shù)據(jù)線220和擋光層250之間的區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠圖案275的厚度。
參考圖8和圖11，通過回蝕加工(etch-back process),光刻膠圖 案275被以預(yù)定厚度部分地去除。與數(shù)據(jù)線220和擋光層250之間的區(qū) 域?qū)?yīng)的光刻膠圖案275的部分通過回蝕加工被去除，從而使得與數(shù)據(jù)線 220和擋光層250之間的區(qū)域?qū)?yīng)的金屬層260的部分被暴露。通過回 蝕加工，與數(shù)據(jù)線220、源極232、漏極233和擋光層250對應(yīng)的光刻 膠圖案275的厚度被減小。
參考圖8和12，使用作為蝕刻停止層(etch-stop layer)的回蝕光 刻膠圖案275來蝕刻金屬層260。數(shù)據(jù)線220、源極232、漏極233和 擋光層250由金屬層260形成。擋光層250可與漏極233隔離開以便保 持浮動狀態(tài)，如圖2所示?？蛇x地，擋光層250可連接到漏極233，如 圖3所示。
保留在數(shù)據(jù)線220、源極232、漏極233和擋光層250上的光刻膠 圖案275被去除。
當(dāng)通過使用狹縫掩模280或灰階掩模曝光加工形成數(shù)據(jù)線220和擋 光層250時，數(shù)據(jù)線220和擋光層250之間的距離為大約3 u m 4 u m。
通過使用作為蝕刻停止層的回蝕光刻膠圖案275或源極232和漏極 233，與源極232和漏極233之間的溝道區(qū)域?qū)?yīng)的歐姆接觸層234b的 一部分被去除以便完成薄膜晶體管230。
參考圖13和圖14，第二絕緣層213形成在第一透明基板211上， 第一透明基板211上形成有數(shù)據(jù)線220、源極232、漏極233和擋光層 250。例如，第二絕緣層213可包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)，并且 具有大約1500A 2000A的厚度。
可在第二絕緣層213上還形成有機(jī)層(未顯示)，從而使第一顯示基 板200平面化。通過光刻加工，圖案化第二絕緣層213，以便形成暴露漏極240的一 部分的接觸孔214。
像素電極240形成在第一透明基板211上，第一透明基板211上形 成有第二絕緣層213。像素電極240通過穿過第二絕緣層213的接觸孔 214電連接到漏極233。例如，像素電極240可包括氧化鋅銦(IZ0)或氧 化錫銦(ITO)。
在本發(fā)明的上述實例性實施例中，數(shù)據(jù)線和擋光層由相同的金屬層形 成，以便自對準(zhǔn)。因此，可防止由于數(shù)據(jù)線和擋光層彼此不對準(zhǔn)所引起的 數(shù)據(jù)線的左側(cè)和右側(cè)上形成的寄生電容之間的差，因此可防止由寄生電容 之間的差產(chǎn)生的垂直線點缺陷。
此外，因為通過使用狹縫掩?；蚧译A掩模的曝光加工來形成擋光層 和數(shù)據(jù)線，所以擋光層和數(shù)據(jù)線之間的距離可被減小，從而可提高開口率。
此外，因為擋光層可通過漏極電連接到像素電極，所以影響數(shù)據(jù)線的 總寄生電容可被減小，并且可防止擋光層和數(shù)據(jù)線之間的橫向場，從而可 進(jìn)一步提高開口率。
盡管已經(jīng)參考實例性實施例詳細(xì)地說明了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的熟練 技術(shù)人員可以理解的是，在不脫離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和保 護(hù)范圍的情況下，可對本發(fā)明進(jìn)行各種變化和替換。
權(quán)利要求
1.一種顯示基板，包括柵極線；與柵極線絕緣的數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉；薄膜晶體管，所述薄膜晶體管連接到柵極線和數(shù)據(jù)線，并且形成在像素中；像素電極，所述像素電極形成在像素中，并且連接到薄膜晶體管；和擋光層，所述擋光層由與數(shù)據(jù)線相同的層形成，其中擋光層與數(shù)據(jù)線的側(cè)邊相鄰。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l的顯示基板，其中所述薄膜晶體管包括 連接到柵極線的柵電極；連接到數(shù)據(jù)線的源極；和漏極，所述漏極與源極隔離，并且電連接到像素電極。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2的顯示基板，其中所述擋光層與數(shù)據(jù)線、源極和漏極 電隔離，以便保持浮動狀態(tài)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2的顯示基板，其中所述擋光層連接到漏極。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l的顯示基板，其中擋光層和數(shù)據(jù)線之間的距離為3.0 (im至4.0 ,。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l的顯示基板，其中像素電極的邊緣部分與擋光層重疊。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2的顯示基板，還包括第一絕緣層，所述第一絕緣層形成在第一金屬圖案和第二金屬圖案之 間，所述第一金屬圖案具有柵極線和柵電極，所述第二金屬圖案具有數(shù)據(jù)線、源極、漏極和擋光層；和第二絕緣層，所述第二絕緣層形成在像素電極與具有數(shù)據(jù)線、源極、 漏極和擋光層的第二金屬圖案之間，所述第二絕緣層具有接觸孔，所述 像素電極通過該接觸孔電連接到漏極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的顯示基板，其中所述薄膜晶體管還包括在 第一絕緣層與源極和漏極之間形成的有源圖案。
9. 一種制造顯示基板的方法，包括如下步驟 在基板上形成柵極線；在上面形成有所述柵極線的所述基板上形成第一絕緣層； 在所述第一絕緣層上形成金屬層；由所述金屬層形成數(shù)據(jù)線和擋光層，所述數(shù)據(jù)線與柵極線交叉，所 述擋光層鄰近數(shù)據(jù)線的側(cè)邊設(shè)置；在上面形成有所述數(shù)據(jù)線和所述擋光層的所述基板上形成 第二絕緣層；以及在上面形成有所述第二絕緣層的所述基板上形成像素電極。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中形成數(shù)據(jù)線和擋光層的步驟包括 在金屬層上形成光刻膠圖案，該光刻膠圖案的與數(shù)據(jù)線和擋光層對應(yīng)的部分厚于與數(shù)據(jù)線和擋光層之間的區(qū)域?qū)?yīng)的部分；回蝕光刻膠圖案，以便暴露數(shù)據(jù)線和擋光層之間的區(qū)域；和 通過使用回蝕的光刻膠圖案作為蝕刻停止層回蝕，形成數(shù)據(jù)線和擋光層。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中所述光刻膠圖案通過狹縫掩?；蚧译A掩模形成。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中形成柵極線的步驟包括形成連接到柵極線的柵電極；并且 形成數(shù)據(jù)線和擋光層的步驟包括形成連接到數(shù)據(jù)線的源極，和形成與源極隔離開的、并且電連接到像素電極的漏極。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中擋光層與數(shù)據(jù)線、源極和漏極電隔離。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中擋光層電連接到漏極。
15. 根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中擋光層和數(shù)據(jù)線之間的距離為3.0 1im至4.0 |im。
16. 根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中像素電極的邊緣部分與擋光層重疊。
17. —種顯示設(shè)備，包括第一顯示基板，第二顯示基板和液晶層； 所述第一顯示基板，包括柵極線；與柵極線絕緣的數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉； 薄膜晶體管，所述薄膜晶體管連接到柵極線和數(shù)據(jù)線，并且形成在像素中；像素電極，所述像素電極形成在像素中，并且連接到薄膜晶體管;禾口擋光層，所述擋光層由與數(shù)據(jù)線相同的層形成，其中擋光層鄰 近數(shù)據(jù)線的側(cè)邊設(shè)置，所述第二顯示基板與所述第一顯示基板相對，所述第二顯示基板包括 形成在像素之間的黑色矩陣，以便覆蓋數(shù)據(jù)線和擋光層；所述液晶層設(shè)置在第一顯示基板和第二顯示基板之間。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17的顯示設(shè)備，其中所述薄膜晶體管包括 連接到柵極線的柵電極；連接到數(shù)據(jù)線的源極；和漏極，所述漏極與源極隔離，并且電連接到像素電極。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18的顯示設(shè)備，其中所述擋光層與數(shù)據(jù)線、源極和 漏極電隔離，以便保持浮動狀態(tài)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18的顯示設(shè)備，其中所述擋光層連接到漏極。
21. 根據(jù)權(quán)利要求17的顯示設(shè)備，其中擋光層和數(shù)據(jù)線之間的距離為 3.0 (Lim至4.0 ,。
全文摘要
本發(fā)明公開顯示基板，顯示基板制造方法和具有顯示基板的顯示設(shè)備。顯示基板包括柵極線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管、像素電極和擋光層。數(shù)據(jù)線與柵極線絕緣并且與柵極線交叉。薄膜晶體管連接到柵極線和數(shù)據(jù)線。薄膜晶體管形成在像素中。像素電極形成在像素中并連接到薄膜晶體管。擋光層由與數(shù)據(jù)線相同的層形成，其中擋光層與數(shù)據(jù)線的側(cè)邊相鄰。
文檔編號H01L21/84GK101320740SQ20081010794
公開日2008年12月10日 申請日期2008年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月4日
發(fā)明者李京鎮(zhèn), 金景旭, 金爀珍 申請人:三星電子株式會社