專利名稱：太陽能電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種太陽能電池，尤其涉及一種基于碳納米管的太陽能電池。
背景技術(shù)：
太陽能是當(dāng)今最清潔的能源之一，取之不盡、用之不竭。太陽能的利用方式包括光能-熱能轉(zhuǎn)換、光能-電能轉(zhuǎn)換和光能-化學(xué)能轉(zhuǎn)換。太陽能電池是光能-電能轉(zhuǎn)換的典型例子，是利用半導(dǎo)體材料的光生伏特原理制成的。目前，太陽能電池以硅基太陽能電池(請(qǐng)參見太陽能電池及多晶硅的生產(chǎn)，材料
與冶金學(xué)報(bào)，張明杰等，vol p"-:38pOO ))為主。在硅基太陽能電池中，以
單晶硅和多晶硅作為光電轉(zhuǎn)換的材料。通常用單晶硅片制造太陽能電池。然而，目前單晶硅的制備工藝遠(yuǎn)不能滿足太陽能電池發(fā)展的需要，并且制備單晶硅需要消耗大量的電能，導(dǎo)致單晶硅片非常昂貴，使得使用單晶硅片的太陽能電池也非常昂貴。近年來，具有多晶硅襯底的硅太陽能電池的成本日益跌落，其產(chǎn)量顯著增加。
請(qǐng)參閱圖l，為現(xiàn)有技術(shù)中的多晶硅太陽能電池30包含一背電極32、 一多晶硅襯底34、 一摻雜硅層36和一上電極38。所述多晶硅襯底34采用多晶硅制成。所述背電極32設(shè)置于所述多晶硅襯底34的下表面341，且與該多晶硅襯底34的下表面341歐姆接觸。所述摻雜硅層36形成于所述多晶硅村底34的上表面342,作為光電轉(zhuǎn)換的材料。所述上電極38設(shè)置于所述摻雜硅層36的上表面361。所述多晶硅太陽能電池30中多晶硅襯底34和摻雜硅層36形成P-N結(jié)，所述P-N結(jié)在太陽光的激發(fā)下產(chǎn)生多個(gè)電子-空穴對(duì)(激子)，所述電子-空穴對(duì)在靜電勢能作用下分離并分別向所述背電極32和上電極38移動(dòng)。如果在所述多晶硅太陽能電池30的背電極32與上電極38兩端接上負(fù)載，就會(huì)有電流通過外電路中的負(fù)載。
然而，現(xiàn)有技術(shù)中的多晶硅太陽能電池30的結(jié)構(gòu)復(fù)雜。而且，在多晶硅襯底的生長過程中，由于熱應(yīng)力的作用，會(huì)在晶粒中產(chǎn)生大量的缺陷(如懸掛鍵、晶界、位錯(cuò)、微缺陷等)。其中，懸掛鍵是多晶硅中的主要缺陷之一，存在于多晶硅的疇界處，成為載流子的俘獲中心。晶粒間的雜質(zhì)電離產(chǎn)生的載流子首先被懸掛鍵俘獲。懸掛鍵在俘獲載流子之前是電中性的，在俘獲載流子之后懸掛鍵帶電，在其周圍形成一個(gè)多子勢區(qū)，阻擋載流子從一個(gè)晶粒向另一個(gè)晶粒運(yùn)動(dòng)，導(dǎo)致載流子遷移率下降。且懸掛鍵的存在增加電子-空穴的復(fù)合損失，導(dǎo)致所制得的太陽能電池30的光電轉(zhuǎn)換效率低。為了增加載流子
的遷移率，提高光電轉(zhuǎn)換效率。通常在所述多晶硅襯底34的上表面342沉積一磷或砷層，使其與所述多晶硅襯底34作用以形成摻雜硅層36。接著，在所述摻雜硅層36的上表面361通過絲網(wǎng)印刷形成金屬電極。然而，形成摻雜硅層36需在高溫條件下進(jìn)行，工藝復(fù)雜，另外，絲網(wǎng)印刷所形成的金屬電極寬度較大，造成遮光面積較大，導(dǎo)致所制得的太陽能電池30的光電轉(zhuǎn)換效率低。
因此，確有必要提供一種光電轉(zhuǎn)換效率較高且結(jié)構(gòu)簡單的太陽能電池及其制備方法，且該太陽能電池的制備方法簡單、容易實(shí)現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
一種太陽能電池包括一背電極、 一多晶硅襯底和一碳納米管結(jié)構(gòu)。所述背電極設(shè)置于所述多晶硅襯底的下表面，且與該多晶硅村底的下表面歐姆接觸。所述碳納米管結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述多晶硅襯底的上表面，且與該多晶硅襯底的上表面4妄觸。
與現(xiàn)有技術(shù)相比較，所述太陽能電池及其制備方法具有以下優(yōu)點(diǎn)其一，由于采用碳納米管結(jié)構(gòu)作為光電轉(zhuǎn)換材料，可以飽和部分懸掛鍵，降低懸掛鍵對(duì)載流子的俘獲無需形成摻雜硅層，同時(shí)碳納米管結(jié)構(gòu)對(duì)太陽光具有很好的透光性，采用碳納米管結(jié)構(gòu)作為上電極，可以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率；其二，碳納米管結(jié)構(gòu)在太陽能電池中起到光電轉(zhuǎn)換及上電極的雙重作
用，且無需磷或砷層，因此結(jié)構(gòu)簡單。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本技術(shù)方案實(shí)施例的太陽能電池的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是本技術(shù)方案實(shí)施例的太陽能電池的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本技術(shù)方案實(shí)施例的太陽能電池中有序碳納米管層的部分放大示意圖。
圖5是本技術(shù)方案實(shí)施例的太陽能電池的制備方法的流程示意圖。
圖6是本技術(shù)方案實(shí)施例的鋪設(shè)碳納米管結(jié)構(gòu)前多晶硅襯底的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖7是本技術(shù)方案實(shí)施例的鋪設(shè)碳納米管結(jié)構(gòu)后多晶硅襯底的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下將結(jié)合附圖詳細(xì)說明本技術(shù)方案太陽能電池及其制備方法。
請(qǐng)參閱圖2，本技術(shù)方案實(shí)施例提供一種太陽能電池10包括一背電極 12、 一多晶硅襯底14和一碳納米管結(jié)構(gòu)16。所述背電極12設(shè)置于所述多晶 硅襯底14的下表面141，且與該多晶硅襯底14的下表面141歐姆接觸。所 述碳納米管結(jié)構(gòu)16設(shè)置于所述多晶硅襯底14的上表面142，且與該多晶硅 襯底14的上表面142接觸。
所述太陽能電池IO進(jìn)一步包括至少一電極18,該電極18的材料為銀、 金或者碳納米管等導(dǎo)電材料。所述電極18的形狀和厚度不限，可設(shè)置于所 述碳納米管結(jié)構(gòu)16的上表面161或者下表面162,并與碳納米管結(jié)構(gòu)16的 上表面161或者下表面162電接觸。所述電極18的設(shè)置可用于收集流過所 述碳納米管結(jié)構(gòu)16中的電流，并與外電路連接。
所述背電極12的材料可為鋁、鎂或者銀等金屬。所述背電極12的厚度 為10微米 300微米。所述背電極12的形狀和厚度不限。
所述多晶硅襯底14為p型多晶硅片。該多晶硅襯底14的厚度為200微 米 300微米。所述多晶硅襯底14與所述碳納米管結(jié)構(gòu)16形成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)， 從而實(shí)現(xiàn)所述太陽能電池中光能到電能的轉(zhuǎn)換。
所述碳納米管結(jié)構(gòu)16為一層狀結(jié)構(gòu)，包括多個(gè)均勻分布的碳納米管。 該碳納米管結(jié)構(gòu)具有良好的吸收太陽光能力，在所述太陽能電池10中起到 光電轉(zhuǎn)換材料及上電極的雙重作用。該碳納米管結(jié)構(gòu)包括無序碳納米管層或 者有序碳納米管層。
所述無序碳納米管層包括多個(gè)無序排列的碳納米管。該碳納米管在無序碳納米管層中相互纏繞或者各向同性。
所述有序碳納米管層包括多個(gè)有序排列的碳納米管，該碳納米管沿固定 方向擇優(yōu)取向排列。所述的多個(gè)碳納米管在該有序碳納米管層中平行于所述 有序碳納米管層的表面排列，且沿同一方向或者沿多個(gè)方向擇優(yōu)取向排列。
所述碳納米管結(jié)構(gòu)16中的碳納米管為單壁碳納米管、雙壁碳納米管或
者多壁碳納米管。其中，多壁碳納米管是金屬性質(zhì)的，單壁碳納米管根據(jù)其 手性和直徑不同分為半導(dǎo)體和金屬兩種，雙壁碳納米管的屬性是金屬性質(zhì)
的。當(dāng)所述碳納米管結(jié)構(gòu)16中的碳納米管為單壁碳納米管時(shí)，該單壁碳納 米管的直徑為0.5納米 50納米。當(dāng)所述^f友納米管結(jié)構(gòu)16中的^ 友納米管為雙 壁碳納米管時(shí)，該雙壁碳納米管的直徑為1.0納米 50納米。當(dāng)所述碳納米 管結(jié)構(gòu)16中的碳納米管為多壁碳納米管時(shí)，該多壁碳納米管的直徑為1.5 納米 50納米。由于所述碳納米管結(jié)構(gòu)16中的碳納米管非常純凈，且由于碳 納米管本身的比表面積非常大，所以該碳納米管結(jié)構(gòu)16本身具有較強(qiáng)的粘 性。該碳納米管結(jié)構(gòu)16可利用其本身的粘性直接固定于所述多晶硅襯底14 的表面。
請(qǐng)參閱圖3及圖4，本實(shí)施例采用的碳納米管結(jié)構(gòu)16包括一有序碳納米 管薄膜163。該有序碳納米管薄膜163可通過直接拉伸一碳納米管陣列獲得。 該有序碳納米管薄膜163包括沿拉伸方向定向排列的碳納米管。具體地，所 述有序碳納米管薄膜163包括多個(gè)首尾相連且長度相等的碳納米管束164。 所述碳納米管束164的兩端通過范德華力相互連接。每個(gè)碳納米管束164包 括多個(gè)長度相等且平行排列的碳納米管165。所述相鄰的碳納米管165之間 通過范德華力緊密結(jié)合。所述有序碳納米管薄膜163是由碳納米管陣列經(jīng)進(jìn) 一步處理得到的，故其長度與寬度和碳納米管陣列所生長的基底的尺寸有 關(guān)。可根據(jù)實(shí)際需求制得。本實(shí)施例中，采用氣相沉積法在4英寸的基底生 長超順排碳納米管陣列。所述有序碳納米管薄膜163的寬度可為0.01厘米 ~10厘米，厚度為10納米 100微米。所述有序碳納米管薄膜163中，多個(gè) 碳納米管均勻分布且平行于所述碳納米管結(jié)構(gòu)16的表面。所述的多個(gè)碳納 米管沿拉伸方向擇優(yōu)取向排列，以使所述太陽能電池10具有均勻的電阻、 良好導(dǎo)電性以及較高的光電轉(zhuǎn)換效率。
可以理解，所述碳納米管結(jié)構(gòu)16還可包括至少兩個(gè)重疊設(shè)置的上述有序碳納米管薄膜163。具體地，相鄰的兩個(gè)有序碳納米管薄膜163中的碳納 米管具有一交叉角度a,且0度So^90度，具體可依據(jù)實(shí)際需求制備?？梢?理解，由于碳納米管結(jié)構(gòu)16中的多個(gè)有序碳納米管薄膜163可重疊設(shè)置， 故，上述碳納米管結(jié)構(gòu)16的厚度不限，可根據(jù)實(shí)際需要制成具有任意厚度 的碳納米管結(jié)構(gòu)16。所述碳納米管結(jié)構(gòu)16中，多個(gè)碳納米管均勻分布且平 行于所述碳納米管結(jié)構(gòu)16的表面。所述的多個(gè)碳納米管沿固定方向擇優(yōu)取 向排列。
可以理解，所述碳納米管結(jié)構(gòu)16也可是其他的碳納米管結(jié)構(gòu)，如多個(gè) 碳納米管長線互相平行鋪設(shè)于所述多晶硅襯底14表面，形成一碳納米管結(jié) 構(gòu)16;或者所述碳納米管結(jié)構(gòu)為一層狀結(jié)構(gòu)，每一層包括多個(gè)互相平行鋪設(shè) 于所述多晶硅襯底14表面的碳納米管長線，相鄰兩層中的碳納米管長線之 間具有一交叉角度p,且0度SpS90度；或者多個(gè)碳納米管長線互相平行鋪 設(shè)于一碳納米管薄膜表面，形成一碳納米管結(jié)構(gòu)16;或者碳納米管粉末與金 屬混合形成的復(fù)合材料涂覆于所述多晶硅襯底14表面，形成一碳納米管結(jié) 構(gòu)16等，只需具有良好的吸光性、導(dǎo)電性及耐用性等特性即可。
所述太陽能電池IO在應(yīng)用時(shí)，太陽光照射到所述碳納米管結(jié)構(gòu)16，入 射光子被所述碳納米管結(jié)構(gòu)16吸收后，在所述多晶硅襯底14和碳納米管結(jié) 構(gòu)16的接觸面上產(chǎn)生大量的激子，即電子和空穴對(duì)。這些激子將會(huì)分離成 兩種自由載流子，其中自由空穴載流子通過所述多晶硅襯底14向背電極12 傳輸，而由所述背電極12收集。自由電子載流子通過所述碳納米管結(jié)構(gòu)的 傳輸、收集。進(jìn)一步，通過碳納米管結(jié)構(gòu)16所收集的電流被所述至少一電 極18再次收集，這樣外電路就有電流通過。
請(qǐng)參閱圖5,本技術(shù)方案實(shí)施例提供一種制備上述采用有序碳納米管薄 膜163的太陽能電池10的方法，其具體包括以下步驟
步驟一提供一多晶硅襯底14。
該多晶硅襯底12為P型多晶硅片，采用標(biāo)準(zhǔn)電子級(jí)清洗步驟清洗該P(yáng) 型多晶硅片。請(qǐng)參閱圖6,所述多晶硅襯底14的晶粒間存在很多的疇界143， 疇界143處是多晶硅缺陷最集中的地方，包括了大量的不飽和懸掛鍵。而這 些不飽和懸掛鍵是載流子的俘獲中心，會(huì)影響所述太陽能電池10的光電轉(zhuǎn) 換效率及載流子的遷移率。步驟二在該多晶硅襯底14一側(cè)的表面上形成一背電極12。
以高純鋁作為蒸發(fā)源，采用熱蒸發(fā)技術(shù)，在上述P型多晶硅片14 一側(cè) 的表面上沉積形成厚度為10微米 300微米的金屬鋁作為背電極12;接著在 充滿惰性的氣氛下，在300。C 500。C下退火20分鐘 40分鐘，在所述P型多 晶硅片14一側(cè)的表面形成與該述P型多晶硅片14歐姆接觸的背電極12。
本技術(shù)方案實(shí)施例優(yōu)選在上述P型多晶硅片14 一側(cè)的表面上沉積形成 厚度為20微米的金屬鋁作為背電極12;接著在充滿惰性的氣氛下，在450 匸下退火30分鐘，在所述P型多晶硅片14 一側(cè)的表面形成與該述P型多晶 硅片14歐姆接觸的背電極12。
可以理解，也可在上述P型多晶硅片14 一側(cè)的表面涂覆一層導(dǎo)電膠， 將一金屬片粘附于所述P型多晶硅片14 一側(cè)的表面形成與該述P型多晶硅 片14歐姆接觸的背電極14。
步驟三制備至少一有序碳納米管薄膜163。
首先，提供一碳納米管陣列形成于一基底，優(yōu)選地，該陣列為超順排碳 納米管陣列。
本實(shí)施例中，超順排碳納米管陣列的制備方法采用化學(xué)氣相沉積法，其 具體步驟包括(a)提供一平整基底，該基底可選用P型或N型硅基底，或 選用形成有氧化層的硅基底，本實(shí)施例優(yōu)選為采用4英寸的硅基底；(b)在 基底表面均勻形成一催化劑層，該催化劑層材料可選用鐵(Fe)、鈷(Co)、 鎳(Ni)或其任意組合的合金之一；(c)將上述形成有催化劑層的基底在 700。C 卯0。C的空氣中退火約30分鐘 卯分鐘；(d)將處理過的基底置于反 應(yīng)爐中，在保護(hù)氣體環(huán)境下加熱到500。C 740。C ，然后通入碳源氣體反應(yīng)約 5分鐘 30分鐘，生長得到超順排碳納米管陣列，其高度為200微米 400微 米。該超順排碳納米管陣列為至少兩個(gè)彼此平行且垂直于基底生長的碳納米 管形成的純碳納米管陣列。通過上述控制生長條件，該超順排碳納米管陣列 中基本不含有雜質(zhì)，如無定型碳或殘留的催化劑金屬顆粒等。該碳納米管陣 列中的碳納米管彼此通過范德華力緊密接觸形成陣列。該碳納米管陣列的面 積與上述基底面積基本相同。
上述碳源氣可選用乙炔、乙烯、曱烷等化學(xué)性質(zhì)較活潑的碳?xì)浠衔铮?本實(shí)施例優(yōu)選的碳源氣為乙炔；保護(hù)氣體為氮?dú)饣蚨栊詺怏w，本實(shí)施例優(yōu)選的保護(hù)氣體為氬氣。
可以理解，本實(shí)施例提供的碳納米管陣列不限于上述制備方法，也可為 電弧放電沉積法、激光蒸發(fā)沉積法等。
其次，采用一拉伸工具拉取上述碳納米管陣列從而獲得一有序碳納米管
薄膜163。
本實(shí)施例中，采用 一拉伸工具拉取上述碳納米管陣列從而獲得一碳納米
管薄膜163的方法包括以下步驟(a)從上述碳納米管陣列中選定一定寬度 的多個(gè)碳納米管束片斷；(b)沿基本垂直于碳納米管陣列生長方向拉伸該多 個(gè)碳納米管束片斷，獲得一連續(xù)的有序碳納米管薄膜163，該有序碳納米管 薄膜163中的碳納米管的排列方向平行于有序碳納米管薄膜163的拉伸方 向。
在上述拉伸過程中，該多個(gè)碳納米管束片斷在拉力作用下沿拉伸方向逐 漸脫離基底的同時(shí)，由于范德華力作用，該選定的多個(gè)碳納米管束片斷分別 與其他碳納米管束片斷首尾相連地連續(xù)地被拉出，從而形成一有序碳納米管 薄膜163。
步驟四將所述至少一有序碳納米管薄膜163鋪設(shè)于所述多晶硅襯底14 的上表面142，從而得到一太陽能電池10。
可以理解，可將一有序碳納米管薄膜163直接鋪設(shè)于所述硅晶襯底14 的上表面142,或者將至少兩個(gè)有序碳納米管薄膜163重疊鋪設(shè)于所述硅晶 襯底14的上表面142。所述至少一有序碳納米管薄膜163形成一碳納米管結(jié) 構(gòu)16,作為所述太陽能電池10的光電轉(zhuǎn)換材料及上電極。
請(qǐng)參閱圖7，所述多晶硅襯底14中晶粒間的疇界143處存在著大量的不 飽和懸掛鍵。所述碳納米管結(jié)構(gòu)16在不飽和懸掛鍵的作用下吸附于所述多 晶硅襯底14的上表面142，飽和疇界143處的部分懸掛鍵，降低懸掛鍵對(duì)載 流子的俘獲，從而提高所述太陽能電池10的光電轉(zhuǎn)換效率及載流子的遷移 率。
所述太陽能電池及其制備方法具有以下優(yōu)點(diǎn)其一，由于采用碳納米管 結(jié)構(gòu)作為光電轉(zhuǎn)換材料，可以飽和部分懸掛鍵，降低懸掛鍵對(duì)載流子的俘獲 無需形成摻雜硅層，同時(shí)碳納米管結(jié)構(gòu)對(duì)太陽光具有很好的透光性，采用碳 納米管結(jié)構(gòu)作為上電極，可以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率；其二，碳納米管結(jié)構(gòu)在太陽能電池中起到光電轉(zhuǎn)換及上電極的雙重作用，且無需磷或砷
層，因此結(jié)構(gòu)簡單。
另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其他變化，當(dāng)然，這些依
據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種太陽能電池，其包括一多晶硅襯底；一背電極，該背電極設(shè)置于所述多晶硅襯底的下表面，且與該多晶硅襯底的下表面歐姆接觸；其特征在于，所述太陽能電池進(jìn)一步包括一碳納米管結(jié)構(gòu)，該碳納米管結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述多晶硅襯底的上表面，且與該多晶硅襯底的上表面接觸。
2.其特征在于，所述碳納米管結(jié)構(gòu)包括均勻
3.其特征在于，所述碳納米管結(jié)構(gòu)包括無序
4.其特征在于，所述無序> 友納米管層包括多
5.其特征在于，所述有序碳納米管層包括多
6.其特征在于，所述有序碳納米管層包括至 少一有序碳納米管薄膜，該有序碳納米管薄膜通過直接拉伸一碳納米管陣列 獲得，且包括沿拉伸方向擇優(yōu)取向排列的碳納米管。
7. 如權(quán)利要求6所述的太陽能電池，其特征在于，所述有序碳納米管薄膜包括 多個(gè)首尾相連且長度相等的碳納米管束，該碳納米管束的兩端通過范德華力 相互連接，每個(gè)碳納米管束包括多個(gè)長度相等且平行排列的碳納米管。
8. 如權(quán)利要求6所述的太陽能電池，其特征在于，所述有序碳納米管層包括至 少兩個(gè)重疊設(shè)置的有序> 友納米管薄膜。
9. 如權(quán)利要求8所述的太陽能電池，其特征在于，所述相鄰兩個(gè)有序碳納米管 薄膜中的碳納米管之間具有一交叉角度a，且0度$01￡90度。
10. 如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述碳納米管結(jié)構(gòu)包括多個(gè) 互相平行鋪設(shè)的碳納米管長線。
11. 如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述石灰納米管結(jié)構(gòu)為一層狀其特征在于，所述太陽能電池進(jìn)一 設(shè)置于所述多晶硅襯底的上表面，結(jié)構(gòu)，每一層包括多個(gè)互相平行鋪設(shè)的碳納米管長線，相鄰兩層中的碳納米管長線之間具有一交叉角度P，且0度鄰^90度。
12. 如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述碳納米管結(jié)構(gòu)包括一碳 納米管薄膜和多個(gè)碳納米管長線，該多個(gè)碳納米管長線互相平行鋪設(shè)于所述 碳納米管薄膜表面。
13. 如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述多晶硅襯底為n型多晶 硅片，其厚度為200微米~300微米。
14. 如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述背電極的材料可為鋁、 鎂或者銀，且該背電極的厚度為10微米 300微米。
15. 如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，該太陽能電池進(jìn)一步包括至 少一電極，該電極與所述碳納米管結(jié)構(gòu)的上表面電接觸。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種太陽能電池，該太陽能電池包括一背電極、一多晶硅襯底和一碳納米管結(jié)構(gòu)。所述背電極設(shè)置于所述多晶硅襯底的下表面，且與該多晶硅襯底的下表面歐姆接觸。所述碳納米管結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述多晶硅襯底的上表面，且與該多晶硅襯底的上表面接觸。
文檔編號(hào)H01L31/0224GK101552297SQ200810066509
公開日2009年10月7日 申請(qǐng)日期2008年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月3日
發(fā)明者姜開利, 孫海林, 李群慶, 范守善 申請(qǐng)人:清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司